JPH0476489A - 電子機器 - Google Patents
電子機器Info
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- JPH0476489A JPH0476489A JP2189690A JP18969090A JPH0476489A JP H0476489 A JPH0476489 A JP H0476489A JP 2189690 A JP2189690 A JP 2189690A JP 18969090 A JP18969090 A JP 18969090A JP H0476489 A JPH0476489 A JP H0476489A
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- Japan
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- voltage
- circuit
- capacitor
- booster circuit
- boosting
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C10/00—Arrangements of electric power supplies in time-pieces
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
- Control Of Charge By Means Of Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は発電装置を有する電子機器の電源部の制御回路
に関する。
に関する。
[従来の技術]
従来の発電装置付き電子機器は、特開昭60−2038
87に書かれている様に発電エネルギを蓄電する高容量
コンデンサ(以後キャパシタと称す。)等の2次電源の
電圧を昇圧して電子機器の駆動源としていた。そのこと
により、電子機器の作動時間を広げることができるから
である。また、A迂回路の制御信号にはキャパシタの電
圧を1次電圧、昇圧回路の出力電圧を2次電圧とした時
には2次電圧レベルの制御信号を用いていた。
87に書かれている様に発電エネルギを蓄電する高容量
コンデンサ(以後キャパシタと称す。)等の2次電源の
電圧を昇圧して電子機器の駆動源としていた。そのこと
により、電子機器の作動時間を広げることができるから
である。また、A迂回路の制御信号にはキャパシタの電
圧を1次電圧、昇圧回路の出力電圧を2次電圧とした時
には2次電圧レベルの制御信号を用いていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら従来の昇圧制御方式では、昇圧回路内に用
いているスイッチングトランジスタに依存して以下の問
題点を有する。
いているスイッチングトランジスタに依存して以下の問
題点を有する。
スイッチングトランジスタにMOSFETを用いた場合
トランジスタに流れる電流は次の式で表される。
トランジスタに流れる電流は次の式で表される。
飽和領域の場合
Id=β(VGS−VTII)2/2 ・−式1非飽
和領域の場合 Id= β((VGS−VTH) VDS−2VDS2
) /2・式2 詳細は実施例にて述べるが、キャパシタ電圧がある領域
の電圧になったときまたは昇圧電圧が低いときは、前式
におけるVGSがVTHより低くなりトランジスタがオ
ンする事ができずに昇圧機能の停止を招いてしまうこと
があった。これは、昇圧電圧を充電したコンデンサを主
電源として動作する電子機器にとっては致命的な問題と
なる。すなわち電子機器の動作が停止してしまうからで
ある。
和領域の場合 Id= β((VGS−VTH) VDS−2VDS2
) /2・式2 詳細は実施例にて述べるが、キャパシタ電圧がある領域
の電圧になったときまたは昇圧電圧が低いときは、前式
におけるVGSがVTHより低くなりトランジスタがオ
ンする事ができずに昇圧機能の停止を招いてしまうこと
があった。これは、昇圧電圧を充電したコンデンサを主
電源として動作する電子機器にとっては致命的な問題と
なる。すなわち電子機器の動作が停止してしまうからで
ある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはキャパシタ電圧がある領域の電圧
