JPH0478049B2 - - Google Patents

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JPH0478049B2
JPH0478049B2 JP59196702A JP19670284A JPH0478049B2 JP H0478049 B2 JPH0478049 B2 JP H0478049B2 JP 59196702 A JP59196702 A JP 59196702A JP 19670284 A JP19670284 A JP 19670284A JP H0478049 B2 JPH0478049 B2 JP H0478049B2
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JP
Japan
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circuit
level
voltage
transistors
signal
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JP59196702A
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Morohisa Yamamoto
Makoto Furuhata
Izumi Arai
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、各種電子機器において複数の動作モ
ードのうち任意の動作モードを選択し、所望の回
路動作を行わしめる場合に用いて好適な動作切換
え回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to an operation switching circuit suitable for use when selecting an arbitrary operation mode from among a plurality of operation modes in various electronic devices to perform a desired circuit operation. .

〔背景技術〕[Background technology]

近年の電子機器は複数の機能を併せたものが多
く、例えばレコードプレーヤについては45回転、
331/3回転と2種の回転数を有するものが一般的
であり、テレビジヨン受信機においてもPAL、
SECAM、NTSCの各方式に共用できるものが開
発されている。
In recent years, many electronic devices have multiple functions; for example, record players have a rotation speed of 45 rpm,
It is common to have two types of rotation speeds, 331/3 rotations, and television receivers also have PAL,
A device that can be used in common with SECAM and NTSC systems has been developed.

このような場合、所望の動作を簡便な方法で任
意に選択できることが望ましい。そこで本願発明
者等は、半導体集積回路化を前提として上記動作
切換え回路につき種々の技術的検討を行なつたの
であるが、その結果、回路構成が簡単で回路素子
数が少なく、また外部接続端子数を削減し得るこ
と、更に消費電力が少なく、高入力インピーダン
スであること等が望ましいことが判明した。
In such cases, it is desirable to be able to arbitrarily select a desired operation in a simple manner. Therefore, the inventors of the present application conducted various technical studies on the above-mentioned operation switching circuit on the premise that it would be implemented as a semiconductor integrated circuit, and as a result, the circuit configuration was simple, the number of circuit elements was small, and the external connection terminal It has been found that it is desirable to be able to reduce the number of devices, consume less power, and have high input impedance.

ところで「集積回路ハンドブツク」(1981年6
月30日、(株)朝倉書店発行、P222)には、複数の
電圧比較器を有し、各電圧比較器の一方の入力端
子に電圧レベルの異なつた基準電圧を印加し、他
方の入力端子にアナログ信号を共通に印加して、
上記電圧比較器からデイジタル化された出力電圧
を得ることのできる回路技術が記載されている。
上記回路技術によれば、出力電圧にもとづき上述
の如き切換え動作を行うことができるが、上記複
数の電圧比較器は常時通電されているため消費電
力が大である。
By the way, "Integrated Circuit Handbook" (June 1981)
Published by Asakura Shoten Co., Ltd., p. 222) has multiple voltage comparators, and applies reference voltages with different voltage levels to one input terminal of each voltage comparator, and applies reference voltages of different voltage levels to the other input terminal. Applying an analog signal in common to
A circuit technique is described that can obtain a digitized output voltage from the voltage comparator.
According to the above circuit technology, the switching operation as described above can be performed based on the output voltage, but the plurality of voltage comparators are constantly energized, so power consumption is large.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、並列型A/D変換器を利用
し、制御信号として供給されるアナログ信号の信
号レベルに応じて被制御系の動作モードを切換え
るに際して、該並列型A/D変換器による消費電
力を低減するように構成した回路技術を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to utilize a parallel A/D converter to switch the operation mode of a controlled system according to the signal level of an analog signal supplied as a control signal. An object of the present invention is to provide a circuit technology configured to reduce power consumption.

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特
徴は、本明細書および添付図面から明らかになる
であろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the present specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明の概要を簡単に述
べれば、下記の如くである。
A brief summary of the invention disclosed in this application is as follows.

すなわち、第1導電型半導体制御素子、例えば
NPNトランジスタ等で構成され、第1の基準電
圧と制御信号との比較を行う第1のA/D変換器
と、第2導電型半導体制御素子、例えばPNPト
ランジスタ等で構成され、第2の基準電圧と上記
制御信号との比較を行う第2のA/D変換器とを
設け、上記第1及び第2のA/D変換器による消
費電力を低減する、という本発明の目的を達成す
るものである。
That is, the first conductivity type semiconductor control element, e.g.
A first A/D converter is composed of an NPN transistor, etc., and compares a first reference voltage with a control signal, and a second conductivity type semiconductor control element, for example, a PNP transistor, is composed of a second reference voltage. A second A/D converter that compares the voltage with the control signal is provided to achieve the object of the present invention, which is to reduce power consumption by the first and second A/D converters. It is.

