JPH0430574B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0430574B2 JPH0430574B2 JP57174524A JP17452482A JPH0430574B2 JP H0430574 B2 JPH0430574 B2 JP H0430574B2 JP 57174524 A JP57174524 A JP 57174524A JP 17452482 A JP17452482 A JP 17452482A JP H0430574 B2 JPH0430574 B2 JP H0430574B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- lens
- reflected
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトマスクやレクチル（以下基板と
いう）の表面に付着する異物を検査する異物検査
装置に関するものであり、更に詳しくはパターン
や異物付着防止用のペリクル保護膜からの影響を
うけにくい光学系を有する異物検査装置に関す
る。
いう）の表面に付着する異物を検査する異物検査
装置に関するものであり、更に詳しくはパターン
や異物付着防止用のペリクル保護膜からの影響を
うけにくい光学系を有する異物検査装置に関す
る。
ガラスや石英などの透明薄板にクロムなどの層
を形成し、これをエツチングすることにより微細
な透明・不透明の回路パターン（以下パターンと
称す。）を形成する場合、基板表面に異物が存在
すると露光の際に異物の影も転写され不良が発生
する。そこで、露光前の異物検査が不可欠とな
る。
を形成し、これをエツチングすることにより微細
な透明・不透明の回路パターン（以下パターンと
称す。）を形成する場合、基板表面に異物が存在
すると露光の際に異物の影も転写され不良が発生
する。そこで、露光前の異物検査が不可欠とな
る。
第１図は従来良く用いられている異物検査装置
の原理を示す図である。同図において、基板１上
にＳ偏光レーザ光２を照射すると、異物が存在し
ない場合にはＳ偏光成分４のみが反射される。図
示する様に異物３が存在すると、不規則な形状に
より、Ｐ偏光成分５も反射される。これをレンズ
６で集光し偏光板７に透過させると、Ｐ偏光成分
５のみが受光器８に入り、異物３の存在が検出さ
れる。
の原理を示す図である。同図において、基板１上
にＳ偏光レーザ光２を照射すると、異物が存在し
ない場合にはＳ偏光成分４のみが反射される。図
示する様に異物３が存在すると、不規則な形状に
より、Ｐ偏光成分５も反射される。これをレンズ
６で集光し偏光板７に透過させると、Ｐ偏光成分
５のみが受光器８に入り、異物３の存在が検出さ
れる。
このとき、基板１上のパターンの影響を少くす
るためには、レーザ光２と基板１のなす角度ψを
できるだけ小さくする必要がある。第２図は基板
１上でよく用いられるパターンの方向を示す図で
ある。レーザ光２に対して、パターンＡは0°、パ
ターンＢは90°、パターンＣは±45°、パターンＤ
は±30°、パターンＥは±60°の角度をなしてい
る。
るためには、レーザ光２と基板１のなす角度ψを
できるだけ小さくする必要がある。第２図は基板
１上でよく用いられるパターンの方向を示す図で
ある。レーザ光２に対して、パターンＡは0°、パ
ターンＢは90°、パターンＣは±45°、パターンＤ
は±30°、パターンＥは±60°の角度をなしてい
る。
さて、パターンの微細化に伴い、検査後の異物
付着防止のため第３図に示す様なペリクル保護膜
を装着するようになつてきた。第３図において、
１０は金属製フレームであり、１１はニトロセル
ローズ製の薄膜である。
付着防止のため第３図に示す様なペリクル保護膜
を装着するようになつてきた。第３図において、
１０は金属製フレームであり、１１はニトロセル
ローズ製の薄膜である。
ところで、異物検査後のペリクル保護膜装着時
にも異物が付着する可能性が大きいため、ペリク
ル保護膜装着後にも異物検査を行う必要がある。
しかし、第３図に示す様にペリクル保護膜装着後
には基板１上にフレーム１０が存在するため、第
１図の様にレーザ光２と基板１のなす角ψを小さ
くすることができず、検出感度が更に低下すると
いう課題がある。また、ペリクル保護膜上の異物
やフレームからの反射光が受光器８に入るため検
出感度が更に低下する課題がある。
にも異物が付着する可能性が大きいため、ペリク
ル保護膜装着後にも異物検査を行う必要がある。
しかし、第３図に示す様にペリクル保護膜装着後
には基板１上にフレーム１０が存在するため、第
１図の様にレーザ光２と基板１のなす角ψを小さ
くすることができず、検出感度が更に低下すると
いう課題がある。また、ペリクル保護膜上の異物
やフレームからの反射光が受光器８に入るため検
