JPH0478019B2 - - Google Patents
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- JPH0478019B2 JPH0478019B2 JP57009201A JP920182A JPH0478019B2 JP H0478019 B2 JPH0478019 B2 JP H0478019B2 JP 57009201 A JP57009201 A JP 57009201A JP 920182 A JP920182 A JP 920182A JP H0478019 B2 JPH0478019 B2 JP H0478019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive
- light
- filter
- photoactive layer
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の特定波長域に感光する感光装置
に関する。
に関する。
光活性層に単結晶シリコンを用いた複数の特定
波長域に感光する感光装置、所謂色センサーの存
在は既に知られている。その原理的な構成は、第
１図に示す如く、単結晶シリコン基板１の表面に
複数の感光領域であるフオトダイオード領域２
Ｒ，２Ｇ，２Ｂを設けると共に、これら各領域上
に透過波長域の異なる光学フイルタ、例えば赤色
フイルタ３Ｒ、緑色フイルタ３Ｇ及び青色フイル
タ３Ｂを配し、更にその上に赤外カツトフイルタ
４を配したもので、斯るセンサーに於いて各フイ
ルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，４を介して可視光が基板
１に入射すると、入射可視光の含む色に応じて、
それが赤なら赤色フイルタ３Ｒに対応したフオト
ダイオード領域２Ｒに、緑なら緑色フイルタ３Ｇ
に対応したフオトダイオード領域２Ｇに、また青
なら青色フイルタ３Ｂに対応したフオトダイオー
ド領域２Ｂに夫々信号が出力される。
波長域に感光する感光装置、所謂色センサーの存
在は既に知られている。その原理的な構成は、第
１図に示す如く、単結晶シリコン基板１の表面に
複数の感光領域であるフオトダイオード領域２
Ｒ，２Ｇ，２Ｂを設けると共に、これら各領域上
に透過波長域の異なる光学フイルタ、例えば赤色
フイルタ３Ｒ、緑色フイルタ３Ｇ及び青色フイル
タ３Ｂを配し、更にその上に赤外カツトフイルタ
４を配したもので、斯るセンサーに於いて各フイ
ルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，４を介して可視光が基板
１に入射すると、入射可視光の含む色に応じて、
それが赤なら赤色フイルタ３Ｒに対応したフオト
ダイオード領域２Ｒに、緑なら緑色フイルタ３Ｇ
に対応したフオトダイオード領域２Ｇに、また青
なら青色フイルタ３Ｂに対応したフオトダイオー
ド領域２Ｂに夫々信号が出力される。
単結晶シリコン自体の感光度特性は第２図の曲
線Ａに示す如く、赤外領域にピークを呈する。一
方、赤色フイルタ３Ｒは赤色帯域で透過度のピー
クを示すものの、その帯域特性の拡がりは減衰し
ながらも赤色領域にまですそ野を引いている。従
つて、光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、
赤色フイルタ３Ｒを通すだけではフオトダイオー
ド領域２Ｒは、減衰しながらも共に入射する赤外
光に、単結晶シリコン自体の感光度特性に応じて
強く感応してしまい、正確な色情報を検出できな
い。前記従来の色センサーに於ける赤外カツトフ
イルター４は、この様な入射赤外光を除去するた
めに設けられており、不可欠な存在である。
線Ａに示す如く、赤外領域にピークを呈する。一
方、赤色フイルタ３Ｒは赤色帯域で透過度のピー
クを示すものの、その帯域特性の拡がりは減衰し
ながらも赤色領域にまですそ野を引いている。従
つて、光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、
赤色フイルタ３Ｒを通すだけではフオトダイオー
ド領域２Ｒは、減衰しながらも共に入射する赤外
光に、単結晶シリコン自体の感光度特性に応じて
強く感応してしまい、正確な色情報を検出できな
い。前記従来の色センサーに於ける赤外カツトフ
イルター４は、この様な入射赤外光を除去するた
めに設けられており、不可欠な存在である。
然し乍ら、斯る赤外カツトフイルタ４の存在は
センサーの構成を複雑にするだけでなく、製造に
際して、そのフイルタ４並びに各色フイルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂを単結晶シリコン基板１上に重畳
被着する工程で、脆弱なシリコン基板１を破損し
やすい、といつた欠点をもたらす。
センサーの構成を複雑にするだけでなく、製造に
際して、そのフイルタ４並びに各色フイルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂを単結晶シリコン基板１上に重畳
被着する工程で、脆弱なシリコン基板１を破損し
やすい、といつた欠点をもたらす。
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであつ
て、以下に本発明の実施例につき詳述する。
て、以下に本発明の実施例につき詳述する。
第３図Ａ，Ｂは本発明の一実施例である色セン
サーの断面図及び光照射側から見た正面図であ
る。同図に於いて、１０はガラス、耐熱プラスチ
ツク等の透光性基板、１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは
前記透光性基板１０の一方の主面に設けられた複
数例えば３個の感光領域で、該感光領域１１Ｒ，
１１Ｇ，１１Ｂは前記透光性基板１０側から透光
性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ全領域に渡つて一
様に形成されたアモルフアス半導体から成る光活