になったときまたは昇圧電圧が低いときでも確実な昇圧
回路の動作を提供して電子機器の作動停止を防ぐもので
ある。
の目的とするところはキャパシタ電圧がある領域の電圧
になったときまたは昇圧電圧が低いときでも確実な昇圧
回路の動作を提供して電子機器の作動停止を防ぐもので
ある。
[課題を解決するための手段]
本発明の電子機器は、発電装置と、前記発電装置より得
られる電気エネルギを蓄える2次電源と、前記2次電源
の電圧を昇圧する第1の昇圧回路と、前記第1の昇圧回
路の出力に接続されてかつ前記第1の昇圧回路の出力電
圧に充電されるコンデンサを有し、前記コンデンサを駆
動源とする電子機器において、前記コンデンサの電圧を
昇圧する第2の昇圧回路と、前記第1の昇圧回路の制御
信号を前記第2の昇圧回路の出力電圧レベルに変換する
電圧変換回路を有したことを特徴とする。
られる電気エネルギを蓄える2次電源と、前記2次電源
の電圧を昇圧する第1の昇圧回路と、前記第1の昇圧回
路の出力に接続されてかつ前記第1の昇圧回路の出力電
圧に充電されるコンデンサを有し、前記コンデンサを駆
動源とする電子機器において、前記コンデンサの電圧を
昇圧する第2の昇圧回路と、前記第1の昇圧回路の制御
信号を前記第2の昇圧回路の出力電圧レベルに変換する
電圧変換回路を有したことを特徴とする。
[実施例]
本発明をより詳細に記述するために、以下図面に従って
これを説明する。第1図は本発明の電子機器の全体回路
図である。なお本実施例においては発電装置付き電子腕
時計を例にとり説明する。
これを説明する。第1図は本発明の電子機器の全体回路
図である。なお本実施例においては発電装置付き電子腕
時計を例にとり説明する。
1は発電コイルで特開昭61−093978に詳述され
ているような発電装置により交流電圧が誘起する。2は
整流ダイオードで交流話起電圧を半波整流して高容量キ
ャパシタ3に充電する。リミッタ4はキャパシタ3の過
充電防止用スイッチング素子で、キャパシタ3の電圧V
SC(以後、キャパシタ3の電圧値をVSCと定義する
。)が所定の電圧値に達したときにオン状態となり発電
コイル1に発生した電力をバイパスさせるためにある。
ているような発電装置により交流電圧が誘起する。2は
整流ダイオードで交流話起電圧を半波整流して高容量キ
ャパシタ3に充電する。リミッタ4はキャパシタ3の過
充電防止用スイッチング素子で、キャパシタ3の電圧V
SC(以後、キャパシタ3の電圧値をVSCと定義する
。)が所定の電圧値に達したときにオン状態となり発電
コイル1に発生した電力をバイパスさせるためにある。
5は第1昇圧回路でvSCを昇圧して補助コンデンサ6
に充電をする。制御回路7は補助コンデンサ6の電圧V
SSI (以後、補助コンデンサの電圧値をVSSIと
定義する。)により動作する。ここで、VSSIが本電
子腕時計の主電源となる。8は本電子腕時計の時間基準
源となる水晶発振器で32768 Hzで発振する。9
は公知のスッテピングモータ用のコイルで時間表示用の
指針に連動されていて、時間を表示する。10は第2昇
圧回路で公知の技術であるコンデンサによるチャージア
ップ方式を用いて主電源であるV SS 1を更に昇圧
してVSS2なる電圧を作っている。レベルシフタ11
は公知の電圧検出回路で制御回路7より出力されるV
531系の電圧レベルを持った制御信号PをVSS2系
の制御信号に変換するためにあり、変換された制御信号
Pは第1昇圧回路5に入力される。
に充電をする。制御回路7は補助コンデンサ6の電圧V
SSI (以後、補助コンデンサの電圧値をVSSIと
定義する。)により動作する。ここで、VSSIが本電
子腕時計の主電源となる。8は本電子腕時計の時間基準
源となる水晶発振器で32768 Hzで発振する。9
は公知のスッテピングモータ用のコイルで時間表示用の
指針に連動されていて、時間を表示する。10は第2昇
圧回路で公知の技術であるコンデンサによるチャージア
ップ方式を用いて主電源であるV SS 1を更に昇圧
してVSS2なる電圧を作っている。レベルシフタ11
は公知の電圧検出回路で制御回路7より出力されるV
531系の電圧レベルを持った制御信号PをVSS2系
の制御信号に変換するためにあり、変換された制御信号
Pは第1昇圧回路5に入力される。