出感度が更に低下する課題がある。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決す
べく、基板表面上に方向性をもつて形成された複
雑な回路パターンやペリクル保護膜等に影響され
ずに、基板表面上に存在する異物を高感度で検査
できるようにした異物検査装置を提供することに
ある。
べく、基板表面上に方向性をもつて形成された複
雑な回路パターンやペリクル保護膜等に影響され
ずに、基板表面上に存在する異物を高感度で検査
できるようにした異物検査装置を提供することに
ある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、
回路パターンを方向性をもつて形成した基板表面
に付着した異物を検査する異物検査装着におい
て、レーザ光を、垂直方向に対して傾斜した斜め
方向から上記基板表面に集光照射する照射手段
と、該集光照射するレーザ光と基板とを相対的に
走査する走査手段と、上記照射手段によつて集光
照射されたレーザ光の照射点と焦点面とがほぼ一
致する様に基板の上方に設けられ、且つ上記照射
点からの正反射光を逃がして反射散乱光を集光す
る第１のレンズと、該第１のレンズのフーリエ変
換面に設けられ、且つ上記基板表面上に形成され
た回路パターンからの方向性を有する規則的反射
散乱光を遮光すると共に基板表面上の異物からの
方向性を有しない反射散乱光を通す遮光光学系
と、該遮光光学系を通して得られる異物からの方
向性を有しない反射散乱光を逆フーリエ変換する
第２のレンズと、該第２のレンズの結像点に設け
られ、且つ基板表面上の照射点以外からの入射散
乱光を遮光する遮光手段と、該遮光手段を通過し
た反射散乱光を受光する受光手段とを備え、該受
光手段から検出される信号に基いて回路パターン
を有する基板表面上に存在する異物を検査するよ
うに構成したことを特徴とする異物検査装置であ
る。
回路パターンを方向性をもつて形成した基板表面
に付着した異物を検査する異物検査装着におい
て、レーザ光を、垂直方向に対して傾斜した斜め
方向から上記基板表面に集光照射する照射手段
と、該集光照射するレーザ光と基板とを相対的に
走査する走査手段と、上記照射手段によつて集光
照射されたレーザ光の照射点と焦点面とがほぼ一
致する様に基板の上方に設けられ、且つ上記照射
点からの正反射光を逃がして反射散乱光を集光す
る第１のレンズと、該第１のレンズのフーリエ変
換面に設けられ、且つ上記基板表面上に形成され
た回路パターンからの方向性を有する規則的反射
散乱光を遮光すると共に基板表面上の異物からの
方向性を有しない反射散乱光を通す遮光光学系
と、該遮光光学系を通して得られる異物からの方
向性を有しない反射散乱光を逆フーリエ変換する
第２のレンズと、該第２のレンズの結像点に設け
られ、且つ基板表面上の照射点以外からの入射散
乱光を遮光する遮光手段と、該遮光手段を通過し
た反射散乱光を受光する受光手段とを備え、該受
光手段から検出される信号に基いて回路パターン
を有する基板表面上に存在する異物を検査するよ
うに構成したことを特徴とする異物検査装置であ
る。
次に本発明の原理について説明する。第４図に
示す光学系において、レンズ１５の焦点１７が基
板１上のレーザ光１８の照射点と重なる様に配置
すると、フーリエ変換面１６では第２図のパター
ンに対して第５図に示す様な明線が形成される。
明線２０は第２図のパターンＢ（90°）によるもの
であり、明線２１は第２図のパターンＥ（±60°）
によるものである。従つて、これらの明線部を遮
光してやれば、それ以外の不規則パターン（異
物）からの反射光のみが抽出できる。第５図にお
いて、２２は遮光板を示している。
示す光学系において、レンズ１５の焦点１７が基
板１上のレーザ光１８の照射点と重なる様に配置
すると、フーリエ変換面１６では第２図のパター
ンに対して第５図に示す様な明線が形成される。
明線２０は第２図のパターンＢ（90°）によるもの
であり、明線２１は第２図のパターンＥ（±60°）
によるものである。従つて、これらの明線部を遮
光してやれば、それ以外の不規則パターン（異
物）からの反射光のみが抽出できる。第５図にお
いて、２２は遮光板を示している。
また、第６図に示す様な光学系を考えると、レ
ーザ光１８の基板１上の点３６からの反射光はレ
ンズ系３０によつて点３３の位置に結像する。こ
れに対し、ペリクル保護膜１１上の異物３１から
の反射光は、レーザ光１８が斜めから照射してい
るため点３２の位置に結像する。従つて、点３３
の位置にピンホール又はスリツト３５を配置すれ
ば、基板１からの反射光だけを受光器３４に入れ
ることができる。
ーザ光１８の基板１上の点３６からの反射光はレ
ンズ系３０によつて点３３の位置に結像する。こ
れに対し、ペリクル保護膜１１上の異物３１から