性層１３、及び該光活性層１３上に一様に形成さ
れた金属電極１４を積層した構造を持つ。前記光
活性層１３を構成するアモルフアス半導体として
は、グロー放電等のガス反応を用いて任意の基板
上に形成されるアモルフアスシリコン（ａ−
Si）・アモルフアスシリコンカーバイド（ａ−
SiC）・アモルフアスシリコンゲルマニウム（ａ
−SiGe）・アモルフアスシリコンナイトライド
（ａ−SiN）・アモルフアスシリコンスズ（ａ−
SiSn）及びそれらを微結晶化したもの等種々の
ものが知られており、更にこれらの物質中に水素
やハロゲン元素、あるいはドーパントとして砒素
（As）・燐（Ｐ）・ボロン（Ｂ）・アルミニウム
（Al）を含むものが適用される。斯るａ−Si系か
ら成る光活性層１３の感光度特性は第２図Ｂに示
す如く可視光域に感度ピークを有すると共に、感
光帯域も大概ね可視光域内に存在する。この感光
度特性はPIN接合型ａ−Siの光活性層１３のもの
であり、従来の如く単結晶シリコンの感度ピーク
が赤外領域に存在することに起因して使用される
赤外カツトフイルタ４を用いるまでもなく、赤外
領域に対して感光しない極めて重要な特性を具備
している。
サーの断面図及び光照射側から見た正面図であ
る。同図に於いて、１０はガラス、耐熱プラスチ
ツク等の透光性基板、１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは
前記透光性基板１０の一方の主面に設けられた複
数例えば３個の感光領域で、該感光領域１１Ｒ，
１１Ｇ，１１Ｂは前記透光性基板１０側から透光
性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ全領域に渡つて一
様に形成されたアモルフアス半導体から成る光活
性層１３、及び該光活性層１３上に一様に形成さ
れた金属電極１４を積層した構造を持つ。前記光
活性層１３を構成するアモルフアス半導体として
は、グロー放電等のガス反応を用いて任意の基板
上に形成されるアモルフアスシリコン（ａ−
Si）・アモルフアスシリコンカーバイド（ａ−
SiC）・アモルフアスシリコンゲルマニウム（ａ
−SiGe）・アモルフアスシリコンナイトライド
（ａ−SiN）・アモルフアスシリコンスズ（ａ−
SiSn）及びそれらを微結晶化したもの等種々の
ものが知られており、更にこれらの物質中に水素
やハロゲン元素、あるいはドーパントとして砒素
（As）・燐（Ｐ）・ボロン（Ｂ）・アルミニウム
（Al）を含むものが適用される。斯るａ−Si系か
ら成る光活性層１３の感光度特性は第２図Ｂに示
す如く可視光域に感度ピークを有すると共に、感
光帯域も大概ね可視光域内に存在する。この感光
度特性はPIN接合型ａ−Siの光活性層１３のもの
であり、従来の如く単結晶シリコンの感度ピーク
が赤外領域に存在することに起因して使用される
赤外カツトフイルタ４を用いるまでもなく、赤外
領域に対して感光しない極めて重要な特性を具備
している。
尚、光活性層１３を形成するアモルフアス半導
体を各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ毎に分割
せず共通の１枚のものとしても、該アモルフアス
半導体は従来の単結晶半導体に較べ抵抗値が高
く、更に膜厚はたかだか１ミクロン程度オーダで
あり、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ間の間
隔を上記膜厚より十分大きくとることができるの
で、実質的にそれらを絶縁状態に保持することが
できる。この様に各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１
１Ｂを１枚の共通したアモルフアス半導体で形成
すれば製造工程の簡略化が図れる。
体を各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ毎に分割
せず共通の１枚のものとしても、該アモルフアス
半導体は従来の単結晶半導体に較べ抵抗値が高
く、更に膜厚はたかだか１ミクロン程度オーダで
あり、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ間の間
隔を上記膜厚より十分大きくとることができるの
で、実質的にそれらを絶縁状態に保持することが
できる。この様に各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１
１Ｂを１枚の共通したアモルフアス半導体で形成
すれば製造工程の簡略化が図れる。
１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは前記透光性基板１０
の他方の主面に於いて前記３個の感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの夫々に対向すべく配置せし
められた赤色・緑色・青色フイルタで、これ等の
各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは赤・緑・
青の各色の特定波長域の可視光を透過せしめるも
ので着色ガラス或いは着色有機樹脂等により構成
され、前記各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ
は一体化されたものであつても良い。
の他方の主面に於いて前記３個の感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの夫々に対向すべく配置せし
められた赤色・緑色・青色フイルタで、これ等の
各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは赤・緑・
青の各色の特定波長域の可視光を透過せしめるも
ので着色ガラス或いは着色有機樹脂等により構成
され、前記各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ
は一体化されたものであつても良い。