〔実施例〕〔Example〕

次に、第1図及び第2図を参照して本発明を適
用した動作切換え回路の一実施例を述べる。
Next, an embodiment of an operation switching circuit to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

本実施例の特徴は、1個の入力端子T1から供
給される制御信号Vcの電圧レベルと基準電圧
V1,V2との比較により、3値に応じて2値レベ
ルの組み合わせが変化する論理出力電圧を得るよ
うに構成した点にある。
The feature of this embodiment is that the voltage level of the control signal Vc supplied from one input terminal T1 and the reference voltage
The present invention is configured to obtain a logical output voltage in which the combination of binary levels changes depending on the three values by comparison with V 1 and V 2 .

第1図に示す回路ブロツクは制御信号VC
基準電圧V1,V2との比較を行ない、出力電圧
VA,VBを得るものであり、回路ブロツクは2
入力から3出力を得るコード変換器、回路ブロツ
クは被制御系であり本実施例ではクロマ信号C
をNTSC復調回路100、PAL復調回路101、
SECAM復調回路102に選択的に供給するよう
に構成されている。
The circuit block shown in Figure 1 compares the control signal V C with the reference voltages V 1 and V 2 and determines the output voltage.
This is to obtain V A and V B , and the circuit block is 2
The code converter and circuit block that obtain three outputs from the input are controlled systems, and in this example, the chroma signal C
NTSC demodulation circuit 100, PAL demodulation circuit 101,
The signal is configured to be selectively supplied to the SECAM demodulation circuit 102.

トランジスタQ1,Q2は本発明でいう第1の
A/D変換器を構成し、トランジスタQ3,Q4
本発明でいう第2のA/D変換器を構成する。こ
の場合、Q1とQ2、Q3とQ4はそれぞれ差動
対をなして比較動作を行なう差動増幅器を構成す
る。抵抗R5は、トランジスタ差動対Q3−Q4
の片方Q4に接続されることにより、第2のAD
変換器の出力電圧VBを得る。トランジスタQ5
Q6はカレントミラー回路を構成し、抵抗R6とと
もに上記出力電圧VBと同じ電位(GNDレベル)
を基準電位にして変化する出力電圧VAを得るも
のである。また、抵抗R2,R3,R4は分圧回路で
あり、基準電圧V1,V2をトランジスタQ2,Q4
各ベースに印加する。
Transistors Q 1 and Q 2 constitute a first A/D converter as referred to in the present invention, and transistors Q 3 and Q 4 constitute a second A/D converter as referred to in the present invention. In this case, Q1 and Q2 and Q3 and Q4 each form a differential pair and constitute a differential amplifier that performs a comparison operation. Resistor R5 connects transistor differential pair Q3-Q4
By connecting one side Q4 of the second AD
Obtain the converter output voltage VB. Transistor Q 5 ,
Q 6 constitutes a current mirror circuit, and together with resistor R 6 , it has the same potential as the above output voltage VB (GND level)
The output voltage VA is obtained by using the reference potential as the reference potential. Further, resistors R 2 , R 3 , and R 4 are voltage dividing circuits, and apply reference voltages V 1 and V 2 to the respective bases of transistors Q 2 and Q 4 .

ところで、制御信号VCの電圧レベルは、第2
図Aに示すように、L、M、Hの3段階にレベル
変化するものであり、Hレベルは基準電圧V1
等しくMレベルは基準電圧V2に等しい。いま仮
りに制御信号VCがt1〜t2間に示すようにLレベル
であるとすれば、トランジスタQ1,Q4がオフと
なり、トランジスタQ5,Q2、抵抗R1、トランジ
スタQ3の電流径路が形成される。しかし、抵抗
R1が設けられているため、この電流径路を流れ
る電流の電流量は低減される。そして、トランジ
スタQ2のコレクタ電圧V0が第2図Bに示すよう
にレベル低下(VBEQ5)し、出力電流I0と抵抗R6
との電圧降下によつて第2図Cに示すように出力
電圧VAがハイレベルになる。
By the way, the voltage level of the control signal V C is
As shown in Figure A, the level changes in three stages: L, M, and H, and the H level is equal to the reference voltage V1 , and the M level is equal to the reference voltage V2 . Now, if the control signal V C is at L level as shown between t 1 and t 2 , transistors Q 1 and Q 4 are turned off, and transistors Q 5 and Q 2 , resistor R 1 , and transistor Q 3 are turned off. A current path is formed. But resistance
Since R 1 is provided, the amount of current flowing through this current path is reduced. Then, the collector voltage V 0 of the transistor Q 2 decreases in level (V BEQ5 ) as shown in FIG. 2B, and the output current I 0 and the resistor R 6
The output voltage V A becomes high level as shown in FIG. 2C due to the voltage drop between the two.

一方、トランジスタQ4はオフ状態であるから、
出力電圧VBは第2図Dに示すようにローレベル
(GNDレベル)になる。従つて、制御信号VC
ローレベルのとき、出力電圧VAがハイレベル、
出力電圧VBがローレベルとなる。
On the other hand, since transistor Q 4 is in the off state,
The output voltage V B becomes low level (GND level) as shown in FIG. 2D. Therefore, when the control signal V C is low level, the output voltage V A is high level,
Output voltage V B becomes low level.

t2〜t3間に示す如く、制御信号VCがMレベルの
ときはトランジスタQ1,Q3がオフ、トランジス
タQ4がオン状態に動作する。従つて、上記出力
電流I0は上記同様に得られ、抵抗R5を流れる電流
によつて出力電圧VBもハイレベルになる。すな
わち、この場合は出力電圧VA,VBがともにハイ
レベルになる。
As shown between t 2 and t 3 , when the control signal V C is at M level, transistors Q 1 and Q 3 are turned off and transistor Q 4 is turned on. Therefore, the output current I 0 is obtained in the same manner as above, and the output voltage V B also becomes high level due to the current flowing through the resistor R 5 . That is, in this case, both output voltages V A and V B become high level.

t3〜t4間に示す如く、制御信号VCがHレベルの
ときはトランジスタQ1がオン状態となり、トラ
ンジスタQ2,Q3がオフ状態になる。上記電圧V0
はほぼ+Vccまで上昇し、出力電流I0は得られな
い。従つて、出力電圧VAはローレベル(GNDレ
ベル)に低下する。
As shown between t 3 and t 4 , when the control signal V C is at H level, the transistor Q 1 is turned on and the transistors Q 2 and Q 3 are turned off. Above voltage V 0
increases to almost + Vcc , and no output current I0 can be obtained. Therefore, the output voltage V A drops to low level (GND level).

一方、トランジスタQ1、抵抗R1、トランジス
タQ4、抵抗R5の電流径路が形成されるので、出
力電圧VBはハイレベルのままである。従つてこ
の場合は、上記t1〜t2とは逆に出力電圧VAがロー
レベル、出力電圧VBがハイレベルになる。
On the other hand, since a current path of transistor Q 1 , resistor R 1 , transistor Q 4 , and resistor R 5 is formed, the output voltage V B remains at a high level. Therefore, in this case, the output voltage V A becomes a low level and the output voltage V B becomes a high level, contrary to the above-mentioned t 1 to t 2 .

すなわち、制御信号VCがL、M、Hの3値に
レベル変化することにより、出力電圧VA,VB
組合せが3値にレベル変化することになる。
That is, by changing the level of the control signal V C to the three values L, M, and H, the combination of the output voltages V A and V B changes to the three values.

コード変換器は位相反転器1,2及びアンド
回路3,4,5の組合せにより構成されている。
上記t1〜t2間においては、アンド回路3にローレ
ベルの入力信号が供給されるので、出力信号はロ
ーレベルとなる。また、アンド回路4にはハイレ
ベルとローレベルの入力信号が供給されるので、
その出力信号もローレベルになる。しかし、アン
ド回路5には同時にハイレベルの入力信号が供給
されるので、アンド回路5の出力信号がハイレベ
ルになる。
The code converter is composed of a combination of phase inverters 1, 2 and AND circuits 3, 4, 5.
Between t1 and t2 , a low level input signal is supplied to the AND circuit 3, so the output signal becomes low level. Also, since high level and low level input signals are supplied to the AND circuit 4,
Its output signal also becomes low level. However, since a high level input signal is simultaneously supplied to the AND circuit 5, the output signal of the AND circuit 5 becomes high level.

上記回路動作が行われる結果、スイツチング素
子として設けられたMOSFETQ11,Q12はともに
オフになり、MOSFETQ13がオン状態に動作す
る。そして、クロマ信号Cはセカム復調回路10
2に供給され、テレビジヨン受信機がSECAM方
式の放送を受信することになる。
As a result of the above circuit operation, MOSFETQ 11 and Q 12 provided as switching elements are both turned off, and MOSFETQ 13 is turned on. Then, the chroma signal C is sent to the SECAM demodulation circuit 10.
2, and the television receiver receives SECAM format broadcasts.

次いで、t2〜t3間の回路動作について述べる
と、出力電圧VA,VBがともにハイレベルである
から、アンド回路4の出力信号がハイレベルにな
る。しかし、アンド回路3,5にはそれぞれ位相
反転器1および2によつてともにハイレベルの入
力信号が供給されず、アンド回路3および5の出
力信号はローレベルになる。
Next, the circuit operation between t2 and t3 will be described. Since the output voltages V A and V B are both high level, the output signal of the AND circuit 4 becomes high level. However, high level input signals are not supplied to AND circuits 3 and 5 by phase inverters 1 and 2, respectively, and the output signals of AND circuits 3 and 5 become low level.

故にこの場合はMOSFETQ12がオン状態に動
作し、クロマ信号CがPAL復調回路102に供
給され、テレビジヨン受信機がPAL方式の放送
を受信することになる。
Therefore, in this case, the MOSFET Q 12 operates in the on state, the chroma signal C is supplied to the PAL demodulation circuit 102, and the television receiver receives PAL broadcasting.

更に、t3〜t4間の回路動作について述べると、
位相反転器1によつて出力電圧VAが位相反転さ
れ、アンド回路3にはともにハイレベルの入力信
号が供給されることになる。従つて、アンド回路
3の出力信号がハイレベルとなり、アンド回路
4,5の出力信号はともにローレベルになる。故
に、MOSFETQ11がオン状態に動作し、クロマ
信号CがNTSC復調回路100に供給され、テレ
ビジヨン受信機がNTSC方式の放送を受信するこ
とになる。
Furthermore, regarding the circuit operation between t 3 and t 4 ,
The phase of the output voltage V A is inverted by the phase inverter 1, and both high level input signals are supplied to the AND circuit 3. Therefore, the output signal of AND circuit 3 becomes high level, and the output signals of AND circuits 4 and 5 both become low level. Therefore, the MOSFET Q 11 operates in the on state, the chroma signal C is supplied to the NTSC demodulation circuit 100, and the television receiver receives the NTSC broadcast.

すなわち、本実施例によれば、1個の入力端子
T1に供給される制御信号VCを3段階にレベル変
化させることにより、NTSC、PAL、SECAM方
式の放送を共通に受信することのできるテレビジ
ヨン受信機を各方式に対応させて受信することが
できる。しかも、トランジスタQ1〜Q4のすべて
が常に通電されることはなく、負荷となる抵抗
R5,R6に同時に電流が流れるのは、制御信号VC
がMレベルのときのみであり、消費電力を低減す
ることもできる。
That is, according to this embodiment, one input terminal
By changing the level of the control signal V C supplied to T 1 in three stages, a television receiver capable of commonly receiving NTSC, PAL, and SECAM format broadcasts can be adapted to receive each format. I can do it. Moreover, all of transistors Q 1 to Q 4 are not always energized, and the load resistance is
Current flows through R 5 and R 6 at the same time because the control signal V C
This is only when the is M level, and it is also possible to reduce power consumption.

〔効果〕〔effect〕

(1) 第1及び第2のA/D変換器を構成するトラ
ンジスタQ1〜Q4のすべてが同時に動作するこ
とがなく、しかも上記第1及び第2のA/D変
換器を介して流れる電流が抵抗R1によつて低
減され、かつ出力電流I0も制御信号VCのレベル
に応じて遮断されるので、消費電力を低減す
る、という効果が得られる。
(1) All of the transistors Q 1 to Q 4 constituting the first and second A/D converters do not operate at the same time, and the current flows through the first and second A/D converters. Since the current is reduced by the resistor R 1 and the output current I 0 is also cut off according to the level of the control signal V C , the effect of reducing power consumption can be obtained.

(2) 上記(1)により、電池を電源とするポータブル
電子機器に好適である。
(2) Due to (1) above, it is suitable for portable electronic devices that use batteries as a power source.

(3) 回路素子数が少なく、回路構成も簡単である
ため半導体集積回路化が容易である。
(3) Since the number of circuit elements is small and the circuit configuration is simple, it is easy to integrate into a semiconductor integrated circuit.

(4) 第1及び第2のA/D変換器が何れも差動増
幅器にて構成されているため、高入力インピー
ダンスとすることができ、制御信号VCが微小
なレベル差であつても高感度で動作切換えを行
うことができる。
(4) Since both the first and second A/D converters are configured with differential amplifiers, they can have high input impedance, even if the control signal V C has a small level difference. Operation switching can be performed with high sensitivity.

