JPH0475648B2 - - Google Patents
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- JPH0475648B2 JPH0475648B2 JP59222011A JP22201184A JPH0475648B2 JP H0475648 B2 JPH0475648 B2 JP H0475648B2 JP 59222011 A JP59222011 A JP 59222011A JP 22201184 A JP22201184 A JP 22201184A JP H0475648 B2 JPH0475648 B2 JP H0475648B2
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- JP
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- foreign matter
- prevention film
- adhesion prevention
- substrate
- light
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/9563—Inspecting patterns on the surface of objects and suppressing pattern images
-
- G—PHYSICS
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置や１：１反射形投
影露光装置を用いた露光工程において、異物付着
に起因する歩留りの低下を防止するのに最適な手
段に関する。
影露光装置を用いた露光工程において、異物付着
に起因する歩留りの低下を防止するのに最適な手
段に関する。
例えば縮小投影露光装置（以下RAと略記）で
は、レチクルやホトマスク等の基板上に形成され
た回路パターンを縮小してウエハ上に転写して１
チツプずつ露光するため、基板上に異物が存在す
るとその異物像が転写され、ウエハ上の全チツプ
が不良となる。従つて、露光前の基板上の異物検
査が露光工程の歩留りを向上させる上で不可欠で
ある。この種の装置として関連するものには例え
ば、特開昭57−80546号、特開昭58−79240号、特
開昭59−82727号等が挙げられる。これらの装置
をRAに内蔵する場合、高価な装置なため、多数
のRAを必要とする大量生産ラインでは投資の面
で膨大な費用がかかる。
は、レチクルやホトマスク等の基板上に形成され
た回路パターンを縮小してウエハ上に転写して１
チツプずつ露光するため、基板上に異物が存在す
るとその異物像が転写され、ウエハ上の全チツプ
が不良となる。従つて、露光前の基板上の異物検
査が露光工程の歩留りを向上させる上で不可欠で
ある。この種の装置として関連するものには例え
ば、特開昭57−80546号、特開昭58−79240号、特
開昭59−82727号等が挙げられる。これらの装置
をRAに内蔵する場合、高価な装置なため、多数
のRAを必要とする大量生産ラインでは投資の面
で膨大な費用がかかる。
一方、最近では、基板表面に直接異物が付着し
ない様に、異物付着防止用のペリクル（金属の枠
にニトロセルローズの透明薄膜を貼り付けたも
の）を装着している。異物付着防止膜を基板に装
着した後は原則として、基板上への新しい異物の
付着は防止できる。また、異物付着防止膜と基板
の表面は離間しているため、比較的小さな異物が
異物付着防止膜上に存在しても異物像はウエハ上
に転写されない。従つて異物付着防止膜を用いた
場合の基板洗浄から露光までの工程は以下の様に
なる。
ない様に、異物付着防止用のペリクル（金属の枠
にニトロセルローズの透明薄膜を貼り付けたも
の）を装着している。異物付着防止膜を基板に装
着した後は原則として、基板上への新しい異物の
付着は防止できる。また、異物付着防止膜と基板
の表面は離間しているため、比較的小さな異物が
異物付着防止膜上に存在しても異物像はウエハ上
に転写されない。従つて異物付着防止膜を用いた
場合の基板洗浄から露光までの工程は以下の様に
なる。
先ず、基板を洗浄し、パターンの存在表面及び
非存在表面にごみ等の異物があるか否か検査す
る。ごみ等の異物がなければ、治具利用により異
物付着防止膜を装着する。この異物付着防止膜
は、パターンの存在面にも装着する。異物付着防
止膜を貼りつけた後、基板の面上に異物があるか
否か特開昭59−82727の方式を用いて検査をする。
異物がなければカセツトに収納し、縮小露光装置
に送り露光工程に入る。
非存在表面にごみ等の異物があるか否か検査す
る。ごみ等の異物がなければ、治具利用により異
物付着防止膜を装着する。この異物付着防止膜
は、パターンの存在面にも装着する。異物付着防
止膜を貼りつけた後、基板の面上に異物があるか
否か特開昭59−82727の方式を用いて検査をする。
異物がなければカセツトに収納し、縮小露光装置
に送り露光工程に入る。
異物付着防止膜を装着することにより、20ない
し30μｍ以下の膜上に付着した異物については無