制御回路7より出力される制御信号NはVSSI系の電
圧レベルのまま第1昇圧回路5に入力される。
圧レベルのまま第1昇圧回路5に入力される。
即スタート用抵抗12は時計の起動時に発電電流より得
られる電圧降下を利用して発振に起動をかけるためにあ
る。また、トランジスタ13は起動時以外はオン状態に
なり即スタート用抵抗12の抵抗分が充電経路の中に付
加されないようにするためにある。電圧検出回路14は
所定の検出レベルとキャパシタ3の電圧値VSCとを比
較して、トランジスタ13及びにリミッタ4のオン/オ
フを制御するためにある。検出レベルにはYONとVL
Iにの2値があり、VSC<VONの時は時計の起動時
とみなしてトランジスタ13をオフにして即スタート用
抵抗12が有効に作用するようにし、VSC>YOHの
時は昇圧状態とみなしてトランジスタ13をオンにする
。また、VLIMはキャパシタ3の耐圧に近い値に設定
されていてV SC> V LIMになるとリミッタ4
をオンにしてキャパシタ4を過充電から保護している。
られる電圧降下を利用して発振に起動をかけるためにあ
る。また、トランジスタ13は起動時以外はオン状態に
なり即スタート用抵抗12の抵抗分が充電経路の中に付
加されないようにするためにある。電圧検出回路14は
所定の検出レベルとキャパシタ3の電圧値VSCとを比
較して、トランジスタ13及びにリミッタ4のオン/オ
フを制御するためにある。検出レベルにはYONとVL
Iにの2値があり、VSC<VONの時は時計の起動時
とみなしてトランジスタ13をオフにして即スタート用
抵抗12が有効に作用するようにし、VSC>YOHの
時は昇圧状態とみなしてトランジスタ13をオンにする
。また、VLIMはキャパシタ3の耐圧に近い値に設定
されていてV SC> V LIMになるとリミッタ4
をオンにしてキャパシタ4を過充電から保護している。
第2図に、第1昇圧回路5の内部回路構成を示す。コン
デンサ15は補助コンデンサ3の電荷をチャージアップ
するためにあり、そのためにMO3FET16〜19を
配しコンデンサ間の接続状態を2種類殺げて、所定のク
ロックにて状態明り替えを行うことによりチャージアッ
プ昇圧を(jう。
デンサ15は補助コンデンサ3の電荷をチャージアップ
するためにあり、そのためにMO3FET16〜19を
配しコンデンサ間の接続状態を2種類殺げて、所定のク
ロックにて状態明り替えを行うことによりチャージアッ
プ昇圧を(jう。
2種類の接続状態の概念図を第3図に示す。これは公知
の昇圧方式でキャパシタ電圧vSCの2倍の電圧が補助
コンデンサ電圧VSSIに出力される。
の昇圧方式でキャパシタ電圧vSCの2倍の電圧が補助
コンデンサ電圧VSSIに出力される。
第4図は第2図におけるMO3FET16〜19のオン
/オフ制御を行う制御信号P−1、P−2、N−1、N
−2のタイムチャート図である。サイクル1ではP−1
、N−1がアクティブになりMO3FET16.18が
オン状態となり、サイクル2ではP−2、N−2がアク
ティブになり、MO8FET17.19がオン状態とな
る。この制御により前述の2種類の状態切り替えが可能
となる。
/オフ制御を行う制御信号P−1、P−2、N−1、N
−2のタイムチャート図である。サイクル1ではP−1
、N−1がアクティブになりMO3FET16.18が
オン状態となり、サイクル2ではP−2、N−2がアク
ティブになり、MO8FET17.19がオン状態とな
る。この制御により前述の2種類の状態切り替えが可能
となる。
二こで、従来の電子腕時計では、制御信号p−1、P−
2をVSS2系の電圧レベルに変換しないでV SS
l系の電圧レベルのまま入力していた。その場合以下の
ような問題を有していた。第5図は横軸にキャパシタ3
の電圧値VSC,SC上MO8FET18のオン抵抗を
とったものである。MO3FET18はPチャンネルと
Nチャンネルが相補的に用いられており、VSCが高い
領域ではNチャンネル側が導通状態となり、VSCが低
い領域ではPチャンネル側が導通状態となる。具体的に
はNチャンネル側においてはゲート電位がVDDレベル
(第4図におけるN−1倍号のサイクル1)となり、ソ
ース電位はVSCとなるため、VGS(ゲート、ソース
間の電位差)はvSCとなる。このときVCSすなわち
vSCがNチャンネルMO3FET(7)VTIIより
