JPH047552B2

JPH047552B2 -

Info

Publication number: JPH047552B2
Application number: JP58135883A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Minemura; Hisashi Ando; Isao Ikuta; Yoshiaki Kita
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-07-27
Filing date: 1983-07-27
Publication date: 1992-02-12
Also published as: JPS6028183A

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の利用分野〕本発明は新規なコネクタに係り、特に半導体装
置（LSI）の実装に好適な多ピン電気コネクタに
関する。〔発明の背景〕ピンコネクタはピンとそれが挿入されるソケツ
ト及びそれらをパツケージする部分から成り、電
気・電子接続部品として広く使用されている。ま
た、コンピユータの高密度化に伴い、実装技術の
１つとしてこれらコネクタ類の重要性が再確認さ
れつつある。従来のピンコネクタのピン及びソケ
ツト部の形状の一例を第１図に示す。ソケツト部
２はほとんどが主にCu−Be合金からなるバネ材
によつてできており、挿入されたピン１をソケツ
ト部２のバネ力で接続する構造になつている。こ
のソケツト部２はいずれもピン挿入方向に平行に
配置され、ピン１はそのバネ材（あるいは円筒）
の間にはさみ込まれる構造になつている。近年、
電気、電子部品の高集積化、コンピユータの高密
度化が進むにつれ、これらコネクタのコンパクト
化、マイクロ化が要求されるようになつてきた。
これら要求に対し従来のソケツト形状では、ピン
挿入方向に沿つてある程度の高さが必要であるた
め、ソケツトパツケージの肉厚が厚くなり、コン
パクト化に際し大きな問題となる。また、ソケツ
ト形状が複雑なためコネクタのマイクロ化に際し
その加工が困難なことからその形状の単純化が必
要となつている。一方、コンピユータの高密度化としてコネクタ
の多ピン化がある。すなわち、一度に挿入される
ピン数が多くなるためコネクタを接合する際の力
が急激に増大しており、ピン数が多くなると従来
の構造のバネ力によるコネクタでは人間の力によ
る接合が不可能になることが予想される。そこで
ピン挿入又は抜去時には小さい力ででき、接合時
には信頼性のある接合が得られる低挿入力または
零挿入力コネクタの開発が進められている。特開昭57−185680号公報には、平板上のバネ部
材の中央部に穴を設け、その穴部に雄接触子を挿
入するものがある。しかし、このものは抜去が非
常に困難である。特開昭58−71572号公報、同58−73973号公報に
はバイメタルの温度変化による変形によつて極低
温下で動作するジヨセフソン素子半導体装置の電
気コネクタが示されている。しかし、これらのバ
イメタルによる電気コネクタは所定の大きさがな
ければ大きな変形が得られないので、小型にでき
ない。第１図ａのソケツトを形状記憶合金で構成した
電気コネクタが金属便覧（改訂４版、昭和57年12
月発行）に示されているが、これでは小型化でき
ない。〔発明の目的〕本発明の目的は、低挿入力で挿入でき、かつ小
型にできるコネクタを提供するにある。〔発明の概要〕（発明の要点）本発明は、雌接触子と、雌接触子に挿入する雄
接触子とを有するコネクタに関するものであつ
て、雌接触子が、雄接触子を挿入する穴部を有
し、雌接触子は、この穴部の中心方向に伸びた複
数の舌部を有する形状記憶合金からなる。本発明
のコネクタは、形状記憶合金からなる舌部が、形