視することができるため、歩留りを向上させるこ
とができた。
し30μｍ以下の膜上に付着した異物については無
視することができるため、歩留りを向上させるこ
とができた。
一般に異物付着の確率は異物寸法の２乗に反比
例するとされているため、20ないし30μｍ以上の
異物付着確率を完全に無視することはできない。
従つて、より一層の歩留り向上を目指すために
は、異物付着防止膜上の比較的大きな異物の有無
を検査する必要がでてきた。
例するとされているため、20ないし30μｍ以上の
異物付着確率を完全に無視することはできない。
従つて、より一層の歩留り向上を目指すために
は、異物付着防止膜上の比較的大きな異物の有無
を検査する必要がでてきた。
本発明の目的は、基板の両面に枠を介して装着
した異物付着防止膜上に付着した異物のみを検出
して異物付着防止膜上に露光に支障のある異物が
付着した状態で投影露光装置に搬入されて該異物
が被基板上に転写されるのを防止して、半導体素
子等の歩留まりをより一層向上するようにした露
光装置を提供することにある。
した異物付着防止膜上に付着した異物のみを検出
して異物付着防止膜上に露光に支障のある異物が
付着した状態で投影露光装置に搬入されて該異物
が被基板上に転写されるのを防止して、半導体素
子等の歩留まりをより一層向上するようにした露
光装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
即ち本発明は、上記目的を達成するために、露
光に使用するレチクルやフオトマスクの基板の両
面に異物付着防止膜を付けた枠を装着した状態で
収納するマガジンと、該マガジンから両面に異物
付着防止膜を付けた枠を装着した基板を露光位置
に搬送するための搬送機構と、上記異物付着防止
膜上に光束を照射する光照射光学系と該光照射光
学系によつて照射された異物付着防止膜上の光束
のほぼ中心を通り、且つ異物付着防止膜を通過し
た光による上記基板面上における光束とは交わら
ないように検出光軸を上記照射光束に対して傾け
て上記基板上に形成された回路パターンからの散
乱光の検出を殆どなくして上記異物付着防止膜上
に付着した異物のみからの散乱光を光学的に検出
する検出光学系と該検出光学系によつて検出され
る異物付着防止膜上に付着した異物のみからの散
乱光を受光して信号に変換する光電変換手段と上
記枠からの散乱光を上記光電変換手段が受光しな
いように制限する制限手段とを備えた異物検出装
置を上記基板の両面に対応させて、上記マガジン
から露光位置へ至る間に設けた異物検出手段と、
該異物検出手段の各々の異物検出装置によつて異
物付着防止膜上に露光に支障のある異物が検出さ
れないで露光位置に搬送された異物付着防止膜付
き基板に対して該基板上の回路パターンを投影レ
ンズにより被基板上に投影露光する投影露光装置
とを備え、異物検出手段から露光位置に至る経路
において、異物付着防止膜上に露光に支障のある
異物が付着する可能性が著しく少ないことを利用
して、異物付着防止膜上に露光に支障のある異物
が付着した状態の基板が投影露光装置に搬入され
て該異物が被基板（ウエハ）上に転写されるのを
防止して、半導体素子等の歩留まり向上を果たす
ようにしたことを特徴とする露光装置である。
光に使用するレチクルやフオトマスクの基板の両
面に異物付着防止膜を付けた枠を装着した状態で
収納するマガジンと、該マガジンから両面に異物
付着防止膜を付けた枠を装着した基板を露光位置
に搬送するための搬送機構と、上記異物付着防止
膜上に光束を照射する光照射光学系と該光照射光
学系によつて照射された異物付着防止膜上の光束
のほぼ中心を通り、且つ異物付着防止膜を通過し
た光による上記基板面上における光束とは交わら
ないように検出光軸を上記照射光束に対して傾け
て上記基板上に形成された回路パターンからの散
乱光の検出を殆どなくして上記異物付着防止膜上
に付着した異物のみからの散乱光を光学的に検出
する検出光学系と該検出光学系によつて検出され
る異物付着防止膜上に付着した異物のみからの散
乱光を受光して信号に変換する光電変換手段と上
記枠からの散乱光を上記光電変換手段が受光しな
いように制限する制限手段とを備えた異物検出装
置を上記基板の両面に対応させて、上記マガジン
から露光位置へ至る間に設けた異物検出手段と、
該異物検出手段の各々の異物検出装置によつて異
物付着防止膜上に露光に支障のある異物が検出さ
れないで露光位置に搬送された異物付着防止膜付
き基板に対して該基板上の回路パターンを投影レ
ンズにより被基板上に投影露光する投影露光装置
とを備え、異物検出手段から露光位置に至る経路
において、異物付着防止膜上に露光に支障のある
異物が付着する可能性が著しく少ないことを利用
して、異物付着防止膜上に露光に支障のある異物
が付着した状態の基板が投影露光装置に搬入され
て該異物が被基板（ウエハ）上に転写されるのを
防止して、半導体素子等の歩留まり向上を果たす
ようにしたことを特徴とする露光装置である。
以下、本発明を第１図から第１２図により説明
する。
する。
先ず異物付着防止膜上の異物検査装置を搭載し
た縮小投影露光装置の一実施例の構成を第１図に
示す。洗浄後、異物が存在しない状態で、枠２４
