JPH0476352B2 - - Google Patents

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JPH0476352B2
JPH0476352B2 JP11336188A JP11336188A JPH0476352B2 JP H0476352 B2 JPH0476352 B2 JP H0476352B2 JP 11336188 A JP11336188 A JP 11336188A JP 11336188 A JP11336188 A JP 11336188A JP H0476352 B2 JPH0476352 B2 JP H0476352B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
titanium carbide
melt
single crystal
zone
single crystals
Prior art date
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Expired
Application number
JP11336188A
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English (en)
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JPH01286996A (ja
Inventor
Shigeki Ootani
Takao Tanaka
Yoshio Ishizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Original Assignee
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は融液法による炭化チタン単結晶の育成
法の改良に関する。
炭化チタンは融点(3100℃)、硬度(ビツカー
ス硬度3000Kg/mm2が高く、各種の超硬工具や表面
保護材として広く実用に供せられている。最近で
は炭化チタンの格子定数(4.328Å)が耐環境素
子材料などとして注目されている炭化ケイ素の格
子定数(4.3596Å)に近く、かつ高温で安定なこ
とから、その基板結晶としての利用も検討されて
いる。そのためには大型で高品質な単結晶が要望
されている。
従来技術 従来の炭化チタン単結晶の育成法としては、溶
液法、気相法、固相法、融液法が知られている。
その中で、大型単結晶を育成するには融液法が適
している。融液法としては引き上げ法、アークベ
ルヌイ法、フローテイングゾーン法があるが、高
品質の単結晶を育成するにはフローテイングゾー
ン法が適している。
融液法による炭化チタン単結晶の育成法におい
ては、従来単結晶の育成が容易なように高純度の
炭化チタン原料が用いられてきた。しかしこの方
法で育成された単結晶中には多くの欠陥(例えば
粒界密度で103cm/cm2)が存在する欠点があつた。
発明の目的 本発明は前記の従来法における欠点を解消せん
とするものであり、その目的は炭化チタン単結晶
中の欠陥(特に粒界密度)を少なくし、大型で良
質の炭化チタン単結晶を育成する方法を提供する
にある。
発明の構成 本発明者らは前記目的を達成すべく研究の結
果、融液法によつて炭化チタン単結晶を育成する
に際し、炭化チタンに対し、タングステンを0.2
〜3.0重量%含有させて出発原料として使用する
と、単結晶中の中心部分で粒界がなくなり全体に
おける粒界密度が102cm/cm2と従来の値(103cm/
cm2)より1桁も少なくなることを知見し得た。こ
の知見に基づいて本発明を完成した。
本発明の要旨は炭化チタン単結晶を融液法によ
つて育成する方法において、0.2〜3.0重量%のタ
ングステンを含有させた炭化チタンを出発原料と
して使用することを特徴とする炭化チタン単結晶
の育成法、にある。
タングステンの量が0.2重量%より少なく、ま
た3.0重量%を超えると粒界密度がふえる。
本発明の方法を大型で高品位の単結晶が育成し
易いフローテイングゾーン法(以下FZ法と言う)
によつて図面に基づいて実施態様を説明する。
第1図はFZ法育成炉の概念図で、1は上軸、
1′は下軸、2,2′はホルダー、3は焼結棒、
3′は初期融帯形成用材、4は育成した単結晶、
5は融帯、6は高周波ワークコイルを示す。
炭化チタン粉末にタングステン粉末を0.2〜3.0
重量%混合し、これに結合剤として少量の樟脳を
加えてラバープレス(1000Kg/cm2)により圧粉棒
を作る。この圧粉棒を真空中または不活性ガス雰
囲気中で2000℃に加熱して焼結棒を得る。この際
焼結棒の組成を厳密に制御するには、焼結体の組
成分析を行い、配合組成と焼結棒組成の対応を行
うことが好ましい。
得られた焼結棒3を上軸1にホルダー2を介し
てセツトし、その下部に初期融帯形成用材3′と
して炭化チタン単結晶または焼結棒をホルダー
2′を介して固定支持する。次に初期融帯形成用
材3′の端を高周波ワークコイル6からの誘導加
熱により溶融させ融帯5を形成させ、上軸1と下
軸1′をゆつくり下方に移動させて結晶を育成す
る。
その時の育成速度は0.2〜5cm/h、好ましく
は0.7〜2cm/hである。雰囲気は数気圧のアル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスが用いられる。こ
れは蒸発の抑制と高周波ワークコイル間及び該コ
イルと試料間の放電を抑制する作用をする。
本発明の方法を実施するには、前記のフローテ
イングゾーン法に限らず、融液から引き上げるこ
とによる引き上げ法、アークベルヌイ法及びゾー
ンレベリング法(上下軸に固定された試料間に炭
素または金属円板をはさみ、この円板と初期融帯
形成材を溶かし融帯を形成させる。)によつても
行うことができる。
実施例 TiC0.95単結晶の育成 TiC0.95単結晶の育成には融帯組成をC/Ti=
1.3,供給焼結棒の組成をC/Ti=1.02に制御す
るのがよいことを予備実験で確かめた。
炭化チタン粉末に3原子%の炭素粉及び0.5重
量%のタングステン粉末を添加し混合後、結合剤
として樟脳を少量加えて再び混合した。この混合
物を直径10φmmのゴム袋に詰め円柱状にし、これ
を1000気圧のラバープレスして圧粉体を得た。こ
の圧粉体を黒鉛サセプターに納め、真空中2000℃
で加熱して焼結体を得た。
これをFN育成炉の上軸にホルダーを介して固
定し、下軸には炭化チタン単結晶<100>を固定
し、両者の間に炭素円盤(約0.1g)を挟んだ。
育成炉に7気圧のヘリウムを充填後、高周波加熱
によりTiCと黒鉛円盤を溶かし初期融帯を形成
し、1.5cm/hで下方に移動させて<100>方向に
単結晶を育成した。
得られた炭化チタン単結晶は、直径0.85cm、長
さ6cmで、分析の結果、始端部、中央部、終端部
の炭素含量はそれぞれ19.24,19.22,19.34重量%
であり、組成にしてC/Ti=0.950,0.946,0.956
であつた。タングステンは結晶中に均一に分布し
ており、濃度は0.5重量%であつた。単結晶中の
粒界密度は(100)面をエツチングして測定した
結果、10cm/m2でタングステンを含有させない場
合のそれに比較して一桁低くなつた。
【図面の簡単な説明】
第1図はFZ法の概念図である。 1……上軸、1′……下軸、2,2′……ホルダ
ー、3……炭化チタン焼結棒、3′……初期融帯
形成用材、4……育成した炭化チタン単結晶、5
……融帯、6……高周ワークコイル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 炭化チタン単結晶を融液法によつて育成する
    方法において、0.2〜3.0重量%のタングステンを
    含有させた炭化チタンを出発原料として使用する
    ことを特徴とする炭化チタン単結晶の育成法。 2 融液法がフローテイングゾーン法である特許
    請求の範囲第1項の方法。
JP11336188A 1988-05-10 1988-05-10 炭化チタン単結晶の育成法 Granted JPH01286996A (ja)

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JP11336188A JPH01286996A (ja) 1988-05-10 1988-05-10 炭化チタン単結晶の育成法

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JPH01286996A JPH01286996A (ja) 1989-11-17
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JPH01286996A (ja) 1989-11-17

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