状記憶合金の変態温度以上で雄接触子に対して圧
力を加えるように形状を記憶することを特徴と
し、そして、少なくとも一つの舌部とこの舌部に
対向する少なくとも一つの舌部との間隔が、雄接
触子の長手方向の断面における長さよりも小さ
く、複数の舌部は雄接触子を挿入後、舌部の形状
記憶を回復し、雄接触子と電気的、機械的に接合
することを特徴とする。形状記憶合金として、Al0〜10％、Zn10〜40％
を含むCu合金、Sn23〜26％を含むCu合金、Al12
〜15％、Ni3〜５％を含むCu合金、Ti42〜48％
と残部Niからなる合金等が一般に知られている。
その他Fe−Mn系、Fe−Cr−Ni系、Ｕ−Mo系、
Mn−Cu系、Au−Cd系など使用可能である。表は、一例としてCu−Al−Ni合金及びNi−Ti
合金の組成（重量％）及び特性を示す。これらの
合金は、Mf点以下の温度での最終形状及びAf点
以上の温度での最終形状に形状記憶されることが
できるので、これらの温度サイクルを

〔発明の実施例〕

実施例１第２図は本発明の電気コネクタの断面図であ
る。この電気コネクタは雄接触子としてピン１の
挿入方向４（雌接触子２の肉厚方向）の構造を平
板状として単純化し、さらにコンパクト化及びマ
イクロ化に際し加工成形が容易なものである。絶
縁基板３のピン挿入用穴部６にピン挿入方向４に
対して薄板状あるいは薄膜状の雌接触子２を直角
に配することを特徴とする。この雌接触子２は形
状記憶合金からなる。ピン１はピン挿入穴部６上
に形成されるピン接合用雌接触子にはスリツト状
などのすき間が形成されており、その部分に押し
込まれる。ピンは母相変態温度以上又はマルテン
サイト変態温度以下で、バネ力によつてピンの接
合力が働くように形状記憶されている。雌接触子
２は基板３のピン挿入穴部６に接着などの方法で
固着される。この構造は肉厚方向の厚さを従来に
比べ薄くでき、コネクタのコンパクト化に有効で
ある。さらにこの構造の雌接触子２が基板上に平
面的に設けられるためPVD法（蒸着、スパツタ
法等）、CVD法、溶湯急冷法及び溶射などの気相
あるいは液相から直接成形する方法により製造及
び基板への一体成形が可能である。雌接触子とな
る薄板あるいは薄膜を接着または形成して、これ
をフオトリソグラフイ、化学エツチング等により
所定の形状に一体成形が可能である。以上の利点
は、多ピンコネクタにおいて一度に多ピン接合部
を成形でき、また、微細加工も容易であることか
らコネクタのマイクロ化に際し非常に有効であ
る。本発明のコネクタ構造において雌接触子に熱弾
性型マルテンサイト変態による形状記憶合金を適
用すると次のような効果がある。形状記憶合金と
しては一般にCu−Al−Zn、Cu−Al−Ni及びTi
−Ni合金が知られているが、これはいずれも圧
延、成形など加工が難しい材料である。第３図及
び第４図は形状記憶合金を絶縁基板３に形成した
コネクタの接合プロセスの工程を示す断面図であ
る。形状記憶効果にはいくつかの種類のあること
が知られているが、第３図は一方向形状記憶効果
を、第４図は二方向形状記憶効果をそれぞれ利用
したものである。いずれの場合も形状記憶合金の
マルテンサイト変態温度がコネクタの動作温度
（一般には室温）以下のものを使用する。第３図
ａは形状記憶合金からなる雌接触子２を動作温度
と平らな状態を記憶させたもの、ｂはそれをマル
テンサイト変態温度以下に下げた状態である。こ
の状態で合金はマルテンサイト変態し、それに伴
い形状は変化しないが、非常に軟かな状態とな
る。ｃはこの軟かな状態でピン１を挿入し、ｄで
動作温度に戻すとマルテンサイトは元の母相に戻
りそれに伴い合金が硬化し、形状記憶効果によつ
て元の形状（ａ状態）に戻ろうとする力が働く。
それに伴い挿入されたピン１に大きな接合力が付
与される。これらの結果から、形状記憶効果を用