そして、これら各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，
１５Ｂと、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと
の位置及びそのサイズの関係としては、各感光領
域は、各色フイルタより小面積でその内方に位置
するように配されている。
１５Ｂと、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと
の位置及びそのサイズの関係としては、各感光領
域は、各色フイルタより小面積でその内方に位置
するように配されている。
今、この各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ
を、各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと同じ
面積とすると、以下のような問題が生じる。
を、各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと同じ
面積とすると、以下のような問題が生じる。
即ち、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと各
色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂとの間には透
光性基板１０が存在するために、例えば、色フイ
ルタ１５Ｒと色フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜
めに照射された光は、色フイルタ１５Ｇと対向す
る感光領域１１Ｇに入射してしまい、所謂クロス
トークが発生する。とりわけ、本発明感光装置
は、各感光領域間においても光活性層１３が一様
に形成されていることからこのクロストークは問
題となる。
色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂとの間には透
光性基板１０が存在するために、例えば、色フイ
ルタ１５Ｒと色フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜
めに照射された光は、色フイルタ１５Ｇと対向す
る感光領域１１Ｇに入射してしまい、所謂クロス
トークが発生する。とりわけ、本発明感光装置
は、各感光領域間においても光活性層１３が一様
に形成されていることからこのクロストークは問
題となる。
すると、その感光領域１１Ｇには、色フイルタ
１５Ｇを透過してきた光のみならず、色フイルタ
１５Ｒを透過してきた光をも検出することとなる
ため、正確な信号を得ることができない。
１５Ｇを透過してきた光のみならず、色フイルタ
１５Ｒを透過してきた光をも検出することとなる
ため、正確な信号を得ることができない。
これに対して、本発明では各感光領域１１Ｒ，
１１Ｇ，１１Ｂを、各色フイルタ１５Ｒ，１５
Ｇ，１５Ｂより小面積でその内方に位置するよう
に配されているので、例えば色フイルタ１５Ｒと
色フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜めに光が照射
されても、感光領域１１Ｇにはその光に因つて生
じた電子及びまたはホールが殆ど到達できず、信
号への悪影響を抑制できることとなる。
１１Ｇ，１１Ｂを、各色フイルタ１５Ｒ，１５
Ｇ，１５Ｂより小面積でその内方に位置するよう
に配されているので、例えば色フイルタ１５Ｒと
色フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜めに光が照射
されても、感光領域１１Ｇにはその光に因つて生
じた電子及びまたはホールが殆ど到達できず、信
号への悪影響を抑制できることとなる。
而して、前記光活性層１３がPIN接合のもので
あるので、赤色・緑色・青色の各色フイルタ１５
Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂで選択された特定波長域の光
照射により自由状態の電子及び又はホールを生ぜ
しめ、それらが夫々透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，
１２Ｂ及び金属電極１４に到達し、この金属電極
１４と、各透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと
のそれぞれの間で光起電力が発生する。即ち、前
記各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの出力信号
のレベルから入射光の波長成分比を知ることがで
き、本実施例の如く光の３原色である赤色・緑
色・青色の色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを
用いることによつて全ての色情報を得ることがで
きる。
あるので、赤色・緑色・青色の各色フイルタ１５
Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂで選択された特定波長域の光
照射により自由状態の電子及び又はホールを生ぜ
しめ、それらが夫々透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，
１２Ｂ及び金属電極１４に到達し、この金属電極
１４と、各透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと
のそれぞれの間で光起電力が発生する。即ち、前
記各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの出力信号
のレベルから入射光の波長成分比を知ることがで
き、本実施例の如く光の３原色である赤色・緑
色・青色の色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを
用いることによつて全ての色情報を得ることがで
きる。
次いで本発明の具体的実施例をその製造方法と
