JPH0475659B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0475659B2
JPH0475659B2 JP57091047A JP9104782A JPH0475659B2 JP H0475659 B2 JPH0475659 B2 JP H0475659B2 JP 57091047 A JP57091047 A JP 57091047A JP 9104782 A JP9104782 A JP 9104782A JP H0475659 B2 JPH0475659 B2 JP H0475659B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
fuse
fuse element
contact
section
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP57091047A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58209031A (ja
Inventor
Kunio Katsuno
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS58209031A publication Critical patent/JPS58209031A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路において、半導体素
子を利用したヒユーズに関する。
従来のヒユーズは、第１図に示す如く、ヒユー
ズ素子、配線部及びヒユーズ素子の溶断とヒユー
ズ素子、配線部間の導通という両方の目的を有す
るコンタクト部から成り立つている。ヒユーズの
役割は、ヒユーズ素子を溶断するか否かによつて
ヒユーズ一端の情報を他端に伝達するか否を設定
することであるが、従来のヒユーズ構成において
は情報を伝達すべきヒユーズ（溶断されていない
ヒユーズ）の場合、配線の断線等によりコンタク
ト部の少なくとも１ケ所の導通不良が起こると、
ヒユーズは役割を果さないことになる。
第２図は、本発明によるヒユーズの実施例であ
り、図ａは平面図、図ｂは断面図である。１０１
はヒユーズ素子、１０２は配線部、１０３はヒユ
ーズ素子と配線部のコンタクト部、１０４は本発
明による導通用コンタクト部である。また、ヒユ
ーズ素子の溶断面積を大きくできるため、ヒユー
ズ素子の上層部及びその周辺部のみ保護膜１０５
を取り除いてある。このように、保護膜を取り除
くことにより、配線用金属が露出する形１０６と
なり、露出部で腐食等が起りやすく、コンタクト
部１０３と１０４の間の配線部で、断線する可能
性もある。しかし、その場合でもコンタクト部１
０４において、ヒユーズ素子と配線間の導通は確
保されており、不都合は生じない。
このように、本発明は、ヒユーズ素子の溶断に
は直接寄与しない導通を主目的としたコンタクト
部を設けることにより、エージング特性の改善を
行なうとともに、コンタクト不良に起因する半導
体集積回路の欠陥率をも減少させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のヒユーズの構成図であり、ａ
は、平面図、ｂは断面図である。第２図は、本発
明によるヒユーズの構成図であり、ａは平面図、
ｂは断面図である。 １０１…ヒユーズ素子、１０２…配線部、１０
３…コンタクト部、１０４…本発明によるコンタ
クト部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ ヒユーズ素子と、該ヒユーズ素子の一方側に
    第１、第２のコンタクト部を介して接続される第
    １の配線部と、該ヒユーズ素子の他方側に第３、
    第４のコンタクト部を介して接続される第２の配
    線部と、前記第２のコンタクト部と前記第１の配
    線部上に形成された第１の保護層と、前記第４の
    コンタクト部と前記第２の配線部上に形成された
    第２の保護層とを有することを特徴とする半導体
    装置。
JP9104782A 1982-05-28 1982-05-28 半導体装置 Granted JPS58209031A (ja)

Priority Applications (1)

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JP9104782A JPS58209031A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9104782A JPS58209031A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS58209031A JPS58209031A (ja) 1983-12-05
JPH0475659B2 true JPH0475659B2 (ja) 1992-12-01

Family

ID=14015583

Family Applications (1)

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JP9104782A Granted JPS58209031A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 半導体装置

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JP (1) JPS58209031A (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5839380B2 (ja) * 1977-02-28 1983-08-30 沖電気工業株式会社 半導体集積回路装置
JPS5780741A (en) * 1980-11-07 1982-05-20 Seiko Epson Corp Active matrix substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58209031A (ja) 1983-12-05

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