JPH07331445A - 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法 - Google Patents
処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法Info
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- JPH07331445A JPH07331445A JP14240994A JP14240994A JPH07331445A JP H07331445 A JPH07331445 A JP H07331445A JP 14240994 A JP14240994 A JP 14240994A JP 14240994 A JP14240994 A JP 14240994A JP H07331445 A JPH07331445 A JP H07331445A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理室内の特にシャワーヘッドや処理室の内
側面を容易にクリーニングできる手段を提供することに
より、ウェハのパーティクル汚染防止を図ると共に、装
置のダウンタイムを低減させて、稼働率の向上を図る。 【構成】 気密な処理室２内において、載置台２５上に
載置された被処理体Ｗをこの被処理体に対向配置された
シャワーヘッド６より導入した処理ガスを用いて処理す
る処理装置１であって、該シャワーヘッド６の外周部に
デポが付着するのを防止するためのカバー体６０を脱着
自在に装着する。
側面を容易にクリーニングできる手段を提供することに
より、ウェハのパーティクル汚染防止を図ると共に、装
置のダウンタイムを低減させて、稼働率の向上を図る。 【構成】 気密な処理室２内において、載置台２５上に
載置された被処理体Ｗをこの被処理体に対向配置された
シャワーヘッド６より導入した処理ガスを用いて処理す
る処理装置１であって、該シャワーヘッド６の外周部に
デポが付着するのを防止するためのカバー体６０を脱着
自在に装着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は処理装置に関し、特に半
導体ウェハなどの被処理体を加熱して、処理室内に処理
ガスを導入することにより被処理体を処理する、熱ＣＶ
Ｄ装置やプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
導体ウェハなどの被処理体を加熱して、処理室内に処理
ガスを導入することにより被処理体を処理する、熱ＣＶ
Ｄ装置やプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、処理室内において、加熱源を
備える載置台が設置され、その上方には処理ガスを噴出
するシャワーヘッドが配設された処理装置が公知であ
る。かかる処理装置にあっては、処理室に隣接するロー
ドロック室等より被処理体が搬入され、処理室内の載置
台上に該被処理体が載置される。そして、載置台に内蔵
された加熱源により被処理体が加熱されると共に、シャ
ワーヘッドを介して処理室内に処理ガスが導入されるこ
とにより、被処理体に膜形成処理、エッチング処理、ア
ッシング処理などのさまざまな加工が施される。
備える載置台が設置され、その上方には処理ガスを噴出
するシャワーヘッドが配設された処理装置が公知であ
る。かかる処理装置にあっては、処理室に隣接するロー
ドロック室等より被処理体が搬入され、処理室内の載置
台上に該被処理体が載置される。そして、載置台に内蔵
された加熱源により被処理体が加熱されると共に、シャ
ワーヘッドを介して処理室内に処理ガスが導入されるこ
とにより、被処理体に膜形成処理、エッチング処理、ア
ッシング処理などのさまざまな加工が施される。
【０００３】ところが、以上のような処理装置にあって
は、被処理体の処理を行ういわゆるプロセス時に、シャ
ワーヘッドや処理室の天井面、処理室の内側面などとい
った被処理体以外の箇所にも成膜やエッチングの副生成
物としてのデポが付着するといった問題がある。こうし
て生成されたデポはパーティクルとなって処理室内を飛
散し、被処理体にコンタミネーションとして付着して、
被処理体の膜質や均一性の劣化といった弊害を引き起こ
す。
は、被処理体の処理を行ういわゆるプロセス時に、シャ
ワーヘッドや処理室の天井面、処理室の内側面などとい
った被処理体以外の箇所にも成膜やエッチングの副生成
物としてのデポが付着するといった問題がある。こうし
て生成されたデポはパーティクルとなって処理室内を飛
散し、被処理体にコンタミネーションとして付着して、
被処理体の膜質や均一性の劣化といった弊害を引き起こ
す。
【０００４】そこで従来、かかるデポを取り除くため
に、定期的に処理室を開けてシャワーヘッドを取り外
し、その洗浄を行っていた。また一方、定期的に処理室
内にＣlＦ3、ＮＦ3等のクリーニングガスを導入して処
理室内のデポをクリーニングする方法も採られていた。
に、定期的に処理室を開けてシャワーヘッドを取り外
し、その洗浄を行っていた。また一方、定期的に処理室
内にＣlＦ3、ＮＦ3等のクリーニングガスを導入して処
理室内のデポをクリーニングする方法も採られていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、洗浄するたび
にいちいちシャワーヘッドを取り外すのは非常に面倒で
あり、クリーニングに長時間を要する。従って、従来の
処理装置はデポのクリーニングに手間と時間を要するた
めに、処理装置を稼働できないダウンタイムが長く、稼
働率が低く、ＣＯＯ（Cost of ownership）が良くな
い。
にいちいちシャワーヘッドを取り外すのは非常に面倒で
あり、クリーニングに長時間を要する。従って、従来の
処理装置はデポのクリーニングに手間と時間を要するた
めに、処理装置を稼働できないダウンタイムが長く、稼
働率が低く、ＣＯＯ（Cost of ownership）が良くな
い。
【０００６】一方、クリーニングガスを用いてデポを取
り除く方法は、処理室内においてクリーニングガスが流
れやすいところとそうでないところが存在するために均
一なクリーニングができ難く、万全な方法ではでない。
また、ＣlＦ3やＮＦ3などのクリーニングガスは高価で
あり、しかも、それらは危険なガスゆえにクリーニング
後のガスを処理する特別な装置が必要となり、コストが
高くなるといった問題もある。そして、ＮＦ3を用いて
クリーニングする場合は処理室内においてプラズマを生
成させなければクリーニングに長時間を要してしまう。
他方、ＣlＦ3を用いてクリーニングする場合はプラズマ
を生成する必要はないが、その代わりにシャワーヘッド
や処理室の内面といった必要のない部分までがエッチン
グされ、装置がダメージを受けるといった問題を生ず
る。特に、石英製の透明な処理室にあっては、そのよう
なガスクリーニングを長時間行うと、透明性が失われる
いわゆる失透といった現象を生じ、処理室を連続的に使
用できなくなるといった心配もある。また、アルミ製の
処理室にあっては、アルミとＣlＦ3が反応することによ
って生成されたＡlＦ3（フッ化アルミ）が約６００℃で
昇華し、それらが再びパーティクルとなってコンタミネ
ーションの要因になるため、クリーニングの用をなさな
い場合がある。
り除く方法は、処理室内においてクリーニングガスが流
れやすいところとそうでないところが存在するために均
一なクリーニングができ難く、万全な方法ではでない。
また、ＣlＦ3やＮＦ3などのクリーニングガスは高価で
あり、しかも、それらは危険なガスゆえにクリーニング
後のガスを処理する特別な装置が必要となり、コストが
高くなるといった問題もある。そして、ＮＦ3を用いて
クリーニングする場合は処理室内においてプラズマを生
