JPH0474951A - 検査方法および検査装置 - Google Patents
検査方法および検査装置Info
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- JPH0474951A JPH0474951A JP18720490A JP18720490A JPH0474951A JP H0474951 A JPH0474951 A JP H0474951A JP 18720490 A JP18720490 A JP 18720490A JP 18720490 A JP18720490 A JP 18720490A JP H0474951 A JPH0474951 A JP H0474951A
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- Japan
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン付ウェハ異物検査等の産業用検査方法
および検査装置に関する。
および検査装置に関する。
従来の検査方法および検査装置においては複数の検出手
段を有し、これらの検出結果を結びつけて有益な情報を
引き出し利用することにより精度を向上させたものがあ
る。たとえばウェハ上の表面状態の検査に関しては特開
平!−3545号公報に記載のような検査方法および検
査装置があった。
段を有し、これらの検出結果を結びつけて有益な情報を
引き出し利用することにより精度を向上させたものがあ
る。たとえばウェハ上の表面状態の検査に関しては特開
平!−3545号公報に記載のような検査方法および検
査装置があった。
第7図は従来の検査方法および検査装置を例示する構成
図である。第7図において、検査対象の入力X1(iは
対象の番号)に対する複数の検出手段f、gのそれぞれ
の出力f (x i)+ g (x =)を割算器に入
力し、その割算器の出力とあらかじめ設定された閾値と
を比較器により比べて検出出力としている。
図である。第7図において、検査対象の入力X1(iは
対象の番号)に対する複数の検出手段f、gのそれぞれ
の出力f (x i)+ g (x =)を割算器に入
力し、その割算器の出力とあらかじめ設定された閾値と
を比較器により比べて検出出力としている。
第8図は従来のウェハ異物検査方法および検査装置を例
示する構成図である。第8図において、S偏光をレーザ
ダイオードにより低角度り、および高角度L2で照射し
、反射光中の低角度P偏光成分と高角度S偏光成分の光
量比から被検査物であるウェハの表面に付着した異物を
検出することにより、検出感度および精度の向上を図っ
ている。
示する構成図である。第8図において、S偏光をレーザ
ダイオードにより低角度り、および高角度L2で照射し
、反射光中の低角度P偏光成分と高角度S偏光成分の光
量比から被検査物であるウェハの表面に付着した異物を
検出することにより、検出感度および精度の向上を図っ
ている。
第9図は第8図の異物検出原理説明図である。
第9図において、第9図Aのウェハ上の低角度および高
角度照射により、第9図Bの低角度L1および第9図C
の高角度L2の照射光のウェハ表面における反射光量が
パターン(エツジ)21と異物22とで異なるので、第
9図りの低角度反射光量と高角度反射光量の比をとるこ
とにより、パターン21と異物22の弁別が可能となっ
て微小異物の検出ができる。
角度照射により、第9図Bの低角度L1および第9図C
の高角度L2の照射光のウェハ表面における反射光量が
パターン(エツジ)21と異物22とで異なるので、第
9図りの低角度反射光量と高角度反射光量の比をとるこ
とにより、パターン21と異物22の弁別が可能となっ
て微小異物の検出ができる。
第1O図は第8図(第9図)の異物検出機能説明図であ
る。第10図において、低角度および高角度反射光の光
量比が一定の原点を通る弁別直線を設定することにより
、パターン(○印)と異物(×印)の弁別を行っている
。
る。第10図において、低角度および高角度反射光の光
量比が一定の原点を通る弁別直線を設定することにより
、パターン(○印)と異物(×印)の弁別を行っている
。
〔発明が解決しようとする課題]
上記従来技術は複数の検出手段の低角度反射光量と高角
度反射光量を利用しながらも、その利用方法が単純に両
者の光量比を求めて所定の閾値と比較して検査を行って
おり、第10図のような原点を通る弁別直線しか設定す
ることができないため、必ずしも最適な結果を得る閾値
(直線の傾き)が存在して高精度検査が常に可能とは限
らず、検査精度の低下あるいは虚報を容認せざるを得な
いという状況が発生する問題があった。
度反射光量を利用しながらも、その利用方法が単純に両
者の光量比を求めて所定の閾値と比較して検査を行って