共に説明する。
共に説明する。
先ず、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとし
てインジウム錫酸化物（ITO）がスパツタにより
被着されパターニングされたガラスから成る厚み
0.3mmの透光性基板１０をプラズマ反応炉の反応
電極間に配置し、前記透光性基板１０を約300℃
に加熱した状態でシラン（SiH4）ガスと不純物
ガスとしてジボラン（B2H6）を1000PPm導入す
る。そして上記反応電極に13.56MHz100Wの高周
波電力を付与してグロー放電を生起せしめ前記透
光性基板１０上に全面にわたつて厚み約100Åの
Ｐ型のアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）を得
る。その後B2H6ガスのみを除去して厚み約5000
ÅのＩ型ａ−Si：Ｈを析出せしめ、更にフオスフ
イン（PH3）を不純物ガスとして1000PPm混入
し300Å程度のＮ型ａ−Si：Ｈを形成し、透光性
基板１０側からPIN各層を重畳したPIN接合を有
するアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）から成
る１枚の光活性層１０の製造を終了する。尚、上
記ａ−Si：Ｈの成長速度は各層とも約1μm／hrで
あるので、所望の厚みを得るべく時間制御する。
てインジウム錫酸化物（ITO）がスパツタにより
被着されパターニングされたガラスから成る厚み
0.3mmの透光性基板１０をプラズマ反応炉の反応
電極間に配置し、前記透光性基板１０を約300℃
に加熱した状態でシラン（SiH4）ガスと不純物
ガスとしてジボラン（B2H6）を1000PPm導入す
る。そして上記反応電極に13.56MHz100Wの高周
波電力を付与してグロー放電を生起せしめ前記透
光性基板１０上に全面にわたつて厚み約100Åの
Ｐ型のアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）を得
る。その後B2H6ガスのみを除去して厚み約5000
ÅのＩ型ａ−Si：Ｈを析出せしめ、更にフオスフ
イン（PH3）を不純物ガスとして1000PPm混入
し300Å程度のＮ型ａ−Si：Ｈを形成し、透光性
基板１０側からPIN各層を重畳したPIN接合を有
するアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）から成
る１枚の光活性層１０の製造を終了する。尚、上
記ａ−Si：Ｈの成長速度は各層とも約1μm／hrで
あるので、所望の厚みを得るべく時間制御する。
その後、上記１枚の共通したアモルフアスシリ
コンから成る光活性層１３上にアルミニウムの金
属電極１４を蒸着し不要部を除去して３個の感光
領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを前記透光性基板１
０の一方の主面に完成する。
コンから成る光活性層１３上にアルミニウムの金
属電極１４を蒸着し不要部を除去して３個の感光
領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを前記透光性基板１
０の一方の主面に完成する。
上述の如く感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを
形成後、赤色・緑色・青色の各フイルタ１５Ｒ，
１５Ｇ，１５Ｂを透光性基板１０の他方の主面に
於いて前記各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの
夫々と対向するように被着する。斯る赤色・緑
色・青色の各フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは
例えばイーストマン・コダツク社製の商品名
WRATTEN GELA−TIN FILTER No.25（赤
色）・No.58（緑色）・No.47B（青色）であつて、第４
図の如き透過特性を持つている。このコダツク社
製の色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはフイル
ム状であり所望パターンに形成後透明な樹脂系の
接着剤で接着される。
形成後、赤色・緑色・青色の各フイルタ１５Ｒ，
１５Ｇ，１５Ｂを透光性基板１０の他方の主面に
於いて前記各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの
夫々と対向するように被着する。斯る赤色・緑
色・青色の各フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは
例えばイーストマン・コダツク社製の商品名
WRATTEN GELA−TIN FILTER No.25（赤
色）・No.58（緑色）・No.47B（青色）であつて、第４
図の如き透過特性を持つている。このコダツク社
製の色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはフイル
ム状であり所望パターンに形成後透明な樹脂系の
接着剤で接着される。
第５図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明感光装置の他の実施
例であつて、Ａに於いては感光領域１１が３個、
Ｂに於いては４個、Ｃに於いては６個夫々中心対
称に配置せしめられ、夫々の感光領域１１……に
は透過波長域の異なる光学フイルタ１５……が対
向するべく設けられているが、先の実施例の如く
赤色・緑色・青色の光の３原色を用いれば全ての
可視光域をカバーすることができるので、相対感
度の低い波長域の色フイルタ１５……を重複して
使用すれば低感度を補償することもできる。ま
た、感光領域１１……が６個存在するものについ
ては赤色・緑色・青色の３原色と補色の関係にあ
るシアン色・マゼンタ色・黄色の色フイルタ１５
……を追加しても良い。
例であつて、Ａに於いては感光領域１１が３個、
Ｂに於いては４個、Ｃに於いては６個夫々中心対
称に配置せしめられ、夫々の感光領域１１……に
は透過波長域の異なる光学フイルタ１５……が対
向するべく設けられているが、先の実施例の如く
赤色・緑色・青色の光の３原色を用いれば全ての
可視光域をカバーすることができるので、相対感
度の低い波長域の色フイルタ１５……を重複して
使用すれば低感度を補償することもできる。ま
た、感光領域１１……が６個存在するものについ
ては赤色・緑色・青色の３原色と補色の関係にあ
るシアン色・マゼンタ色・黄色の色フイルタ１５
……を追加しても良い。
更に図示はしないが、多数の感光領域を一直線
上に配列した構成が特にカラーフアクシミリ用の
光学読み取り装置として有用である。この場合、
赤色・緑色・青色の各色フイルタを備えた３個の
感光領域を１ユニツトとしたものが一直線上に配
列される。
上に配列した構成が特にカラーフアクシミリ用の
光学読み取り装置として有用である。この場合、
赤色・緑色・青色の各色フイルタを備えた３個の
感光領域を１ユニツトとしたものが一直線上に配
列される。
尚、以上の説明に於けるアモルフアス半導体は
反応ガスの組成並びに組成比を適宜選択すること
によつて感光度特性の異なるものが容易に得られ
ることが知られている。例えば反応ガスとして
SiH4にメタン（CH4）を加えアモルフアスシリ
コンカーバイトを形成すれば、短波長側での感光
度が上昇し、ゲルマン（GeH4）を添加すること
によつてアモルフアスシリコンゲルマニウムを得
て長波長側での感光度を増大せしめることもでき
る。
反応ガスの組成並びに組成比を適宜選択すること
によつて感光度特性の異なるものが容易に得られ
ることが知られている。例えば反応ガスとして
SiH4にメタン（CH4）を加えアモルフアスシリ
コンカーバイトを形成すれば、短波長側での感光
度が上昇し、ゲルマン（GeH4）を添加すること
によつてアモルフアスシリコンゲルマニウムを得
て長波長側での感光度を増大せしめることもでき
る。
また、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ並び
に金属電極１４は、１枚のアモルフアス半導体を
挟んで各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを分割
せしめていたが、その金属電極１４に替えて透光
性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの方をアモルフア
ス半導体と同じく全領域に渡つて一様に形成して
もよい。但し、光活性層１３のＮ型層は、高抵抗
であると言えども、Ｐ型層よりは低抵抗である。
そのため、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを
全領域に渡つて一様に形成し、金属電極１４を各
感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ毎に分割した場
合、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにて発生
した電子及びまたはホールが、Ｎ型層を通じて隣
接する分割された金属電極にリークとして流れ込
む恐れがある。従つて、透光性電極１２Ｒ，１２
Ｇ，１２Ｂを、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂ毎に分割し、金属電極１４を全領域に渡つて一
様に形成するのが好ましい。
に金属電極１４は、１枚のアモルフアス半導体を
挟んで各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを分割
せしめていたが、その金属電極１４に替えて透光
性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの方をアモルフア
ス半導体と同じく全領域に渡つて一様に形成して
もよい。但し、光活性層１３のＮ型層は、高抵抗
であると言えども、Ｐ型層よりは低抵抗である。
そのため、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを
全領域に渡つて一様に形成し、金属電極１４を各
感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ毎に分割した場
合、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにて発生
した電子及びまたはホールが、Ｎ型層を通じて隣
接する分割された金属電極にリークとして流れ込
む恐れがある。従つて、透光性電極１２Ｒ，１２
Ｇ，１２Ｂを、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂ毎に分割し、金属電極１４を全領域に渡つて一
様に形成するのが好ましい。
本発明感光装置は以上の説明から明らかな如
く、透光性基板を挾んで感光波長域の異なる複数
の感光領域は、感光度特性が大概ね可視光領域に
存在するアモルフアス半導体を主構成要素とする
光活性層を含んでいるので、構造簡単にして従来
の赤外領域に感度ピークを有している単結晶シリ
コンに於いて不可欠であつた赤外カツトフイルタ
を省略することができると共に、前記透光性基板
が脆弱な光活性層に悪影響を与えることなく感光
波長域を規制する光学フイルタを配置せしめる際
の保護体並びに支持体として作用し装置の歩留り
の低下を防止することができる。
く、透光性基板を挾んで感光波長域の異なる複数
の感光領域は、感光度特性が大概ね可視光領域に
存在するアモルフアス半導体を主構成要素とする
光活性層を含んでいるので、構造簡単にして従来
の赤外領域に感度ピークを有している単結晶シリ
コンに於いて不可欠であつた赤外カツトフイルタ
を省略することができると共に、前記透光性基板
が脆弱な光活性層に悪影響を与えることなく感光
波長域を規制する光学フイルタを配置せしめる際
の保護体並びに支持体として作用し装置の歩留り
の低下を防止することができる。
