JPH0479217A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0479217A JPH0479217A JP19353990A JP19353990A JPH0479217A JP H0479217 A JPH0479217 A JP H0479217A JP 19353990 A JP19353990 A JP 19353990A JP 19353990 A JP19353990 A JP 19353990A JP H0479217 A JPH0479217 A JP H0479217A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業 （７）１１１【
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に電極形
成を高精度に加工しかつ外、１の不良を低減させる方法
に関する。
成を高精度に加工しかつ外、１の不良を低減させる方法
に関する。
従来盆技丘
従来、この種の電極形成は、所望部以外に剥離性を良く
するため、ポジ型フォトレジストを形成しその後金属層
を形成、次にポジ型フォトレジスト上の金属層を除去し
ていた。
するため、ポジ型フォトレジストを形成しその後金属層
を形成、次にポジ型フォトレジスト上の金属層を除去し
ていた。
また、パターンニング精度向上のためには、金属層形成
後所望部をフォトレジストでパターンニングし露出した
領域の金属層をドライエツチング法例えばイオンミリン
グで除去していた。
後所望部をフォトレジストでパターンニングし露出した
領域の金属層をドライエツチング法例えばイオンミリン
グで除去していた。
よ゛
ところで上記従来の方法においては、半導体基板上の金
属層とポジ型フォトレジスト上の金属層が段切れて絶縁
されているのが理想的であるが実際には連続しており、
ポジ型フォトレジスト上の金属層のみを除去するのは不
可能であった。
属層とポジ型フォトレジスト上の金属層が段切れて絶縁
されているのが理想的であるが実際には連続しており、
ポジ型フォトレジスト上の金属層のみを除去するのは不
可能であった。
また除去は機械的に綿棒等でおこなっていたため、所望
部の金属層に傷をつける。また、所望のパターン精度が
得られない等の欠点があった。
部の金属層に傷をつける。また、所望のパターン精度が
得られない等の欠点があった。
一方精度向上の方法としてドライエツチングを使用した
場合、マスキングとして使用しているフォトレジストが
固化し通常方法（ケミカルまたはプラズマエツチング）
では除去できずやはり機械的に除去する方法に頼らざる
を得なかったため外観上の不良が発生していた。
場合、マスキングとして使用しているフォトレジストが
固化し通常方法（ケミカルまたはプラズマエツチング）
では除去できずやはり機械的に除去する方法に頼らざる
を得なかったため外観上の不良が発生していた。
−、の
この発明の電極形成方法は、所望の金属層上にマスク層
としてアルミニウム層あるいは絶縁膜例えば窒化膜を形
成し、これを精度良くフォトレジストでパターンニング
し、不要部を開にしてアルミニウム層あるいは窒化膜を
露出させてその後電解液中で露出部分を陽極酸化しアル
ミニウムあるいは化成物質に変化させる。
としてアルミニウム層あるいは絶縁膜例えば窒化膜を形
成し、これを精度良くフォトレジストでパターンニング
し、不要部を開にしてアルミニウム層あるいは窒化膜を
露出させてその後電解液中で露出部分を陽極酸化しアル
ミニウムあるいは化成物質に変化させる。
次に、該アルミナあるいは化成化領域のみを除去しアル
ミニウム層あるいは窒化膜をマーキングとして金属層を
ドライエツチングし高精度にバタンニングを形成する。
ミニウム層あるいは窒化膜をマーキングとして金属層を
ドライエツチングし高精度にバタンニングを形成する。
伍且
上記の構成によると半導体基板上の金属層を、精度良く
また設計通りに形成可能である。さらに外観においても
良好な電極の形成を提供できる。
また設計通りに形成可能である。さらに外観においても
良好な電極の形成を提供できる。
災息桝
以下この発明について図面を参照して説明する。
第１図は、この発明の一実施例によって形成される半導
体装置の断面図である。図において１は半導体基板、２
は金属層（例えＴ＋ＰｔＡｕ） 、３は金属層２上に形
成されるマスク層としてのアルミニウム層、３°はマス
ク層を後述のとおり部分的に露出させて、陽極酸化させ
たアルミナ層、４はフォトレジストである。
体装置の断面図である。図において１は半導体基板、２
は金属層（例えＴ＋ＰｔＡｕ） 、３は金属層２上に形
成されるマスク層としてのアルミニウム層、３°はマス
ク層を後述のとおり部分的に露出させて、陽極酸化させ
たアルミナ層、４はフォトレジストである。