おり、第10図のような原点を通る弁別直線しか設定す
ることができないため、必ずしも最適な結果を得る閾値
(直線の傾き)が存在して高精度検査が常に可能とは限
らず、検査精度の低下あるいは虚報を容認せざるを得な
いという状況が発生する問題があった。
第11図は第8図(第9図)の課題の異物検出機能説明
図である。第11図において、本願発明者らの実験によ
れば第8図(第9図)の従来例の対象において第10図
の原点を通る直線に代えて第11図に示すような変曲点
をもつ曲線によりパターン(○印)と異物(×印)の弁
別を行うことが精度向上に極めて効果的であることが判
明している。
図である。第11図において、本願発明者らの実験によ
れば第8図(第9図)の従来例の対象において第10図
の原点を通る直線に代えて第11図に示すような変曲点
をもつ曲線によりパターン(○印)と異物(×印)の弁
別を行うことが精度向上に極めて効果的であることが判
明している。
本発明は複数の検出手段によって得られる被検査物の情
報を最大に活用して高精度検査が可能となる検査方法お
よび検査装置を提供することを目的とする。
報を最大に活用して高精度検査が可能となる検査方法お
よび検査装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の検査方法および検
査装置は複数の検出手段を用いてあらかしめ判定のつい
ている被検査物を検査し、その時の複数の検出手段の出
力と判定とのデータ組を記憶し、これらのデータ組をも
とに判定の弁別曲線または弁別曲面を生成し、ついでこ
の弁別曲線または弁別曲面をもとに実際の被検査物を検
査して判定を行うようにしたものである。
査装置は複数の検出手段を用いてあらかしめ判定のつい
ている被検査物を検査し、その時の複数の検出手段の出
力と判定とのデータ組を記憶し、これらのデータ組をも
とに判定の弁別曲線または弁別曲面を生成し、ついでこ
の弁別曲線または弁別曲面をもとに実際の被検査物を検
査して判定を行うようにしたものである。
〔作用]
上記の検査方法および検査装置はあらかじめ判定(分類
)の判っている被検査物からの情報を複数の検出手段に
入力し、その時の複数の検出手段の検出出力と判定(分
類)とのデータ組をパターンクラシファイアのメモリに
記憶して、これらのデータ組をもとに第11図に例示の
ような判定(分類)を弁別する曲線または曲面を自動的
に生成し、ついで実際の被検査物からの情報を複数の検
出手段に入力し、その時の複数の検出手段の検出出力を
クラシファイアに入力して上記弁別曲線または弁別曲面
をもとに被検査物の判定(分類)を行うことができる。
)の判っている被検査物からの情報を複数の検出手段に
入力し、その時の複数の検出手段の検出出力と判定(分
類)とのデータ組をパターンクラシファイアのメモリに
記憶して、これらのデータ組をもとに第11図に例示の
ような判定(分類)を弁別する曲線または曲面を自動的
に生成し、ついで実際の被検査物からの情報を複数の検
出手段に入力し、その時の複数の検出手段の検出出力を
クラシファイアに入力して上記弁別曲線または弁別曲面
をもとに被検査物の判定(分類)を行うことができる。
[実施例〕
以下に本発明の実施例を第1図から第6図により説明す
る。
る。
第1図は本発明による検査方法および検査装置の一実施
例を示す構成図である。第1図において、検査対象の入
力をXl(=は対象の番号)、検出手段Iをf、検出手
段rの入力X、に対する出力をf(x、)、検出手段2
をg、検出手段gの入力x8に対する出力をg(xi)
とし、検出手段f、gの出力f(x、)、g(x、)を
パターンクラシファイアCに入力し、検出手段f、gの
結果を最大限有効に利用する第11図に示したような判
定(分類)の弁別曲線を自動的に生成させ、これにより
被検査物の判定を(分類)を行ない出力する構成とする
。
例を示す構成図である。第1図において、検査対象の入
力をXl(=は対象の番号)、検出手段Iをf、検出手
段rの入力X、に対する出力をf(x、)、検出手段2
をg、検出手段gの入力x8に対する出力をg(xi)
とし、検出手段f、gの出力f(x、)、g(x、)を
パターンクラシファイアCに入力し、検出手段f、gの
結果を最大限有効に利用する第11図に示したような判
定(分類)の弁別曲線を自動的に生成させ、これにより
被検査物の判定を(分類)を行ない出力する構成とする
。
第2図は第1図のパターンクラシファイアCの弁別曲線
の生成方法を例示する説明図である。第2図において、
あらかじめ分類の判っている対象Xiを検出手段f、g
に入力し、検出手段f、 gの出力f (x t)+
g (x t)のQ印とx印で示されるような分類の
データ組を記憶し、これにより第2図(第11図)に示
されるような分類の弁別曲線を作成するには種々の方法
