JPH047887A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH047887A JPH047887A JP10992690A JP10992690A JPH047887A JP H047887 A JPH047887 A JP H047887A JP 10992690 A JP10992690 A JP 10992690A JP 10992690 A JP10992690 A JP 10992690A JP H047887 A JPH047887 A JP H047887A
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- gaas
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、単一横モードで発振するＡＪＧａＩｎＰ系の
半導体レーザ装置に関する。
半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す）によ
る結晶成長により形成され、単一横モードで発振するＡ
ＪＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（第５０回応用物理学会
学術講演会講演予稿集 第３分冊 ｐ８９３ ２８ａ−
ＺＧ−４，）。
る結晶成長により形成され、単一横モードで発振するＡ
ＪＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような構造が報告されている（第５０回応用物理学会
学術講演会講演予稿集 第３分冊 ｐ８９３ ２８ａ−
ＺＧ−４，）。
この構造の製作においては、第一回目の成長で。
型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（ＡＪ 。
Ｇａｏ、４） ｏ、ｓ Ｔ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層２
、ＧａＩｎＰ活性層３、Ｐ型（Ａｊ ｏ、ｂ Ｇ ａｏ
、４ ） ６．５ Ｉｎ、、ｐクラッド層４、ｐ型Ｇａ
ｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層８、ｐ型ＧａＡｓコンタク
トＭ９を順次に形成する。次にフォトリソグラフィーに
よりＳｉＯをマスクとして、メサストライプを形成する
。そしてＳｉＯマスクをつけたまま、第二回目の成長を
行ないエツチングしたところをＡｊｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
８２層１１、ｎ型ＧａＡｓ層１２で埋め込む。次にＳｉ
Ｏマスクを除去し、ｐ、ｎ各電極を形成しレーザチップ
に加工する。
、ＧａＩｎＰ活性層３、Ｐ型（Ａｊ ｏ、ｂ Ｇ ａｏ
、４ ） ６．５ Ｉｎ、、ｐクラッド層４、ｐ型Ｇａ
ｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層８、ｐ型ＧａＡｓコンタク
トＭ９を順次に形成する。次にフォトリソグラフィーに
よりＳｉＯをマスクとして、メサストライプを形成する
。そしてＳｉＯマスクをつけたまま、第二回目の成長を
行ないエツチングしたところをＡｊｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
８２層１１、ｎ型ＧａＡｓ層１２で埋め込む。次にＳｉ
Ｏマスクを除去し、ｐ、ｎ各電極を形成しレーザチップ
に加工する。
この構造により電流はＡｊｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層
１１、ｎ型ＧａＡｓ層１２によりブロックされメサスト
ライプ部にのみ注入される。また、メサストライプ形成
のエツチングのときに、メサストライプ部以外のＰ型ク
ラッド層４の厚みを光の閉じ込めには不十分な厚みまで
エツチングするのでＡＪ ｏ、ｓ ■ｎｏ、ｓ Ｐ層１
１のある部分では、このＡ、Ｉｌａ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ層１１に光が反射され、横方向に実屈折率差がつき
メサストライプ部にのみ光は導波される。このようにこ
の構造では、電流狭窄機構と光導波機構が同時に作り付
けられ、実屈折率導波型のレーザとなるから非点収差も
小さい。
１１、ｎ型ＧａＡｓ層１２によりブロックされメサスト
ライプ部にのみ注入される。また、メサストライプ形成
のエツチングのときに、メサストライプ部以外のＰ型ク
ラッド層４の厚みを光の閉じ込めには不十分な厚みまで
エツチングするのでＡＪ ｏ、ｓ ■ｎｏ、ｓ Ｐ層１
１のある部分では、このＡ、Ｉｌａ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ層１１に光が反射され、横方向に実屈折率差がつき
メサストライプ部にのみ光は導波される。このようにこ
の構造では、電流狭窄機構と光導波機構が同時に作り付
けられ、実屈折率導波型のレーザとなるから非点収差も
小さい。