を介して異物付着防止膜２３を装着した基板３９
は、カセツトに入れた状態でマガジン６に収納さ
れる。露光工程では基板はカセツトから１個ずつ
取り出され露光後は再び元の位置に戻される。
た縮小投影露光装置の一実施例の構成を第１図に
示す。洗浄後、異物が存在しない状態で、枠２４
を介して異物付着防止膜２３を装着した基板３９
は、カセツトに入れた状態でマガジン６に収納さ
れる。露光工程では基板はカセツトから１個ずつ
取り出され露光後は再び元の位置に戻される。
即ち、基板３９はマガジン６内のカセツトより
矢印５ａの方向に引き出され、搬送アーム３によ
り矢印４ａの方向に移動する。基板３９の面面に
装着した異物付着防止膜２３上の異物検査は搬送
アーム３の上下に設置した上側異物検査装置１お
よび下側異物検査装置２によつて行われる。も
し、異物付着防止膜２３上に異物（例えば20μｍ
〜30μｍ以上）が存在すればその基板は元のカセ
ツトに戻され、異物除去が行なわれる。一方、異
物が存在しなければ、搬送アーム３は回転機８に
よつて矢印７ａの方向に回転し、露光位置９に置
かれ、露光光学系１０を介してウエハ１１上に１
チツプずつ転写される。この基板を用いた露光工
程が終了すると、基板３９は再びマガジン６内の
カセツトに収納される。
矢印５ａの方向に引き出され、搬送アーム３によ
り矢印４ａの方向に移動する。基板３９の面面に
装着した異物付着防止膜２３上の異物検査は搬送
アーム３の上下に設置した上側異物検査装置１お
よび下側異物検査装置２によつて行われる。も
し、異物付着防止膜２３上に異物（例えば20μｍ
〜30μｍ以上）が存在すればその基板は元のカセ
ツトに戻され、異物除去が行なわれる。一方、異
物が存在しなければ、搬送アーム３は回転機８に
よつて矢印７ａの方向に回転し、露光位置９に置
かれ、露光光学系１０を介してウエハ１１上に１
チツプずつ転写される。この基板を用いた露光工
程が終了すると、基板３９は再びマガジン６内の
カセツトに収納される。
また、第２図は本発明の第２の実施例を示した
ものである。ここで、基板３９はモータ１３で駆
動される例えばベルト１２を用いた搬送機構によ
り搬送される。上記実施例に用いる異物検査装置
の一例を以下に説明する。
ものである。ここで、基板３９はモータ１３で駆
動される例えばベルト１２を用いた搬送機構によ
り搬送される。上記実施例に用いる異物検査装置
の一例を以下に説明する。
第３図は、フオトマスクやレチクル等の基板３
９に枠２４を介し貼り付けた異物付着防止膜（ペ
リクル膜）２３表面上での異物を検出する装置を
示したものである。これによるとレーザ発振器１
４からのレーザ光は偏光板１６、集光レンズ１５
を順次介された後、三角波状信号によつて往復回
転振動されているガルバノミラー１７で全反射さ
れたうえコリメータレンズ１８を介し異物付着防
止膜２３の表面上にレーザスポツトとなつて斜方
向より入射するようになつている。この場合、ガ
ルバノミラー１７は三角波状の電気信号で駆動さ
れ一定周期で回転振動するためレーザスポツトは
異物付着防止膜２３の表面上をＸ方向に一定速度
で往復走査するが、これにより直線状の走査線２
２が形成されるものである。
９に枠２４を介し貼り付けた異物付着防止膜（ペ
リクル膜）２３表面上での異物を検出する装置を
示したものである。これによるとレーザ発振器１
４からのレーザ光は偏光板１６、集光レンズ１５
を順次介された後、三角波状信号によつて往復回
転振動されているガルバノミラー１７で全反射さ
れたうえコリメータレンズ１８を介し異物付着防
止膜２３の表面上にレーザスポツトとなつて斜方
向より入射するようになつている。この場合、ガ
ルバノミラー１７は三角波状の電気信号で駆動さ
れ一定周期で回転振動するためレーザスポツトは
異物付着防止膜２３の表面上をＸ方向に一定速度
で往復走査するが、これにより直線状の走査線２
２が形成されるものである。
一方、異物２０からの散乱光２１を検出する手
段は結像レンズ２６、遮光板（図示せず）、一次
元のリニアセンサ（CCD、フオトダイオードア
レイ等）を含む自己走査蓄積形の光電変換素子２
７から成り、レーザスポツトの走査線２２を斜上
方よりのぞむように設けられている。即ち、結像
レンズ２６によつて異物付着防止膜２３の表面上
を直線上に走査しているレーザスポツトの走査線
２２の像が光電変換素子２７上に結像されるよう
になつているものである。したがつて、モータ４
８と送りネジ４９によりガラス基板３９を等速で
Ｙ方向に随時送りながら異物付着防止膜２３表面
をその全領域に亘つて走査すれば、走査線２２上
に異物２０が存在する場合にはその異物２０から
の散乱光２１の強度が蓄積、検出されるものであ
る。
段は結像レンズ２６、遮光板（図示せず）、一次
元のリニアセンサ（CCD、フオトダイオードア
レイ等）を含む自己走査蓄積形の光電変換素子２
７から成り、レーザスポツトの走査線２２を斜上
方よりのぞむように設けられている。即ち、結像
レンズ２６によつて異物付着防止膜２３の表面上
を直線上に走査しているレーザスポツトの走査線
２２の像が光電変換素子２７上に結像されるよう
になつているものである。したがつて、モータ４