があるが、ここではその−例を説明する。いま○印に分
類される対象X。
の生成方法を例示する説明図である。第2図において、
あらかじめ分類の判っている対象Xiを検出手段f、g
に入力し、検出手段f、 gの出力f (x t)+
g (x t)のQ印とx印で示されるような分類の
データ組を記憶し、これにより第2図(第11図)に示
されるような分類の弁別曲線を作成するには種々の方法
があるが、ここではその−例を説明する。いま○印に分
類される対象X。
の出力f (x =) 1g (x i)の組をAff
i、x印に分類される対象X、の出力f(xi)1g(
χ、)の組をB。
i、x印に分類される対象X、の出力f(xi)1g(
χ、)の組をB。
とすると、A、の1つの要素に対しB、、のうちの最短
距離にある要素を選んでその中点に、とじ、これをAい
の全ての要素について行う。ついでB、の全での要素に
ついてそれぞれ八〇の場合と同様に87に対して最短距
離にあるA6の要素を選んでその中点をに′1とする。
距離にある要素を選んでその中点に、とじ、これをAい
の全ての要素について行う。ついでB、の全での要素に
ついてそれぞれ八〇の場合と同様に87に対して最短距
離にあるA6の要素を選んでその中点をに′1とする。
この中点に、、に’、の交わり集合を求め、その点を近
い順に結ぶと○印とx印の分類を分ける最良の線分群か
ら成る弁別曲線(第2図の点線)が得られる。これより
次に被検査物の入力Xが入力された場合には、その出力
f(x)、g(x)の組が弁別曲線の上方に位置するが
下方に位置するかで○印とx印の分類の判定ができる。
い順に結ぶと○印とx印の分類を分ける最良の線分群か
ら成る弁別曲線(第2図の点線)が得られる。これより
次に被検査物の入力Xが入力された場合には、その出力
f(x)、g(x)の組が弁別曲線の上方に位置するが
下方に位置するかで○印とx印の分類の判定ができる。
なお本実施例は2人力の場合について説明したが、3人
力以上の複数入力に対しても複数の検出出力より同様の
方法で最適の弁別曲面を生成し、これにより被検査物の
分類の判定ができる。
力以上の複数入力に対しても複数の検出出力より同様の
方法で最適の弁別曲面を生成し、これにより被検査物の
分類の判定ができる。
第3図は本発明による異物検査方法および検査装置の一
実施例を示す構成図である。第3図において、この異物
検査装置の試料台1はウェハ2を着脱自在に支持するた
めのもので、例えば図示しない駆動手段により水平面内
のX、Y方向に移動可能である。また試料台1上に支持
されたウェハ2上の所定部位に向けて同一平面内におい
て低角度および高角度でS偏光を照射しうる2種のレー
ザ照射源L+、Lxが設けられる。その一方のレーザ照
射源L1は同一鉛直面内に対向位置された1対のレーザ
ダイオード(波長人−830,,) 3 a、 3 b
から成り、ウェハ2の所定部位に向けて例えば入射角2
〜5°の比較的低角度で照射でき、他方のレーザ照射源
L2は同一鉛直面内に対向配置された1対のレーザダイ
オード(波長人−780,,) 4a。
実施例を示す構成図である。第3図において、この異物
検査装置の試料台1はウェハ2を着脱自在に支持するた
めのもので、例えば図示しない駆動手段により水平面内
のX、Y方向に移動可能である。また試料台1上に支持
されたウェハ2上の所定部位に向けて同一平面内におい
て低角度および高角度でS偏光を照射しうる2種のレー
ザ照射源L+、Lxが設けられる。その一方のレーザ照
射源L1は同一鉛直面内に対向位置された1対のレーザ
ダイオード(波長人−830,,) 3 a、 3 b
から成り、ウェハ2の所定部位に向けて例えば入射角2
〜5°の比較的低角度で照射でき、他方のレーザ照射源
L2は同一鉛直面内に対向配置された1対のレーザダイ
オード(波長人−780,,) 4a。
4bから成り、ウェハ2の所定部位に向けて例えば入射
角30〜40°の比較的高角度で照射できる。
角30〜40°の比較的高角度で照射できる。
なおここでレーザ照射源Ll、Lxをそれぞれ2個のレ
ーザダイオード3a、 3b、 4a、 4b T:構
成したのは異物等からの反射光量を増して異物の検出感
度を高めるためである。
ーザダイオード3a、 3b、 4a、 4b T:構
成したのは異物等からの反射光量を増して異物の検出感
度を高めるためである。
また試料台1の上方にはウェハ2からの反射光を収束さ
せる対物レンズ5が設けられ、この対物レンズ5によっ
て収束された光はその上方に配置されたダイクロインク
ミラー6に入射されるようになっており、このダイクロ
イックミラー6は波長の異なる反射光を分離する機能を
もつ。具体的にはダイクロイックミラー6はレーザダイ
オード3a、3bから照射した光の反射光(低角度反射
光)をそのまま透過させてその上方に配置された偏向ビ