いると低挿入力ピンコネクタが実現できる。第４図はａとｂ状態における変態に伴う可逆的
形状記憶をさせた状態によるものである。コネク
タの動作温度状態ではａの状態になるように形状
記憶させ、次にマルテンサイト変態温度以下でｂ
の状態になるように形状記憶させる。マルテンサ
イト変態温度まで冷却すると形状記憶効果によつ
て特にスリツト状に形成されたピン挿入穴部５′
のすき間が開く。そこにｃのようにピンを挿入
し、ｄに示すように動作温度状態に戻すと形状記
憶効果によつて合金は母相状態に戻り硬くなると
ともにａ状態に戻るので、雌接触子とピンとに接
合力が負荷される。これをｅに示すようにもう一
度マルテンサイト変態温度以下の状態まで冷却す
るとピン挿入穴部が開き、ピンを容易に抜くこと
ができる。このように二方向形状記憶効果を本発
明コネクタ構造に適用するとほぼ零挿入抜去力の
電気コネクタが実現できる。形状記憶合金は前述
のように加工が難しいため、従来のソケツト形状
でマイクロ化しようとしても形状が複雑なため加
工が困難である。それに比べ、本発明の構造は単
純であるのでこのような難加工材で形状記憶合金
の適用が容易であり、本発明の大きな利点とな
る。実施例２本実施例では、雌接触子の形状加工を検討し
た。雌接触子としては板厚0.08mmのCu−Be合金
からなるバネ材（JISC1700）及び形状記憶合金
として前述の表に示すCu−Al−Ni系並びにNi−
Ti系合金の溶湯急冷リボン材を用いた。この急
冷材は双ロール型急冷装置により作製したもので
厚さ0.06〜0.09mm幅５〜10mmの薄板である。製造
条件は、ノズルとして0.8〜1.0mmφの丸孔付石英
製ノズルを用い、周速約10ｍ／ｓのCu−Be製ロ
ール（直径120mm）間に高圧Arガス（圧力1.0〜
1.5Kg／cm²）で溶湯を噴出して急冷凝固させた。
表中の諸特性は室温において測定したものであ
る。第５図は前記合金薄板によつて雌接触子２とし
て外形を円形に加工した４種類の平面形状を示す
平面図である。ａ及びｂは雄接触子断面が円形の
場合、ｃ，ｄが矩形の場合である。これら加工に
は、ワイヤによる放電加工、化学エツチング及び
打抜を試みた。ワイヤによる放電加工では、最初
にワイヤを通す穴をドリルで加工した。ドリル径
は最小0.1mm径まで加工が可能であつた。ワイヤ
には最小0.1mm直径の銅線又は0.05mm直径のタン
グステン線を使用した。その結果、スリツト７の
幅は0.1mmまで可能であつた。また、化学エツチ
ングでは、写真フイルムに焼付けたスリツト形状
を、光硬化性樹脂を表面にぬつたリボンに重ね感
硬させ末感光のスリツト部表面の樹脂だけで洗浄
しておとす。その結果、スリツト部のみが樹脂に
より被覆されない状態となる。これを塩化第２鉄
溶液中に浸漬してエツチングした結果、やはり、
スリツト７の幅を0.1mmまで加工が可能であつた。
打抜きはSKD１１のダイス鋼製金型によりクリ
アランスがゼロの状態で打抜いた。この方法によ
つてもスリツト幅を最小0.1mmまで加工すること
が可能であつた。このように加工した雌接触子にピンを挿入して
接合力を評価した。雌接触子形状は第５図ａ，ｂ
の場合としてスリツト７の長さ３mm、幅0.2mm中
央部穴部５の直径0.5mmのもの、またｃ，ｄでは
矩形の一辺が３mm、スリツト７の幅0.2mmのもの
である（ｄの場合、中央のスリツト７の長さを
1.5mmとした）。ピン形状は前者のａ，ｂの雌接触
子に対しては直径0.8mmの棒状、後者のｃ，ｄに
対しては0.4mm×１mmの矩形の棒状のものを使用
した。雌接触子は動作状態で平らになるように形
状記憶させ、ピンを液体窒素中にて挿入した。な
お、上述のCu−14％Al−４％Ni合金薄板にスリ
ツト加工したものを液体窒素中で変形させた後の
温度の上昇に伴う形状記憶効果による形状回復を
