JPH05238150A - コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニ
ン化合物を記録膜材料として用い、記録感度の波長依存
性を防ぎ、良好な再生信号が得られ、コンパクトディス
ク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクを得ること。 【構成】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜からな
り、コンパクトディスクフォーマット信号またはコンパ
クトディスク−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追
記型光ディスクにおいて、その記録膜が下記一般式
［１］で示される化合物および一般式［２］で示される
化合物からそれぞれ選ばれる２種以上のフタロシアニン
化合物より構成されることを特徴とするコンパクトディ
スク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記
型光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディ
スク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスク
に関する。

【０００２】

【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーデオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピュータ
−ＲＯＭとして（ＣＤ−ＲＯＭ）が広く普及している。
このようなＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカーボネー
ト等の透明基板表面にＣＤフォーマット信号またはＣＤ
−ＲＯＭフォーマット信号を有するピット列を射出成形
時に形成し、その上からアルミまたは金等を蒸着あるい
はスパッタリングにより反射膜として設け、さらに保護
膜をコートして作成する。

【０００３】このようにして作成された光ディスクの基
板裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レーザー
光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の変化から
各信号を読み取り、情報を再生するものである。しか
し、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生専用であ
り、記録ができないため、追記型光ディスクあるいは書
換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能がないと
いう不都合さがあった。

【０００４】一方、編集機能を有する追記型光ディスク
あるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等のカルコゲナ
イト系化合物、希土類金属化合物もしくはシアニン、ナ
フタロシアニン等の有機化合物を記録膜としたものが実
用化されている。

【０００５】しかしながら、これらの光ディスクは基板
面からの反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの国
際規格であるレッドブックに記載されている基板面から
の反射率７０％以上には到達しておらず、現状のままＣ
ＤもしくはＣＤ−ＲＯＭの再生装置により信号の再生を
行うことはできないという問題点がある。このような問
題点を解決するために、シアニン等の記録膜の上に金等
の反射膜を設けて、基板面反射率で７０％以上を確保し
て７８０ｎｍでＣＤフォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭ
フォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの
再生装置で情報を読み出す光ディスクおよび方法が提案
されている。

【０００６】しかしながら、一般にシアニン化合物は光
安定性が悪いため、ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭのような
単板構成で直接太陽光にさらされるような使用条件下で
は、記録の信頼性に問題が生ずる可能性がある。

【０００７】そのため、シアニン色素に代えて、化学
的、物理的安定性の優れたフタロシアニン化合物を記録
膜材料に使用する試みが検討されている。このフタロシ
アニン化合物の場合には、吸収バンドが非常にシャープ
であるため、ＣＤドライブのピックアップに搭載される
半導体レーザーの発振波長の許容範囲（７８０〜８００
ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射率および吸収）を
得ることが困難であり、記録感度の波長依存性が大き
く、汎用性のある追記型光ディスクに成りにくいという
問題点がある。従って、現状では安定性に優れ、さらに
記録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクは提供されていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク
は提供するために、化学的、物理的安定性の優れたフタ
ロシアニン化合物を記録膜材料として用いる場合に生ず
る記録感度の波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得ら
れる記録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を
得るに至った。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記のような安定性に優
れ、さらに記録特性も良好なＣＤ、またはＣＤ−ＲＯＭ
対応の追記型光ディスクは以下のようにして実現され
る。透明基板／記録膜／反射膜／保護膜からなり、ＣＤ
フォーマット信号またはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号
の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記録膜が
下記一般式［１］で示される化合物および一般式［２］
で示される化合物からそれぞれ選ばれる２種以上のフタ
ロシアニン化合物より構成されることを特徴とするコン
パクトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ
対応の追記型光ディスク。

【００１０】一般式［１］

【化５】

【００１１】［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独
立に置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアルキルチ
オ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。
ｋ、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜２の整数であ
り、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴の個数を表す。中心金属Ｍ¹ はＡ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ¹
は、

【００１２】

【化６】

【００１３】を表す。ここでＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ およびＲ
⁴ は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基
またはアリーロキシ基を表す。ｙ¹ は、１または２の整
数であり置換基Ｚ¹ の個数を表す。］

【００１４】一般式［２］

【化７】

【００１５】［式中、置換基Ｘ⁵ 〜Ｘ⁸ は、それぞれ独
立に置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有して
もよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアルキルチ
オ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。
ｏ、ｐ、ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜２の整数であ
り、置換基Ｘ⁵ 〜Ｘ⁸の個数を表す。中心金属Ｍ² はＡ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ²
は、

