JPH0476059U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476059U JPH0476059U JP11858990U JP11858990U JPH0476059U JP H0476059 U JPH0476059 U JP H0476059U JP 11858990 U JP11858990 U JP 11858990U JP 11858990 U JP11858990 U JP 11858990U JP H0476059 U JPH0476059 U JP H0476059U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring group
- image sensor
- substrate
- dielectric constant
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例に係るイメージセン
サの等価回路図、第２図は本実施例のイメージセ
ンサの平面説明図、第３図は本実施例のイメージ
センサの断面説明図、第４図は本実施例の配線群
の断面説明図、第５図は別の実施例の配線群の断
面説明図である。第６図は従来のイメージセンサ
の等価回路図、第７図ａ，ｂは従来のイメージセ
ンサの配線群の平面説明図及び断面説明図、第８
図は別の従来の配線群の断面説明図である。 １１……受光素子アレイ、１２……電荷転送部
、１３……配線群、１４……共通信号線、１５…
…駆動用ＩＣ、１６……ゲートパルス発生回路、
１７……出力線、２１……基板、２２……金属電
極、２３……光導電層、２４……透明電極、２５
……ゲート電極、２６……ゲート絶縁膜、２７…
…半導体活性層、２８……オーミツクコンタクト
層、２９……トツプ絶縁層、３０……配線層、３
１……下部信号線、３２……上部信号線、３３…
…絶縁層、３４……コンタクトホール、４１……
ドレイン電極、４２……ソース電極、４３……層
間絶縁層、４４……低誘電率の絶縁層、４５……
パシベーシヨン層。
サの等価回路図、第２図は本実施例のイメージセ
ンサの平面説明図、第３図は本実施例のイメージ
センサの断面説明図、第４図は本実施例の配線群
の断面説明図、第５図は別の実施例の配線群の断
面説明図である。第６図は従来のイメージセンサ
の等価回路図、第７図ａ，ｂは従来のイメージセ
ンサの配線群の平面説明図及び断面説明図、第８
図は別の従来の配線群の断面説明図である。 １１……受光素子アレイ、１２……電荷転送部
、１３……配線群、１４……共通信号線、１５…
…駆動用ＩＣ、１６……ゲートパルス発生回路、
１７……出力線、２１……基板、２２……金属電
極、２３……光導電層、２４……透明電極、２５
……ゲート電極、２６……ゲート絶縁膜、２７…
…半導体活性層、２８……オーミツクコンタクト
層、２９……トツプ絶縁層、３０……配線層、３
１……下部信号線、３２……上部信号線、３３…
…絶縁層、３４……コンタクトホール、４１……
ドレイン電極、４２……ソース電極、４３……層
間絶縁層、４４……低誘電率の絶縁層、４５……
パシベーシヨン層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板上に受光素子、薄膜トランジスタ、配
線群を有するイメージセンサにおいて、 前記配線群が前記基板上に直接形成され、前記
配線群上に低誘電率の絶縁材料を被覆したことを
特徴とするイメージセンサ。 (2) 基板上に受光素子、薄膜トランジスタ、配
線群を有するイメージセンサにおいて、 前記配線群が形成される前記基板上に低誘電率
の絶縁層が形成され、前記絶縁層上に前記配線群
が形成され、前記配線群上に低誘電率の絶縁材料
を被覆したことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11858990U JPH0476059U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11858990U JPH0476059U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476059U true JPH0476059U (ja) | 1992-07-02 |
Family
ID=31866534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11858990U Pending JPH0476059U (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476059U (ja) |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP11858990U patent/JPH0476059U/ja active Pending
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