光学顕微鏡により連続的観察した。液体窒素中で
直径1.5mmのピンによつて第４図ｂのように開い
た状態に変形させ、次いでこれを室温に戻した結
果、室温での形状はほぼ完全に元に回復してい
た。以上のような条件で接合した場合これらの引
抜力はａ，ｂで200ｇ、ｃ，ｄで150ｇであつた。
この力は材質によつてあまり大きな差は見られな
かつた。また、ピン接触部での接触抵抗は10ｍΩ
以上であつた。第６図はピンコネクタを接合後、抜去を容易に
するための構造にしたスリツトの平面形状を示す
平面図である。ａは第５図ｂの３ケのスリツト７
を１ケにして扇型形状のスリツト７及びｂは第５
図ｃの矩形の下半分を取りのぞいた形状である。
図中の斜線部８にピンを挿入し抜去時には矢印の
方向にスライドさせ接合状態から解放した状態で
引き抜く。ｂの形状を立体的に示したのが第７図
である。スライドする力は接合力の約1/10程度で
あり容易に引抜くことができる。また、形状記憶
合金では液体窒素温度下でスライドした場合材料
が軟かくなつているため約1/50以下の力でスライ
ドが可能であつた。形状記憶合金を雌接触子に適用した場合の二方
向形状記憶効果によるピンの挿入、抜去を試み
た。スリツト形状は第５図ａ及びｃである。二方
向形状記憶させるため最初に２mmφあるいは1.2
×１mm矩形のピンを液体窒素温度下で挿入して強
加工する。これを２〜３回くり返して形状記憶さ
せた。この雌接触子に前記条件のピンを挿入した
ところ挿入、抜去時にはピンと接合部にすき間が
できるためそれに必要な力はゼロであつた。接合
時には引抜力として150ｇまで耐えることが分か
り、低挿入力コネクタが得られることを確認し
た。実施例３本実施例では前記実施例２で加工した雌接触子
をピン挿入用穴部を有する基板に固定する方法に
ついて検討した。雌接触子の材質は前記実施例２
と同等であり、基板材質としてガラスエポキシ樹
脂、エポキシ樹脂及びアルミナ板を使用した。こ
れら基板の穴などの加工は前者は一般ドリルで、
後者はCO₂レーザでそれぞれ行なつた。まず、接
着による固定方法を検討した。第８図は接着の方
式が異なる雌接触子の断面図である。ａは基板上
に単純に接着剤９によつて固定する方法である。
一般には接着強度が足りればどんな接着剤でもよ
いが、形状記憶合金を使用とした時は室温と液体
窒素までの熱サイクルに耐えなければならない。
そのため、一般の有機接着剤ではこのサイクルに
耐えない。これに耐えるのはアルミナ又はジルコ
ニアと水ガラスなどからなる無機系接着剤であ
る。さらに銀ペーストも十分乾燥させることによ
り、はくり強度が150ｇ程度と十分な接着強度が
得られた。基板がアルミナの場合500〜600℃で
1h焼成すると接着強度はさらに50％程度向上す
る。第８図ｂは基板がセラミツクスの場合熱サイ
クルに耐える接着として基板上にメタライズ後メ
ツキ層１０を設けた後ろう材１１によつて接着す
る方法である。本実施例ではMo−Mnペースト
により1100℃で1hメタライズし、Niメツキを施
した後銀ろうにより接着した。いずれの合金もは
くり強度300ｇ以上の良好な接着が得られた。このようなろう付接着及び前記実施例の化学エ
ツチングを用い雌接触子をピン挿入用穴部を有す
る基板上の穴部への直接成形を試みた。ろう材と
して、インジウムはんだ、銀ろう、鉛はんだ等が
用いられる。その工程を示す斜視図を第９図に示
す。ａは穴６のあいたアルミナ基板３を示し、そ
の上に、ｂの如く雌接触子となる重量でCu−14
％Al−４％Ni合金の薄板１２を前記ろう付で接
着し、これをｃに示すように前記化学エツチング
により穴周囲に雌接触子となるところを残してエ
ツチングした。この状態でさらにマスキングを替
え、ピン接合部スリツトをエツチングして成形し
た。この工程が可能なことから多数のピンに対応