ームスプリッタフに入射させ、レーザダイオード4a、
4bから照射した光の反射光(高角度反射光)を上記低
角度反射光と直交する方向に反射させてその側方に配置
された偏向ビームスプリッタ8に入射させる働きをもつ
。ここで偏光ビームスプリッタ7は入射された低角度反
射光をP偏光成分とS偏光成分とに分離してP偏光成分
(低角度P偏光成分)のみを検出部9に供給する機能を
もち、また偏光ビームスプリッタ8は入射された高角度
反射光をP偏光成分とS偏光成分とに分離してS偏光成
分(高角度S偏光成分)のみを検出部10に供給する機
能をもつ。また検出部9,10はそれぞれ受光した低角
度P偏光成分、高角度S偏光成分を光量に応じた電気信
号に変換する機能をもち、この異物検査装置においては
各電気信号g。
せる対物レンズ5が設けられ、この対物レンズ5によっ
て収束された光はその上方に配置されたダイクロインク
ミラー6に入射されるようになっており、このダイクロ
イックミラー6は波長の異なる反射光を分離する機能を
もつ。具体的にはダイクロイックミラー6はレーザダイ
オード3a、3bから照射した光の反射光(低角度反射
光)をそのまま透過させてその上方に配置された偏向ビ
ームスプリッタフに入射させ、レーザダイオード4a、
4bから照射した光の反射光(高角度反射光)を上記低
角度反射光と直交する方向に反射させてその側方に配置
された偏向ビームスプリッタ8に入射させる働きをもつ
。ここで偏光ビームスプリッタ7は入射された低角度反
射光をP偏光成分とS偏光成分とに分離してP偏光成分
(低角度P偏光成分)のみを検出部9に供給する機能を
もち、また偏光ビームスプリッタ8は入射された高角度
反射光をP偏光成分とS偏光成分とに分離してS偏光成
分(高角度S偏光成分)のみを検出部10に供給する機
能をもつ。また検出部9,10はそれぞれ受光した低角
度P偏光成分、高角度S偏光成分を光量に応じた電気信
号に変換する機能をもち、この異物検査装置においては
各電気信号g。
fをクラシファイア11へ出力し、このクラシファイア
11は各電気信号g、fからパターンと異物を判定する
弁別曲線を生成し、その弁別曲線をもとに被検査物の異
物検査を行い結果を出力する機能をもつ。
11は各電気信号g、fからパターンと異物を判定する
弁別曲線を生成し、その弁別曲線をもとに被検査物の異
物検査を行い結果を出力する機能をもつ。
上記構成の異物検査装置における異物検査方法(動作)
を次に説明する。まずレーザダイオード3a、3b、4
a、4bから試料台1上に支持されたウェハ2の同一部
位に低角度および高角度で照射されたS偏光はウェハ2
で反射されて、その反射光の一部が対物レンズ5を通し
てダイクロイックミラー6に入射され、ここで波長の異
なるレーザダイオード3a、3bによって照射された光
の低角度反射光とレーザダイオード4a、4bによって
照射された光の高角度反射光とが分離され、レーザダイ
オード3a、3bからの照射光の低角度反射光はそのま
ま透過されて偏光ビームスプリッタ7に入射される一方
、レーザダイオード4a、4bからの照射光の高角度反
射光は偏光ビームスプリッタ8に入射される。ついで分
離された低角度反射光が入射される偏光ビームスプリッ
タ7ではP偏向成分(低角度P偏光成分)が抽出され、
その抽出されたP偏光成分のみが検出部9で送られ、こ
の検出部9からは低角度P偏向成分の光量に応じた電気
信号gがクラシファイア11に出力される。一方の高角
度反射光が入射される偏光ビームスプリッタ8ではS偏
光成分(高角度S偏光成分)が抽出され、その抽出され
たS偏光成分のみが検出部10に送られ、この検出部1
0からは高角度S偏光成分の光量に応じた電気信号fが
クラシファイア11に出力される。さらにクラシファイ
ア11では入力される電気信号g、fから第11図に示
すようなパターンと異物を判定する弁別曲線を生成する
ことにより、この弁別曲線をもとに被検査物(ウエノX
)の異物検査を行い検出結果を出力する。
を次に説明する。まずレーザダイオード3a、3b、4
a、4bから試料台1上に支持されたウェハ2の同一部
位に低角度および高角度で照射されたS偏光はウェハ2
で反射されて、その反射光の一部が対物レンズ5を通し
てダイクロイックミラー6に入射され、ここで波長の異
なるレーザダイオード3a、3bによって照射された光
の低角度反射光とレーザダイオード4a、4bによって
照射された光の高角度反射光とが分離され、レーザダイ
オード3a、3bからの照射光の低角度反射光はそのま
ま透過されて偏光ビームスプリッタ7に入射される一方
、レーザダイオード4a、4bからの照射光の高角度反
射光は偏光ビームスプリッタ8に入射される。ついで分
離された低角度反射光が入射される偏光ビームスプリッ
タ7ではP偏向成分(低角度P偏光成分)が抽出され、