【００１６】

【化８】

【００１７】を表す。ここでＲ⁵ は置換基を有してもよ
いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換
基を有してもよいアラルキル基を表す。ｙ² は、１また
は２の整数であり置換基Ｚ² の個数を表す。］

【００１８】第二の発明は、第一の発明において、一般
式［１］のＸ¹ 〜Ｘ⁴ の置換位置が、それぞれＸ¹ が式
中の１位または４位、Ｘ² が式中の５位または８位、Ｘ
³ が式中の９位または１２位、Ｘ⁴ が式中の１３位また
は１６位であることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ−
ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。

【００１９】第三の発明は、第一の発明において、一般
式［２］のＸ⁵ 〜Ｘ⁸ の置換位置が、それぞれＸ⁵ が式
中の１位または４位、Ｘ⁶ が式中の５位または８位、Ｘ
⁷ が式中の９位または１２位、Ｘ⁸ が式中の１３位また
は１６位であることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ−
ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。

【００２０】第四の発明は、第一ないし第三いずれかの
発明において、一般式［１］および一般式［２］のＸ¹
〜Ｘ⁴ 、Ｘ⁵ 〜Ｘ⁸ およびＺ¹ 、Ｚ² のいずれかに、も
しくはすべてにフッ素が含有された有機置換基が導入さ
れることを特徴とするＣＤ対応またはＣＤ−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスク。

【００２１】本発明の記録膜が、一般式［１］で示され
るフタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタ
ロシアニン化合物のにより構成することについては、一
般式［１］で示されるフタロシアニン化合物は、リン含
有の軸置換基の効果により吸収波長が長波長にシフト
し、記録レーザーの発振波長域に吸収を有しレーザー光
を吸収し、熱的変化によってピットが形成されるヒート
モード記録において光学的に高感度化に有効である。

【００２２】しかしながら、この一般式［１］のフタロ
シアニン化合物単独ではレーザー波長域の吸光度が大き
すぎて規格を満足する反射率が得られなくなる場合があ
る。それゆえ、軸置換のアシル基の効果により熱分解点
が低く熱的に高感度化が可能である一般式［２］で示さ
れるフタロシアニン化合物を混合することにより、比較
的吸収が少なくて記録が可能になるため、高感度でしか
も高反射率のメディアとなり、さらに再生波形も良好と
なる。

【００２３】また、置換基にフッ素を導入することによ
り、溶解性が向上すると同時に、基板との界面エネルギ
ーによると考えられるが、記録ピットの状態が良好にな
り、記録信号のコントラストが大きく、さらに再生波形
がきれいになる。また、中心金属の軸置換基にリン含有
の置換基を導入することにより、汎用の汎用のアルコー
ル系およびセロソルブ系の溶媒への溶解性が向上し、光
ディスク基板として汎用に使用されているポリカーボネ
ート基板を侵すことなく塗布できる利点がある。

【００２４】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入されるＸ¹ 〜Ｘ⁴ および一般式
［２］で示されるフタロシアニン化合物に導入されるＸ
⁵ 〜Ｘ⁸を構成する原子および有機置換基の代表例とし
ては、ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素、フッ
素があり、置換基を有してもよいアルキル基としては、
メチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、２−メトキシエチル基、
フタルイミドメチル基、置換基を有してもよいアルコキ
シ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ
−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエ
トキシ基、テトラフルオロプロポキシ基、ペンタフルオ
ロプロポキシ基等を、置換基を有してもよいアルキルチ
オ基としては、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、テト
ラフルオロプロピルチオ基等を挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００２５】本発明に用いられる一般式［１］で示され
るフタロシアニン化合物と一般式［２］で示されるフタ
ロシアニン化合物との混合比率については、化合物の種
類および組み合わせにより異なるが、一般式［１］示さ
れるフタロシアニン化合物／一般式［２］示されるフタ
ロシアニン化合物＝１／９〜９／１の範囲でよく、さら
に３／７〜７／３の範囲が望ましい。また、記録膜に
は、耐光性、耐環境性等の安定性、繰り返し再生の安定
性をさらに向上させる目的で、酸素クエンチャー、紫外
線吸収剤等の添加剤を加えてもよい。例えば一般式
［３］で示されるジインモニウム系化合物および一般式
［４］で示されるアゾベンゼン系化合物があげられる。

【００２６】一般式［３］

【化９】

【００２７】［式中、ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ⁶ は
水素原子もしくはアルキル基を表す。Ｘ^9-はハロゲン原
子、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオロ酢
酸、フッ化アンチモン、フッ化砒素等の陰イオンを表
す。］

