JPH0478478A - 半導体製造装置およびその清浄化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ドライエツチング装置や化学気相成長（ＣＶＤ）装置等
の半導体製造装置の清浄化方法に関し。

処理中の発塵による装置内汚染を防止するために、短時
間に行え、かつ内壁に損傷を与えない半導体製造装置の
清浄化方法の提供を目的とし。

１）装置内壁に可撓性があり発塵が少なくかつ汚染のな
い物質からなる防塵フィルムを貼ることにより、装置内
に発生した微細粒子が直接装置内壁に堆積しないで該防
塵フィルム上に堆積するようにし、該防塵フィルムの交
換により装置内を清浄化するように構成する。

２）前記防塵フィルムがポリイミドからなるように構成
する。

３）装置内壁に可撓性があり発塵が少なくかつ汚染のな
い物質からなる防塵フィルムを有し、該防塵フィルムを
交換可能とした構成を有する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はドライエツチング装置や化学気相成長（ＣＶＤ
）装置等の半導体製造装置の清浄化方法に関する。

近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、半導体製造装
置からの発塵が問題になってきた。

装置の発塵源としては。

（１）装置を構成する部材からの発塵。

（２）処理中に発生するポリマ（反応重合物）による発
塵 等が挙げられる。

（１）の原因については、部材の高純度化により発塵は
かなり抑えられるようになった。

（２）の原因については、使用するプロセスによりポリ
マ等の発生は必然的に起こる。そのために。

定期的に装置内部を洗浄することが必要である。

本発明は処理中に発生する塵埃による装置の内壁汚染の
防止に利用できる。

［従来の技術］ 本発明では以後、半導体製造装置の例として処理中の発
塵の激しいドライエツチング装置を例にとって説明する
。

第２回は従来例を説明するドライエツチング装置の模式
断面図である。

図において、１はエツチング室、２は反応ガス導入口、
３は排気口、４，５は電極、６は高周波（ＲＦ）　＠源
である。

ドライエツチングにおいては、被エツチング膜と下地膜
との選択比を得るために、ポリマが発生するように反応
ガスを選んでいる。

例えば、被エツチング膜が二酸化シリコン（Ｓｉｎｇ）
膜で、下地膜がポリシリコン膜であれば。

反応ガスとしてＣＦ４　とＣＨＦ、を用い、ポリマの発
注を増やすためにＣＨＦ５の比率を増やすようにしてい
る。

この際、エツチング中に発生したポリマはエツチング室
の内壁に付着する。

ここで、ポリマは温度の低い所に吸着し堆積しやすい性
質を持つために、エツチング装置内を適当な温度に保つ
方法でポリマの堆積を防いでいるが、この方法では不十
分でありポリマはエツチング室内に堆積する。

一方、１ｉ極へのポリマの堆積はつぎのようである。

すなわち、一方の電極はウェハが搭載されているので基
本的にポリマは堆積しない、また、ウェハを搭載しない
他方の電極は交換することにより問題は解決できる。

そこで１問題となるのはエツチング室内に堆積したポリ
マである。

エツチング室は大きく、また、装置と一体構成になって
いる場合が多く、取り外して交換するわけにはいかない
。

そのために、装置内を有機溶剤で洗浄することになる。

しかしながら、エツチング中に付着したポリマは有機溶
剤だけでは完全に除去することが困難で、ヘラ等で物理
的な力を加えて除去する必要がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来技術の装置内洗浄の問題点として、っぎのことが挙
げられる。

（１〕　　有機溶剤による洗浄が困難で洗浄時間がかか
る。

（２）ヘラ等でポリマを削り取るため、剥離したポリマ
による２次汚染の発生、また、高純度処理されたエツチ
ング室内壁に傷がつき、微細粒発生や汚染の原因となる
。

本発明は処理中の発塵による装置内汚染を防止するため
に、短時間に行え、かつ内壁に損傷を与えない半導体製
造装置の清浄化方法の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題の解決は、装置内壁に可撓性があり発塵が少な
くかつ汚染のない物質からなる防塵フィルムを貼ること
により、装置内に発生した微細粒子（ポリマ等）が直接
装置内壁に堆積しないで該防塵フィルム上に堆積するよ
うにし、該防塵フィルムの交換により装置内を清浄化す
る半導体製造装置の清浄化方法、あるいは装置内壁に可
撓性があり発塵が少なくかつ汚染のない物質からなる防
塵フィルムを有し、該防塵フィルムを交換可能とした半
導体製造装置により達成される。