その抽出されたP偏光成分のみが検出部9で送られ、こ
の検出部9からは低角度P偏向成分の光量に応じた電気
信号gがクラシファイア11に出力される。一方の高角
度反射光が入射される偏光ビームスプリッタ8ではS偏
光成分(高角度S偏光成分)が抽出され、その抽出され
たS偏光成分のみが検出部10に送られ、この検出部1
0からは高角度S偏光成分の光量に応じた電気信号fが
クラシファイア11に出力される。さらにクラシファイ
ア11では入力される電気信号g、fから第11図に示
すようなパターンと異物を判定する弁別曲線を生成する
ことにより、この弁別曲線をもとに被検査物(ウエノX
)の異物検査を行い検出結果を出力する。
上記の異物検査方法において、第9図Aの回折現象が規
則的なパターン(エツジ)21においては低次の回折光
成分が多く、第9図B、Cのパターンエツジ21からの
反射光量は低角度(第9図B)よりも高角度(第9図C
)の方が大きくなり、方の第9図Aの異物22において
は低次および高次成分が幅広く分布するために、第9図
B、Cの異物22からの反射光量は低角度(第9図B)
および高角度(第9図C)ともにほぼ等しい反射光量と
なる。またS偏光を照射してその反射光におけるP偏向
成分(低角度P偏光成分)とS偏光成分(高角度S偏光
成分)を取っているのはS/Nを向上させてパターン(
エツジ)21と異物22とが容易に判別できるためであ
る。さらに第9図へのパターンエツジ21からの反射光
量は低角度(第3図B)では飽和傾向を示すのに対し、
異物22からの反射光量は異物22の大きさに応じて大
きくなる傾向があるので、第11図に示すようにパター
ンと異物を判定する弁別曲線に変曲点が発生するものと
思われる。
則的なパターン(エツジ)21においては低次の回折光
成分が多く、第9図B、Cのパターンエツジ21からの
反射光量は低角度(第9図B)よりも高角度(第9図C
)の方が大きくなり、方の第9図Aの異物22において
は低次および高次成分が幅広く分布するために、第9図
B、Cの異物22からの反射光量は低角度(第9図B)
および高角度(第9図C)ともにほぼ等しい反射光量と
なる。またS偏光を照射してその反射光におけるP偏向
成分(低角度P偏光成分)とS偏光成分(高角度S偏光
成分)を取っているのはS/Nを向上させてパターン(
エツジ)21と異物22とが容易に判別できるためであ
る。さらに第9図へのパターンエツジ21からの反射光
量は低角度(第3図B)では飽和傾向を示すのに対し、
異物22からの反射光量は異物22の大きさに応じて大
きくなる傾向があるので、第11図に示すようにパター
ンと異物を判定する弁別曲線に変曲点が発生するものと
思われる。
第4図は第3図のクラシファイア11の一実m例を示す
構成図である。第4図において、51.52は検出部9
,10からの電気信号g+ fをそれぞれ入力するスイ
ッチ、53.54信号g、 fより弁別曲線を具現化す
るためのLUT(ルックアップチーフル)、55は信号
g、 fより弁別曲線を生成するCPU<演算器)、5
6は閾値、57は出力を与えるる加算器、58は信号g
、 f等のデータ組を記憶するメモリ、59はパターン
2工の場合の値Tと異物22の値Fを入力するT/F入
力である。
構成図である。第4図において、51.52は検出部9
,10からの電気信号g+ fをそれぞれ入力するスイ
ッチ、53.54信号g、 fより弁別曲線を具現化す
るためのLUT(ルックアップチーフル)、55は信号
g、 fより弁別曲線を生成するCPU<演算器)、5
6は閾値、57は出力を与えるる加算器、58は信号g
、 f等のデータ組を記憶するメモリ、59はパターン
2工の場合の値Tと異物22の値Fを入力するT/F入
力である。
上記の構成において、まずスイッチ51.52が連動し
ていてそれぞれ検出部9,1oからの信号g、fの入力
をLUT53.54の入力り側またはCPU55の入力
T側に切り換えるが、はじめに両スイッチ5L 52は
T(教育)側にしておく。ここであらかじめパターン2
1か異物22か判別しである点を検出し、そのときの信
号g、fの値をCPU55に入力するとともに、T/F
入力59からはパターンの場合には値Tを入力して異物
の場合には値Fを入力する。このとき信号g、fおよび
TまたはFの値をメモリ58に記憶する。この動作を十
分に多数の検出点x1について行えばメモリ58には2
次元平面で表わせば第2図(第11図)に示すようなデ
ータ組(○印がパターン、×印が異物)が格納される。
ていてそれぞれ検出部9,1oからの信号g、fの入力
をLUT53.54の入力り側またはCPU55の入力
T側に切り換えるが、はじめに両スイッチ5L 52は
T(教育)側にしておく。ここであらかじめパターン2
1か異物22か判別しである点を検出し、そのときの信
号g、fの値をCPU55に入力するとともに、T/F