成させなければクリーニングに長時間を要してしまう。
他方、ＣlＦ3を用いてクリーニングする場合はプラズマ
を生成する必要はないが、その代わりにシャワーヘッド
や処理室の内面といった必要のない部分までがエッチン
グされ、装置がダメージを受けるといった問題を生ず
る。特に、石英製の透明な処理室にあっては、そのよう
なガスクリーニングを長時間行うと、透明性が失われる
いわゆる失透といった現象を生じ、処理室を連続的に使
用できなくなるといった心配もある。また、アルミ製の
処理室にあっては、アルミとＣlＦ3が反応することによ
って生成されたＡlＦ3（フッ化アルミ）が約６００℃で
昇華し、それらが再びパーティクルとなってコンタミネ
ーションの要因になるため、クリーニングの用をなさな
い場合がある。
【０００７】従って、本発明は処理室内の特にシャワー
ヘッドや処理室の内側面を容易にクリーニングできる手
段を提供することにより、ウェハのパーティクル汚染防
止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼
働率の向上を図ることを目的とする。
ヘッドや処理室の内側面を容易にクリーニングできる手
段を提供することにより、ウェハのパーティクル汚染防
止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼
働率の向上を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、気密な
処理室内において、載置台上に載置された被処理体をこ
の被処理体に対向配置されたシャワーヘッドより導入し
た処理ガスを用いて処理するものであって、該シャワー
ヘッドの外周部にデポが付着するのを防止するためのカ
バー体を脱着自在に装着したことを特徴とする処理装置
が提供される。
処理室内において、載置台上に載置された被処理体をこ
の被処理体に対向配置されたシャワーヘッドより導入し
た処理ガスを用いて処理するものであって、該シャワー
ヘッドの外周部にデポが付着するのを防止するためのカ
バー体を脱着自在に装着したことを特徴とする処理装置
が提供される。
【０００９】この処理装置は、更に以下の特徴を備えて
いる。 ・上記シャワーヘッドの外側面に凹部または凸部を形成
すると共に、上記カバー体の内側面に凸部または凹部を
形成し、それら凹凸部の係合によってシャワーヘッドに
カバー体を脱着自在にできるように構成する。 ・上記シャワーヘッドの外側面に凹部を形成し、上記カ
バー体の外側から螺入した螺子の先端を該凹部に係合さ
せることによってシャワーヘッドにカバー体を脱着自在
にできるように構成する。 ・上記カバー体の底面には、上記シャワーヘッド底面に
穿設された複数のガス噴出口を処理室内に露出させるた
めの開口部が形成されている。 ・上記カバー体の底面には、上記シャワーヘッド底面に
穿設された複数のガス噴出口と対応した複数の開口部が
形成されている。 ・上記カバー体によって処理室の天井面も覆うように構
成する。
いる。 ・上記シャワーヘッドの外側面に凹部または凸部を形成
すると共に、上記カバー体の内側面に凸部または凹部を
形成し、それら凹凸部の係合によってシャワーヘッドに
カバー体を脱着自在にできるように構成する。 ・上記シャワーヘッドの外側面に凹部を形成し、上記カ
バー体の外側から螺入した螺子の先端を該凹部に係合さ
せることによってシャワーヘッドにカバー体を脱着自在
にできるように構成する。 ・上記カバー体の底面には、上記シャワーヘッド底面に
穿設された複数のガス噴出口を処理室内に露出させるた
めの開口部が形成されている。 ・上記カバー体の底面には、上記シャワーヘッド底面に
穿設された複数のガス噴出口と対応した複数の開口部が
形成されている。 ・上記カバー体によって処理室の天井面も覆うように構
成する。
【００１０】また、本発明によれば、以上の処理装置に
用いられるカバー体の洗浄方法として次の方法が提供さ
れる。 ・上記カバー体を処理装置のシャワーヘッドに装着した
ままの状態でで、処理室内にＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、
ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを流入してドライクリ
ーニングする洗浄方法。 ・処理装置のシャワーヘッドから取り外したカバー体を
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、水、希フッ酸等の
クリーニング液を用いてウェットクリーニングする洗浄
方法。
用いられるカバー体の洗浄方法として次の方法が提供さ
れる。 ・上記カバー体を処理装置のシャワーヘッドに装着した
ままの状態でで、処理室内にＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、
ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを流入してドライクリ
ーニングする洗浄方法。 ・処理装置のシャワーヘッドから取り外したカバー体を
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、水、希フッ酸等の
クリーニング液を用いてウェットクリーニングする洗浄
方法。
【００１１】そして、これら洗浄方法において、カバー
体をクリーニングする時期は、例えば、次のように決定
される。 ・処理される前の被処理体と処理装置において処理され
た被処理体のそれぞれについてパーティクルの付着個数
を計数し、それら付着個数の差分が所定数以上となった
ときに上記カバー体のクリーニングを行う。 ・処理室内から排気される雰囲気中に飛散しているパー
ティクルの個数を計数し、パーティクルの個数が所定数
以上となったときに上記カバー体のクリーニングを行
う。 ・処理装置によって所定数の被処理体を処理したときに
上記カバー体のクリーニングを行う。
体をクリーニングする時期は、例えば、次のように決定
される。 ・処理される前の被処理体と処理装置において処理され
た被処理体のそれぞれについてパーティクルの付着個数
を計数し、それら付着個数の差分が所定数以上となった
ときに上記カバー体のクリーニングを行う。 ・処理室内から排気される雰囲気中に飛散しているパー
ティクルの個数を計数し、パーティクルの個数が所定数
以上となったときに上記カバー体のクリーニングを行
う。 ・処理装置によって所定数の被処理体を処理したときに
上記カバー体のクリーニングを行う。
【００１２】
【作用】本発明の処理装置にあっては、処理室内におい
て被処理体に処理を行うことにより発生したデポを、シ
ャワーヘッドの周囲に装着されたカバー体や処理室の内
側面に装着した内側面用カバー体に付着させ、シャワー
ヘッドの周囲や処理室の内側面に直接デポが付着するの
を防止する。このことにより、シャワーヘッドの周囲な
どに付着したデポが膜剥がれ等によってほこり、ごみ、
パーティクルの発生原因となって次の成膜、エッチング
等の処理を行う被処理体が汚染されることを防止し、製
品の歩留まりを向上させることができる。
て被処理体に処理を行うことにより発生したデポを、シ
ャワーヘッドの周囲に装着されたカバー体や処理室の内
側面に装着した内側面用カバー体に付着させ、シャワー
ヘッドの周囲や処理室の内側面に直接デポが付着するの
を防止する。このことにより、シャワーヘッドの周囲な
どに付着したデポが膜剥がれ等によってほこり、ごみ、
パーティクルの発生原因となって次の成膜、エッチング
等の処理を行う被処理体が汚染されることを防止し、製
品の歩留まりを向上させることができる。
【００１３】こうしてデポを付着させたカバー体や内側
面用カバー体は、処理室内にＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、
ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを流入させることによ
ってドライクリーニングするか、処理室内から定期的に
取り外して、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、水、
希フッ酸等のクリーニング液を用いてウェットクリーニ
ングすることができる。なお、ウェットクリーニングし
たカバー体は、再び処理室内に装着し、再利用すること
ができる。また、ＣlＦ3ガスはＮ2ガスにより希釈して
プラズマレスでクリーニングを実施することができ、好
都合である。なお、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガスをクリーニン
グガスに用いた場合は電極に高周波電圧を印加してプラ
ズマを生起させることにより、クリーニングを行うこと
ができる。
面用カバー体は、処理室内にＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、
ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを流入させることによ
ってドライクリーニングするか、処理室内から定期的に
取り外して、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、水、
希フッ酸等のクリーニング液を用いてウェットクリーニ
ングすることができる。なお、ウェットクリーニングし
たカバー体は、再び処理室内に装着し、再利用すること
ができる。また、ＣlＦ3ガスはＮ2ガスにより希釈して
プラズマレスでクリーニングを実施することができ、好
都合である。なお、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガスをクリーニン
グガスに用いた場合は電極に高周波電圧を印加してプラ
ズマを生起させることにより、クリーニングを行うこと
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例をＣＶＤ装置に基づい
て説明すると、図１は実施例にかかる枚葉式のＣＶＤ装
置１の断面を模式的に示しており、このＣＶＤ装置１
は、所定の減圧雰囲気にまで真空引き自在な略円筒状の
処理室２を有している。
て説明すると、図１は実施例にかかる枚葉式のＣＶＤ装
置１の断面を模式的に示しており、このＣＶＤ装置１
は、所定の減圧雰囲気にまで真空引き自在な略円筒状の
処理室２を有している。
【００１５】処理室２の天井面３は、ヒンジ部５を介し
て上方に開放自在に構成される。この天井面３の中央に
は、中空の円筒形状からなるシャワーヘッド６が気密に
設けられる。該シャワーヘッド６の上部に処理ガス供給
管７が接続され、処理ガス源８より流量制御器（ＭＦ
Ｃ）１０を介してたとえばＳiＨ4（シラン）＋Ｈ2の混
合ガスなどの処理ガスがシャワーヘッド６に導入され
る。シャワーヘッド６の下面、即ち後述の載置台２５と
の対向面には、ガス噴出口１１が複数穿設されており、
前記処理ガス導入管７からシャワーヘッド６内に導入さ
れた処理ガスは、これらガス噴出口１１を通じて、処理
室２内の載置台２５に向けて均等に噴き出される。
て上方に開放自在に構成される。この天井面３の中央に
は、中空の円筒形状からなるシャワーヘッド６が気密に
設けられる。該シャワーヘッド６の上部に処理ガス供給
管７が接続され、処理ガス源８より流量制御器（ＭＦ
Ｃ）１０を介してたとえばＳiＨ4（シラン）＋Ｈ2の混
合ガスなどの処理ガスがシャワーヘッド６に導入され
る。シャワーヘッド６の下面、即ち後述の載置台２５と
の対向面には、ガス噴出口１１が複数穿設されており、
前記処理ガス導入管７からシャワーヘッド６内に導入さ
れた処理ガスは、これらガス噴出口１１を通じて、処理
室２内の載置台２５に向けて均等に噴き出される。
【００１６】他方、処理室２の底部近傍には、真空ポン
プなどの排気手段１５に通ずる排気管１６が設けられ、
該排気管１６の途中に処理室２内から排気される雰囲気
中に飛散しているパーティクルの個数を計数する例えば
レーザカウンタなどからなるパーティクルカウンタ１７
が設けられる。この排気手段１５の稼働により、処理室
２は、所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Torrに設定、維
持が可能なように構成されている。
プなどの排気手段１５に通ずる排気管１６が設けられ、
該排気管１６の途中に処理室２内から排気される雰囲気
中に飛散しているパーティクルの個数を計数する例えば
レーザカウンタなどからなるパーティクルカウンタ１７
が設けられる。この排気手段１５の稼働により、処理室
２は、所定の減圧雰囲気、例えば１０-6Torrに設定、維
持が可能なように構成されている。
【００１７】処理室２の底部は、略円筒状の支持体２０
によって支持された底板２１によって構成され、さらに
この底板２１の内部には冷却水溜２２が設けられてお
り、冷却水パイプ２３によって供給される冷却水が、こ
の冷却水溜２２内を循環するように構成されている。
によって支持された底板２１によって構成され、さらに
この底板２１の内部には冷却水溜２２が設けられてお
り、冷却水パイプ２３によって供給される冷却水が、こ
の冷却水溜２２内を循環するように構成されている。
【００１８】載置台２５は上記底板２１の上面にヒータ
２６を介して設けられ、さらにこれらヒータ２６及び載
置台２５の周囲は、断熱壁２７によって囲まれている。
載置台２５の上には例えば半導体ウェハなどの被処理体
Ｗが載置される。断熱壁２７は、その表面が鏡面仕上げ
されて周囲からの放射熱を反射し、断熱を図るように構
成されている。ヒータ２６は絶縁体の中に略帯状の発熱
体を所定のパターン、例えば渦巻き状に埋設した構成か
らなり、処理室２外部に設置された図示しない交流電源
から印加される電圧により所定の温度、例えば４００℃
〜２０００℃まで発熱して、載置台２５上に載置された
被処理体Ｗを所定の温度、例えば８００℃に維持するこ
とが可能である。
２６を介して設けられ、さらにこれらヒータ２６及び載
置台２５の周囲は、断熱壁２７によって囲まれている。
載置台２５の上には例えば半導体ウェハなどの被処理体
Ｗが載置される。断熱壁２７は、その表面が鏡面仕上げ
されて周囲からの放射熱を反射し、断熱を図るように構
成されている。ヒータ２６は絶縁体の中に略帯状の発熱
体を所定のパターン、例えば渦巻き状に埋設した構成か
らなり、処理室２外部に設置された図示しない交流電源
から印加される電圧により所定の温度、例えば４００℃
〜２０００℃まで発熱して、載置台２５上に載置された
被処理体Ｗを所定の温度、例えば８００℃に維持するこ
とが可能である。
【００１９】載置台２５の上面には、被処理体Ｗを吸
着、保持するための静電チャック３０が設けられてい
る。この静電チャック３０は、被処理体Ｗを載置保持す
る面としてポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料からな
る２枚のフィルム３１、３２間に銅箔などの導電膜３３
を挟持した静電チャックシートより構成されており、そ
の導電膜３３には、図示しない可変直流電圧源が接続さ
れている。このように、導電膜３３に高電圧を印加する
ことにより、静電チャック３０の上側フィルム３１の上
面に被処理体Ｗをクーロン力により吸着保持し得るよう
に構成されている。
着、保持するための静電チャック３０が設けられてい
る。この静電チャック３０は、被処理体Ｗを載置保持す
る面としてポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料からな
る２枚のフィルム３１、３２間に銅箔などの導電膜３３