８と送りネジ４９によりガラス基板３９を等速で
Ｙ方向に随時送りながら異物付着防止膜２３表面
をその全領域に亘つて走査すれば、走査線２２上
に異物２０が存在する場合にはその異物２０から
の散乱光２１の強度が蓄積、検出されるものであ
る。
ここで第４図によりレーザ光照射系について更
に詳細に説明すれば、レーザ発振器１４からのレ
ーザ光は偏光板１６を通過後（半導体レーザのよ
うな偏光レーザを用いる場合には偏光板は不要）
集光レンズ１５によつてガルバノミラー１７の表
面に集光されるが、このレーザ光はガルバノミラ
ー１７の表面で全反射されたうえコリメータレン
ズ１８に到達するようになつている。コリメータ
レンズ１８はガルバノミラー１７の回転中心軸上
にその焦点が位置するように設置されていること
から、コリメータレンズ１８を介されたレーザ光
は平行光束となり、ガルバノミラー１７の回転振
動によつて図示の如く方向３５に往復振動する結
果、異物付着防止膜２３の表面上を直線状に往復
走査することになるものである。この場合コリメ
ータレンズ１８の焦点距離をｆ、レーザ光の振れ
角をθ、レーザスポツトの走査量をｈとすれば走
査量ｈは以下のように表わされる。
に詳細に説明すれば、レーザ発振器１４からのレ
ーザ光は偏光板１６を通過後（半導体レーザのよ
うな偏光レーザを用いる場合には偏光板は不要）
集光レンズ１５によつてガルバノミラー１７の表
面に集光されるが、このレーザ光はガルバノミラ
ー１７の表面で全反射されたうえコリメータレン
ズ１８に到達するようになつている。コリメータ
レンズ１８はガルバノミラー１７の回転中心軸上
にその焦点が位置するように設置されていること
から、コリメータレンズ１８を介されたレーザ光
は平行光束となり、ガルバノミラー１７の回転振
動によつて図示の如く方向３５に往復振動する結
果、異物付着防止膜２３の表面上を直線状に往復
走査することになるものである。この場合コリメ
ータレンズ１８の焦点距離をｆ、レーザ光の振れ
角をθ、レーザスポツトの走査量をｈとすれば走
査量ｈは以下のように表わされる。
ｈ＝ｆ・tanθ≒ｆ・θ（θが小さい場合tan≒
θ） …(1) ガルバノミラー１７の回転速度が一定であると
して、これによつて平行収束されたレーザスポツ
トは異物付着防止膜２３の表面上を等速運動する
ことになるものである。
θ） …(1) ガルバノミラー１７の回転速度が一定であると
して、これによつて平行収束されたレーザスポツ
トは異物付着防止膜２３の表面上を等速運動する
ことになるものである。
第５図はガルバノミラー１７を駆動する信号と
しての三角波信号と光電変換素子２７の１個当り
に係る光量蓄積時間を表わしたものである。
しての三角波信号と光電変換素子２７の１個当り
に係る光量蓄積時間を表わしたものである。
図示の如く光電変換素子２７の走査時間Ｔをガ
ルバノミラー１７の周期ｔに同期して整数倍に設
定することによつて光電変換素子２７に蓄積され
る光量をかせいでいるが、これと各走査位置での
走査条件が同一であるということから第６図に示
すように異物付着防止膜２３の表面上の中心付近
に存在する異物からの散乱光強度と端に存在する
異物からの散乱光強度は同一となり、ほぼ均一な
散乱光強度分布２８が得られるものである。した
がつて、これまでのように場所によつてしきい値
レベルを変える必要がなくたとえ異物付着防止膜
２３が上下動する場合でも一定しきい値レベル４
３のみで安定した異物検出が行ない得るわけであ
る。
ルバノミラー１７の周期ｔに同期して整数倍に設
定することによつて光電変換素子２７に蓄積され
る光量をかせいでいるが、これと各走査位置での
走査条件が同一であるということから第６図に示
すように異物付着防止膜２３の表面上の中心付近
に存在する異物からの散乱光強度と端に存在する
異物からの散乱光強度は同一となり、ほぼ均一な
散乱光強度分布２８が得られるものである。した
がつて、これまでのように場所によつてしきい値
レベルを変える必要がなくたとえ異物付着防止膜
２３が上下動する場合でも一定しきい値レベル４
３のみで安定した異物検出が行ない得るわけであ
る。
第７図は異物以外からの散乱光発生要因を示し
たものである。異物２０からの散乱光２１として
誤検出し易いものとしては、異物付着防止膜２３
を貼り付けてある枠２４からの散乱光３１および
異物付着防止膜２３を通過した光がガラス基板３
９の表面５に形成されたパターン２９に当ること
によつて発生する散乱光３０が考えられるものと
なつている。ところで、第８図ａ，ｂに示すよう
に一般にガラス基板のような透明物質にレーザ光
等の光を斜方向より照射した場合、照射角度αに
よつても異なるが、基板表面５に対して平行な方
向（水平方向）に磁界面が振動する波（ｓ偏光
波）４４では反射成分が多く、これとは逆に基板
表面５に対して垂直方向に磁界面が振動する波
（ｐ偏光波）４５の場合には透過成分が多くなる
という性質がある。この事実よりして基板表面５
に形成されたパターン２９からの散乱光の影響を
極力防ぐべく偏光板１６によつて異物付着防止膜
２３に対しｓ偏光波を照射し、異物付着防止膜２
３を通過する光を最小限に抑えることが望ましい
と云える。しかしながら、異物付着防止膜２３を