する多数の雌接触子を一度に製造することが可能
であることが分つた。固定方法の他の例として第１０図に示すように
雌接触子を２枚の基板間にはさむ方式を検討し
た。ａは上下の基板のピン挿入用穴径が同じも
の、ｂは上下の穴径をピン径より若干大きくして
その穴をピンのガイトとして働かすもの、ｃは上
下基板を完全に密着させるため下の基板に溝をも
うけ、そこに雌接触子を配置したものをそれぞれ
示している。これらは前記接着法に比べ構造はや
や複雑になるが、固定強度の信頼性が大きい。ま
た、第８図ａのように簡単に接着した後上部から
基板ではさむことにより、熱サイクルにも耐える
固定が実現した。この固定方式を適用したピンコ
ネクタの斜視図を第１１図及び第１２図に示す。
第１１図は第１０図ｂの方式、第１２図は同じく
ｃの方式を採用したものでピン数は30ピン、ピン
とピンとの間のピツチ間隔は２インチのものであ
る。ピンは直径0.8mmの丸形で雌接触子のスリツ
ト形状は長さ３mmで、第５図ｂの形状である。基
板はアクリル樹脂である。第１１図は基板をネジ
１８によつて固定したもの、第１２図は下の基板
１７の両端に上の基板１５を挿入し、固定するガ
イド溝１６を設け、矢印のように上部基板を横か
らさしこむような構造となつている。第１１図の
場合、雌接触子の位置を固定するために下部基板
上に簡単な接着により固定する必要があるが、第
１２図の場合、下部基板上の溝に置くだけで位置
が固定されるため、１ピンだけの接合部が破損な
どの不具合があつてもすぐに交換が可能であると
いう利点がある。実施例４ Cu−Ni−Al系形状記憶合金をスパツタ法によ
り種々のピン挿入用穴部を有する絶縁基板上に
Cu、Al箔を載置し、その上に積層複合化した。
合金の組成としてCu−４％Ni−14％Al（重量）
とし、無酸素銅（JIS1種）、電解Ni（純度99.5％）
及びAl（純度99.8％）を配合し真空中（10^-5〜
10^-4Torr）にて１チヤージ2.5Kgを高周波溶解し、
これを直径95mmの金型に鋳込んだ。得られたイン
ゴツトから直径90mm、厚さ５mmの円板を機械加工
により切り出し、スパツタ用ターゲツトとした。
スパツタ装置には２極DC−マグネトロン型を用
いた。装置の容器内を３×10^-7Torrの真空にし
た後、Arを30μｍHgの圧力まで導入して電極間
距離60mm、Ar分圧５ｍTorr、電力200Wのスパ
ツタ条件でCu箔、Al箔（いずれも厚さ20μｍ）の
片側にデポジツトした。これらの基板上にデポジ
ツトした際のスパツタ膜厚のスパツタ時間の依存
性は時間と共にほぼ直線的に増加し、4.5hで50μ
ｍ近くまで積層でき、その積層したままの状態で
良好にAl箔に密着していた。Cu箔上においても
ほぼ同様のスパツタ膜厚の時間依存性及び密着性
の高い膜が得られた。これらスパツタ膜のマルテ
ンサイト変態開始温度（Ms）は四端子電気抵抗
測定の結果、−123℃であつた。従つて、この形状
記憶合金は、液体窒素と室温の間で顕著な形状記
憶効果を示し、それらの温度間で動作させる部材
に用いることができる。急冷した組織を走査電子顕微鏡で観察すると表
面で直径約２〜3μｍの微細結晶層となり曲げ変
形に対して粒界への応力集中を緩和するため曲げ
延性が向上した。このようにAl及びCu箔上に形状記憶合金をデ
ポジツトした基板を第１０図に示す化学エツチン
グによる工程で雌接触子を製造した。厚さ50μｍ
のAl箔との複合体では約2μｍ以上、同じくCu箔
との複合体では約4μｍ以上の厚さの形状記憶合
金を積層させることにより良好な形状記憶効果が
認められ、また互いに密着した複合体が形成され
ていた。本実施例では、外径１mm、中央部穴部５の直径
0.5mm、スリツト７の長さ３mm、幅0.2mmのものを
化学エツチングにより製造した。このものを液体