さらに、前記防塵フィルムがポリイミドからなる場合は
特に効果がある。

［作用〕 従来例の問題点は取り外しができない装置内壁に直接ポ
リマが堆積することで発生しているので。

装置内壁に直接ポリマが堆積しないようにすればよい。

本発明は、装置内壁に発塵が少なく汚染のない物質から
なる防塵フィルムを貼ることにより、装置内に発生した
ポリマが直接装置内壁に堆積しないで、フィルム上に堆
積するようにして、フィルムの交換により装置内を清浄
化するようにしたものである。

発塵が少なく汚染のない物質からなるフィルムとして１
例えばポリイミドフィルムがある。

ポリイミドフィルムが適切である確認はつぎのようにし
て行った。

加熱されたウェハ上に貼られた温度測定用のテンプレー
トの上をポリイミドフィルムで遮蔽して。

テンプレートからの重金属汚染を防止するようにして実
験を重ね、この際、高温になったポリイミドフィルムか
らの汚染がないこと確認した。

したがって、ポリイミドフィルムを低温で使用する本発
明の場合はさらに問題のないことが期待できる。

また、防塵フィルムは可撓性があり、内壁への貼付や除
去が極めて容易である。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を説明するドライエツチング
装置の模式断面図である。

図において、１はエツチング室、２は反応ガス導入口、
、３は排気口、４，５は電極、６は高周波（１２Ｆ）電
源、７は防塵フィルムで、ポリイミドフィルムである。

エツチング室１には反応ガス導入口２と排気口３が設け
られ、エツチング室１の内壁には防塵フィルムとしてポ
リイミドフィルム７が貼られている。

なおエツチング室１内には電極４．５があり。

この間に高周波電源６により高周波電力が印加される。

エツチング処理に伴い発生したポリマは、！極や内壁に
貼られたポリイミドフィルムに付着堆積する。

エツチング装置の清浄化は、ポリマの付着した電極やポ
リイミドフィルムを交換することにより終了する。

実施例で使用したポリイミドフィルムは１片面接着荊付
きのＣＨＲＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製のものを用いた。

実施例では防塵フィルムとしてポリイミドフィルムを用
いたが、これの代わりに貼り替えが容易なその他の樹脂
フィルム、例えば、テフロンテープ（Ｓｅｏｔｃｈ社の
ＰＴＦＥ　ＦＩＬＭ　Ｔａｐｅを用いても本発明の要旨
は変わらない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、処理中の発塵によ
る装置内汚染を防止するために、短時間に行え、かつ内
壁に損傷を与えない半導体製造装置の清浄化方法が得ら
れた。

この結果、装置内の清浄化が非常に簡単となり。

清浄化により装置が停止する時間が短縮され、さらに、
汚染防止によりデバイスの製造歩留と震災性を向上させ
ることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するドライエツチング
装置の模式断面図。 第２図は従来例を説明するドライエツチング装置の模式
断面図である。 図において。 １はエツチング室。 ２は反応ガス導入口。 ３は排気口。 ４．５は電極。 ６は高周波（計）電源。 ７は防塵フィルムでポリイ く ドフィルム 実施例の模式断面図 第　　１　　図 従来例の模式断面図 第　　２　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）装置内壁に可撓性があり発塵が少なくかつ汚染のな
   い物質からなる防塵フィルムを貼ることにより、装置内
   に発生した微細粒子が直接装置内壁に堆積しないで該防
   塵フィルム上に堆積するようにし、該防塵フィルムの交
   換により装置内を清浄化することを特徴とする半導体製
   造装置の清浄化方法。 ２）前記防塵フィルムがポリイミドからなることを特徴
   とする請求項１記載の半導体製造装置の清浄化方法。 ３）装置内壁に可撓性があり発塵が少なくかつ汚染のな
   い物質からなる防塵フィルムを有し、該防塵フィルムを
   交換可能とした半導体製造装置。