入力59からはパターンの場合には値Tを入力して異物
の場合には値Fを入力する。このとき信号g、fおよび
TまたはFの値をメモリ58に記憶する。この動作を十
分に多数の検出点x1について行えばメモリ58には2
次元平面で表わせば第2図(第11図)に示すようなデ
ータ組(○印がパターン、×印が異物)が格納される。
ついでCPU55は上記したような方法で○印ツバター
ンと×印の異物を分類するのに最適な全直線群からなる
弁別曲!(第6図の点線)を与えるような関数ξ(g)
、ζ(f)をそれぞれ信号g+ fに対応して算出し
、必要に応じて全直線群からなる弁別曲線をシフトする
ような値THをも算出して、それぞれLUT53,54
および閾値56に設定する。
ンと×印の異物を分類するのに最適な全直線群からなる
弁別曲!(第6図の点線)を与えるような関数ξ(g)
、ζ(f)をそれぞれ信号g+ fに対応して算出し
、必要に応じて全直線群からなる弁別曲線をシフトする
ような値THをも算出して、それぞれLUT53,54
および閾値56に設定する。
つぎに被検査物の異物検査の場合にはスイッチ51、5
2をD(検査)側に切り換える。ここでLUT53.5
4はそれぞれ検出部9,10からの信号g、fを入力す
るとCP U55の設定に応じて出力ξ(g)。
2をD(検査)側に切り換える。ここでLUT53.5
4はそれぞれ検出部9,10からの信号g、fを入力す
るとCP U55の設定に応じて出力ξ(g)。
ζ(f)を与え、加算器57はξ(g)に対しては反転
入力でζ(f)およびTHに対しては正入力となってお
り、その出力は次のようになる。
入力でζ(f)およびTHに対しては正入力となってお
り、その出力は次のようになる。
出力−ζ(f)−ξ輸)+TH
この出力が正の場合には検出された物質はパターン21
で、逆の負の場合には異物22であると判断される。
で、逆の負の場合には異物22であると判断される。
本実施例によれば複数の検出手段による検出結果をもと
に高精度の自動検査を行うことができるという効果があ
る。
に高精度の自動検査を行うことができるという効果があ
る。
第5図は第3図のクラシファイア11の他の実施例を示
す構成図である。第5図において、第4図と同一符号は
相当部分を示すものとし、第4図のスイッチ51.52
を除去して信号g、 fの入力がそれぞれ常に対応する
LUT53,54に入力され、かつCPU55にも同時
に入力されるほか、メモリ58へのデータ修正人力60
および表示器61を備えた構成である。
す構成図である。第5図において、第4図と同一符号は
相当部分を示すものとし、第4図のスイッチ51.52
を除去して信号g、 fの入力がそれぞれ常に対応する
LUT53,54に入力され、かつCPU55にも同時
に入力されるほか、メモリ58へのデータ修正人力60
および表示器61を備えた構成である。
本実施例によれば実際の被検査物の検査中にもクラシフ
ァイア11用のデータ集中が可能であり、任意の適当な
周期においてLUT53.54内の設定データξ(g)
、ζ(f)を3周整しいくことにより、さらに高精度の
検査を行うことができる。この場合に検査結果の追跡調
査結果等をもとにメモリ58に記憶されているデータM
i(g、f、T/F)のT/F結果をデータ修正入力6
0で適宜に修正することが精度向上に極めて有効である
。また検査中も検査データの収集を行っているため、た
とえば1日の検査終了後にそのデータを分類して表示器
61に表示し、ユーザの使用に供することができる。
ァイア11用のデータ集中が可能であり、任意の適当な
周期においてLUT53.54内の設定データξ(g)
、ζ(f)を3周整しいくことにより、さらに高精度の
検査を行うことができる。この場合に検査結果の追跡調
査結果等をもとにメモリ58に記憶されているデータM
i(g、f、T/F)のT/F結果をデータ修正入力6
0で適宜に修正することが精度向上に極めて有効である
。また検査中も検査データの収集を行っているため、た
とえば1日の検査終了後にそのデータを分類して表示器
61に表示し、ユーザの使用に供することができる。
第6図は本発明による検査方法および検査装置の他の実
施例を示す検出機能説明図である。第6図において、上
記した2個の検出手段を有する場合について説明したの
と同様に3個以上の検出手段を有する場合についても同
様のクラシファイア11を用いた検査方法および検査装
置が実現可能なことは明らかであるが、33個以上の検
出手段の出力を用いる場合には第6図の弁別曲面のよう
な2個の交差する弁別曲面(平面)から一義的に結果の
求まらない場合が発生しうる。このような場合には例え
ば最も近い弁別曲面を最も確からしい出力として表示器
61(第5図参照)に表示し、ユーザに確認を求めるこ
とにより必要に応じてデータ修正人力60(第5図参照