の反射光は、レーザ光１８が斜めから照射してい
るため点３２の位置に結像する。従つて、点３３
の位置にピンホール又はスリツト３５を配置すれ
ば、基板１からの反射光だけを受光器３４に入れ
ることができる。
本発明の異物検出装置は、第５図と第６図に示
す原理の組合せにより、パターンの影響とペリク
ル保護膜の影響を除く事に特徴がある。
す原理の組合せにより、パターンの影響とペリク
ル保護膜の影響を除く事に特徴がある。
以下添付の図面に示す実施例により、更に詳細
に本発明について説明する。第７図及び第８図は
本発明の一実施例を示す図である。第７図におい
て、基板１の斜上方からレーザ光１８が照射さ
れ、異物３６上に小さなスポツトが形成されたと
する。異物３６からの反射光は、レンズ４０によ
り集光され、フーリエ変換面１６上に置かれた第
５図に示す様な遮光板によつて、パターンからの
反射光と分離される。これがレンズ４１で逆フー
リエ変換され、この場合レンズ４０とレンズ４１
の合成光学系が第６図に示すレンズ系３０と等価
になるため、異物３６が置かれている点の共役点
３３のみ通過できるスリツト３５を置ければ、異
物３６からの反射光のみが受光器３４に入射す
る。レーザ光１８は紙面に垂直な方向に走査され
るため、スリツト３５もこれに対応するため紙面
に垂直の方向に細長く形成されている。
に本発明について説明する。第７図及び第８図は
本発明の一実施例を示す図である。第７図におい
て、基板１の斜上方からレーザ光１８が照射さ
れ、異物３６上に小さなスポツトが形成されたと
する。異物３６からの反射光は、レンズ４０によ
り集光され、フーリエ変換面１６上に置かれた第
５図に示す様な遮光板によつて、パターンからの
反射光と分離される。これがレンズ４１で逆フー
リエ変換され、この場合レンズ４０とレンズ４１
の合成光学系が第６図に示すレンズ系３０と等価
になるため、異物３６が置かれている点の共役点
３３のみ通過できるスリツト３５を置ければ、異
物３６からの反射光のみが受光器３４に入射す
る。レーザ光１８は紙面に垂直な方向に走査され
るため、スリツト３５もこれに対応するため紙面
に垂直の方向に細長く形成されている。
第８図は第７図に示す実施例の斜視図である。
同図において、遮光板２２は90°と60°のパターン
を遮光する様にしているが、これは場合により
90°のみの遮光にしたり（パターンが0°，±45°，
90°のみから形成される場合）、90°，60°以外の遮
光板を入れることもできる。レーザ光１８は走査
光学系５１により20〜100μm程度のスポツトに絞
られ、基板１上を矢印５０の示す方向に走査を行
う。レンズ４０は散乱光を多く取り込むため、
F1.2程度の明るいレンズが望ましい。受光器３４
としては、フオトマルを使用すれば良く、このと
きレーザ光以外の波長の外乱光を防ぐため、第９
図に示す様に受光器３４とスリツト３５の間にレ
ンズ５５を置いたり、第１０図に示す様に干渉フ
イルタ５６を置くことが好ましい。なお、第９図
と第１０図において、５２はスリツト３５を通過
する光線を示している。
同図において、遮光板２２は90°と60°のパターン
を遮光する様にしているが、これは場合により
90°のみの遮光にしたり（パターンが0°，±45°，
90°のみから形成される場合）、90°，60°以外の遮
光板を入れることもできる。レーザ光１８は走査
光学系５１により20〜100μm程度のスポツトに絞
られ、基板１上を矢印５０の示す方向に走査を行
う。レンズ４０は散乱光を多く取り込むため、
F1.2程度の明るいレンズが望ましい。受光器３４
としては、フオトマルを使用すれば良く、このと
きレーザ光以外の波長の外乱光を防ぐため、第９
図に示す様に受光器３４とスリツト３５の間にレ
ンズ５５を置いたり、第１０図に示す様に干渉フ
イルタ５６を置くことが好ましい。なお、第９図
と第１０図において、５２はスリツト３５を通過
する光線を示している。
レーザ光は斜めから角度ψで照射されるため、
基板１上のスポツトは一般に円形にならない。そ
こで、第８図に示す走査光学系５１にはシリンド
リカルレンズを用いた補正光学系を用いる。第１
１図はその具体例を示す図であり、レーザ発振器
６０から照射されるレーザ光はビームエキスパン
ダ６１で拡げられ、これがシリンドリカルレンズ
６２に入射される。これによつて、レーザ光は長
楕円断面を有するビームに変換され、ガルバノミ
ラー６３とレンズ６４を介して基板１上の点５０
に集光される。こうして、レーザ光は基板１上で
ほぼ円形に集光する。レーザ光の走査はガルバノ
ミラー６３によつて行なわれ、ガルバノミラー６
３のかわりにポリゴンミラーを用いても良い。
基板１上のスポツトは一般に円形にならない。そ
こで、第８図に示す走査光学系５１にはシリンド
リカルレンズを用いた補正光学系を用いる。第１
１図はその具体例を示す図であり、レーザ発振器