通過した極わずかなレーザ光によつても、パター
ン２９からの散乱光は発生するので、第９図、第
１０図に示すように散乱光検出系の光軸４２を基
板表面５の垂線４１よりもだけ傾斜させた状態
として設定することによつてパターン２９からの
散乱光３０の発生個所をのぞまないようにするこ
とが望ましい。なお、第９図は異物付着防止膜２
３上を検査している場合での、第１０図は異物付
着防止膜２３と同一機能を持つ比較的厚いガラス
基板３９表面を検査している場合でのパターン２
９からの散乱光３０の発生状態をそれぞれ示した
ものである。また、図中の記号ｄは照射レーザ光
のビーム径を、ｔはガラス基板３９の板厚または
異物付着防止膜２３を貼り付けてある枠２４の厚
さを、φはに対する屈折角をそれぞれ示す。
たものである。異物２０からの散乱光２１として
誤検出し易いものとしては、異物付着防止膜２３
を貼り付けてある枠２４からの散乱光３１および
異物付着防止膜２３を通過した光がガラス基板３
９の表面５に形成されたパターン２９に当ること
によつて発生する散乱光３０が考えられるものと
なつている。ところで、第８図ａ，ｂに示すよう
に一般にガラス基板のような透明物質にレーザ光
等の光を斜方向より照射した場合、照射角度αに
よつても異なるが、基板表面５に対して平行な方
向（水平方向）に磁界面が振動する波（ｓ偏光
波）４４では反射成分が多く、これとは逆に基板
表面５に対して垂直方向に磁界面が振動する波
（ｐ偏光波）４５の場合には透過成分が多くなる
という性質がある。この事実よりして基板表面５
に形成されたパターン２９からの散乱光の影響を
極力防ぐべく偏光板１６によつて異物付着防止膜
２３に対しｓ偏光波を照射し、異物付着防止膜２
３を通過する光を最小限に抑えることが望ましい
と云える。しかしながら、異物付着防止膜２３を
通過した極わずかなレーザ光によつても、パター
ン２９からの散乱光は発生するので、第９図、第
１０図に示すように散乱光検出系の光軸４２を基
板表面５の垂線４１よりもだけ傾斜させた状態
として設定することによつてパターン２９からの
散乱光３０の発生個所をのぞまないようにするこ
とが望ましい。なお、第９図は異物付着防止膜２
３上を検査している場合での、第１０図は異物付
着防止膜２３と同一機能を持つ比較的厚いガラス
基板３９表面を検査している場合でのパターン２
９からの散乱光３０の発生状態をそれぞれ示した
ものである。また、図中の記号ｄは照射レーザ光
のビーム径を、ｔはガラス基板３９の板厚または
異物付着防止膜２３を貼り付けてある枠２４の厚
さを、φはに対する屈折角をそれぞれ示す。
何れにしても散乱光検出系がパターン２９から
の散乱光３０を検出しないための条件はその検出
系の光軸４２が基板表面５または異物付着防止膜
２３の表面を通過後、屈折または直進してガラス
基板３９でのパターン形成面との交点が照射レー
ザ光のビーム径ｄの中に含まれないことである。
即ち、次式を満足するが設定される必要があ
る。
の散乱光３０を検出しないための条件はその検出
系の光軸４２が基板表面５または異物付着防止膜
２３の表面を通過後、屈折または直進してガラス
基板３９でのパターン形成面との交点が照射レー
ザ光のビーム径ｄの中に含まれないことである。
即ち、次式を満足するが設定される必要があ
る。
≧sin-1｛nsin（tan-1d／2t）｝ …(2)
但し、ｎは屈折率を示す。
しかし、実際には結像レンズ２６の収差量等も
影響してくるので、上記した数式で求めたより
若干変動するが、はほぼ0゜以上20゜以下の範囲
内に設定される。
影響してくるので、上記した数式で求めたより
若干変動するが、はほぼ0゜以上20゜以下の範囲
内に設定される。
一方、異物付着防止膜２３が貼り付けられてい
る枠２４から発生する散乱光３１は第１１図に示
すように、光電変換素子２７の結像位置に遮光装
置３２を付加設置することによつて遮光すること
が可能である。結像レンズ２６近傍に遮光装置を
適当に設ける場合は、枠２４からの散乱光３１は
光電変換素子２７で検出され得ないものである。
このように、枠２４の位置は特定できるので、枠
２４から発生する散乱光３１を光電変換素子２７
が受光しないようにするためには、上記実施例以
外でも可能であることは明らかである。
る枠２４から発生する散乱光３１は第１１図に示
すように、光電変換素子２７の結像位置に遮光装
置３２を付加設置することによつて遮光すること
が可能である。結像レンズ２６近傍に遮光装置を
適当に設ける場合は、枠２４からの散乱光３１は
光電変換素子２７で検出され得ないものである。
このように、枠２４の位置は特定できるので、枠
２４から発生する散乱光３１を光電変換素子２７
が受光しないようにするためには、上記実施例以
外でも可能であることは明らかである。
さて、異物検査装置の構成としてはこの他特開
昭57−80546の様なものも考えられる。また、搬
送途中にTVカメラ等を設け、異物付着の可能性
の低い状態で目視観察することも可能である。異
物検査装置の設置場所としては、基板の搬送途中
の他、縮小投影露光装置上に検査ステーシヨンを
設け、ここに設置することも可能である。