を挟持した静電チャックシートより構成されており、そ
の導電膜３３には、図示しない可変直流電圧源が接続さ
れている。このように、導電膜３３に高電圧を印加する
ことにより、静電チャック３０の上側フィルム３１の上
面に被処理体Ｗをクーロン力により吸着保持し得るよう
に構成されている。
【００２０】以上のようにして構成された載置台２５に
は、その中心部に底板２１を貫通する伝熱媒体供給管３
５が嵌入し、更にこの伝熱媒体供給管３５の先端に接続
された流路３６を介して供給された例えばＨeガスなど
の伝熱媒体が、静電チャック３０の載置面に載置された
被処理体Ｗの裏面に供給されるように構成されている。
は、その中心部に底板２１を貫通する伝熱媒体供給管３
５が嵌入し、更にこの伝熱媒体供給管３５の先端に接続
された流路３６を介して供給された例えばＨeガスなど
の伝熱媒体が、静電チャック３０の載置面に載置された
被処理体Ｗの裏面に供給されるように構成されている。
【００２１】また載置台２５中には、温度センサ３７の
検知部３８が位置しており、載置台２５内部の温度を逐
次検出するように構成されている。そしてこの温度セン
サ３７からの信号に基づいて、上記ヒータ２６に給電さ
れる交流電源のパワー等を制御することにより、載置台
２５の載置面を所望の温度にコントロールできるように
構成されている。
検知部３８が位置しており、載置台２５内部の温度を逐
次検出するように構成されている。そしてこの温度セン
サ３７からの信号に基づいて、上記ヒータ２６に給電さ
れる交流電源のパワー等を制御することにより、載置台
２５の載置面を所望の温度にコントロールできるように
構成されている。
【００２２】また、断熱壁２７の側面外周と、底板２１
の側面外周、及び支持体２０の側面外周と、処理室２の
側壁４０内周とによって創出される略環状の空間内に
は、前記載置台２５の載置面に載置される被処理体Ｗ
を、リフトアップ−リフトダウンさせるためのリフター
４１が設けられている。
の側面外周、及び支持体２０の側面外周と、処理室２の
側壁４０内周とによって創出される略環状の空間内に
は、前記載置台２５の載置面に載置される被処理体Ｗ
を、リフトアップ−リフトダウンさせるためのリフター
４１が設けられている。
【００２３】このリフター４１の上部は、円盤状に形成
された被処理体Ｗの周縁の曲率に適合した一対の半環状
の載置部材４２、４３及び当該各載置部材４２、４３の
下面に垂直に設けられている支持柱４４、４５とによっ
て構成され、被処理体Ｗは、これら各載置部材４２、４
３の内周周縁部に設けられた適宜の係止部上に載置され
る。一方前記リフター４１の下部構成は、図１に示した
ように、前記各支持柱４４、４５の下端部が、前出断熱
壁１２の側面外周等によって創出される前出略環状の空
間内の底部を気密に閉塞している環状の支持板４６を上
下動自在に貫通して、モータなどの昇降駆動機構（図示
せず）に接続されており、当該昇降駆動機構の作動によ
って、図１に示した往復矢印のように上下動する如く構
成されている。また処理室２内における上記支持板４６
と上記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベロー
ズ４７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、
４８によって、前記処理室２内の気密性は確保されてい
る。
された被処理体Ｗの周縁の曲率に適合した一対の半環状
の載置部材４２、４３及び当該各載置部材４２、４３の
下面に垂直に設けられている支持柱４４、４５とによっ
て構成され、被処理体Ｗは、これら各載置部材４２、４
３の内周周縁部に設けられた適宜の係止部上に載置され
る。一方前記リフター４１の下部構成は、図１に示した
ように、前記各支持柱４４、４５の下端部が、前出断熱
壁１２の側面外周等によって創出される前出略環状の空
間内の底部を気密に閉塞している環状の支持板４６を上
下動自在に貫通して、モータなどの昇降駆動機構（図示
せず）に接続されており、当該昇降駆動機構の作動によ
って、図１に示した往復矢印のように上下動する如く構
成されている。また処理室２内における上記支持板４６
と上記支持柱４４、４５との貫通箇所には、夫々ベロー
ズ４７、４８が介在しており、これら各ベローズ４７、
４８によって、前記処理室２内の気密性は確保されてい
る。
【００２４】以上のように構成されている処理室２の外
方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成されたロ
ードロック室５２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管５３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Torrに設定、維持が可能なように構成
されている。
方には、ゲートバルブ５１を介して気密に構成されたロ
ードロック室５２が設けられており、その底部に設けら
れた排気管５３から真空引きされて、このこのロードロ
ック室５２内も、前記処理室２と同様、所定の減圧雰囲
気、例えば１０-6Torrに設定、維持が可能なように構成
されている。
【００２５】そしてこのロードロック室５２の内部に
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、前記処理室２内の
載置台２５との間で被処理体Ｗを搬送させる搬送アーム
５４を備えた搬送装置５５が設けられている。
は、やはりゲートバルブを介して隣接しているカセット
収納室（図示せず）内のカセットと、前記処理室２内の
載置台２５との間で被処理体Ｗを搬送させる搬送アーム
５４を備えた搬送装置５５が設けられている。
【００２６】かくして、以上のように構成させるＣＶＤ
装置１のシャワーヘッド６の周囲には、本発明の特徴と
するカバー体６０が脱着自在に装着されている。このカ
バー体６０は、例えばＰＴＦＥ系（テフロン系）材料、
ＰＦＡ、ポリイミド、ＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾー
ル）、ポリベンゾアズール等の絶縁性と耐熱性を備えた
材料で構成される。例えばプラズマＣＶＤの場合は載置
台２５はプロセス時に３５０〜４００℃程度に加熱さ
れ、また、熱ＣＶＤ装置の場合は通常は６５０℃以上、
８００℃程度にまで加熱されることとなるので、カバー
体６０はその輻射熱に耐えられるような材料で構成す
る。
装置１のシャワーヘッド６の周囲には、本発明の特徴と
するカバー体６０が脱着自在に装着されている。このカ
バー体６０は、例えばＰＴＦＥ系（テフロン系）材料、
ＰＦＡ、ポリイミド、ＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾー
ル）、ポリベンゾアズール等の絶縁性と耐熱性を備えた
材料で構成される。例えばプラズマＣＶＤの場合は載置
台２５はプロセス時に３５０〜４００℃程度に加熱さ
れ、また、熱ＣＶＤ装置の場合は通常は６５０℃以上、
８００℃程度にまで加熱されることとなるので、カバー
体６０はその輻射熱に耐えられるような材料で構成す
る。
【００２７】実施例のカバー体６０は、シャワーヘッド
６の外形に一致するように、円板状の底面６１の周縁に
円筒状の側面６２を立設した構成になっている。図２
は、カバー体６０を斜め下方から見た状態を示す図面で
あり、図示の例では、カバー体６０の底面６１に大径の
開口部６３が形成され、シャワーヘッド６にカバー体６
０を装着した際に、シャワーヘッド６の底面に穿設され
た複数のガス噴出口１１がこの開口部６３を介して処理
室２内に露出するように構成されている。また、図３
は、シャワーヘッド６底面に穿設された多数のガス噴出
口１１と一致する多数の開口部６５を底面６１に形成し
たカバー体６０の実施例を示している。何れにしてもシ