６０から照射されるレーザ光はビームエキスパン
ダ６１で拡げられ、これがシリンドリカルレンズ
６２に入射される。これによつて、レーザ光は長
楕円断面を有するビームに変換され、ガルバノミ
ラー６３とレンズ６４を介して基板１上の点５０
に集光される。こうして、レーザ光は基板１上で
ほぼ円形に集光する。レーザ光の走査はガルバノ
ミラー６３によつて行なわれ、ガルバノミラー６
３のかわりにポリゴンミラーを用いても良い。
第７図及び第８図に示す実施例では、光学系の
走査距離が短いため、大きな基板全面の検査を行
うためには第１２図に示す様にテーブル送りと走
査を繰り返し行う。同図において、７０は光学系
による走査を示し、７１はテーブル送りによる走
査を示している。
走査距離が短いため、大きな基板全面の検査を行
うためには第１２図に示す様にテーブル送りと走
査を繰り返し行う。同図において、７０は光学系
による走査を示し、７１はテーブル送りによる走
査を示している。
第１３図は第７図に示す受光器３４の出力を受
けて異物の存否を検出する回路の一例を示す図で
ある。同図において、３４はフオトマルで構成さ
れる受光器、１００はマイクロコンピユータ、１
０１はタイミング発生回路、１０２はテーブルア
ドレスカウンタ、１０３はモータ駆動回路、１０
４はモータ、１０５はガルバノミラー角度カウン
タ、１０６はガルバノミラー駆動回路、６３はガ
ルバノミラー、１０７は入力バツフア、１１０は
アンプ、１１１はコンパレータ、１２０はスター
ト信号、１２１はタイミングパルス、１２２は割
込信号、１２３はアドレスデータ、１２４は異物
検出データである。
けて異物の存否を検出する回路の一例を示す図で
ある。同図において、３４はフオトマルで構成さ
れる受光器、１００はマイクロコンピユータ、１
０１はタイミング発生回路、１０２はテーブルア
ドレスカウンタ、１０３はモータ駆動回路、１０
４はモータ、１０５はガルバノミラー角度カウン
タ、１０６はガルバノミラー駆動回路、６３はガ
ルバノミラー、１０７は入力バツフア、１１０は
アンプ、１１１はコンパレータ、１２０はスター
ト信号、１２１はタイミングパルス、１２２は割
込信号、１２３はアドレスデータ、１２４は異物
検出データである。
以上説明したように、本発明によれば、基板表
面上に通常0°、90°、±30°、±45°、±60°などに
よう
に方向性を有して形成される回路パターンやペル
クル保護膜等の影響をなくして上記基板表面上に
付着した異物を高感度で検査することができ、そ
の結果異物が付着していない基板を用いて露光す
ることができ、良品の半導体製品を歩留まり良く
製造することができる効果を奏する。
面上に通常0°、90°、±30°、±45°、±60°などに
よう
に方向性を有して形成される回路パターンやペル
クル保護膜等の影響をなくして上記基板表面上に
付着した異物を高感度で検査することができ、そ
の結果異物が付着していない基板を用いて露光す
ることができ、良品の半導体製品を歩留まり良く
製造することができる効果を奏する。
第１図は従来の異物検査装置の一例を示す斜視
図、第２図は基板上のパターンの方向を示す説明
図、第３図はペリクル保護膜装置の状態を示す斜
視図、第４図は本発明の原理であるフーリエ変換
法を示す説明図、第５図は本発明の原理である遮
光板の状態を示す説明図、第６図は本発明の原理
であるスリツト法を示す断面図、第７図は本発明
の実施例を示す断面図、第８図は第７図に示す実
施例の斜視図、第９図及び第１０図は受光器の入
射光からレーザ光以外の光を除くための光学系を
示す断面図、第１１図は走査光学系の概要を示す
斜視図、第１２図は基板走査法の一例を示す説明
図、第１３図は検査回路の一例を示すブロツク図
である。 １……基板、２，１８，５２……レーザ光、
３，３１，３６……異物、６，１５，４０，４
１，５５，６４……レンズ、７，２２……偏光
板、８，３４……受光器、１０……フレーム、１
１……ペリクル保護膜、１６……フーリエ変換
面、３０……レンズ系、３５……スリツト、５１
……走査光学系、５６……干渉フイルタ、６０…
…レーザ発振器、６１……ビームエキスパンダ、
６２……シリンドリカルレンズ、６３……ガルバ
ノミラー。
図、第２図は基板上のパターンの方向を示す説明
図、第３図はペリクル保護膜装置の状態を示す斜
視図、第４図は本発明の原理であるフーリエ変換
法を示す説明図、第５図は本発明の原理である遮
光板の状態を示す説明図、第６図は本発明の原理
であるスリツト法を示す断面図、第７図は本発明
の実施例を示す断面図、第８図は第７図に示す実
施例の斜視図、第９図及び第１０図は受光器の入
射光からレーザ光以外の光を除くための光学系を
示す断面図、第１１図は走査光学系の概要を示す
斜視図、第１２図は基板走査法の一例を示す説明
図、第１３図は検査回路の一例を示すブロツク図
