JPS6047481A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
- Publication number
- JPS6047481A JPS6047481A JP58154804A JP15480483A JPS6047481A JP S6047481 A JPS6047481 A JP S6047481A JP 58154804 A JP58154804 A JP 58154804A JP 15480483 A JP15480483 A JP 15480483A JP S6047481 A JPS6047481 A JP S6047481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- detection section
- magnetoresistive element
- metal film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電気抵抗の変化によって磁界を検出する磁気抵
抗素子に関するものである。
抗素子に関するものである。
従来用いられているこの磁気抵抗素子は、例えば第１図
に示すように非磁性材からなる基板１の表面上に磁界の
強さによってその電気抵抗が変化する磁気抵抗体からな
る検出部２を配置し、これらを同様に基板１の上に形成
した薄膜状の電気良導体からなる配線３により接続した
ものである。
に示すように非磁性材からなる基板１の表面上に磁界の
強さによってその電気抵抗が変化する磁気抵抗体からな
る検出部２を配置し、これらを同様に基板１の上に形成
した薄膜状の電気良導体からなる配線３により接続した
ものである。
例えば４個め検出部２を図示のようにブリッジ接続し、
電源電圧ｖｃｃおよびＯｖを接続した場合、各検出部２
の抵抗をそれぞれＲ１−Ｒ４として、電気的等価回路は
第２図のように示される。
電源電圧ｖｃｃおよびＯｖを接続した場合、各検出部２
の抵抗をそれぞれＲ１−Ｒ４として、電気的等価回路は
第２図のように示される。
上記構成において、各検出部２の抵抗Ｒ１〜Ｒ４がすべ
て等しいならば、出力電圧ｙ、＝ｖ、となって、オフセ
ット電圧Ｖ ｒ −Ｖ ｚは零となる。
て等しいならば、出力電圧ｙ、＝ｖ、となって、オフセ
ット電圧Ｖ ｒ −Ｖ ｚは零となる。
しかしながら、上記素子の温度分布が全面にわたって均
一でなく、一定の偏シが生じた場合、一般に各検出部２
の抵抗は温度特性を有するために、Ｒｔ ％Ｒｘ ’Ｑ
Ｒａ ４Ｒ４となシ、Ｖ＋ＡＦＶｚ となって、オフセ
ット電圧は温度に依存して変化する。
一でなく、一定の偏シが生じた場合、一般に各検出部２
の抵抗は温度特性を有するために、Ｒｔ ％Ｒｘ ’Ｑ
Ｒａ ４Ｒ４となシ、Ｖ＋ＡＦＶｚ となって、オフセ
ット電圧は温度に依存して変化する。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、各検出部間の温度特性に起因して生じる抵抗値
のばらつきをなくシ、オフセット電圧の温度依存性を改
善した磁気抵抗素子を提供することにある。
目的は、各検出部間の温度特性に起因して生じる抵抗値
のばらつきをなくシ、オフセット電圧の温度依存性を改
善した磁気抵抗素子を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、検出部を
配置した基板面上に熱伝導性の良好な非磁性金属膜を設
けたものである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な
説明する。
配置した基板面上に熱伝導性の良好な非磁性金属膜を設
けたものである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な
説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す断面図である。
本実施例は、非磁性材からなる絶縁性の基板１０表面上
に第１図に示したと同様に検出部２を配置し、配線３に
よシ相互に接続したものであるが、これら検出部２およ
び配線３を形成した基板１の表面上に、絶縁性像ト膜４
を介して非磁性金属膜５が被覆しである。この非磁性金
属膜５は、熱伝導率の高いアルミニウムからなシ、この
ように素子面上を熱伝導性の良好な膜で覆うことによシ
、素子内の温度分布は一定に保たれるため、オフセット
電圧の温度依存性を解消する効果がある。
に第１図に示したと同様に検出部２を配置し、配線３に
よシ相互に接続したものであるが、これら検出部２およ
び配線３を形成した基板１の表面上に、絶縁性像ト膜４
を介して非磁性金属膜５が被覆しである。この非磁性金
属膜５は、熱伝導率の高いアルミニウムからなシ、この
ように素子面上を熱伝導性の良好な膜で覆うことによシ
、素子内の温度分布は一定に保たれるため、オフセット
電圧の温度依存性を解消する効果がある。
第４図は同様に本発明の他の実施例で、第３図の場合と
同様に基板１を被覆した熱伝導性の良好な非磁性金属膜
５の上に、さらにｓｉｏ、等の無機膜もしくは８１０２
とポリイミド樹脂との２層膜からなる保護膜６を設けた
例を示す。
同様に基板１を被覆した熱伝導性の良好な非磁性金属膜
５の上に、さらにｓｉｏ、等の無機膜もしくは８１０２
とポリイミド樹脂との２層膜からなる保護膜６を設けた
例を示す。
なお、熱伝導性の良好な非磁性金属膜５としては、上述
したアルミニウムの外にも、例えばステンレス等の非磁
性体などを用いることができる。
したアルミニウムの外にも、例えばステンレス等の非磁
性体などを用いることができる。
以上説明したように、本発明によれば、検出部を配置し
た基板上を熱伝導性の良好な非磁性金属膜で覆ったこと
によシ、素子全面にわたって温度分布を均一にすること
ができ、当該温度分布の不均一により、各検出部の抵抗
温度特性に起因して生じるオフセット電圧の温度依存性
を改善するととができる。また、このような金属膜を設
けたことによシ、従来検出部が直接露出していたものに
比較して素子の耐湿性および機械的強度が強化されると
いう利点をも生じる。
た基板上を熱伝導性の良好な非磁性金属膜で覆ったこと
によシ、素子全面にわたって温度分布を均一にすること
ができ、当該温度分布の不均一により、各検出部の抵抗
温度特性に起因して生じるオフセット電圧の温度依存性
を改善するととができる。また、このような金属膜を設
けたことによシ、従来検出部が直接露出していたものに
比較して素子の耐湿性および機械的強度が強化されると
いう利点をも生じる。
第１図は従来の磁気抵抗素子の構成例を示す平面図、第
２図はその電気的等価回路図、第３図は本発明の一実施
例を示す断面図、第４図は本発明の他の実施例を示す断
面図である。 １・・・・基板、２・・・・検出部、３・・・・配線、
４・・・・絶縁性保護膜、５・・・・非磁性金属膜、６
・・・・保護膜。
２図はその電気的等価回路図、第３図は本発明の一実施
例を示す断面図、第４図は本発明の他の実施例を示す断
面図である。 １・・・・基板、２・・・・検出部、３・・・・配線、
４・・・・絶縁性保護膜、５・・・・非磁性金属膜、６
・・・・保護膜。
Claims (1)
- 非磁性材料からなる絶縁基板上に配置した磁界によって
電気抵抗が変化する磁気抵抗体からなる磁気検出部を備
えた磁気抵抗素子において、上記磁気検出部を配置した
基板面上を、絶縁層を介して熱伝導性の良好な非磁性金
属膜で被覆したことを特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154804A JPS6047481A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154804A JPS6047481A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047481A true JPS6047481A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0475674B2 JPH0475674B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=15592247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154804A Granted JPS6047481A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047481A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5296877A (en) * | 1976-02-10 | 1977-08-15 | Denki Onkyo Co Ltd | Magnetic center device |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154804A patent/JPS6047481A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5296877A (en) * | 1976-02-10 | 1977-08-15 | Denki Onkyo Co Ltd | Magnetic center device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0475674B2 (ja) | 1992-12-01 |
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