ャワーヘッド６のガス噴出口１１から噴き出された処理
ガスが処理室２内に円滑に供給されるように構成するこ
とが望ましい。
６の外形に一致するように、円板状の底面６１の周縁に
円筒状の側面６２を立設した構成になっている。図２
は、カバー体６０を斜め下方から見た状態を示す図面で
あり、図示の例では、カバー体６０の底面６１に大径の
開口部６３が形成され、シャワーヘッド６にカバー体６
０を装着した際に、シャワーヘッド６の底面に穿設され
た複数のガス噴出口１１がこの開口部６３を介して処理
室２内に露出するように構成されている。また、図３
は、シャワーヘッド６底面に穿設された多数のガス噴出
口１１と一致する多数の開口部６５を底面６１に形成し
たカバー体６０の実施例を示している。何れにしてもシ
ャワーヘッド６のガス噴出口１１から噴き出された処理
ガスが処理室２内に円滑に供給されるように構成するこ
とが望ましい。
【００２８】かかるカバー体６０はシャワーヘッド６の
周囲に対して脱着自在に装着されており、具体的には例
えば次のような構成になっている。
周囲に対して脱着自在に装着されており、具体的には例
えば次のような構成になっている。
【００２９】図４は、シャワーヘッド６の外側面に凹部
７０を形成すると共に、カバー体６０の側面６２内側に
凸部７１を形成し、カバー体６０の側面６２の弾力を利
用してそれら凹凸部７０、７１を係合させることにより
シャワーヘッド６にカバー体６０を装着できるように構
成した実施例を示している。この場合、凸部７１は、例
えば図５に示すように、カバー体６０の側面６２内側に
１２０゜間隔で３箇所に形成するようにすれば、シャワ
ーヘッド６の周囲にカバー体６０をしっかりと装着でき
るようになる。なお、図４では、シャワーヘッド６側に
凹部７０を形成し、カバー体６０側に凸部７１を形成し
た例を示したが、その逆に、シャワーヘッド６の外側面
に凸部を形成し、カバー体６０の内側面に凹部を形成し
て、それらを係合させるようにしても良いことはもちろ
んである。
７０を形成すると共に、カバー体６０の側面６２内側に
凸部７１を形成し、カバー体６０の側面６２の弾力を利
用してそれら凹凸部７０、７１を係合させることにより
シャワーヘッド６にカバー体６０を装着できるように構
成した実施例を示している。この場合、凸部７１は、例
えば図５に示すように、カバー体６０の側面６２内側に
１２０゜間隔で３箇所に形成するようにすれば、シャワ
ーヘッド６の周囲にカバー体６０をしっかりと装着でき
るようになる。なお、図４では、シャワーヘッド６側に
凹部７０を形成し、カバー体６０側に凸部７１を形成し
た例を示したが、その逆に、シャワーヘッド６の外側面
に凸部を形成し、カバー体６０の内側面に凹部を形成し
て、それらを係合させるようにしても良いことはもちろ
んである。
【００３０】図６は、シャワーヘッド６の外側面に凹部
７３を形成し、カバー体６０の側面６２の外側から螺入
した螺子７５の先端を該凹部７３に係合させることによ
ってシャワーヘッド６にカバー体６０を装着できるよう
に構成した実施例を示している。この実施例のように螺
子７５を利用してカバー体６０を取り付けるように構成
すれば、シャワーヘッド６の外側面とカバー体６０の内
側面との間に多少の隙間があるような場合であっても、
カバー体６０をしっかりと装着できるようになる。
７３を形成し、カバー体６０の側面６２の外側から螺入
した螺子７５の先端を該凹部７３に係合させることによ
ってシャワーヘッド６にカバー体６０を装着できるよう
に構成した実施例を示している。この実施例のように螺
子７５を利用してカバー体６０を取り付けるように構成
すれば、シャワーヘッド６の外側面とカバー体６０の内
側面との間に多少の隙間があるような場合であっても、
カバー体６０をしっかりと装着できるようになる。
【００３１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置１は以
上のように構成されており、次にその動作を説明する
と、処理室２とロードロック室５２とが同一減圧雰囲気
になった時点で、ゲートバルブ５１が開放され、成膜処
理される被処理体Ｗは搬送装置５５の搬送アーム５４に
よって、処理室２内の載置台２５の上方にまで搬入され
る。
上のように構成されており、次にその動作を説明する
と、処理室２とロードロック室５２とが同一減圧雰囲気
になった時点で、ゲートバルブ５１が開放され、成膜処
理される被処理体Ｗは搬送装置５５の搬送アーム５４に
よって、処理室２内の載置台２５の上方にまで搬入され
る。
【００３２】このときリフター４１の各載置部材４２、
４３は上昇しており、被処理体Ｗは、これら各載置部材
４２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そし
て被処理体Ｗをそのようにして載置させた後、搬送アー
ム５４はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ
５１は閉鎖される。
４３は上昇しており、被処理体Ｗは、これら各載置部材
４２、４３の内周周縁部の係止部上に載置される。そし
て被処理体Ｗをそのようにして載置させた後、搬送アー
ム５４はロードロック室５２内に後退し、ゲートバルブ
５１は閉鎖される。
【００３３】その後、リフター４１の各載置部材４２、
４３は下降して、被処理体Ｗは載置台２５の静電チャッ
ク３０の載置面に載置され、図示しないの高圧直流電源
からの直流電圧を電極板３５に印加させることによっ
て、被処理体Ｗは、上記電圧印加の際に発生するクーロ
ン力によって当該載置面に吸着保持される。
４３は下降して、被処理体Ｗは載置台２５の静電チャッ
ク３０の載置面に載置され、図示しないの高圧直流電源
からの直流電圧を電極板３５に印加させることによっ
て、被処理体Ｗは、上記電圧印加の際に発生するクーロ
ン力によって当該載置面に吸着保持される。
【００３４】しかしてその後、図示しない交流電源から
の電力をヒータ２６の発熱体に供給して被処理体Ｗを所
定温度、例えば８００℃にまで加熱するとともに、処理
ガス導入管７から処理ガス、例えばＳiＨ4（シラン）＋
Ｈ2を処理室２内に導入すると、被処理体Ｗの成膜処理
が開始されるのである。
の電力をヒータ２６の発熱体に供給して被処理体Ｗを所
定温度、例えば８００℃にまで加熱するとともに、処理
ガス導入管７から処理ガス、例えばＳiＨ4（シラン）＋
Ｈ2を処理室２内に導入すると、被処理体Ｗの成膜処理
が開始されるのである。
【００３５】このようにして被処理体Ｗの表面に対して
成膜処理が行われると、処理室２内の部材、殊に載置台
２５からの輻射熱の影響を受けるシャワーヘッド６の周
面などといった被処理体Ｗ以外の箇所にも、反応生成物
が付着しデポが発生するが、そのデポは、シャワーヘッ
ド６の周囲に装着されたカバー体６０に付着し、シャワ
ーヘッド６の周面にはデポが直接付着しない。そして、
エッチング処理が終了すると、処理室２側面のゲートバ
ルブ５１が再び開き、ロードロック室５２の搬送機構５
５によって、処理済みの被処理体Ｗが処理室２内から搬
出される。また、搬送機構５５によって次の被処理体Ｗ
が載置台２５上に搬入される。搬入後、再びゲートバル
ブ５１を閉じ、同様の工程により、被処理体Ｗの成膜処
理が行われる。
成膜処理が行われると、処理室２内の部材、殊に載置台
２５からの輻射熱の影響を受けるシャワーヘッド６の周
面などといった被処理体Ｗ以外の箇所にも、反応生成物
が付着しデポが発生するが、そのデポは、シャワーヘッ
ド６の周囲に装着されたカバー体６０に付着し、シャワ
ーヘッド６の周面にはデポが直接付着しない。そして、
エッチング処理が終了すると、処理室２側面のゲートバ
ルブ５１が再び開き、ロードロック室５２の搬送機構５
５によって、処理済みの被処理体Ｗが処理室２内から搬
出される。また、搬送機構５５によって次の被処理体Ｗ
