JPH0476352B2 - - Google Patents
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- JPH0476352B2 JPH0476352B2 JP11336188A JP11336188A JPH0476352B2 JP H0476352 B2 JPH0476352 B2 JP H0476352B2 JP 11336188 A JP11336188 A JP 11336188A JP 11336188 A JP11336188 A JP 11336188A JP H0476352 B2 JPH0476352 B2 JP H0476352B2
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- single crystals
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 28
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 2
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012364 cultivation method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は融液法による炭化チタン単結晶の育成
法の改良に関する。
法の改良に関する。
炭化チタンは融点(3100℃)、硬度(ビツカー
ス硬度3000Kg/mm2が高く、各種の超硬工具や表面
保護材として広く実用に供せられている。最近で
は炭化チタンの格子定数(4.328Å)が耐環境素
子材料などとして注目されている炭化ケイ素の格
子定数(4.3596Å)に近く、かつ高温で安定なこ
とから、その基板結晶としての利用も検討されて
いる。そのためには大型で高品質な単結晶が要望
されている。
ス硬度3000Kg/mm2が高く、各種の超硬工具や表面
保護材として広く実用に供せられている。最近で
は炭化チタンの格子定数(4.328Å)が耐環境素
子材料などとして注目されている炭化ケイ素の格
子定数(4.3596Å)に近く、かつ高温で安定なこ
とから、その基板結晶としての利用も検討されて
いる。そのためには大型で高品質な単結晶が要望
されている。
従来技術
従来の炭化チタン単結晶の育成法としては、溶
液法、気相法、固相法、融液法が知られている。
その中で、大型単結晶を育成するには融液法が適
している。融液法としては引き上げ法、アークベ
ルヌイ法、フローテイングゾーン法があるが、高
品質の単結晶を育成するにはフローテイングゾー
ン法が適している。
液法、気相法、固相法、融液法が知られている。
その中で、大型単結晶を育成するには融液法が適
している。融液法としては引き上げ法、アークベ
ルヌイ法、フローテイングゾーン法があるが、高
品質の単結晶を育成するにはフローテイングゾー
ン法が適している。
融液法による炭化チタン単結晶の育成法におい
ては、従来単結晶の育成が容易なように高純度の
炭化チタン原料が用いられてきた。しかしこの方
法で育成された単結晶中には多くの欠陥(例えば
粒界密度で103cm/cm2)が存在する欠点があつた。
ては、従来単結晶の育成が容易なように高純度の
炭化チタン原料が用いられてきた。しかしこの方
法で育成された単結晶中には多くの欠陥(例えば
粒界密度で103cm/cm2)が存在する欠点があつた。
発明の目的
本発明は前記の従来法における欠点を解消せん
とするものであり、その目的は炭化チタン単結晶
中の欠陥(特に粒界密度)を少なくし、大型で良
質の炭化チタン単結晶を育成する方法を提供する
にある。
とするものであり、その目的は炭化チタン単結晶
中の欠陥(特に粒界密度)を少なくし、大型で良
質の炭化チタン単結晶を育成する方法を提供する
にある。
発明の構成
本発明者らは前記目的を達成すべく研究の結
果、融液法によつて炭化チタン単結晶を育成する
に際し、炭化チタンに対し、タングステンを0.2
〜3.0重量%含有させて出発原料として使用する
と、単結晶中の中心部分で粒界がなくなり全体に
おける粒界密度が102cm/cm2と従来の値(103cm/
cm2)より1桁も少なくなることを知見し得た。こ
の知見に基づいて本発明を完成した。
果、融液法によつて炭化チタン単結晶を育成する
に際し、炭化チタンに対し、タングステンを0.2
〜3.0重量%含有させて出発原料として使用する
と、単結晶中の中心部分で粒界がなくなり全体に
おける粒界密度が102cm/cm2と従来の値(103cm/
cm2)より1桁も少なくなることを知見し得た。こ
の知見に基づいて本発明を完成した。
本発明の要旨は炭化チタン単結晶を融液法によ