窒素中にて直径0.8mmのピンを挿入し、中央部穴
部５をより大きく開口する曲げの強加工を施し、
次いで室温に戻したが、雌接触子の接触部は元の
平らな状態に戻ることが確認された。次にこのも
のを再び液体窒素中に入れ、同様にピンを挿入し
たが全く抵抗なく挿入でき、それを室温に戻し、
その引抜力は約100ｇであり、零挿入力コネクタ
が得られる。実施例５本実施例では、雄接触子としてピンを形状記憶
合金によつて製造した例を示す。形状記憶合金と
して前述の表のCu−Al−Ni合金の溶湯を直径
120mmのBe含有Cu基合金製ロール表面に高圧Ar
ガスによつて石英製ノズルより噴射して直径約
0.5mmの細線を急冷凝固させ、製造した。この細
線の特性は前述の表とほゞ同じである。この細線
を用いて第１図ａの形状のピンを母相変態温度以
上で塑性加工によつて雌接触子との接触部分を曲
げて“く”の字状にした。次いでこのものを液体
窒素中でその接触部分がストレートになるように
塑性加工した。このようにして得られたピンを第
１図ａに示す雌接触子に液体窒素中で挿入し、次
いで母相変態温度以上である動作温度にした結
果、前述の“く”の字状に曲がり、ピンと雌接触
子とは互いに電気的に接続することが確認され
た。このものの引抜力は雌接触子に形状記憶合金
を用いたものに比較し、小さいものであつた。な
お、液体窒素中での挿入に際し、予めストレート
に変形なせなくても軟いマルテンサイト状態にあ
るので、低挿入力により挿入が可能である。実施例６本実施例はLSI実装に適用した例を示す。第１
３図は本発明の電気コネクタが使用されたLSIパ
ツケージ１９，１９′を実装したプリント回路用
基板２２の斜視図である。LSI１９，１９′はセ
ラミツク多層印刷配線基板２０に半田付され、更
に本発明のコネクタ２１に接続されている。本発
明のコネクタはプリント回路用基板２２に半田２
５によつて接合されている。第１４図はプリント回路用基板２２に本発明の
コネクタを載置し、そのコネクタに多層印刷配線
基板２０を載置した断面の構成図である。本発明
のコネクタはセラミツク絶縁基板１５のピン１′
挿入用の穴部６に雌接触子２とプリント回路用基
板２２に挿入するピン１″とを電気的に接続する
導電膜２３が設けられ、その上部に形状記憶合金
よりなる雌接触子２が上部のセラミツク絶縁基板
１４とによつて固定されている。本発明の雌接触
子２は前述のように溶湯急冷、蒸着、スパツタリ
ング等によつて薄膜状に形成され、その薄膜を絶
縁基板に張付け、エツチングによつて前述のよう
に所定の形状にしたものである。第１５図はプリント回路用基板２２に本発明の
雌接触子２を形成させ、多層印刷配線基板２０を
載置した例の断面図である。プリント回路用基板
２２は通常の方法で配線が形成され、そのものに
ピン１′の挿入用穴部に形状記憶合金からなる雌
接触子２が前述と同様に形成される。配線膜２４
と雌接触子２とは導電性ペースト等で接合され
る。雌接触子２は樹脂で２６の如くコートされ
る。第１４図ともにピン１′の挿入は軟かいマル
テンサイト状態で行うのが低挿入力で挿入でき
る。第１４図及び第１５図において雌接触子２をス
パツタリング及び蒸着等の気相で形成させるには
ピン挿入用穴部を塞ぐ必要があるので、金属の箔
膜を絶縁基板３又はプリント回路用基板２２の上
に固着し、その上に形状記憶合金を形成させ、エ
ツチングによつて所望の形状にする。第１６図は同じくLSI実装用に適用した本発明
の電気コネクタの他の例を示す断面図である。絶
縁基板３の両面に形状記憶合金からなる雌接触子
２，２′を設けた構造である。雌接触子２，２′は
互いに電気的に接続するように導電膜２３が設け
られており、雌接触子２には多層印刷配線基板２
０及び２′にはプリント回路用基板２２に設けら
れたピン１〓が挿入される。雌接触子を構成する
薄膜は前述と同様に種々の方法で製造できるが、