高ければ式1よりIdが流れ導通状態となる。曲線1は
NチャンネルMO3FET単体のオン抵抗を示しており
、VSC>VTHの領域において導通状態となることを
しめしている。またPチャンネル側においてはゲート電
位はP−1の電位すなわちVSSISS用(第4図にお
けるP−1倍号のサイクル1)となり、ソース電位がv
SCレベルとなるため、VGSはVSSI−VSCとな
る。従ってヤハリ式1ヨリ■GSスナわちVSSI−V
SCがPチャンネルMO5FETのVTHより高ければ
導通状態となる。曲線2はPチャンネルMO3FET単
体のオン抵抗を示シテおり、VSSI −VSC> V
TllすなわちVSC> VSSI −VTllの領域
において導通状態となる。曲線3はPチャンネルMO3
FET単体の抵抗値とNチャンネルMO8FET単体の
抵抗値との合成抵抗値をしめしていて、VSCの全領域
において抵抗値が無限大になることなく昇圧回路が動作
することを示している。
2をVSS2系の電圧レベルに変換しないでV SS
l系の電圧レベルのまま入力していた。その場合以下の
ような問題を有していた。第5図は横軸にキャパシタ3
の電圧値VSC,SC上MO8FET18のオン抵抗を
とったものである。MO3FET18はPチャンネルと
Nチャンネルが相補的に用いられており、VSCが高い
領域ではNチャンネル側が導通状態となり、VSCが低
い領域ではPチャンネル側が導通状態となる。具体的に
はNチャンネル側においてはゲート電位がVDDレベル
(第4図におけるN−1倍号のサイクル1)となり、ソ
ース電位はVSCとなるため、VGS(ゲート、ソース
間の電位差)はvSCとなる。このときVCSすなわち
vSCがNチャンネルMO3FET(7)VTIIより
高ければ式1よりIdが流れ導通状態となる。曲線1は
NチャンネルMO3FET単体のオン抵抗を示しており
、VSC>VTHの領域において導通状態となることを
しめしている。またPチャンネル側においてはゲート電
位はP−1の電位すなわちVSSISS用(第4図にお
けるP−1倍号のサイクル1)となり、ソース電位がv
SCレベルとなるため、VGSはVSSI−VSCとな
る。従ってヤハリ式1ヨリ■GSスナわちVSSI−V
SCがPチャンネルMO5FETのVTHより高ければ
導通状態となる。曲線2はPチャンネルMO3FET単
体のオン抵抗を示シテおり、VSSI −VSC> V
TllすなわちVSC> VSSI −VTllの領域
において導通状態となる。曲線3はPチャンネルMO3
FET単体の抵抗値とNチャンネルMO8FET単体の
抵抗値との合成抵抗値をしめしていて、VSCの全領域
において抵抗値が無限大になることなく昇圧回路が動作
することを示している。
しかし、このようなスイッチング素子構成においては2
つの問題点が生じ、1つはIdがVTllに依存してい
るということである。すなわちIC製造プロセスにおい
てイオン打ち込み量ばらつき等によりVTRが高めにシ
フトした場合式1よりIdがほとんど流れなくなること
がありうるということである。その場合、昇圧回路が動
作不可能になり、昇圧した電圧を主電源として動作する
システムにとって致命的な問題となる。第6図は第5図
の場合に比べてVTllが高い場合を示し、領域lにお
いてはIdが流れなくなり抵抗値が無限大になってしま
う例を示している。領域1においてはVTllが高いこ
とにより、NチャンネルMO5FETの(VSC−VT
ll)は負の値になり、またPチャンネル間O3FET
(7) (VSSI −VSC−VTll) モ負の値
になり、どちらのトランジスタでもカバーする事ができ
ない場合を示している。さらに、2つめの問題としては
V SS l系の電圧で全システムが動作しているため
、モータパルスの出力等によりV SS 1の電圧が一
時的に落ち込んだときにも前述の(VSSl −VSC
−VTH)が正の値から負の値に転じて領域1が広がり
昇圧不可能になる場合があった。
つの問題点が生じ、1つはIdがVTllに依存してい
るということである。すなわちIC製造プロセスにおい
てイオン打ち込み量ばらつき等によりVTRが高めにシ
フトした場合式1よりIdがほとんど流れなくなること
がありうるということである。その場合、昇圧回路が動
作不可能になり、昇圧した電圧を主電源として動作する