つて育成する方法において、0.2〜3.0重量%のタ
ングステンを含有させた炭化チタンを出発原料と
して使用することを特徴とする炭化チタン単結晶
の育成法、にある。
つて育成する方法において、0.2〜3.0重量%のタ
ングステンを含有させた炭化チタンを出発原料と
して使用することを特徴とする炭化チタン単結晶
の育成法、にある。
タングステンの量が0.2重量%より少なく、ま
た3.0重量%を超えると粒界密度がふえる。
た3.0重量%を超えると粒界密度がふえる。
本発明の方法を大型で高品位の単結晶が育成し
易いフローテイングゾーン法(以下FZ法と言う)
によつて図面に基づいて実施態様を説明する。
易いフローテイングゾーン法(以下FZ法と言う)
によつて図面に基づいて実施態様を説明する。
第1図はFZ法育成炉の概念図で、1は上軸、
1′は下軸、2,2′はホルダー、3は焼結棒、
3′は初期融帯形成用材、4は育成した単結晶、
5は融帯、6は高周波ワークコイルを示す。
1′は下軸、2,2′はホルダー、3は焼結棒、
3′は初期融帯形成用材、4は育成した単結晶、
5は融帯、6は高周波ワークコイルを示す。
炭化チタン粉末にタングステン粉末を0.2〜3.0
重量%混合し、これに結合剤として少量の樟脳を
加えてラバープレス(1000Kg/cm2)により圧粉棒
を作る。この圧粉棒を真空中または不活性ガス雰
囲気中で2000℃に加熱して焼結棒を得る。この際
焼結棒の組成を厳密に制御するには、焼結体の組
成分析を行い、配合組成と焼結棒組成の対応を行
うことが好ましい。
重量%混合し、これに結合剤として少量の樟脳を
加えてラバープレス(1000Kg/cm2)により圧粉棒
を作る。この圧粉棒を真空中または不活性ガス雰
囲気中で2000℃に加熱して焼結棒を得る。この際
焼結棒の組成を厳密に制御するには、焼結体の組
成分析を行い、配合組成と焼結棒組成の対応を行
うことが好ましい。
得られた焼結棒3を上軸1にホルダー2を介し
てセツトし、その下部に初期融帯形成用材3′と
して炭化チタン単結晶または焼結棒をホルダー
2′を介して固定支持する。次に初期融帯形成用
材3′の端を高周波ワークコイル6からの誘導加
熱により溶融させ融帯5を形成させ、上軸1と下
軸1′をゆつくり下方に移動させて結晶を育成す
る。
てセツトし、その下部に初期融帯形成用材3′と
して炭化チタン単結晶または焼結棒をホルダー
2′を介して固定支持する。次に初期融帯形成用
材3′の端を高周波ワークコイル6からの誘導加
熱により溶融させ融帯5を形成させ、上軸1と下
軸1′をゆつくり下方に移動させて結晶を育成す
る。
その時の育成速度は0.2〜5cm/h、好ましく
は0.7〜2cm/hである。雰囲気は数気圧のアル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスが用いられる。こ
れは蒸発の抑制と高周波ワークコイル間及び該コ
イルと試料間の放電を抑制する作用をする。
は0.7〜2cm/hである。雰囲気は数気圧のアル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスが用いられる。こ
れは蒸発の抑制と高周波ワークコイル間及び該コ
イルと試料間の放電を抑制する作用をする。
本発明の方法を実施するには、前記のフローテ
イングゾーン法に限らず、融液から引き上げるこ
とによる引き上げ法、アークベルヌイ法及びゾー
ンレベリング法(上下軸に固定された試料間に炭
素または金属円板をはさみ、この円板と初期融帯
形成材を溶かし融帯を形成させる。)によつても
行うことができる。
イングゾーン法に限らず、融液から引き上げるこ
とによる引き上げ法、アークベルヌイ法及びゾー
ンレベリング法(上下軸に固定された試料間に炭
素または金属円板をはさみ、この円板と初期融帯
形成材を溶かし融帯を形成させる。)によつても
行うことができる。
実施例 TiC0.95単結晶の育成
TiC0.95単結晶の育成には融帯組成をC/Ti=
1.3,供給焼結棒の組成をC/Ti=1.02に制御す
るのがよいことを予備実験で確かめた。
1.3,供給焼結棒の組成をC/Ti=1.02に制御す
るのがよいことを予備実験で確かめた。
炭化チタン粉末に3原子%の炭素粉及び0.5重
量%のタングステン粉末を添加し混合後、結合剤
として樟脳を少量加えて再び混合した。この混合
物を直径10φmmのゴム袋に詰め円柱状にし、これ
を1000気圧のラバープレスして圧粉体を得た。こ
の圧粉体を黒鉛サセプターに納め、真空中2000℃
で加熱して焼結体を得た。
量%のタングステン粉末を添加し混合後、結合剤
として樟脳を少量加えて再び混合した。この混合
物を直径10φmmのゴム袋に詰め円柱状にし、これ
を1000気圧のラバープレスして圧粉体を得た。こ