が載置台２５上に搬入される。搬入後、再びゲートバル
ブ５１を閉じ、同様の工程により、被処理体Ｗの成膜処
理が行われる。
【００３６】このようにして、ある処理量を行ってカバ
ー体６０に多量のデポが付着した場合は、これをそのま
ま放置すると処理室２内の汚染の原因となるので、所定
の処理回数毎に、処理室２内をクリーニングする必要が
ある。そこで、本発明にあっては以上のようにカバー体
６０に付着させたデポをドライクリーニングやウェット
クリーニングするように構成している。
ー体６０に多量のデポが付着した場合は、これをそのま
ま放置すると処理室２内の汚染の原因となるので、所定
の処理回数毎に、処理室２内をクリーニングする必要が
ある。そこで、本発明にあっては以上のようにカバー体
６０に付着させたデポをドライクリーニングやウェット
クリーニングするように構成している。
【００３７】ドライクリーニングはカバー体６０をシャ
ワーヘッド６に装着したままの状態で、処理室２内にＣ
lＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニングガス
を流入して行うことが可能である。この方法によれば、
処理室２の天井面３を開ける必要が無く、カバー体６０
を装着したまま洗浄を行うことができるので、クリーニ
ングの手間がかからず、簡単である。但し、ドライクリ
ーニングではカバー体６０に付着したデポを完全に除去
することは困難であり、万全な方法とはいいがたい。そ
こで、カバー体６０に付着したデポを完全に洗浄する場
合には、図７に示すように、処理室２の天井面３をヒン
ジ５を中心に回動させて処理室２内を開放し、デポが付
着したカバー体６０をシャワーヘッド６から取り外す。
そして、図８に示すように、そのカバー体６０を、容器
８０に充填されたＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、
水、フッ酸等のクリーニング液８１中に浸漬させること
によって、カバー体６０に付着したデポを洗い落とすの
が良い。
ワーヘッド６に装着したままの状態で、処理室２内にＣ
lＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニングガス
を流入して行うことが可能である。この方法によれば、
処理室２の天井面３を開ける必要が無く、カバー体６０
を装着したまま洗浄を行うことができるので、クリーニ
ングの手間がかからず、簡単である。但し、ドライクリ
ーニングではカバー体６０に付着したデポを完全に除去
することは困難であり、万全な方法とはいいがたい。そ
こで、カバー体６０に付着したデポを完全に洗浄する場
合には、図７に示すように、処理室２の天井面３をヒン
ジ５を中心に回動させて処理室２内を開放し、デポが付
着したカバー体６０をシャワーヘッド６から取り外す。
そして、図８に示すように、そのカバー体６０を、容器
８０に充填されたＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、
水、フッ酸等のクリーニング液８１中に浸漬させること
によって、カバー体６０に付着したデポを洗い落とすの
が良い。
【００３８】なお、以上のようなドライクリーニングや
ウェットクリーニングによってカバー体６０に付着した
デポを洗浄する時期は、例えば、次のように決定され
る。 ・処理室２内に搬入する処理される前の被処理体Ｗと、
処理室２から搬出された処理後の被処理体Ｗのそれぞれ
についてパーティクルの付着個数を計数し、それら付着
個数の差分が所定数以上となったときにカバー体６０の
クリーニングを行う。 ・処理室２から排気管１６を通って排気される室内雰囲
気中に飛散しているパーティクルの個数をパーティクル
カウンタ１７で計数し、排気中のパーティクルの個数が
所定の個数以上となったときにカバー体６０のクリーニ
ングを行う。 ・処理室２において所定数の被処理体Ｗを処理したとき
にカバー体６０のクリーニングを行う。
ウェットクリーニングによってカバー体６０に付着した
デポを洗浄する時期は、例えば、次のように決定され
る。 ・処理室２内に搬入する処理される前の被処理体Ｗと、
処理室２から搬出された処理後の被処理体Ｗのそれぞれ
についてパーティクルの付着個数を計数し、それら付着
個数の差分が所定数以上となったときにカバー体６０の
クリーニングを行う。 ・処理室２から排気管１６を通って排気される室内雰囲
気中に飛散しているパーティクルの個数をパーティクル
カウンタ１７で計数し、排気中のパーティクルの個数が
所定の個数以上となったときにカバー体６０のクリーニ
ングを行う。 ・処理室２において所定数の被処理体Ｗを処理したとき
にカバー体６０のクリーニングを行う。
【００３９】以上のようにして、ドライクリーニングや
ウェットクリーニングを行うことによりデポを適宜取り
除きつつ、処理を続行する。かくして、以上の工程を繰
り返すことにより、処理室２内において発生したデポを
脱着自在なカバー体６０に付着させることが可能とな
り、シャワーヘッド６にデポが直接付着するといった事
態を防止できるようになる。従って、以上に説明した実
施例のＣＶＤ装置１によれば、デポのクリーニングが著
しく容易になり、被処理体Ｗのパーティクル汚染防止を
図ると共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼働率
の向上を図ることが可能となる。
ウェットクリーニングを行うことによりデポを適宜取り
除きつつ、処理を続行する。かくして、以上の工程を繰
り返すことにより、処理室２内において発生したデポを
脱着自在なカバー体６０に付着させることが可能とな
り、シャワーヘッド６にデポが直接付着するといった事
態を防止できるようになる。従って、以上に説明した実
施例のＣＶＤ装置１によれば、デポのクリーニングが著
しく容易になり、被処理体Ｗのパーティクル汚染防止を
図ると共に、装置のダウンタイムを低減させて、稼働率
の向上を図ることが可能となる。
【００４０】そして、以上に説明した工程によって被処
理体Ｗの成膜処理を行うに際し、一つのシャワーヘッド
６に対して予め複数個のカバー体６０を用意しておけ
ば、一方のカバー体６０をクリーニングしている間に、
既にクリーニング済みの他のカバー体６０をシャワーヘ
ッド６に装着して成膜処理を行うようにすれば、処理装
置をほぼ連続的に稼働させることが可能となる。これに
より、装置のダウンタイムを著しく低減でき、更に稼働
率を向上できるようになる。
理体Ｗの成膜処理を行うに際し、一つのシャワーヘッド
６に対して予め複数個のカバー体６０を用意しておけ
ば、一方のカバー体６０をクリーニングしている間に、
既にクリーニング済みの他のカバー体６０をシャワーヘ
ッド６に装着して成膜処理を行うようにすれば、処理装
置をほぼ連続的に稼働させることが可能となる。これに
より、装置のダウンタイムを著しく低減でき、更に稼働
率を向上できるようになる。
【００４１】なお、カバー体６０に付着したデポを除去
するには、ドライクリーニングやウェットクリーニング
などの方法を適宜選択して利用できるが、ドライクリー
ニングはウェットクリーニングに比べて作業が簡単であ
るといった利点がある反面、洗浄がやや不完全である。
他方、ウェットクリーニングはドライクリーニングに比
べて洗浄面で優れるが、作業が比較的煩雑である。従っ
て、通常は処理室２を開けずにドライクリーニングによ
ってカバー体６０に付着したデポを簡単に除去してお
き、周期的に処理室２を開けてシャワーヘッド６からカ
バー体６０を取り外し、ウエットクリーニングを行って
カバー体６０に付着したデポを、完全に洗い落とすよう
にするのが良い。
するには、ドライクリーニングやウェットクリーニング
などの方法を適宜選択して利用できるが、ドライクリー
ニングはウェットクリーニングに比べて作業が簡単であ