【００２８】一般式［４］

【化１０】

【００２９】［式中、Ｒ⁷ は水素原子もしくはアルキル
基を表す。Ｒ⁸ は水酸基、アルコキシ基、アミノ基ある
いはニトロ基を表す。］

【００３０】記録膜の成膜方法としては、ドライプロセ
ス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によっても
可能であるが、ウェットプロセス、例えば、スピンコー
ト法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あるい
はＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によっても可
能である。

【００３１】本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、
例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロ
ゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性
および記録膜の均一性からスピンコート法により成膜す
る方法が好ましい。

【００３２】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、フタロシアニン化合物に対して３０重量％
以下が好ましい。

【００３３】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録膜材
料の種類および組合せにより異なるため特に制限はな
く、５００〜３０００Åが好ましく、さらに１０００〜
２５００Åが最適膜厚範囲である。

【００３４】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ₄ 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。このように、反射膜素材とし
ては金が最適であるが、金は高価であるため、安価な光
ディスクを得ることが困難となる問題点がある。この問
題を解決する目的で、金の膜厚を最小限に小さくし、膜
厚不足を他の金属（例えば、アルミニウム、銀等）で補
うような金属積層膜を反射膜に用いることも可能であ
る。

【００３５】なお、この場合、積層する下層（記録膜に
接する層）の金膜厚は、最低２００Å以上必要であり、
金属積層膜の全膜厚は８００〜２５００Åが最適であ
る。また、場合によっては有機系の高反射膜を使用する
こともできる。このような反射膜の成膜方法としては、
ドライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が
最も好ましいがこれに限られるものではない。本発明の
反射膜の最適膜厚については、特に制限はないが４００
〜１３００Åの範囲が好ましい。

【００３６】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でディスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。 保護層の
最適膜厚については、薄い場合には、保護の効果が低下
し、厚い場合には樹脂の硬化時の収縮によりディスクの
そり等の機械特性の悪化の原因になるため、２〜２０ミ
クロンの範囲で成膜することが好ましい。

【００３７】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。 また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案
内溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮
成形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が
好ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ
法による方法によっても行うことができる。

【００３８】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく矩形、台形あるいはＵ字形であってもよい。ま
た、案内溝の寸法については、記録膜材料の種類および
組合せ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．３〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが８００〜２０００オングストローム
の範囲が好ましい。

【００３９】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。

【００４１】実施例１ 深さ１１００オングストローム、幅０．４５ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）および（ｂ）を
１：1 で混合したものを２，２，３，３−テトラフルオ
ロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．
２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この
塗液を用いて、スピンコーターにより記録膜厚１３００
オングストロームに成膜した。次に、このようにして得
た記録膜の上に真空蒸着により金を膜厚８００オングス
トロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹
脂により５ミクロンの保護膜を設けて光ディスクを作成
した。このようにして作成した光ディスクの反射率は７
４％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが７．６ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００４２】実施例２ 深さ９００オングストローム、幅０．５２ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｃ）および（ｄ）を
５：３で混合したものをジアセトンアルコールに６５ｍ
ｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリ
ングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコ
ーターにより記録膜厚１４５０オングストロームに成膜
した。次に、このようにして得た記録膜の上に真空蒸着
により金を膜厚５００オングストロームに成膜した。さ
らに、この上に紫外線硬化型樹脂により５ミクロンの保
護膜を設けて光ディスクを作成した。このようにして作
成した光ディスクの反射率は７１％であった。このよう
にして作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎｍの半
導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、Ｅ
ＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、最適記
録レーザーパワーが７．４ｍＷで記録が可能であった。
次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザーパワー
０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号は良好
であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであ
った。

【００４３】実施例３ 深さ１５５０オングストローム、幅０．５４ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物（ｅ）および（ｆ）を
７：３で混合したものをジアセトンアルコールに５０ｍ
ｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリ
ングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコ
ーターにより記録膜厚１７２０オングストロームに成膜
した。次に、このようにして得た記録膜の上に真空蒸着
により金を膜厚５００オングストロームに成膜した。さ
らに、この上に紫外線硬化型樹脂により５ミクロンの保
護膜を設けて光ディスクを作成した。このようにして作
成した光ディスクの反射率は６９％であった。このよう
にして作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎｍの半
導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、Ｅ
ＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、最適記
録レーザーパワーが７．０ｍＷで記録が可能であった。
次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザーパワー
０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号は良好
であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであ
った。