昭57−80546の様なものも考えられる。また、搬
送途中にTVカメラ等を設け、異物付着の可能性
の低い状態で目視観察することも可能である。異
物検査装置の設置場所としては、基板の搬送途中
の他、縮小投影露光装置上に検査ステーシヨンを
設け、ここに設置することも可能である。
また、異物付着防止膜上の異物を除去するため
の装置を併置することも可能である。
の装置を併置することも可能である。
更に、本発明は縮小投影露光装置に限らず１：
１反射形投影露光装置にも使用できる。
１反射形投影露光装置にも使用できる。
本発明によれば、異物検出手段から露光位置に
至る経路において、異物付着防止膜上に露光に支
障のある異物が付着する可能性が著しく少ないこ
とを利用して、異物付着防止膜上に露光に支障の
ある異物が付着した状態の基板が投影露光装置に
搬入されて該異物が被基板（ウエハ）上に転写さ
れるのを防止して、半導体素子等の歩留まり向上
に大きく貢献できる効果を奏する。
至る経路において、異物付着防止膜上に露光に支
障のある異物が付着する可能性が著しく少ないこ
とを利用して、異物付着防止膜上に露光に支障の
ある異物が付着した状態の基板が投影露光装置に
搬入されて該異物が被基板（ウエハ）上に転写さ
れるのを防止して、半導体素子等の歩留まり向上
に大きく貢献できる効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は
別の実施例を示す図、第３図は本発明による異物
検出装置の一例での構成を示す図、第４図はその
構成におけるレーザ光照射系の動作を説明するた
めの図、第５図は同じくその構成におけるガルバ
ノミラーの駆動信号と光電素子の光量蓄積時間と
の関係を説明するための図、第６図は本発明に係
る異物検出処理を説明するための図、第７図は異
物以外からの散乱光発生要因を示す図、第８図
ａ，ｂは、それぞれ基板表面でのｓ偏光波、ｐ偏
光波の反射状態を示す図、第９図、第１０図は不
要な散乱光を検出不可とする散乱光検出系の光軸
の望ましい設定状態を説明するための図、第１１
図は同じく不要な散乱光を検出不可とする散乱光
検出系の望ましい構成を示す図である。 １，２…異物検査装置、３…搬送アーム、１０
…露光光学系、１４…レーザ発振器、１５…集光
レンズ、１６…偏光板、１７…ガルバノミラー、
１８…コリメータレンズ、２６…結像レンズ、２
７…光電変換素子、３２…遮光装置。
別の実施例を示す図、第３図は本発明による異物
検出装置の一例での構成を示す図、第４図はその
構成におけるレーザ光照射系の動作を説明するた
めの図、第５図は同じくその構成におけるガルバ
ノミラーの駆動信号と光電素子の光量蓄積時間と
の関係を説明するための図、第６図は本発明に係
る異物検出処理を説明するための図、第７図は異
物以外からの散乱光発生要因を示す図、第８図
ａ，ｂは、それぞれ基板表面でのｓ偏光波、ｐ偏
光波の反射状態を示す図、第９図、第１０図は不
要な散乱光を検出不可とする散乱光検出系の光軸
の望ましい設定状態を説明するための図、第１１
図は同じく不要な散乱光を検出不可とする散乱光
検出系の望ましい構成を示す図である。 １，２…異物検査装置、３…搬送アーム、１０
…露光光学系、１４…レーザ発振器、１５…集光
レンズ、１６…偏光板、１７…ガルバノミラー、
１８…コリメータレンズ、２６…結像レンズ、２
７…光電変換素子、３２…遮光装置。
Claims (1)
- １ 露光に使用するレチクルやフオトマスクの基
板の両面に異物付着防止膜を付けた枠を装着した
状態で収納するマガジンと、該マガジンから両面
に異物付着防止膜を付けた枠を装着した基板を露
光位置に搬送するための搬送機構と、上記異物付
着防止膜上に光束を照射する光照射光学系と該光
照射光学系によつて照射された異物付着防止膜上
の光束のほぼ中心を通り、且つ異物付着防止膜を
通過した光による上記基板面上における光束とは
交わらないように検出光軸を上記照射光束に対し
て傾けて上記基板上に形成された回路パターンか
らの散乱光の検出を殆どなくして上記異物付着防
止膜上に付着した異物のみからの散乱光を光学的
に検出する検出光学系と該検出光学系によつて検
出される異物付着防止膜上に付着した異物のみか
らの散乱光を受光して信号に変換する光電変換手
段と上記枠からの散乱光を上記光電変換手段が受
光しないように制限する制限手段とを備えた異物
検出装置を上記基板の両面に対応させて、上記マ
ガジンから露光位置へ至る間に設けた異物検出手
段と、該異物検出手段の各々の異物検出装置によ
つて異物付着防止膜上に露光に支障のある異物が
検出されないで露光位置に搬送された異物付着防
止膜付き基板に対して該基板上の回路パターンを
投影レンズにより被基板上に投影露光する投影露
光装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222011A JPS61100932A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 露光装置 |