（発明が解決しようとする課題）
上述の第３図の構造では、成長回数を皿回にとどめて電
極を形成しているがこの方法だとＰ型コンタクト層と電
極の接触面積が小さく素子の電気特性を良好に再現性よ
く得ることが難しくなる。
極を形成しているがこの方法だとＰ型コンタクト層と電
極の接触面積が小さく素子の電気特性を良好に再現性よ
く得ることが難しくなる。
この問題を防ぐには、成長回数を一回増し全面にＰ型コ
ンタクト層を成長して全面電極とした構造があるが、こ
れだと成長回数が増え煩雑になってしまう。また従来の
製作方法では、Ａｊ、、。
ンタクト層を成長して全面電極とした構造があるが、こ
れだと成長回数が増え煩雑になってしまう。また従来の
製作方法では、Ａｊ、、。
Ｉｎ０．５Ｐ層を誘電体膜をマスクとして選択的に結晶
成長しているが、Ａ、Ｉｌを含む混晶系は誘電体膜上に
析出しやすく適当な成長技術の確立が困難である。この
ように従来の半導体レーザ装置には解決すべき課題があ
った。
成長しているが、Ａ、Ｉｌを含む混晶系は誘電体膜上に
析出しやすく適当な成長技術の確立が困難である。この
ように従来の半導体レーザ装置には解決すべき課題があ
った。
本発明の目的は、上述の課題を解決し、簡便に製作でき
、非点収差の小さい横モード制御構造のＡＪＩＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ装置を提供することにある。
、非点収差の小さい横モード制御構造のＡＪＩＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザ装置は、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、
ＧａＩｎＰ若しくはＡＪＧａＩｎＰスはそれらの量子井
戸層からなる活性層と、この活性層を挟み活性層よりも
屈折率の小さなＡＪＧａＩｎＰからなるクラッド層とか
らなるダブルヘテロ構造が形成してあり、前記活性層の
上側の前記クラッド層はＰ型（Ａｊ ｘ Ｇａ１−ｘ
） ｏ、ｓ Ｉ ｎ０．５Ｐでなり、この上側のクラッ
ド層は層厚が部分的に厚くなることにより形成されるス
トライプ状のメサ構造を有し、このメサ構造の上面にＰ
型ＧａＩｎＰ層を有し、これらの構造の上全面に、前期
Ｐ型ＧａＩｎＰ層上面以外の部分では量子準位が活性層
のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みのＧａＡｓ
層を有し、これらの構造の上全面にＰ型（ＡＩｌ ｙ
Ｇａ１−ｙ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ （Ｙ＞Ｘ
）層を有することを特徴とする。
ＧａＩｎＰ若しくはＡＪＧａＩｎＰスはそれらの量子井
戸層からなる活性層と、この活性層を挟み活性層よりも
屈折率の小さなＡＪＧａＩｎＰからなるクラッド層とか
らなるダブルヘテロ構造が形成してあり、前記活性層の
上側の前記クラッド層はＰ型（Ａｊ ｘ Ｇａ１−ｘ
） ｏ、ｓ Ｉ ｎ０．５Ｐでなり、この上側のクラッ
ド層は層厚が部分的に厚くなることにより形成されるス
トライプ状のメサ構造を有し、このメサ構造の上面にＰ
型ＧａＩｎＰ層を有し、これらの構造の上全面に、前期
Ｐ型ＧａＩｎＰ層上面以外の部分では量子準位が活性層
のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みのＧａＡｓ
層を有し、これらの構造の上全面にＰ型（ＡＩｌ ｙ
Ｇａ１−ｙ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ （Ｙ＞Ｘ
）層を有することを特徴とする。
（作用）
本発明の構造によれば、メサ構造の上面以外の部分では
量子準位が活性層のエネルギーギャップよりも大きくな
る厚みのＧａＡｓ層を有している。
量子準位が活性層のエネルギーギャップよりも大きくな
る厚みのＧａＡｓ層を有している。
このＧａＡｓ層を挟み込んでいるＰ型（ＡＪ 。
Ｇ ａ ＋−ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッ
ド層とＰ型（ＡＮ Ｙ ＧＥＬｒ−ｖ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ （Ｙ＞Ｘ）層に、ＧａＡｓ層との大き
なバンド不連続によるキャリヤーの空乏層が広がり、素
子にバイアスしてもその電圧は、Ｐ型（ＡＪ ｘ Ｇａ
＋−ｘ ） ａ、ｓＴｎ’０．５Ｐクラッド層中の空乏
層にかかり、ホールが流れることができなくなり電流の
ブロック層として働く。これに対しメサ部分ではＰ型（
ＡＪ ｘ Ｇａ＋ −Ｋ ） ０．５ Ｉ ｎａ、、Ｐ
クラッド層とＧａＡｓ層の間にＰ型ＧａＩｎＰ層がある
ので、バンド不連続は小さくなり、ホールはこの部分を
流れることができる。このようにして電流はメサ部分の
みに注入される。またＧａＡｓ層は、量子準位が活性層
のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みと規定しで
あるので活性層の光は吸収できない。そして構造の上全