である。 １……基板、２，１８，５２……レーザ光、
３，３１，３６……異物、６，１５，４０，４
１，５５，６４……レンズ、７，２２……偏光
板、８，３４……受光器、１０……フレーム、１
１……ペリクル保護膜、１６……フーリエ変換
面、３０……レンズ系、３５……スリツト、５１
……走査光学系、５６……干渉フイルタ、６０…
…レーザ発振器、６１……ビームエキスパンダ、
６２……シリンドリカルレンズ、６３……ガルバ
ノミラー。
Claims (1)
- １ 回路パターンを方向性をもつて形成した基板
表面に付着した異物を検査する異物検査装置にお
いて、レーザ光を、垂直方向に対して傾斜した斜
め方向から上記基板表面に集光照射する照射手段
と、該集光照射するレーザ光と基板とを相対的に
走査する走査手段と、上記照射手段によつて集光
照射されたレーザ光の照射点と焦点面とがほぼ一
致する様に基板の上方に設けられ、且つ上記照射
点からの正反射光を逃がして反射散乱光を集光す
る第１のレンズと、該第１のレンズのフーリエ変
換面に設けられ、且つ上記基板表面上に形成され
た回路パターンからの方向性を有する規則的反射
散乱光を遮光すると共に基板表面上の異物からの
方向性を有しない反射散乱光を通す遮光光学系
と、該遮光光学系を通して得られる異物からの方
向性を有しない反射散乱光を逆フーリエ変換する
第２のレンズと、該第２のレンズの結像点に設け
られ、且つ基板表面上の照射点以外からの入射散
乱光を遮光する遮光手段と、該遮光手段を通過し
た反射散乱光を受光する受光手段とを備え、該受
光手段から検出される信号に基いて回路パターン
を有する基板表面上に存在する異物を検査するよ
うに構成したことを特徴とする異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174524A JPS5965428A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174524A JPS5965428A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 異物検査装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28102291A Division JPH079407B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 異物検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965428A JPS5965428A (ja) | 1984-04-13 |
| JPH0430574B2 true JPH0430574B2 (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=15980025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174524A Granted JPS5965428A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965428A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621877B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態測定装置 |
| JPS636854A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
| JPH0646182B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | マスク上の異物検査装置およびその方法 |
| JPH0752156B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1995-06-05 | 株式会社日立製作所 | 異物検査装置 |
| JPS636442A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 異物検査方法及びその装置 |
| JPH0629860B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1994-04-20 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| US5274434A (en) * | 1990-04-02 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line |