更に、各感光領域の光活性層を一様に形成する
ことによつて生じるクロストークを、各感光領域
を各々の光学フイルタよりも小面積で、且つその
配置を光学フイルタよりも内方とすることによつ
て抑制することができる。
ことによつて生じるクロストークを、各感光領域
を各々の光学フイルタよりも小面積で、且つその
配置を光学フイルタよりも内方とすることによつ
て抑制することができる。
第１図は従来装置の断面図、第２図は従来装置
の単結晶シリコンと本発明装置のアモルフアス半
導体の感光度特性図、第３図Ａは本発明装置の光
照射側から見た正面図、第３図ＢはＡに於けるＢ
−B′線断面図、第４図は本発明装置に用いられ
る光学フイルタの透過特性図、第５図Ａ〜Ｃは本
発明装置の他の実施例断面図、を夫々示してい
る。 １０……透光性基板、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，
１１Ｂ……感光領域、１３……光活性層、１５，
１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ……光学フイルタ。
の単結晶シリコンと本発明装置のアモルフアス半
導体の感光度特性図、第３図Ａは本発明装置の光
照射側から見た正面図、第３図ＢはＡに於けるＢ
−B′線断面図、第４図は本発明装置に用いられ
る光学フイルタの透過特性図、第５図Ａ〜Ｃは本
発明装置の他の実施例断面図、を夫々示してい
る。 １０……透光性基板、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，
１１Ｂ……感光領域、１３……光活性層、１５，
１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ……光学フイルタ。
Claims (1)
- １ 透光性基板の一方の主面に複数の感光領域を
設けると共に、前記透光性基板の他方の主面に透
過波長域の異なる複数の光学フイルタを前記感光
領域の夫々に対向すべく配置せしめた感光装置に
於いて、前記複数の感光領域は、該領域毎に形成
された複数の透明電極と、ｐ型アモルフアス半導
体層、ｉ型アモルフアス半導体層及びｎ型アモル
フアス半導体層を順次一様に形成して成る、感光
度特性が概ね可視光領域に存在する光活性層と、
該光活性層上に一様に形成された裏面電極とを備
えると共に、前記各感光領域は各々の前記光学フ
イルタよりも小面積で、且つその配置が該光学フ
イルタより内方となることを特徴とする感光装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009201A JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
| GB08300968A GB2115980B (en) | 1982-01-22 | 1983-01-14 | Color sensor |
| FR8300882A FR2520557B1 (fr) | 1982-01-22 | 1983-01-20 | Capteur chromatique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009201A JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125869A JPS58125869A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0478019B2 true JPH0478019B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=11713867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57009201A Granted JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125869A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810161B2 (ja) * | 1985-09-06 | 1996-01-31 | ミノルタ株式会社 | カラ−センサ |
| JPH0663829B2 (ja) * | 1985-10-16 | 1994-08-22 | 三洋電機株式会社 | 色センサ |
| JPH01254821A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Canon Inc | 測色センサ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3748485A (en) * | 1971-10-05 | 1973-07-24 | Eastman Kodak Co | Optical-to-electrical signal transducer apparatus |
| JPS6033348B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1985-08-02 | 富士電機株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56135982A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Array of photoelectric conversion element |
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57009201A patent/JPS58125869A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58125869A (ja) | 1983-07-27 |
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