スパツタリング、蒸着等の気相で形状記憶合金を
形成させるには前述と同様にピン挿入用穴部を金
属箔で塞いで行うことができる。本実施例によれば軟かいマルテンサイト状態、
或いは低温で雌接触子の穴部の空間が大きく広が
るように形状記憶させることにより低挿入力によ
る挿入ができ、かつエツチング技術によつて製造
が可能なのでマイクロ化が可能となり、かつ一体
成形による生産性の高い電気コネクタが得られ
る。第１７図は多層印刷配線基板２０に本発明の形
状記憶合金を使用したコネクタ２を設けたLSI実
装構造を示す断面図である。多層印刷配線基板２
０への薄膜コネクタ２は前述と同様に形状記憶合
金を溶湯急冷によつて製造した薄帯を使用するも
の、蒸着、スパツタリング等の気相で形成させる
方法等によつて通常の方法で製造した多層印刷配
線基板上に導通させて直接薄膜を形成させ、エツ
チング技術によつて所望の形状に形成させること
ができる。発明の効果本発明によれば、低挿入力で挿入でき、かつマ
イクロ化、コンパクト化が可能でしかも一体成形
が可能な電気コネクタが製作できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のピンコネクタのピン（雄接触
子）及び雌接触子（ソケツト）の斜視図、第２図
は本発明のコネクタの接続状況を示す断面図、第
３図は一方向形状記憶効果を利用した本発明のコ
ネクタの接続状況を示す断面図、第４図は二方向
形状記憶効果を利用した本発明のピンコネクタの
接続状況を示す断面図、第５図は本発明の雌接触
子の平面図、第６図は本発明の他の例を示す雌接
触子の平面図と雄接触子の挿入又は抜去の状況を
示す平面図、第７図は第６図ｂの雌接触子と雄接
触子との挿入時及び抜去時の状態を示す斜視図、
第８図は絶縁基板上に雌接触子を形成させた本発
明の他の例を示すコネクタ部品、第９図は接着及
び化学エツチングによつて本発明の雌接触子を一
体成形する製造工程を示す斜視図、第１０図は絶
縁基板間に雌接触子をはさみ込んだ本発明のコネ
クタ部品の断面図、第１１図及び第１２図は第１
０図の断面を有するものの多ピンコネクタ構造を
示す斜視図、第１３図は本発明のコネクタを使用
したLSI実装を示す斜視図、第１４図〜第１７図
は同じくLSI実装に本発明の電気コネクタを適用
した断面である。１，１′，１，１′′′′……雄接触子（ピン）、
２，２′……雌接触子、３，１４……絶縁基板、
５……雄接触子（ピン）挿入用穴部、７……スリ
ツト、９……接着剤、１０……メタライズ層、メ
ツキ層、１１……ろう、１２……形状記憶合金の
薄膜、１９，１９′……半導体装置（LSI）、２０
……多層印刷配線基板、２１……コネクタ、２２
……プリント回路用基板、２３，２４……導電
膜、２５……半田、２６……保護膜。

Claims

【特許請求の範囲】１雌接触子と、該雌接触子に挿入する雄接触子
とを有するコネクタにおいて、前記雌接触子が、
前記雄接触子を挿入する穴部を有し、該穴部の中
心方向に伸びた複数の舌部を有する形状記憶合金
からなり、形状記憶合金からなる前記舌部は形状
記憶合金の変態温度以上で前記雄接触子に対して
圧力を加えるように形状を記憶し、少なくとも一
つの舌部とこの舌部に対向する少なくとも一つの
舌部との間隔が前記雄接触子の長手方向の断面に
おける長さより小さく、前記複数の舌部が前記雄
接触子挿入後、前記舌部の形状記憶を回復し、前
記雄接触子と電気的、機械的に接合することを特
徴とするコネクタ。２前記穴部が、前記雌接触子に形成されたアル
フアベツトのＨ字状のスリツトであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のコネクタ。３特許請求の範囲第１項において、前記雌接触
子が基板上に形成されていることを特徴とするコ
ネクタ。