るといった利点がある反面、洗浄がやや不完全である。
他方、ウェットクリーニングはドライクリーニングに比
べて洗浄面で優れるが、作業が比較的煩雑である。従っ
て、通常は処理室２を開けずにドライクリーニングによ
ってカバー体６０に付着したデポを簡単に除去してお
き、周期的に処理室２を開けてシャワーヘッド６からカ
バー体６０を取り外し、ウエットクリーニングを行って
カバー体６０に付着したデポを、完全に洗い落とすよう
にするのが良い。
【００４２】しかして、以上の実施例においては、カバ
ー体６０によってシャワーヘッド６の周囲のみを覆う例
について説明したが本発明はこれに限定されない。例え
ば、図９に示した実施例のように、シャワーヘッド６に
脱着自在に装着したカバー体８５によって処理室２の天
井面３も一緒に覆うように構成することも可能である。
この実施例のカバー体８５によれば、シャワーヘッド６
の周囲に限らず、処理室２の天井面３に対しても、デポ
が直接付着することを防止できるといった利点がある。
ー体６０によってシャワーヘッド６の周囲のみを覆う例
について説明したが本発明はこれに限定されない。例え
ば、図９に示した実施例のように、シャワーヘッド６に
脱着自在に装着したカバー体８５によって処理室２の天
井面３も一緒に覆うように構成することも可能である。
この実施例のカバー体８５によれば、シャワーヘッド６
の周囲に限らず、処理室２の天井面３に対しても、デポ
が直接付着することを防止できるといった利点がある。
【００４３】また、このようなカバー体８５に加え、図
１０に示すように、処理室２の内側面にデポが付着する
のを防止するための筒状の内側面用カバー体８６を装着
して、処理室２の内側面に対してもデポが直接付着しな
いような構成とすると更に効果的である。但し、このよ
うな内側面用カバー体８６を用いる場合は、図１に示し
たゲートバルブ５１に対応する、被処理体Ｗの搬入・搬
出用の開口部８７を設けることが望ましい。なお、これ
らカバー体８５及び内側面用カバー体８６も、先に詳し
く説明したカバー体６０と同様に、例えばＰＴＦＥ系
（テフロン系）材料、ＰＦＡ、ポリイミド、ＰＢＩ（ポ
リベンゾイミダゾール）、ポリベンゾアズール等の絶縁
性と耐熱性を備えた材料で構成され、かつ、カバー体６
０と同様の工程によってドライクリーニングやウェット
クリーニングされることはもちろんである。
１０に示すように、処理室２の内側面にデポが付着する
のを防止するための筒状の内側面用カバー体８６を装着
して、処理室２の内側面に対してもデポが直接付着しな
いような構成とすると更に効果的である。但し、このよ
うな内側面用カバー体８６を用いる場合は、図１に示し
たゲートバルブ５１に対応する、被処理体Ｗの搬入・搬
出用の開口部８７を設けることが望ましい。なお、これ
らカバー体８５及び内側面用カバー体８６も、先に詳し
く説明したカバー体６０と同様に、例えばＰＴＦＥ系
（テフロン系）材料、ＰＦＡ、ポリイミド、ＰＢＩ（ポ
リベンゾイミダゾール）、ポリベンゾアズール等の絶縁
性と耐熱性を備えた材料で構成され、かつ、カバー体６
０と同様の工程によってドライクリーニングやウェット
クリーニングされることはもちろんである。
【００４４】その他、図１に示した実施例においては、
カバー体６０の底面６１が、シャワーヘッド６の底面に
密着した構成のものを説明したが、本発明にあっては、
例えば、図１１に示すカバー体９０のように、その底面
９１を湾曲させた構成とすることも可能である。また以
上では本発明の好適な実施例についてＣＶＤ装置を例に
挙げて説明をしたが、本発明はかかる構成に限定され
ず、この他にも、処理室内に処理ガスを導入して処理を
行う各種装置、たとえばプラズマＣＶＤ装置、スパッタ
装置、アッシング装置、エッチング装置などにも本発明
を適用することが可能である。
カバー体６０の底面６１が、シャワーヘッド６の底面に
密着した構成のものを説明したが、本発明にあっては、
例えば、図１１に示すカバー体９０のように、その底面
９１を湾曲させた構成とすることも可能である。また以
上では本発明の好適な実施例についてＣＶＤ装置を例に
挙げて説明をしたが、本発明はかかる構成に限定され
ず、この他にも、処理室内に処理ガスを導入して処理を
行う各種装置、たとえばプラズマＣＶＤ装置、スパッタ
装置、アッシング装置、エッチング装置などにも本発明
を適用することが可能である。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、気密な処理室内におい
て発生しカバー体に付着したデポを、カバー体をクリー
ニングすることにより取り除くことができ、シャワーヘ
ッドの周囲に直接デポが付着するのを防止できるように
なる。デポを付着させたカバー体はドライクリーニング
やウェットクリーニングすることが可能である。従っ
て、本発明によれば、処理室内の特にシャワーヘッドや
処理室の内側面を容易にクリーニングでき、半導体ウェ
ハなどの被処理体のパーティクル汚染防止が図られて、
装置の稼働率向上を図ることも可能となる。更に、パー
ティクルのカウントによりカバー体のクリーニング時期
を決定するので、被処理体の処理環境を所定のクリーニ
ング度以上に保つことができる。
て発生しカバー体に付着したデポを、カバー体をクリー
ニングすることにより取り除くことができ、シャワーヘ
ッドの周囲に直接デポが付着するのを防止できるように
なる。デポを付着させたカバー体はドライクリーニング
やウェットクリーニングすることが可能である。従っ
て、本発明によれば、処理室内の特にシャワーヘッドや
処理室の内側面を容易にクリーニングでき、半導体ウェ
ハなどの被処理体のパーティクル汚染防止が図られて、
装置の稼働率向上を図ることも可能となる。更に、パー
ティクルのカウントによりカバー体のクリーニング時期
を決定するので、被処理体の処理環境を所定のクリーニ
ング度以上に保つことができる。
【図１】本発明の実施例にかかるＣＶＤ装置の断面を模
式的に示した説明図
式的に示した説明図
【図２】底面に大径の開口部を形成したカバー体を斜め
下方から見た状態を示す図面
下方から見た状態を示す図面
【図３】底面に多数の開口部を形成したカバー体を斜め
下方から見た状態を示す図面
下方から見た状態を示す図面
【図４】凹凸部の係合によりシャワーヘッドにカバー体
を脱着自在に構成した実施例の説明図
を脱着自在に構成した実施例の説明図
【図５】同実施例にかかるカバー体の平面図
【図６】外側から螺子を螺入してシャワーヘッドにカバ
ー体を打着自在に構成した実施例の説明図
ー体を打着自在に構成した実施例の説明図
【図７】デポが付着したカバー体をシャワーヘッドから
取り外す状態を示す図面
取り外す状態を示す図面
【図８】ウェットクリーニングの状態図
【図９】カバー体によって処理室の天井面も一緒に覆う
ように構成した実施例の説明図
ように構成した実施例の説明図
【図１０】処理室の内側面にデポが付着するのを防止す
る内側面用カバー体を装着した実施例の説明図
る内側面用カバー体を装着した実施例の説明図
【図１１】底面が湾曲した構成のカバー体の実施例説明
図
図
Ｗ 被処理体 １ ＣＶＤ装置 ２ 処理室 ６ シャワーヘッド ２５ 載置台 ６０ カバー体
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｌ 21/31
Claims (11)
- 【請求項１】 気密な処理室内において、載置台上に載
置された被処理体をこの被処理体に対向配置されたシャ
ワーヘッドより導入した処理ガスを用いて処理するもの
であって、該シャワーヘッドの外周部にデポが付着する
のを防止するためのカバー体を脱着自在に装着したこと
を特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 上記シャワーヘッドの外側面に凹部また
は凸部を形成すると共に、上記カバー体の内側面に凸部