の圧粉体を黒鉛サセプターに納め、真空中2000℃
で加熱して焼結体を得た。
これをFN育成炉の上軸にホルダーを介して固
定し、下軸には炭化チタン単結晶<100>を固定
し、両者の間に炭素円盤(約0.1g)を挟んだ。
育成炉に7気圧のヘリウムを充填後、高周波加熱
によりTiCと黒鉛円盤を溶かし初期融帯を形成
し、1.5cm/hで下方に移動させて<100>方向に
単結晶を育成した。
定し、下軸には炭化チタン単結晶<100>を固定
し、両者の間に炭素円盤(約0.1g)を挟んだ。
育成炉に7気圧のヘリウムを充填後、高周波加熱
によりTiCと黒鉛円盤を溶かし初期融帯を形成
し、1.5cm/hで下方に移動させて<100>方向に
単結晶を育成した。
得られた炭化チタン単結晶は、直径0.85cm、長
さ6cmで、分析の結果、始端部、中央部、終端部
の炭素含量はそれぞれ19.24,19.22,19.34重量%
であり、組成にしてC/Ti=0.950,0.946,0.956
であつた。タングステンは結晶中に均一に分布し
ており、濃度は0.5重量%であつた。単結晶中の
粒界密度は(100)面をエツチングして測定した
結果、10cm/m2でタングステンを含有させない場
合のそれに比較して一桁低くなつた。
さ6cmで、分析の結果、始端部、中央部、終端部
の炭素含量はそれぞれ19.24,19.22,19.34重量%
であり、組成にしてC/Ti=0.950,0.946,0.956
であつた。タングステンは結晶中に均一に分布し
ており、濃度は0.5重量%であつた。単結晶中の
粒界密度は(100)面をエツチングして測定した
結果、10cm/m2でタングステンを含有させない場
合のそれに比較して一桁低くなつた。
第1図はFZ法の概念図である。
1……上軸、1′……下軸、2,2′……ホルダ
ー、3……炭化チタン焼結棒、3′……初期融帯
形成用材、4……育成した炭化チタン単結晶、5
……融帯、6……高周ワークコイル。
ー、3……炭化チタン焼結棒、3′……初期融帯
形成用材、4……育成した炭化チタン単結晶、5
……融帯、6……高周ワークコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 炭化チタン単結晶を融液法によつて育成する
方法において、0.2〜3.0重量%のタングステンを
含有させた炭化チタンを出発原料として使用する
ことを特徴とする炭化チタン単結晶の育成法。 2 融液法がフローテイングゾーン法である特許
請求の範囲第1項の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11336188A JPH01286996A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 炭化チタン単結晶の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11336188A JPH01286996A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 炭化チタン単結晶の育成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286996A JPH01286996A (ja) | 1989-11-17 |
| JPH0476352B2 true JPH0476352B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14610334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11336188A Granted JPH01286996A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 炭化チタン単結晶の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286996A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107841619B (zh) * | 2017-10-31 | 2019-06-25 | 上海大学 | 含铁焦炭还原含氧化钛渣并使TiC富集长大的方法 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11336188A patent/JPH01286996A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01286996A (ja) | 1989-11-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |