JPH0478181A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0478181A JPH0478181A JP19050190A JP19050190A JPH0478181A JP H0478181 A JPH0478181 A JP H0478181A JP 19050190 A JP19050190 A JP 19050190A JP 19050190 A JP19050190 A JP 19050190A JP H0478181 A JPH0478181 A JP H0478181A
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- Japan
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- solid
- state laser
- light
- output
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、励起光源としての半導体レーザ光を高効率で
光結合し固体レーザ素子を光励起する半導体レーザに励
起される固体レーザ装置に関するものである。
光結合し固体レーザ素子を光励起する半導体レーザに励
起される固体レーザ装置に関するものである。
[従来の技術]
半導体レーザを励起光源として用いた固体レー゛ザは、
高効率、長寿命、小型化が図れることから、注目を集め
ている。とりわけ、固体レーザの光軸方向から光励起す
る端面励起方式では、固体レーザの発振モードに半導体
レーザ光による励起空間をうまくマツチングさせること
により、高効率で単一基本横モード発振を実現すること
かできる。しかし、半導体レーザはビーム発散角が大き
いため、集光系を半導体レーザに接近して集光する必要
かあり、この半導体レーザ出射光の集光は容易ではなか
った。
高効率、長寿命、小型化が図れることから、注目を集め
ている。とりわけ、固体レーザの光軸方向から光励起す
る端面励起方式では、固体レーザの発振モードに半導体
レーザ光による励起空間をうまくマツチングさせること
により、高効率で単一基本横モード発振を実現すること
かできる。しかし、半導体レーザはビーム発散角が大き
いため、集光系を半導体レーザに接近して集光する必要
かあり、この半導体レーザ出射光の集光は容易ではなか
った。
この半導体レーザな励起光源として用いた固体レーザの
光結合器として、中心軸からの距離に応じて屈折率が変
化する円柱状の光学ガラス体である分布屈折率レンズを
用いると、集光レンズ系を小さくまとめることかできる
(例えば、特開昭58−52889号、特開昭60−2
5444号参照)。
光結合器として、中心軸からの距離に応じて屈折率が変
化する円柱状の光学ガラス体である分布屈折率レンズを
用いると、集光レンズ系を小さくまとめることかできる
(例えば、特開昭58−52889号、特開昭60−2
5444号参照)。
[発明か解決しようとする課M]
発散角か大きい半導体レーザ光を集光するには開口数か
大きいレンズか必要であり、また、出力を増大させるた
めには、1個1個ては出力に限界かある半導体レーザを
複数個用いて固体レーザ素子を励起することが必要であ
る。
大きいレンズか必要であり、また、出力を増大させるた
めには、1個1個ては出力に限界かある半導体レーザを
複数個用いて固体レーザ素子を励起することが必要であ
る。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされたものて、2個の
半導体レーザの出力光を集光して、固体レーザ素子の発
振モードにマツチングするようにシンプル且つコンパク
トて効率よく固体レーザ素子を光励起し、ビーム品質の
良いレーザ出力を生起せしめる固体レーザを2本用意し
、2本のレーザ発振光をビーム合成して出力を倍増させ
た固体レーザ装置を提供することを目的とする。
半導体レーザの出力光を集光して、固体レーザ素子の発
振モードにマツチングするようにシンプル且つコンパク
トて効率よく固体レーザ素子を光励起し、ビーム品質の
良いレーザ出力を生起せしめる固体レーザを2本用意し
、2本のレーザ発振光をビーム合成して出力を倍増させ
た固体レーザ装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するために、本発明の固体レーザ装置
は、4個の半導体レーザを2個の固体レーザ素子の励起
光源として用いた固体レーザ装置であって、2個の偏光
ビームズブ1ルツクを光結合器として用い5両偏光ど一
ムスプリツタの互いに直交する2つの受光軸上にそれぞ
れ分布屈折率レンズと前記各半導体レーザをそれぞれ配
して、これら各半導体レーザからのレーザ光をそれぞれ
集光するようになし、且つ、上記2個の偏光ビームスプ
リッタの出射軸上に分布屈折率レンズ、固体レーザ素子
およびブリュ−スター窓をそれぞれ配して2組の固体レ
ーザ系を構成し、さらに上記2組の固体レーザ系からの
発振光を第3の偏光ビームスプリッタを用いてビーム合
成している。
は、4個の半導体レーザを2個の固体レーザ素子の励起
光源として用いた固体レーザ装置であって、2個の偏光
ビームズブ1ルツクを光結合器として用い5両偏光ど一
ムスプリツタの互いに直交する2つの受光軸上にそれぞ
れ分布屈折率レンズと前記各半導体レーザをそれぞれ配
して、これら各半導体レーザからのレーザ光をそれぞれ
集光するようになし、且つ、上記2個の偏光ビームスプ
リッタの出射軸上に分布屈折率レンズ、固体レーザ素子
およびブリュ−スター窓をそれぞれ配して2組の固体レ
ーザ系を構成し、さらに上記2組の固体レーザ系からの
発振光を第3の偏光ビームスプリッタを用いてビーム合
成している。
[作用]
界面での光の斜め入射における反射および透過能か偏光
に依存することを利用すれば、互いに直角に直線偏光し
た241の半導体レーザ光を、偏光ビームスプリツタを
用いて、ビーム合成し、容易に励起光強度を倍増せしめ
ることかてきる。このとき半導体レーザ光の集光および
コリメータとしては、屈折率分布型レンズを用いる方か
有利である。
に依存することを利用すれば、互いに直角に直線偏光し
た241の半導体レーザ光を、偏光ビームスプリツタを
用いて、ビーム合成し、容易に励起光強度を倍増せしめ
ることかてきる。このとき半導体レーザ光の集光および
コリメータとしては、屈折率分布型レンズを用いる方か
有利である。
このようにして励起した固体レーザの共振器内にビリユ
ースター窓を配すれば固体レーザの発振光を直線偏光す
ることかてきる。2本の固体レーザ光を偏光ビームスプ
リッタを用いてビーム合成すれば、容易にレーザ光強度
を倍増せしめることがてきる。
ースター窓を配すれば固体レーザの発振光を直線偏光す
ることかてきる。2本の固体レーザ光を偏光ビームスプ
リッタを用いてビーム合成すれば、容易にレーザ光強度
を倍増せしめることがてきる。
[実施例]
以下1本発明の各実施例を図面に基づき説明する。
第1図は、411の半導体レーザ出力を集光して2個づ
つ合成し、2ft4の固体レーザ素子を各々励起し、固
体レーザの発振光をビーム合成するレーザ装置の構成を
示す概略図である。この第1図に示すごとく、固体レー
ザ素子7a、7bとしてNd :YAGレーザ素子を用
い、一方の端面をダイクロイックコーティング(Nd
: YAGレーザ発振波長1064n■で高反射(HR
)、半導体レーザ光波長808nsで高透過(AR)L
/、その面を励起面として、アウトプットミラー9a、
9bとて共振器を構成する。また、励起用の半導体レー
ザ2個からの出射光ビーム合成するために、半導体レー
ザ光か偏光していることを利用して、偏光ビームスプリ
ッタ5a、5bをビーム合成基として用い、矢印11a
、llb、◎印12a、12bて示すように第1の半導
体レーザIa、lbからの出射光は紙面に平行に偏光さ
せ、第2の半導体レーザ2a、2bからの発振光は紙面
に垂直に偏光させて、各々第1および第2の分布屈折率
レンズ3a、3b、4a、4bにより集光して偏光ビー
ムスプリッタ5a、5bによりビーム合成し、第3の分
布屈折レンズ6a、6bにより絞られたビームスポット
を固体レーザ素子7a、7b内に得るものである。
つ合成し、2ft4の固体レーザ素子を各々励起し、固
体レーザの発振光をビーム合成するレーザ装置の構成を
示す概略図である。この第1図に示すごとく、固体レー
ザ素子7a、7bとしてNd :YAGレーザ素子を用
