JPH0475674B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0475674B2 JPH0475674B2 JP58154804A JP15480483A JPH0475674B2 JP H0475674 B2 JPH0475674 B2 JP H0475674B2 JP 58154804 A JP58154804 A JP 58154804A JP 15480483 A JP15480483 A JP 15480483A JP H0475674 B2 JPH0475674 B2 JP H0475674B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- metal film
- thermal conductivity
- protective film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電気抵抗の変化によつて磁界を検出す
る磁気抵抗素子に関するものである。
る磁気抵抗素子に関するものである。
従来用いられているこの磁気抵抗素子は、例え
ば第１図に示すように非磁性材からなる基板１の
表面上に磁界の強さによつてその電気抵抗が変化
する磁気抵抗体からなる検出部２を配置し、これ
らを同様に基板１の上に形成した薄膜状の電気良
導体からなる配線３により接続したものである。
例えば４個の検出部２を図示のようにブリツジ接
続し、電源電圧Vccおよび0Vを接続した場合、
各検出部２の抵抗をそれぞれR1〜R4として、電
気的等価回路は第２図のように示される。
ば第１図に示すように非磁性材からなる基板１の
表面上に磁界の強さによつてその電気抵抗が変化
する磁気抵抗体からなる検出部２を配置し、これ
らを同様に基板１の上に形成した薄膜状の電気良
導体からなる配線３により接続したものである。
例えば４個の検出部２を図示のようにブリツジ接
続し、電源電圧Vccおよび0Vを接続した場合、
各検出部２の抵抗をそれぞれR1〜R4として、電
気的等価回路は第２図のように示される。
上記構成において、各検出部２の抵抗R1〜R4
がすべて等しいならば、出力電圧V1＝V2となつ
て、オフセツト電圧V1−V2は零となる。
がすべて等しいならば、出力電圧V1＝V2となつ
て、オフセツト電圧V1−V2は零となる。
しかしながら、上記素子の温度分布が全面にわ
たつて均一でなく、一定の偏りが生じた場合、一
般に各検出部２の抵抗は温度特性を有するため
に、R1≠R2≠R3≠R4となり、V1≠V2となつて、
オフセツト電圧は温度に依存して変化する。
たつて均一でなく、一定の偏りが生じた場合、一
般に各検出部２の抵抗は温度特性を有するため
に、R1≠R2≠R3≠R4となり、V1≠V2となつて、
オフセツト電圧は温度に依存して変化する。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、各検出部間の温度特性に起因し
て生じる抵抗値のばらつきをなくし、オフセツト
電圧の温度依存性を改善した磁気抵抗素子を提供
することにある。
で、その目的は、各検出部間の温度特性に起因し
て生じる抵抗値のばらつきをなくし、オフセツト
電圧の温度依存性を改善した磁気抵抗素子を提供
することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、
検出部を配置した基板面上に熱伝導性の良好な非
磁性金属膜を設けたものである。以下、実施例を
用いて本発明を詳細に説明する。
検出部を配置した基板面上に熱伝導性の良好な非
磁性金属膜を設けたものである。以下、実施例を
用いて本発明を詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。本実施例は、非磁性材からなる絶縁性の基板
１の表面上に第１図に示したと同様に検出部２を
配置し、配線３により相互に接続したものである
が、これら検出部２および配線３を形成した基板
１の表面上に、絶縁性保護膜４を介して非磁性金
属膜５が被覆してある。この非磁性金属膜５は、
熱伝導率の高いアルミニウムからなり、このよう
に素子面上を熱伝導性の良好な膜で覆うことによ
り、素子内の温度分布は一定に保たれるため、オ
フセツト電圧の温度依存性を解消する効果があ
る。
る。本実施例は、非磁性材からなる絶縁性の基板
１の表面上に第１図に示したと同様に検出部２を
配置し、配線３により相互に接続したものである
が、これら検出部２および配線３を形成した基板
１の表面上に、絶縁性保護膜４を介して非磁性金
属膜５が被覆してある。この非磁性金属膜５は、
熱伝導率の高いアルミニウムからなり、このよう
に素子面上を熱伝導性の良好な膜で覆うことによ
り、素子内の温度分布は一定に保たれるため、オ
フセツト電圧の温度依存性を解消する効果があ
る。
第４図は同様に本発明の他の実施例で、第３図
の場合と同様に基板１を被覆した熱伝導性の良好
な非磁性金属膜５の上に、さらにSiO2等の無機
膜もしくはSiO2とポリイミド樹脂との２層膜か
らなる保護膜６を設けた例を示す。
の場合と同様に基板１を被覆した熱伝導性の良好
な非磁性金属膜５の上に、さらにSiO2等の無機
膜もしくはSiO2とポリイミド樹脂との２層膜か
らなる保護膜６を設けた例を示す。
なお、熱伝導性の良好な非磁性金属膜５として
は、上述したアルミニウムの外にも、例えばステ
ンレス等の非磁性体などを用いることができる。
は、上述したアルミニウムの外にも、例えばステ
ンレス等の非磁性体などを用いることができる。
以上説明したように、本発明によれば、検出部
を配置した基板上を熱伝導性の良好な非磁性金属
膜で覆つたことにより、素子全面にわたつて温度
分布を均一にすることができ、当該温度分布の不
均一により、各検出部の抵抗温度特性に起因して
生じるオフセツト電圧の温度依存性を改善するこ
とができる。また、このような金属膜を設けたこ
とにより、従来検出部が直接露出していたものに
比較して素子の耐湿性および機械的強度が強化さ
れるという利点をも生じる。
を配置した基板上を熱伝導性の良好な非磁性金属
膜で覆つたことにより、素子全面にわたつて温度
分布を均一にすることができ、当該温度分布の不
均一により、各検出部の抵抗温度特性に起因して
生じるオフセツト電圧の温度依存性を改善するこ
とができる。また、このような金属膜を設けたこ
とにより、従来検出部が直接露出していたものに
比較して素子の耐湿性および機械的強度が強化さ
れるという利点をも生じる。
第１図は従来の磁気抵抗素子の構成例を示す平
面図、第２図はその電気的等価回路図、第３図は
本発明の一実施例を示す断面図、第４図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 １……基板、２……検出部、３……配線、４…
…絶縁性保護膜、５……非磁性金属膜、６……保
護膜。
面図、第２図はその電気的等価回路図、第３図は
本発明の一実施例を示す断面図、第４図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 １……基板、２……検出部、３……配線、４…
…絶縁性保護膜、５……非磁性金属膜、６……保
護膜。
Claims (1)
- １ 非磁性材料からなる絶縁基板上に配置した磁
界によつて磁気抵抗が変化する磁気抵抗体からな
る磁気検出部を備えた磁気抵抗素子において、前
記磁気検出部は絶縁性保護膜によつて被覆され、
前記絶縁性保護膜上には熱伝導性が良い非磁性金
属膜が密着形成されていることを特徴とする磁気
抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154804A JPS6047481A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154804A JPS6047481A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047481A JPS6047481A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0475674B2 true JPH0475674B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=15592247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154804A Granted JPS6047481A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047481A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931878B2 (ja) * | 1976-02-10 | 1984-08-04 | 電気音響株式会社 | 磁気センタ−装置 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154804A patent/JPS6047481A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047481A (ja) | 1985-03-14 |
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