)で修正して、あいまいな検出結果に対してもその検出
精度を高く維持できる。例えば第6図の点Pは、弁別曲
面h’(x)に比べて弁別曲面h (x)に近いのでX
印の分類ではなく○印の分類であると推定してユーザに
確認を求め、このユーザの確認結果をもとに行われるデ
ータ修正入力60(第5回参照)の結果は弁別曲面h
(x)の修正という形でフィードバックされ、検査精度
の向上をさらに図れるという効果がある。
施例を示す検出機能説明図である。第6図において、上
記した2個の検出手段を有する場合について説明したの
と同様に3個以上の検出手段を有する場合についても同
様のクラシファイア11を用いた検査方法および検査装
置が実現可能なことは明らかであるが、33個以上の検
出手段の出力を用いる場合には第6図の弁別曲面のよう
な2個の交差する弁別曲面(平面)から一義的に結果の
求まらない場合が発生しうる。このような場合には例え
ば最も近い弁別曲面を最も確からしい出力として表示器
61(第5図参照)に表示し、ユーザに確認を求めるこ
とにより必要に応じてデータ修正人力60(第5図参照
)で修正して、あいまいな検出結果に対してもその検出
精度を高く維持できる。例えば第6図の点Pは、弁別曲
面h’(x)に比べて弁別曲面h (x)に近いのでX
印の分類ではなく○印の分類であると推定してユーザに
確認を求め、このユーザの確認結果をもとに行われるデ
ータ修正入力60(第5回参照)の結果は弁別曲面h
(x)の修正という形でフィードバックされ、検査精度
の向上をさらに図れるという効果がある。
上記実施例はパターン付ウェハの異物検査を主体に説明
したが、第4図または第5図に例示のようなクラシファ
イア11またはその応用が適用可能な複数の検出手段を
有する自動検査機に本発明が適用できる。
したが、第4図または第5図に例示のようなクラシファ
イア11またはその応用が適用可能な複数の検出手段を
有する自動検査機に本発明が適用できる。
本発明によれば複数の検出手段によって得られる被検査
物の情報を最大限に活用できて高精度検査が可能となる
効果がある。
物の情報を最大限に活用できて高精度検査が可能となる
効果がある。
第1図は本発明による検査方法および検査装置の一実施
例を示す構成図、第2図は第1図のクラシファイアの弁
別曲線生成方法説明図、第3図は本発明による異物検査
方法および検査装置の一実施例を示す構成図、第4図は
第3図のクラシファイアの一実施例の構成図、第5図は
第3図のクラシファイアの他の実施例の構成図、第6図
は本発明による検査方法および検査装置の他の実施例を
示す検出機能説明図、第7図は従来の検査方法および検
査装置を例示する構成図、第8図は従来の異物検査方法
および検査装置を例示する構成図、第9図は第8図の異
物検出原理説明図、第10図は第8図の異物検出機能説
明図、第11図は第8図の課題の異物検出機能説明図で
ある。 2・・・ウェハ、3a、3b、4a、4b・・・レーザ
ダイオード、6・・・ダイクロイックミラー、7.8・
・・偏光ビームスプリッタ、9,10・・・検出部、1
1・・・クラシファイア、53.54・・・ルックアッ
プテーブル、55・・・演算器、56・・・閾値、57
・・・加算器、58・・・メモリ。 代理人 弁理士 秋 本 正 実第1図 第2図 g(X父) 第 図 第 図 ノ= Q 7 ’y7y“yll r ””
1L
J第 図 クラシファイア1] ノ L
J第 図 第 図 第 図 rゝlゝw−イ錫力1図身↑う(1−ジ第 図 第 10図 fへ*j反1尤!
例を示す構成図、第2図は第1図のクラシファイアの弁
別曲線生成方法説明図、第3図は本発明による異物検査
方法および検査装置の一実施例を示す構成図、第4図は
第3図のクラシファイアの一実施例の構成図、第5図は
第3図のクラシファイアの他の実施例の構成図、第6図
は本発明による検査方法および検査装置の他の実施例を
示す検出機能説明図、第7図は従来の検査方法および検
査装置を例示する構成図、第8図は従来の異物検査方法
および検査装置を例示する構成図、第9図は第8図の異
物検出原理説明図、第10図は第8図の異物検出機能説
明図、第11図は第8図の課題の異物検出機能説明図で
ある。 2・・・ウェハ、3a、3b、4a、4b・・・レーザ
ダイオード、6・・・ダイクロイックミラー、7.8・
・・偏光ビームスプリッタ、9,10・・・検出部、1
1・・・クラシファイア、53.54・・・ルックアッ
プテーブル、55・・・演算器、56・・・閾値、57
・・・加算器、58・・・メモリ。 代理人 弁理士 秋 本 正 実第1図 第2図 g(X父) 第 図 第 図 ノ= Q 7 ’y7y“yll r ””
1L
J第 図 クラシファイア1] ノ L
J第 図 第 図 第 図 rゝlゝw−イ錫力1図身↑う(1−ジ第 図 第 10図 fへ*j反1尤!