面のＰ型（Ａｊ ＹＧａ、−ｙ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐ （Ｙ＞Ｘ）層はＰ型（ＡＪ ｘ Ｇ ａ ＋
−ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層よ
りも屈折率が小さいので、光の吸収を用いナイ実屈折率
型の導波機構となり非点収差を小さく押さえることがで
きる、そしてこの構造では皿回の少ない成長回数で全面
電極が形成でき、しかも良好な電気特性を容易に得るこ
とができる。
ド層とＰ型（ＡＮ Ｙ ＧＥＬｒ−ｖ ） ｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ （Ｙ＞Ｘ）層に、ＧａＡｓ層との大き
なバンド不連続によるキャリヤーの空乏層が広がり、素
子にバイアスしてもその電圧は、Ｐ型（ＡＪ ｘ Ｇａ
＋−ｘ ） ａ、ｓＴｎ’０．５Ｐクラッド層中の空乏
層にかかり、ホールが流れることができなくなり電流の
ブロック層として働く。これに対しメサ部分ではＰ型（
ＡＪ ｘ Ｇａ＋ −Ｋ ） ０．５ Ｉ ｎａ、、Ｐ
クラッド層とＧａＡｓ層の間にＰ型ＧａＩｎＰ層がある
ので、バンド不連続は小さくなり、ホールはこの部分を
流れることができる。このようにして電流はメサ部分の
みに注入される。またＧａＡｓ層は、量子準位が活性層
のエネルギーギャップよりも大きくなる厚みと規定しで
あるので活性層の光は吸収できない。そして構造の上全
面のＰ型（Ａｊ ＹＧａ、−ｙ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐ （Ｙ＞Ｘ）層はＰ型（ＡＪ ｘ Ｇ ａ ＋
−ｘ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層よ
りも屈折率が小さいので、光の吸収を用いナイ実屈折率
型の導波機構となり非点収差を小さく押さえることがで
きる、そしてこの構造では皿回の少ない成長回数で全面
電極が形成でき、しかも良好な電気特性を容易に得るこ
とができる。
（実施例）
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す断
面図であり、第２図はその工程図である。
面図であり、第２図はその工程図である。
第１図は、実施例のレーザチップを共振器軸に垂直な面
で切断して示している。
で切断して示している。
本実施例の製作においては、まず−回目の減圧ＭＯＶＰ
Ｅによる成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ；
ｎ ” ２ Ｘ １０ ”Ｑｌ＋−’）上に、ｎ型（Ａ
ｊ ｏ、＊ Ｇａｏ、４） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ
クラッド層２（ｎ＝５Ｘ１０１７ｃ＋ｎ−’；厚み１μ
ｍ＞、Ｇａｏ、５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ活性層３（アンド
ーグ；厚み０．１μｍ） 、Ｐ型（Ａｊｏ、＊ Ｇａｏ
、４） ｏ、ｓ Ｉｎ０．５Ｐクラッド７ｗ４ （Ｐ＝
５Ｘ１０′７Ｃａｌ−’；厚み１．０μｍ） 、ｐ型Ｇ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐキヤツプ層５を順次に成長
した（第２図（ａ））、成長条件は、温度７００℃、圧
カフ０Ｔｏｒｒ、■／Ｉ Ｉ Ｔｍ２Ｏ３、キャリヤガ
ス（Ｈ２）の全流量１５１／ｍｉｎとした。原料として
は、トリメチルインジウム（ＴＭＩ ： （ＣＨ３）３
Ｉｎ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ ： （Ｃ２Ｈ
５） ５Ｇａ）、）リメチルアルミニウム（ＴＭＡ：
（ｃＨｓ）ｉＡｊ）、アルシン（ＡｓＨｓ）、ホスフィ
ン（ＰＨｓ）、ｎ型ドーパント：セレン化水素（ＨｚＳ
ｅ）、ｐ型ドーパント：シクロペンタヂエニルマグネシ
ウム（ＣｐｔＭｇ）を用いた。こうして成長したウェハ
にフォトリングラフィにより＠４μｍのスイライブ状の
５ｉｎ２マスク１０を形成した（第２図（ｂ））。次に
この５１０２マスク１０を用いて臭化水素酸系のエツチ
ング波により、Ｐ型（Ａｊ ｏ、６Ｇａｏ、４） ｏ、
ｓ Ｉ ｎ０．５Ｐクラッド層４の途中まで（ここでは
０．８μｍとした）をメサ状に工・ｙチップした（第２
図（ｃ））、つぎにＳ ｉ Ｏ２マスクを除去した（第
２図（ｄ））。そして減圧ＭＯＶＰＥにより二回目の成
長を行ない、Ｐ型ＧａＡｓ層６、Ｐ型（ＡＪ ｏ、 １
Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐキヤツプ層
７ （Ｐ＝５Ｘ１０”ａｎ−’；厚み１゜Ｏｔｃｍ＞、
ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層８、Ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層９、を形成した（第２図（ｅ））。最後に