| JPH0498149A (ja) * | 1990-08-15 | 1992-03-30 | Nec Corp | 欠陥検査装置 |
| JPH04204143A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Hitachi Ltd | レーザーによるシャフト表面き裂判別方法およびその装置 |
| US5463459A (en) | 1991-04-02 | 1995-10-31 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for analyzing the state of generation of foreign particles in semiconductor fabrication process |
| US5410400A (en) * | 1991-06-26 | 1995-04-25 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus |
| JP3314440B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP3699776B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2005-09-28 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP2010236920A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Jasco Corp | 微粒子測定装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5191737A (ja) * | 1975-02-10 | 1976-08-11 |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57174524A patent/JPS5965428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5965428A (ja) | 1984-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4669875A (en) | Foreign particle detecting method and apparatus | |
| JPH0430574B2 (ja) | ||
| JPH0414341B2 (ja) | ||
| JPH02114154A (ja) | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 | |
| JP3259331B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPS58120155A (ja) | レチクル異物検出装置 | |
| JPH0815169A (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 | |
| JP3087384B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| USRE33991E (en) | Foreign particle detecting method and apparatus | |
| JPS6365904B2 (ja) | ||
| JPS5973710A (ja) | 透明円板の表面欠陥検査装置 | |
| JPS6240656B2 (ja) | ||
| JPH0510889A (ja) | 異物検査方法 | |
| JP3336392B2 (ja) | 異物検査装置及び方法 | |
| JPH0646182B2 (ja) | マスク上の異物検査装置およびその方法 | |
| JP2970235B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH0334577B2 (ja) | ||
| JPH0746079B2 (ja) | 異物検出方法及び装置 | |
| JPH04143640A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH01453A (ja) | 異物検出装置 | |
| JPH07119700B2 (ja) | 異物検出装置 | |
| JPS60222757A (ja) | 異物検出装置 | |
| JPH02143150A (ja) | 透明膜の異物検査光学系 | |
| JPS5998524A (ja) | 透明体の検査装置 | |
| JPH04230837A (ja) | 両面異物検出方法及びその装置 |