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の検出手段を用いた検査方法において、あらか
じめ判定のついている被検査物を検査し、その時の複数
の検出手段の出力と判定とのデータ組を記憶し、これら
のデータ組をもとに判定の弁別曲線または弁別曲面を生
成し、ついでこの弁別曲線または弁別曲面をもとに実際
の被検査物を検査して判定を行うことを特徴とする検査
方法。 2、複数の検出手段は互いに波長の異なるS偏光を同一
平面内において低角度および高角度で被検査物に対して
照射し、その反射光に含まれる低角度P偏光成分の光量
と高角度S偏光成分の光量とを別個に検出して出力する
ことを特徴とする請求項1記載の検査方法。3、被検査
物はパターンが形成されたウェハであって、ウェハ表面
におけるパターンと異物との判定を行うことを特徴とす
る請求項2記載の検査方法。 4、複数の検出手段を有する検査装置において、あらか
じめ判定のついている被検査物を検査した時の複数の検
出手段の出力と判定とのデータ組を記憶する記憶手段を
含み、これらのデータ組をもとに判定の弁別曲線または
弁別曲面を生成すると共にこの弁別曲線または弁別曲面
をもとに実際の被検査物を検査して判定を行うクラシフ
ァイア手段を備えたことを特徴とする検査装置。 5、クラシファイア手段は上記データ組を記憶する記憶
手段と、そのデータ組をもとに判定の弁別曲線または弁
別曲面を生成する演算器と、その弁別曲線または弁別曲
面を設定する複数のルックアップテーブルと、そのルッ
クアップテーブルの出力およびその閾値の加減算を行な
う加算器とを備えたことを特徴とする請求項4記載の検
査装置。 6、複数の検出手段は互いに波長の異なるS偏光を同一
平面内において低角度および高角度で被検査物に対して
照射する複数の光源と、低角度照射に起因する反射光と
高角度照射に起因する反射光とを分離する分離部と、分
離された反射光から低角度照射に起因するP偏光成分と
高角度照射に起因するS偏光成分とを抽出する抽出部と
、抽出されたP偏光成分とS偏光成分との光量の各々を
検出してそれぞれに応じた信号を出力する検出部とを備
えたことを特徴とする請求項4または請求項5記載の検
査装置。 7、分離部はダイクロイックミラーから構成され、抽出
部は偏光ビームスプリッタから構成されることを特徴と
する請求項6記載の検査装置。 8、被検査物はパターンが形成されたウェハであって、
ウェハ表面におけるパターンと異物との判定を行うこと
を特徴とする請求項6または請求項7記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187204A JP2915971B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 検査方法および検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187204A JP2915971B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 検査方法および検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474951A true JPH0474951A (ja) | 1992-03-10 |
| JP2915971B2 JP2915971B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=16201915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2187204A Expired - Fee Related JP2915971B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 検査方法および検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2915971B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000009655A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Kobe Steel Ltd | 外観検査装置 |
| KR20010106772A (ko) * | 2000-05-23 | 2001-12-07 | 서경 | 동물 처치대 |
| JP2002098645A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板の表面検査装置及び表面検査方法 |
| WO2010095420A1 (ja) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 株式会社ニコン | 表面検査装置および表面検査方法 |
| CN104897706A (zh) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种测量芯片或晶片表面结构的方法 |
| KR20210024193A (ko) * | 2018-07-20 | 2021-03-04 | 케이엘에이 코포레이션 | 반도체 검사의 다중 모드 결함 분류 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643545A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for inspection |
| JPH01167661A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Shizuoka Seiki Co Ltd | 玄米の品質判定装置 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2187204A patent/JP2915971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643545A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for inspection |
| JPH01167661A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Shizuoka Seiki Co Ltd | 玄米の品質判定装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000009655A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Kobe Steel Ltd | 外観検査装置 |
| KR20010106772A (ko) * | 2000-05-23 | 2001-12-07 | 서경 | 동물 처치대 |
| JP2002098645A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板の表面検査装置及び表面検査方法 |
| WO2010095420A1 (ja) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 株式会社ニコン | 表面検査装置および表面検査方法 |
| US8269969B2 (en) | 2009-02-18 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Surface inspection device and surface inspection method |
| CN104897706A (zh) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种测量芯片或晶片表面结构的方法 |
| KR20210024193A (ko) * | 2018-07-20 | 2021-03-04 | 케이엘에이 코포레이션 | 반도체 검사의 다중 모드 결함 분류 |
| JP2021532347A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-25 | ケーエルエー コーポレイション | 半導体検査における多モードの欠陥分類 |
| US11668655B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-06-06 | Kla Corporation | Multimode defect classification in semiconductor inspection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2915971B2 (ja) | 1999-07-05 |
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