ｐ、ｎ両電極を形成してキャビティ長３００μｍにへき
関し、個々のチップに分離した。
Ｅによる成長で、ｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ；
ｎ ” ２ Ｘ １０ ”Ｑｌ＋−’）上に、ｎ型（Ａ
ｊ ｏ、＊ Ｇａｏ、４） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ
クラッド層２（ｎ＝５Ｘ１０１７ｃ＋ｎ−’；厚み１μ
ｍ＞、Ｇａｏ、５ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ活性層３（アンド
ーグ；厚み０．１μｍ） 、Ｐ型（Ａｊｏ、＊ Ｇａｏ
、４） ｏ、ｓ Ｉｎ０．５Ｐクラッド７ｗ４ （Ｐ＝
５Ｘ１０′７Ｃａｌ−’；厚み１．０μｍ） 、ｐ型Ｇ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐキヤツプ層５を順次に成長
した（第２図（ａ））、成長条件は、温度７００℃、圧
カフ０Ｔｏｒｒ、■／Ｉ Ｉ Ｔｍ２Ｏ３、キャリヤガ
ス（Ｈ２）の全流量１５１／ｍｉｎとした。原料として
は、トリメチルインジウム（ＴＭＩ ： （ＣＨ３）３
Ｉｎ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ ： （Ｃ２Ｈ
５） ５Ｇａ）、）リメチルアルミニウム（ＴＭＡ：
（ｃＨｓ）ｉＡｊ）、アルシン（ＡｓＨｓ）、ホスフィ
ン（ＰＨｓ）、ｎ型ドーパント：セレン化水素（ＨｚＳ
ｅ）、ｐ型ドーパント：シクロペンタヂエニルマグネシ
ウム（ＣｐｔＭｇ）を用いた。こうして成長したウェハ
にフォトリングラフィにより＠４μｍのスイライブ状の
５ｉｎ２マスク１０を形成した（第２図（ｂ））。次に
この５１０２マスク１０を用いて臭化水素酸系のエツチ
ング波により、Ｐ型（Ａｊ ｏ、６Ｇａｏ、４） ｏ、
ｓ Ｉ ｎ０．５Ｐクラッド層４の途中まで（ここでは
０．８μｍとした）をメサ状に工・ｙチップした（第２
図（ｃ））、つぎにＳ ｉ Ｏ２マスクを除去した（第
２図（ｄ））。そして減圧ＭＯＶＰＥにより二回目の成
長を行ない、Ｐ型ＧａＡｓ層６、Ｐ型（ＡＪ ｏ、 １
Ｇａｏ、ｚ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐキヤツプ層
７ （Ｐ＝５Ｘ１０”ａｎ−’；厚み１゜Ｏｔｃｍ＞、
ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ層８、Ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層９、を形成した（第２図（ｅ））。最後に
ｐ、ｎ両電極を形成してキャビティ長３００μｍにへき
関し、個々のチップに分離した。
こうして得られた本発明の半導体レーザ装置における非
点収差は４μｍ以下である。また、上述の製作工程から
れかるようにこの良好な特性のレーザ装置を得るための
成長回数は皿回でありかつ全面電極が形成できる。
点収差は４μｍ以下である。また、上述の製作工程から
れかるようにこの良好な特性のレーザ装置を得るための
成長回数は皿回でありかつ全面電極が形成できる。
以上に述べた実施例では、活性層やクラッド層の組成を
規定したが、活性層組成は製作するレーザ装置に要求さ
れる発振波長要件を満たす組成または量子井戸にすれば
よく、クラッド層組成は用いる活性層組成に対して光と
キャリヤの閉じ込めが十分にできる組成を選べばよい、
またレーザ装置に要求される特性によりＳＣＨ構造にす
るなどクラッド層をより多層化することもできる。
規定したが、活性層組成は製作するレーザ装置に要求さ
れる発振波長要件を満たす組成または量子井戸にすれば
よく、クラッド層組成は用いる活性層組成に対して光と
キャリヤの閉じ込めが十分にできる組成を選べばよい、
またレーザ装置に要求される特性によりＳＣＨ構造にす
るなどクラッド層をより多層化することもできる。
（発明の効果）
このように本発明により、非点収差の小さい半導体レー
ザ装置が自己整合的に、少ない製作工程で製作できる。
ザ装置が自己整合的に、少ない製作工程で製作できる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）はその実施例の制作工程を示す断面図、第３図は
従来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。 １−−− ｎ型ＧａＡｓＭ板、２ ・ｎ型（ＡＪｏ、４
Ｇａｏ、 ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層
、３・・・Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層、４−
＝ ｐ型（Ａｊｏ、ａＧａｏ、、） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐクラッド層、５−Ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓ Ｐキヤツプ層、６ ・Ｐ型ＧａＡＳ層、７ ＝・Ｐ