| US06/790,475 US4676637A (en) | 1984-10-24 | 1985-10-23 | Exposure apparatus with foreign particle detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222011A JPS61100932A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197911A Division JPH0711492B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100932A JPS61100932A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0475648B2 true JPH0475648B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=16775706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222011A Granted JPS61100932A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4676637A (ja) |
| JP (1) | JPS61100932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013057683A (ja) * | 2007-10-04 | 2013-03-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料搭載装置 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4760429A (en) * | 1986-11-05 | 1988-07-26 | The Perkin-Elmer Corporation | High speed reticle change system |
| JPH0311612A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Nec Yamagata Ltd | 露光装置 |
| US5301013A (en) * | 1991-07-30 | 1994-04-05 | U.S. Philips Corporation | Positioning device having two manipulators operating in parallel, and optical lithographic device provided with such a positioning device |
| US5335091A (en) * | 1991-12-31 | 1994-08-02 | Eastman Kodak Company | Apparatus for mechanically dithering a CCD array |
| JP3211538B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2001-09-25 | キヤノン株式会社 | 検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US5883710A (en) * | 1994-12-08 | 1999-03-16 | Kla-Tencor Corporation | Scanning system for inspecting anomalies on surfaces |
| US20040057044A1 (en) * | 1994-12-08 | 2004-03-25 | Mehrdad Nikoonahad | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
| JP3450509B2 (ja) * | 1995-04-13 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び該装置を用いて素子を製造する方法 |
| JP3347528B2 (ja) * | 1995-05-23 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP4306800B2 (ja) * | 1996-06-04 | 2009-08-05 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 表面検査用光学走査システム |
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| EP1052547A3 (en) * | 1999-04-21 | 2002-07-31 | Asm Lithography B.V. | Mask-handling apparatus for lithographic projection apparatus |