システムにとって致命的な問題となる。第6図は第5図
の場合に比べてVTllが高い場合を示し、領域lにお
いてはIdが流れなくなり抵抗値が無限大になってしま
う例を示している。領域1においてはVTllが高いこ
とにより、NチャンネルMO5FETの(VSC−VT
ll)は負の値になり、またPチャンネル間O3FET
(7) (VSSI −VSC−VTll) モ負の値
になり、どちらのトランジスタでもカバーする事ができ
ない場合を示している。さらに、2つめの問題としては
V SS l系の電圧で全システムが動作しているため
、モータパルスの出力等によりV SS 1の電圧が一
時的に落ち込んだときにも前述の(VSSl −VSC
−VTH)が正の値から負の値に転じて領域1が広がり
昇圧不可能になる場合があった。
本発明では、この様な問題を回避するためにPチャンネ
ルMO3FETのゲート信号となるp−1、P−2の電
圧レベルをVSS2系のレベルに変換している。この場
合はPチャンネルMO3FET (7) VGSLtV
SS2− VSCとなる。VS32レベルは第1図にお
ける第2昇圧回路10によってvsstに対して2倍の
電圧になっているため式1におけるV SS2− V
SC−V T11も正の値を確保することが可能となる
。第7図はこの様子を示しており、点線で示した曲線1
は従来のようにV SS ルベルでMOSFETをスイ
ッチングした場合で、VSSI−VTllの線を境界と
して抵抗値が無限大になっていた。対して曲線2はVS
S2レベルでスイッチングした場合で、境界線がVSS
2−VTllになり高電圧側にシフトしたことによりN
チャンネルMO3FETの抵抗値(曲線3)との合成抵
抗が無限大になることは無い。
ルMO3FETのゲート信号となるp−1、P−2の電
圧レベルをVSS2系のレベルに変換している。この場
合はPチャンネルMO3FET (7) VGSLtV
SS2− VSCとなる。VS32レベルは第1図にお
ける第2昇圧回路10によってvsstに対して2倍の
電圧になっているため式1におけるV SS2− V
SC−V T11も正の値を確保することが可能となる
。第7図はこの様子を示しており、点線で示した曲線1
は従来のようにV SS ルベルでMOSFETをスイ
ッチングした場合で、VSSI−VTllの線を境界と
して抵抗値が無限大になっていた。対して曲線2はVS
S2レベルでスイッチングした場合で、境界線がVSS
2−VTllになり高電圧側にシフトしたことによりN
チャンネルMO3FETの抵抗値(曲線3)との合成抵
抗が無限大になることは無い。
今まで述べてきた内容はMOSFET17についても同
様に言えて、PチャンネルMO8FETのゲート制御信
号P−2をVSS2レベルに変換した場合、VGSハV
ss2−VTllトなり、またNチャンネルMO8FE
TのVGSはVTllとなり、前述のMOSFET18
の場合と同様に本発明の効果が言える。
様に言えて、PチャンネルMO8FETのゲート制御信
号P−2をVSS2レベルに変換した場合、VGSハV
ss2−VTllトなり、またNチャンネルMO8FE
TのVGSはVTllとなり、前述のMOSFET18
の場合と同様に本発明の効果が言える。
この様に、昇圧回路のスイッチングMO8FETのゲー
ト制貧j信号をあらかじめ昇圧しておくことにより、本
電子腕時計の様な昇圧回路によって昇圧した電圧によっ
て動作するタイプのシステムにおいては、キャパシタの
全電圧範囲に対して動作が保証されるので大きな効果を
発揮する。
ト制貧j信号をあらかじめ昇圧しておくことにより、本
電子腕時計の様な昇圧回路によって昇圧した電圧によっ
て動作するタイプのシステムにおいては、キャパシタの
全電圧範囲に対して動作が保証されるので大きな効果を
発揮する。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、発電装置と、前記発
電装置より得られる電気エネルギを蓄える2次電源と、
前記2次電源の電圧を昇圧する第1の昇圧回路と、前記
第1の昇圧回路の出力に接続されてかつ前記第1の昇圧
回路の出力電圧に充電されるコンデンサを有し、前記コ
ンデンサを駆動源とする電子機器において、前記コンデ
ンサの電圧を昇圧する第2の昇圧回路と、前記第1の昇
圧回路の制仙1信号を前記第2の昇圧回路の出力電圧レ