型（Ａｊｏ、 Ｇａｏ、 ）。 Ｉｎ０．５Ｐキャップ層、８ ・Ｐ型Ｇ ａ 。 Ｉｎ０．５Ｐ層、９−Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１０
−３ ｉ Ｏ２膜、１１−ＡＪ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ
Ｐ層、１２−−・ｎ型Ｑ ａ Ａ ｓ層。
（ｅ）はその実施例の制作工程を示す断面図、第３図は
従来の半導体レーザ装置の例を示す断面図である。 １−−− ｎ型ＧａＡｓＭ板、２ ・ｎ型（ＡＪｏ、４
Ｇａｏ、 ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層
、３・・・Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層、４−
＝ ｐ型（Ａｊｏ、ａＧａｏ、、） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ Ｐクラッド層、５−Ｐ型Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、
ｓ Ｐキヤツプ層、６ ・Ｐ型ＧａＡＳ層、７ ＝・Ｐ
型（Ａｊｏ、 Ｇａｏ、 ）。 Ｉｎ０．５Ｐキャップ層、８ ・Ｐ型Ｇ ａ 。 Ｉｎ０．５Ｐ層、９−Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１０
−３ ｉ Ｏ２膜、１１−ＡＪ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ
Ｐ層、１２−−・ｎ型Ｑ ａ Ａ ｓ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰ若しくはＡｌＧａＩ
ｎＰ又はそれらの量子井戸層からなる活性層と、この活
性層を挟み活性層よりも屈折率の小さなＡｌＧａＩｎＰ
からなるクラッド層とからなるダブルヘテロ構造が形成
してあり、 前記活性層の上側の前記クラッド層はｐ型（Ａｌ＿ＸＧ
ａ＿１＿−＿Ｘ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐでな
り、この上側クラッド層は層厚が部分的に厚くなること
により形成されるストライプ状のメサ構造を有し、この
メサ構造の上面にｐ型ＧａＩｎＰ層を有し、これらの構
造の上全面に、前期ｐ型ＧａＩｎＰ層上面以外の部分で
は量子準位が活性層のエネルギーギャップよりも大きく
なる厚みのＧａＡｓ層を有し、 これらの構造の上全面にｐ型（Ａｌ＿ＹＧａ＿１＿−＿
Ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ（Ｙ＞Ｘ）層を有
することを特徴とする半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109926A JP2973215B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109926A JP2973215B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047887A true JPH047887A (ja) | 1992-01-13 |
| JP2973215B2 JP2973215B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=14522619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2109926A Expired - Fee Related JP2973215B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973215B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030746A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | The University Of Tokyo | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2109926A patent/JP2973215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030746A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | The University Of Tokyo | 半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2973215B2 (ja) | 1999-11-08 |
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