以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on the examples above, the present invention is not limited to the above examples, and it is understood that various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

例えば、NPNトランジスタQ1,Q2はNチヤン
ネルのMOSFETに代えてよく、PNPトランジス
タQ3〜Q6はPチヤンネルのMOSFETに代えてよ
い。更に、基準電圧V1,V2は定電圧回路を用い
て得るようにしてもよい。
For example, NPN transistors Q 1 and Q 2 may be replaced with N-channel MOSFETs, and PNP transistors Q 3 to Q 6 may be replaced with P-channel MOSFETs. Furthermore, the reference voltages V 1 and V 2 may be obtained using a constant voltage circuit.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では、主として本発明者によつてな
された発明をその背景となつた利用分野であるテ
レビジヨン受信機の受信モードの切換えについて
説明したが、それに限定されるものではない。
In the above description, the invention made by the present inventor has mainly been described with respect to switching of the reception mode of a television receiver, which is the background application field of the invention, but the invention is not limited thereto.

例えば、レコードプレーヤにおけるターンテー
ブルの回転速度の切換え、更にVTRやテープレ
コーダにおけるテープ速度切換え用として利用す
ることができる。
For example, it can be used to change the rotational speed of a turntable in a record player, or to change the tape speed in a VTR or tape recorder.

本発明は少なくとも、モード切換えを必要とす
る電子機器用半導体集積回路に利用することがで
きる。
The present invention can be used at least for semiconductor integrated circuits for electronic devices that require mode switching.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を適用した動作切換え回路の一
実施例を示す回路図を示し、第2図A〜Dは回路
動作を説明するための波形図を示す。 ……動作切換え回路、……コード変換器、
……被制御系、VC……制御信号、V0,VA,VB
……出力電圧、V1,V2……基準電圧、Q1,Q2
Q3,Q4,Q5,Q6……トランジスタ、R1,R2
R3,R4,R5,R6……抵抗、1,2……位相反転
器、3,4,5……アンド回路、Q11,Q12,Q13
……MOSFET、100,101,102……復
調回路。
FIG. 1 shows a circuit diagram showing an embodiment of an operation switching circuit to which the present invention is applied, and FIGS. 2A to 2D show waveform diagrams for explaining the circuit operation. ...Operation switching circuit, ...Code converter,
...Controlled system, V C ...Control signal, V 0 , V A , V B
... Output voltage, V 1 , V 2 ... Reference voltage, Q 1 , Q 2 ,
Q 3 , Q 4 , Q 5 , Q 6 ...transistor, R 1 , R 2 ,
R 3 , R 4 , R 5 , R 6 ... Resistor, 1, 2 ... Phase inverter, 3, 4, 5 ... AND circuit, Q 11 , Q 12 , Q 13
...MOSFET, 100, 101, 102... demodulation circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 NPN差動トランジスタ対とPNP差動トラン
ジスタ対とが互いに共通エミツタ端子同士が共通
の電流規制手段を介して接続されるようにして第
1の電源端子と第2の電源端子との間に直列に接
続され、上記各差動トランジスタ対の一方のトラ
ンジスタのベース端子には上記第1と第2の電源
端子間の電圧を分圧する分圧手段によつて形成さ
れた互いに異なるレベルの基準電圧がそれぞれ印
加されているとともに、上記各差動トランジスタ
対の他方のトランジスタのベース端子には共通の
信号が供給され、各差動トランジスタ対のいずれ
か一方のトランジスタのコレクタ端子からそれぞ
れ取り出された電圧に基づく信号がデコーダに供
給されてデコードされることにより動作切換え制
御信号を発生するように構成されてなることを特
徴とする動作切換え回路。 2 上記電流規制手段は抵抗素子であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の動作切換え
回路。
[Claims] 1. A pair of NPN differential transistors and a pair of PNP differential transistors are connected to a first power supply terminal and a second power supply such that their common emitter terminals are connected to each other via a common current regulating means. terminals, and the base terminal of one transistor of each differential transistor pair is connected to the base terminal of each differential transistor pair, which is connected in series between the first and second power supply terminals. Reference voltages of different levels are applied respectively, and a common signal is supplied to the base terminal of the other transistor of each differential transistor pair, and a common signal is supplied from the collector terminal of one of the transistors of each differential transistor pair. An operation switching circuit characterized in that it is configured to generate an operation switching control signal by supplying a signal based on each extracted voltage to a decoder and decoding it. 2. The operation switching circuit according to claim 1, wherein the current regulating means is a resistive element.
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