JPH0477720A - 薄膜トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、平面的にアレイ状に多数配置される逆スタガ
ー型薄膜トランジスタに間し、特にゲート用導電体とド
レイン用導電体との眉間不良を低減させて液晶パネル等
の表示部品を高製造歩留りで提供することのできる薄膜
トランジスタに関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の薄膜トランジスタは、例えば第３図に模
式的平面図及び第４図に模式的断面図を示すように、ガ
ラス基板ｌ上にゲート電極２としてのクロム薄膜を数百
〜数千オングストロームの厚みに付着形成させ、次にゲ
ート絶縁膜３として二酸化シリコン、窒化シリコン等の
絶縁薄膜を１０００〜１０，０００オングストロームの
厚みに付着形成させていた。しがる後、能動素子として
機能する非晶質シリコン４あるいは多結晶シリコン、更
には次に形成されるドレイン電極５やソース電極６との
オーミックコンタクトを得るために、高濃度のリンやボ
ロン等を含むシリコンを所望の形状に付着形成させて薄
膜トランジスタを製造していた。ドレインｔｉやソース
ｔｉのなめの金属材料は一般に不透明なりロム金属が用
いられ、液晶を表示するための領域は例えば酸化スズ、
酸化インジウム等の透明導を膜７で精成され、ソース電
極６と接続されるものであった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の薄膜トランジスタは、ゲート電極のバス
ライン２′とドレイン電極のバスライン５′との交差配
線部〈第３図斜線部）にて眉間の短絡を引き起こす確率
が高く、製造される薄膜トランジスタは低歩留りとなる
ものであった。

すなわち薄膜トランジスタは単一の基板上に数万〜数百
万素子形成されるが、これに伴なって上記の交差配線部
は数万〜数百万箇所にもなる。これらの交差配線部の層
間絶縁膜中に唯一箇所欠陥があっても、下層のゲートバ
スライン２′と上層のドレインバスライン５′とは眉間
短絡を引き起こし、結果的に製造される薄膜トランジス
タアレイ基板は不良となるものであった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極並びにゲート
電極と同一の材料を少なくとも含むシャント導電体と、
ゲート絶縁膜あるいは眉間絶縁膜として機能する絶縁膜
と能動素子として機能するシリコン薄膜と、ソース及び
ドレイン電極と、ソース電極と接続される表示領域透明
導電膜とを有し、しかもシャント導電体はドレイン電極
と交差して表示領域用透明導電膜の下層にまで延長して
いるものである。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例の平面図である。ガラス基板上
にゲート電極２及びゲートバスライン２′として厚み２
００ＯＡのクロムを所望の形状に付着させると同時に、
シャント導電体８をも形成する。次に層間絶縁膜及びゲ
ート絶縁膜として厚み２００ＯＡの二酸化シリコンと厚
み５０００Ａの窒化シリコン膜を積層させて所望の形状
に付着形成させる（図示省略）。能動素子領域には非晶
質シリコン膜４を５０００Ａの厚みに付着形成させ、次
に形成されるドレイン電極５とソース電ｇｉ６とのコン
タクト部には、リンを高濃度に含有するシリコン薄Ｍ（
図示省略）を１０００Ａの厚みに付着形成させる。ドレ
イン電極５及びドレインバスライン５′、およびソース
電極は厚み２００ＯＡのクロムであり、表示領域用透明
導電［１７は厚み１００ＯＡのＩＴＯ膜である。

さて第１図において、ゲートバスライン２′とドレイン
バスライン５′とが斜線の交差部で眉間短絡して薄膜ト
ランジスタアレイ基板が不良となった場合には、図のＢ
、Ｂ’矢印で示す２箇所のドレインバスラインをレーザ
ービーム等の手法によって切断すると共にＣの矢印で示
す表示領域用透明導電膜をも切断し、更に斜線で示すド
レインバスラインや表示領域用透明導電膜とシャント導
電体との交差部（４箇所）にレーザビームを照射してこ
れらの領域において層間短絡を惹起せしめ、前記の切断
されたドレインバスラインを他のドレインバスラインと
電気的に接続せしめるものである。

第２図は本発明の第２の実＃、例の平面図である。シャ
ント導電体８は複数の薄膜トランジスタに跨がって単一
本で形成されている。このために例えば切断Ｂ′によっ
て電気的にフロート状態となったドレインバスライン５
″を、遠く離れた任意のドレインバスライン５′〜へ容
易に電気的に接続させることができる。すなわち第２図
において、シャント導電体８のｃ、ｃ’矢印で示す２箇
所をレーザビームにより切断し、しかも斜線で示すドレ
インバスラインとシャント導電体の交差部へレーザビー
ムを照射することによってこれらの領域を眉間短絡せし
めるものである。従って、本発明は第１の実施例に比べ
て、任意のドレインバスライン間を電気的に接続させる
ために眉間短絡せしめる箇所を少なくさせることができ
る利点がある。

本発明の薄膜トランジスタは、形状や寸法、材料等は何
ら上記実施例に制限されるものではない。従って、例え
ばシャント導電体は例えばクロムとｒ’ｒｏｇの二層構
造ともすることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ゲートバスラインと眉間
短終したドレインバスラインを、その短絡部を挟んで２
箇所Ｂ、Ｂ′で切断することにより、これらの層間短絡
不良を実効的に無効とさせるものである。しかる後に、
所望とするドレインバスラインと交差するシャント導電
体のドレインバスラインとの交差部、及び所望の形状に
切断された表示領域用透明導電膜との重ね合わせ部にレ
ーザビームを照射することによってこれらの領域に眉間
短終を惹起せしめ、従って、例えば切断Ｂ′によって電
気的にフロート状態となったドレインバスライン５″を
他のドレインバスライン５″′と電気的に接続させるこ
とができる効果があるものである。従って本発明のシャ
ント導電体が設けられた薄膜トランジスタは、ゲートハ
スラインとドレインバスラインとの間に発生する眉間短
緒不良を実効的に無効とさせることができ、製造される
薄膜トランジスタアレイ基板の歩留りは、従来の５０％
から８０％にまで高めることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の薄膜トランジスタの模
式的平面図、第２図は本発明の第２の実施例の模式的平
面図、第３図は従来の薄膜トランジスタの模式的平面図
、第４図は第３図のＡ−Ａ′線断面図である。 ］・・・ガラス基板、２・・・ゲート電極、２′・・・
ゲートバスライン、３・・・ケート絶縁ＩＩＩ（層間絶
縁Ｍ）、４・・・非晶質シリコン膜、５・・・ドレイン
電極、５′、５″′、５′〜・・・ドレインバスライン
、６・・・ソース電極、７・・・表示領域用透明導電膜
、８・・・シャント導電体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ゲート電極を有する基板上に順次ゲート絶縁膜、非晶
   質シリコン膜、ソース及びドレイン電極を形成した逆ス
   タガー型電極構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート
   電極用バスラインと平行に配置されて少なくとも１本の
   ドレイン電極バスラインと交差するシャント用導電体を
   具備し、しかもこのシャント用導電体は前記ドレイン電
   極用バスラインを挟んだ両側の表示領域用透明導電膜の
   下層にまで延長して形成されていることを特徴とする薄
   膜トランジスタ。