い、一方の端面をダイクロイックコーティング(Nd
: YAGレーザ発振波長1064n■で高反射(HR
)、半導体レーザ光波長808nsで高透過(AR)L
/、その面を励起面として、アウトプットミラー9a、
9bとて共振器を構成する。また、励起用の半導体レー
ザ2個からの出射光ビーム合成するために、半導体レー
ザ光か偏光していることを利用して、偏光ビームスプリ
ッタ5a、5bをビーム合成基として用い、矢印11a
、llb、◎印12a、12bて示すように第1の半導
体レーザIa、lbからの出射光は紙面に平行に偏光さ
せ、第2の半導体レーザ2a、2bからの発振光は紙面
に垂直に偏光させて、各々第1および第2の分布屈折率
レンズ3a、3b、4a、4bにより集光して偏光ビー
ムスプリッタ5a、5bによりビーム合成し、第3の分
布屈折レンズ6a、6bにより絞られたビームスポット
を固体レーザ素子7a、7b内に得るものである。
こうして端面励起した2本の固体レーザの共振器内に、
ブリュースター窓8a、8bを配置し、アウトプットミ
ラー9a、9bからの出力光を矢印13a、13bて示
すように前者は紙面に平行に、後者は紙面に垂直に偏光
させ偏光ビームスプリッタlOを用いてビーム合成した
。このような固体レーザ装置に於て、4個の合計4Wの
半導体レーザ(波長808n*)出力でNd:YAGレ
ーザ基本波(波長1064n厘)出力1.2Wの高効率
・高出力発振か得られた。
ブリュースター窓8a、8bを配置し、アウトプットミ
ラー9a、9bからの出力光を矢印13a、13bて示
すように前者は紙面に平行に、後者は紙面に垂直に偏光
させ偏光ビームスプリッタlOを用いてビーム合成した
。このような固体レーザ装置に於て、4個の合計4Wの
半導体レーザ(波長808n*)出力でNd:YAGレ
ーザ基本波(波長1064n厘)出力1.2Wの高効率
・高出力発振か得られた。
また、第2図に示すように、第1図に示す構成図にさら
に集光レンズ14を追加して出力光を集光しファイバ1
5に導光した。ファイバ15からの出射光は、ビーム品
質か1本の固体レーザからの発振光をファイバに導光し
たものと同様のもので、しかも出力か1本の固体レーザ
に比し倍増したものか得られた。
に集光レンズ14を追加して出力光を集光しファイバ1
5に導光した。ファイバ15からの出射光は、ビーム品
質か1本の固体レーザからの発振光をファイバに導光し
たものと同様のもので、しかも出力か1本の固体レーザ
に比し倍増したものか得られた。
その他、第3図に示すように、第1図の変形としてレー
ザ共振器をそれぞれ平行に置き、一方の共振器からの発
振光を、ミラー16で直角に反射して偏光ビームスプリ
ッタ10でビーム合成した。
ザ共振器をそれぞれ平行に置き、一方の共振器からの発
振光を、ミラー16で直角に反射して偏光ビームスプリ
ッタ10でビーム合成した。
また、第4図に示すように、第3図に示す@成図にさら
に集光レンズ14を追加して出力光を集光しファイバ1
5に導光した。
に集光レンズ14を追加して出力光を集光しファイバ1
5に導光した。
さらに、また第5図に示すように、第3図のミラー16
を直角プリズムI7に交換して、ビーム合成した。
を直角プリズムI7に交換して、ビーム合成した。
また、第6図に示すように、第4図のミラー16を直角
プリズム17に交換して、ビーム合成した。
プリズム17に交換して、ビーム合成した。
[発明の効果]
以上説明したとおり、本発明は、光結合器としてかかる
構成をもつ半導体レーザ励起固体レーザは小型て効率が
高く、半導体レーザ[個励起系に比べ出力か4倍増した
高出力の固体レーザを実現できる。
構成をもつ半導体レーザ励起固体レーザは小型て効率が
高く、半導体レーザ[個励起系に比べ出力か4倍増した
高出力の固体レーザを実現できる。
第1図は本発明の一実施例て、4個の半導体レーザ出力
を集光して2個づつ合成し、2個の固体レーザ素子を各
々励起し固体レーザの発振光をビーム合成するレーザ装
置の構成を示す概略図、第2図は、第1図に示す構成図
にさらに集光レンズを追加して出力光を集光しファイバ
に同行する構成図、第3図は、第1図の変形として、レ
ーザ共振器を平行に置き、一方の共振器からの発振光を
ミラーで直角に反射して偏光ビームスプリッタでビーム