ベルに変換する電圧変換回路を有したことにより、キャ
パシタの全電圧範囲において昇圧回路の動作を可能とす
る事ができ、昇圧電圧を主N、源とする電子機器におい
て致命的ともなる作動停止の問題を回避することができ
る。また、昇圧回路を構成するPチャンネルMO8FE
Tの動作限界電圧がVSSI −VTIkうVSS2−
VTHとシフトする事により、VTIIの製造ばらつき
条件が緩くなり歩留まりの向上、IC製造コストの低減
が図れる。
電装置より得られる電気エネルギを蓄える2次電源と、
前記2次電源の電圧を昇圧する第1の昇圧回路と、前記
第1の昇圧回路の出力に接続されてかつ前記第1の昇圧
回路の出力電圧に充電されるコンデンサを有し、前記コ
ンデンサを駆動源とする電子機器において、前記コンデ
ンサの電圧を昇圧する第2の昇圧回路と、前記第1の昇
圧回路の制仙1信号を前記第2の昇圧回路の出力電圧レ
ベルに変換する電圧変換回路を有したことにより、キャ
パシタの全電圧範囲において昇圧回路の動作を可能とす
る事ができ、昇圧電圧を主N、源とする電子機器におい
て致命的ともなる作動停止の問題を回避することができ
る。また、昇圧回路を構成するPチャンネルMO8FE
Tの動作限界電圧がVSSI −VTIkうVSS2−
VTHとシフトする事により、VTIIの製造ばらつき
条件が緩くなり歩留まりの向上、IC製造コストの低減
が図れる。
また、昇圧電圧の一時的な落ち込みにも余裕がとれるた
め、昇圧電圧VSSIを充電する補助コンデンサ6の容
量設定にも余裕が生じ低コスト化、省スペース化等への
メリットが生じる。
め、昇圧電圧VSSIを充電する補助コンデンサ6の容
量設定にも余裕が生じ低コスト化、省スペース化等への
メリットが生じる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図。
第2図は第1昇圧回路5の内部回路図
第3図は第2図における昇圧回路の動作概念図。
第4図は第2図における昇圧回路のタイムチャート図。
第5図は第1昇圧回路5を構成しているスイッチングト
ランジスタのオン抵抗特性図。 第6図は第1昇圧回路5を構成しているスイッチングト
ランジスタVTHが高レベルになったときののオン抵抗
特性図。 第7図は第1昇圧回路5を構成しているスイッチングト
ランジスタの本発明におけるオン抵抗特性図。 以 上 第2図 出願人 セイコーエプソン株式会社代理人 弁理士
鈴木 喜三部 他1名第3図 オン抵抗 サイクル1サイクル2 斤−m−へ 険−一−1 オン抵抗
ランジスタのオン抵抗特性図。 第6図は第1昇圧回路5を構成しているスイッチングト
ランジスタVTHが高レベルになったときののオン抵抗
特性図。 第7図は第1昇圧回路5を構成しているスイッチングト
ランジスタの本発明におけるオン抵抗特性図。 以 上 第2図 出願人 セイコーエプソン株式会社代理人 弁理士
鈴木 喜三部 他1名第3図 オン抵抗 サイクル1サイクル2 斤−m−へ 険−一−1 オン抵抗
Claims (1)
- 発電装置と、前記発電装置より得られる電気エネルギを
蓄える2次電源と、前記2次電源の電圧を昇圧する第1
の昇圧回路と、前記第1の昇圧回路の出力に接続されて
かつ前記第1の昇圧回路の出力電圧に充電されるコンデ
ンサを有し、前記コンデンサを駆動源とする電子機器に
おいて、前記コンデンサの電圧を昇圧する第2の昇圧回
路と、前記第1の昇圧回路の制御信号を前記第2の昇圧
回路の出力電圧レベルに変換する電圧変換回路を有した
ことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2189690A JP3000633B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 電子機器 |
| KR1019910010281A KR960005689B1 (ko) | 1990-07-18 | 1991-06-21 | 전자기기 |
| DE69113347T DE69113347T3 (de) | 1990-07-18 | 1991-07-17 | Leistungsversorgungsschaltung für elektronische Geräte. |
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