| TW490594B (en) * | 1999-06-09 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection method |
| EP1093022B1 (en) * | 1999-10-12 | 2006-03-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
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| US6902647B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method of processing substrates with integrated weighing steps |
| US6829035B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-12-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | Advanced mask cleaning and handling |
| US20060154385A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Ravinder Aggarwal | Fabrication pathway integrated metrology device |
| JP2007103658A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Canon Inc | 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法 |
| US7740437B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-06-22 | Asm International N.V. | Processing system with increased cassette storage capacity |
| JP4519832B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2010-08-04 | 株式会社堀場製作所 | 欠陥検査装置 |
| JP4772090B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2011-09-14 | 関東自動車工業株式会社 | 表面検査装置 |
| JP5566078B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-08-06 | 株式会社ニレコ | 突起物検出装置及び突起物検出方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109875A (en) * | 1976-02-25 | 1977-09-14 | Hitachi Ltd | Position matching system for mask and wafer and its unit |
| US4362389A (en) * | 1980-02-19 | 1982-12-07 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for projection type mask alignment |
| JPS57120936A (en) * | 1981-01-21 | 1982-07-28 | Hitachi Ltd | Step and repeat camera device |
| JPS5950522A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPS5982727A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 異物検出方法及びその装置 |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP59222011A patent/JPS61100932A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-23 US US06/790,475 patent/US4676637A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013057683A (ja) * | 2007-10-04 | 2013-03-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料搭載装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4676637A (en) | 1987-06-30 |
| JPS61100932A (ja) | 1986-05-19 |
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