【００４４】実施例４〜８ 深さ１２５０オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に表１で示すフタロシアニン化合物の組み合わせ
および条件で成膜した。次に、このようにして得た記録
膜の上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストロー
ムに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂によ
り５ミクロンの保護膜を設けて光ディスクを作成した。
このようにして作成した光ディスクの反射率および実施
例１と同様な方法で記録、再生を行った場合の最適記録
レーザーパワーを表２に示す。

【００４５】

【化１１】 フタロシアニン化合物（ａ）

【００４６】

【化１２】 フタロシアニン化合物（ｂ）

【００４７】

【化１３】 フタロシアニン化合物（ｃ）

【００４８】

【化１４】 フタロシアニン化合物（ｄ）

【００４９】

【化１５】 フタロシアニン化合物（ｅ）

【００５０】

【化１６】 フタロシアニン化合物（ｆ）

【００５１】

【化１７】 フタロシアニン化合物（ｇ）

【００５２】

【化１８】 フタロシアニン化合物（ｈ）

【００５３】

【化１９】 フタロシアニン化合物（ｉ）

【００５４】

【化２０】 フタロシアニン化合物（ｊ）

【００５５】

【化２１】 フタロシアニン化合物（ｋ）

【００５６】

【化２２】 フタロシアニン化合物（ｌ）

【００５７】

【化２３】 フタロシアニン化合物（ｍ）

【００５８】

【化２４】 フタロシアニン化合物（ｎ）

【００５９】

【化２５】 フタロシアニン化合物（ｏ）

【００６０】

【化２６】 フタロシアニン化合物（ｐ）

【００６１】

【表１】

【００６２】

【表２】

【００６３】

【発明の効果】本発明により、従来の追記機能、編集機
能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決
し、安定性に優れ、さらに記録感度の波長依存性を防
ぎ、良好な再生信号が得られるＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍを得ることができた。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜から
   なり、コンパクトディスクフォーマット信号またはコン
   パクトディスク−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う
   追記型光ディスクにおいて、その記録膜が下記一般式
   ［１］で示される化合物および一般式［２］で示される
   化合物からそれぞれ選ばれる２種以上のフタロシアニン
   化合物より構成されることを特徴とするコンパクトディ
   スク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記
   型光ディスク。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独立に置換基を
   有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
   キシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、ハロゲ
   ン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。ｋ、ｌ、ｍお
   よびｎはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、置換基Ｘ
   ¹ 〜Ｘ⁴の個数を表す。中心金属Ｍ¹ はＡｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ¹ は、 【化２】 を表す。ここでＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ およびＲ⁴ は置換基を
   有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリー
   ル基、置換基を有してもよいアルコキシ基またはアリー
   ロキシ基を表す。ｙ¹ は、１または２の整数であり置換
   基Ｚ¹ の個数を表す。］ 一般式［２］ 【化３】 ［式中、置換基Ｘ⁵ 〜Ｘ⁸ は、それぞれ独立に置換基を
   有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
   キシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、ハロゲ
   ン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。ｏ、ｐ、ｑお
   よびｒはそれぞれ独立に０〜２の整数であり、置換基Ｘ
   ⁵ 〜Ｘ⁸の個数を表す。中心金属Ｍ² はＡｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。置換基Ｚ² は、 【化４】 を表す。ここでＲ⁵ は置換基を有してもよいアルキル
   基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
   もよいアラルキル基を表す。ｙ² は、１または２の整数
   であり置換基Ｚ² の個数を表す。］
2. 【請求項２】 一般式［１］のＸ¹ 〜Ｘ⁴ の置換位置
   が、それぞれＸ¹ が式中の１位または４位、Ｘ² が式中
   の５位または８位、Ｘ³ が式中の９位または１２位、Ｘ
   ⁴ が式中の１３位または１６位であることを特徴とする
   請求項１記載のコンパクトディスク対応またはコンパク
   トディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
3. 【請求項３】 一般式［２］のＸ⁵ 〜Ｘ⁸ の置換位置
   が、それぞれＸ⁵ が式中の１位または４位、Ｘ⁶ が式中
   の５位または８位、Ｘ⁷ が式中の９位または１２位、Ｘ
   ⁸ が式中の１３位または１６位であることを特徴とする
   請求項１記載のコンパクトディスク対応またはコンパク
   トディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
4. 【請求項４】 一般式［１］および一般式［２］のＸ¹
   〜Ｘ⁴ 、Ｘ⁵ 〜Ｘ⁸ およびＺ¹ 、Ｚ² のいずれかに、も
   しくはすべてにフッ素が含有された有機置換基が導入さ
   れることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の
   コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−Ｒ
   ＯＭ対応の追記型光ディスク。