JPH0475335A - 原子加工法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＳｉウェーハの新しいエツチング加工法に関す
る。

〔従来の技術〕

従来、Ｓｉウェーハのエツチングは、ｓｉウェーハ表面
にホト・レジスト膜を塗布し、該ホト・レジスト膜を図
形状に露光・現象後、残存レジスト膜をマスクとしてＨ
Ｆ＋ＨＮＯ３エッチ液やＫＯＨ液あるいはフレオン−ブ
ラスマに晒してエツチングするのが通例であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記従来技術によると、エツチングｌ＋や深さ
が大きく、量子効果素子の製作には向かないと云う課題
や、レジスト膜形成・処理工程を要する等の課題もあっ
た。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、レジスト膜
形成・処理工程を要せず、且つ量子効果素子の製作に適
した新しいＳｉウェーハのエツチング法を提供する事を
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、本発明は、原子加工法に関
し、シリコン単結晶ウェーハ表面に弗素又は塩素原子を
ターミネイトさせ、該ターミネイトされた弗素原子に電
子線を照射して、下地Ｓ１原子を１個づつエツチングす
る手段を取る。

〔実　施　例〕

以下、実施例により本発明を詳述する。

第１図は、本発明の一実施例を示すＳｉ単結晶基板の原
子エツチングの工程順の模式図を示したものである。す
なわち、（ａ）、Ｓｉ結晶格子から成る基板表面にＦを
ターミネイトさせる。Ｆのターミネイトの方法はＳｉ基
板をＨＦに晒すかＦに晒すことにより行なわれる。次で
（ｂ）特定のＦ原子の表面から電子線Ｅ−Ｂを走査型電
子顕微鏡又は走査型トンネル顕微鏡により照射し、５ｉ
−Ｆの結合を強めて、ＳｉＦガスとなして飛散させる。

次で（Ｃ）他のＳｉにターミネイトされたＦ原子を超高
真空にするか、洗浄液やガスに晒して除去すると、Ｓｉ
基板からＳｉ原子が表面から１個づつ取れて凹部を形成
することとなる。

尚本発明は、ＳｉのみならずＧａＡｓ等化合物半導体の
単結晶基板の原子エツチング加工にも適用することがで
きる。

〔発明の効果〕

本発明により、レジスト膜形成・処理工程を要せず、且
つ量子効果素子の製作に適した半導体ウェーハのエツチ
ング法を提供する事が出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１−図は本発明の一実施例を示すＳｉ単結晶基板の原
子エツチング工程順の模式図である。 Ｓｉ　　・　・ Ｆ　目 Ｅ、　　Ｂ。 ・シリコン原子 ・フッソ原子 ・電子線 ・フッ化シリコン 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　シリコン単結晶ウェーハ表面には弗素原子をターミネ
   イトさせ、該ターミネイトされた弗素又は塩素原子に電
   子線を照射して、下地Ｓｉ原子を１個づつエッチングす
   る事を特徴とする原子加工法。