合成する構成図、第4図は、第3図に示す構成図にさら
にレンズを追加して出方光を集光しファイバに導光する
構成図、第5図は、第3図の代替としてミラーを直角プ
リズムに交換して、ビーム合成する構成図、Mg6図は
、第4図の代替としてミラーを直角プリズムに交換して
、ビーム合成する構成図である。 図中。 la、lb・半導体レーザ 2a、2b:半導体レーザ 3a、3b・分布屈折率レンズ 4a、4b:分布屈折率レンズ 5a、5b:偏光ビームスプリッタ 6a、6b二分布屈折率レンズ 7a、7b:固体レーザ素子 8a、8bニブリユースター窓 9a、9bニアウドプツトミラー 10:偏光ビームスプリッタ 11a、 Llb :半導体レーザの偏光方向+2a
、 12b :半導体レーザの偏光方向11a 、 1
3b :固体レーザの偏光方向14:集光レンズ 15:ファイバ I6:ミラー 夏7:直角プリズム
を集光して2個づつ合成し、2個の固体レーザ素子を各
々励起し固体レーザの発振光をビーム合成するレーザ装
置の構成を示す概略図、第2図は、第1図に示す構成図
にさらに集光レンズを追加して出力光を集光しファイバ
に同行する構成図、第3図は、第1図の変形として、レ
ーザ共振器を平行に置き、一方の共振器からの発振光を
ミラーで直角に反射して偏光ビームスプリッタでビーム
合成する構成図、第4図は、第3図に示す構成図にさら
にレンズを追加して出方光を集光しファイバに導光する
構成図、第5図は、第3図の代替としてミラーを直角プ
リズムに交換して、ビーム合成する構成図、Mg6図は
、第4図の代替としてミラーを直角プリズムに交換して
、ビーム合成する構成図である。 図中。 la、lb・半導体レーザ 2a、2b:半導体レーザ 3a、3b・分布屈折率レンズ 4a、4b:分布屈折率レンズ 5a、5b:偏光ビームスプリッタ 6a、6b二分布屈折率レンズ 7a、7b:固体レーザ素子 8a、8bニブリユースター窓 9a、9bニアウドプツトミラー 10:偏光ビームスプリッタ 11a、 Llb :半導体レーザの偏光方向+2a
、 12b :半導体レーザの偏光方向11a 、 1
3b :固体レーザの偏光方向14:集光レンズ 15:ファイバ I6:ミラー 夏7:直角プリズム
Claims (1)
- 4個の半導体レーザを2個の固体レーザ素子の励起光
源として用いた固体レーザ装置であって、2個の偏光ビ
ームスプリッタを光結合器として用い、両偏光ビームス
プリッタの互いに直交する2つの受光軸上にそれぞれ分
布屈折率ンズと前記各半導体レーザをそれぞれ配して、
これら各半導体レーザからのレーザ光をそれぞれ集光す
るようになし、且つ、上記2個の偏光ビームスプリッタ
の出射軸上に分布屈折率レンズ、固体レーザ素子および
ブリュウースター窓をそれぞれ配して2組の固体レーザ
系を構成し、さらに上記2組の固体レーザ系からの発振
光を第3の偏光ビームスプリッタを用いてビーム合成す
ることを特徴とする固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19050190A JPH0478181A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19050190A JPH0478181A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478181A true JPH0478181A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16259142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19050190A Pending JPH0478181A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0478181A (ja) |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19050190A patent/JPH0478181A/ja active Pending
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