または凹部を形成し、それら凹凸部の係合によってシャ
ワーヘッドにカバー体を脱着自在にできるように構成し
た請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 上記シャワーヘッドの外側面に凹部を形
成し、上記カバー体の外側から螺入した螺子の先端を該
凹部に係合させることによってシャワーヘッドにカバー
体を脱着自在にできるように構成した請求項１に記載の
処理装置。 - 【請求項４】 上記カバー体の底面には、上記シャワー
ヘッド底面に穿設された複数のガス噴出口を処理室内に
露出させるためのの開口部が形成されている請求項１〜
３の何れかに記載の処理装置。 - 【請求項５】 上記カバー体の底面には、上記シャワー
ヘッド底面に穿設された複数のガス噴出口と対応した複
数の開口部が形成されている請求項１〜３の何れかに記
載の処理装置。 - 【請求項６】 上記カバー体によって処理室の天井面も
覆うように構成した請求項１〜６の何れかに記載の処理
装置。 - 【請求項７】 上記カバー体を処理装置のシャワーヘッ
ドに装着したままの状態で、処理室内にＣlＦ3ガス、Ｃ
Ｆ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを流入してド
ライクリーニングする請求項１〜６の何れかに記載の処
理装置に用いられるカバー体の洗浄方法。 - 【請求項８】 処理装置のシャワーヘッドから取り外し
たカバー体をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、水、
希フッ酸等のクリーニング液を用いてウェットクリーニ
ングする請求項１〜６の何れかに記載の処理装置に用い
られるカバー体の洗浄方法。 - 【請求項９】 処理される前の被処理体と処理装置にお
いて処理された被処理体のそれぞれについてパーティク
ルの付着個数を計数し、それら付着個数の差分が所定数
以上となったときに上記カバー体のクリーニングを行う
ことを特徴とする請求項７または８に記載の処理装置に
用いられるカバー体の洗浄方法。 - 【請求項１０】 処理室内から排気される雰囲気中に飛
散しているパーティクルの個数を計数し、パーティクル
の個数が所定数以上となったときに上記カバー体のクリ
ーニングを行うことを特徴とする請求項７または８に記
載の処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法。 - 【請求項１１】 処理装置によって所定数の被処理体を
処理したときに上記カバー体のクリーニングを行うこと
を特徴とする請求項７または８に記載の処理装置に用い
られるカバー体の洗浄方法。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14240994A JPH07331445A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法 |
| US08/424,127 US5900103A (en) | 1994-04-20 | 1995-04-19 | Plasma treatment method and apparatus |
| EP95105916A EP0678903A1 (en) | 1994-04-20 | 1995-04-20 | Plasma treatment method and apparatus |
| DE69527661T DE69527661T2 (de) | 1994-04-20 | 1995-04-20 | Vorrichtung und Verfahren zur Substratbehandlung mittels Plasma |
| KR1019950009309A KR100344967B1 (ko) | 1994-04-20 | 1995-04-20 | 플라즈마처리방법및플라즈마처리장치 |
| EP99105170A EP0930642B1 (en) | 1994-04-20 | 1995-04-20 | Apparatus and method for plasma-treating of a substrate |
| EP01126593A EP1207546A3 (en) | 1994-04-20 | 1995-04-20 | Apparatus and method for plasma-treating of a substrate |
| TW84106133A TW296535B (ja) | 1994-03-07 | 1995-06-15 | |
| US09/094,451 US6106737A (en) | 1994-04-20 | 1998-06-10 | Plasma treatment method utilizing an amplitude-modulated high frequency power |
| US09/556,133 US6264788B1 (en) | 1994-04-20 | 2000-04-21 | Plasma treatment method and apparatus |
| US09/864,022 US6379756B2 (en) | 1994-04-20 | 2001-05-23 | Plasma treatment method and apparatus |
| US09/863,860 US6431115B2 (en) | 1994-03-25 | 2001-05-23 | Plasma treatment method and apparatus |
| US10/079,600 US6544380B2 (en) | 1994-04-20 | 2002-02-19 | Plasma treatment method and apparatus |
| US10/367,246 US6991701B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-02-14 | Plasma treatment method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14240994A JPH07331445A (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07331445A true JPH07331445A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=15314675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14240994A Pending JPH07331445A (ja) | 1994-03-07 | 1994-06-01 | 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07331445A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-06-01 JP JP14240994A patent/JPH07331445A/ja active Pending
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| CN114214608B (zh) * | 2021-12-30 | 2024-02-23 | 东部超导科技（苏州）有限公司 | 一种用于生产超导带材的喷淋器 |
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| A02 | Decision of refusal |
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