第３図に示すように半導体基板１上に金属層例えばＴ、
、Ｐｔ、Ａｕを形成し、その上に第４図に示すようにマ
スク層であるアルミニウム層を約１μｍ形成する。
、Ｐｔ、Ａｕを形成し、その上に第４図に示すようにマ
スク層であるアルミニウム層を約１μｍ形成する。
しかるのち第５図に示すように、フォトレジストで所望
部をパターンニングする。その後第２図に示すように、
電解溶液（例えば１％硫酸）中で陽極化をおこないアル
ミニウム層３の露出部分をアルミナ３′にする。（第１
図） しかるのちアルミナ層３′を例えば弗酸系溶液で除去し
、さらにドライエツチング法で該アルミニウム３及びフ
ォトレジスト４をマスキングとして金属層を除去する。
部をパターンニングする。その後第２図に示すように、
電解溶液（例えば１％硫酸）中で陽極化をおこないアル
ミニウム層３の露出部分をアルミナ３′にする。（第１
図） しかるのちアルミナ層３′を例えば弗酸系溶液で除去し
、さらにドライエツチング法で該アルミニウム３及びフ
ォトレジスト４をマスキングとして金属層を除去する。
（第６図）
次にフォトレジスト４及びアルミニウム層３を除去し完
成するこの実施例によればＴ、 、Ｐｔ、Ａ、とアルミ
ニウム及びアルミナはエッチャント、弗酸化溶液に対し
エッチャントの選択比が大きくアルミナ）アルミニウム
〉ＴｌｌＰｔ１Ａｕでありパターンニング精度が向上す
る。
成するこの実施例によればＴ、 、Ｐｔ、Ａ、とアルミ
ニウム及びアルミナはエッチャント、弗酸化溶液に対し
エッチャントの選択比が大きくアルミナ）アルミニウム
〉ＴｌｌＰｔ１Ａｕでありパターンニング精度が向上す
る。
さらにマスキングとして使用したフォトレジスト及びア
ルミニウムも除去が容易（０゜プラズマ及びリン酸系溶
液）であり外観も良好という利点がある。
ルミニウムも除去が容易（０゜プラズマ及びリン酸系溶
液）であり外観も良好という利点がある。
実ＪＬ４１−λ
第１図に示す半導体基板１上の金属層２の上にアルミニ
ウム層マスク層の代わりに絶縁物例えば窒化膜３ｘを形
成（１００ＯＡ程度）シ、シかるのち電解溶液例えばシ
ュウ酸溶液中で通常の印加電圧の数倍の電圧を印加して
陽極酸化をおこない、窒化膜を酸化膜に変化させる。
ウム層マスク層の代わりに絶縁物例えば窒化膜３ｘを形
成（１００ＯＡ程度）シ、シかるのち電解溶液例えばシ
ュウ酸溶液中で通常の印加電圧の数倍の電圧を印加して
陽極酸化をおこない、窒化膜を酸化膜に変化させる。
次に酸化膜を除去することにより実施例１と同様の方法
で、高精度でかつ外観の良好なパターンが得られる。
で、高精度でかつ外観の良好なパターンが得られる。
髪晩生立策
以上説明したように、この発明は形成した金属層上にア
ルミニウム層等の金属層または窒化膜等の絶縁層を形成
し電解溶液中で陽極酸化することによりパターンニング
精度及び外観品質向上が出来る効果がある。
ルミニウム層等の金属層または窒化膜等の絶縁層を形成
し電解溶液中で陽極酸化することによりパターンニング
精度及び外観品質向上が出来る効果がある。
第１図及び第３図〜第７図は、この発明の一実施例によ
って製造された半導体装置の断面図、第２図は、陽極酸
化電解溶液槽の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、 ２・・・・・・金属槽、
３・・・・・・マスク層（アルミニウム疎）、３゛・・
・・・・アルミナ層、 ３ｘ ・・・・・・マスク層（窒化膜）４・・・・・
・フォトレジスト、 ５・・・・・・電解溶液、 ６・・・・・・半導体基板（陽極側）
って製造された半導体装置の断面図、第２図は、陽極酸
化電解溶液槽の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、 ２・・・・・・金属槽、
３・・・・・・マスク層（アルミニウム疎）、３゛・・
・・・・アルミナ層、 ３ｘ ・・・・・・マスク層（窒化膜）４・・・・・
・フォトレジスト、 ５・・・・・・電解溶液、 ６・・・・・・半導体基板（陽極側）
Claims (2)
- （１）半導体基板上に金属層を形成する工程と、上記金
属層上にマスク層を形成する工程と、上記マスク層の所
望部分を絶縁物で被覆し所望部分以外のマスク層を露出
させる工程と、電解溶液中で上記マスク層の露出部分を
陽極酸化する工程と、 上記陽極酸化の後、陽極酸化部分を除去して上記金属層
を所望パターンに形成する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造
方法において、マスク層として、絶縁膜を用いることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19353990A JPH0479217A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19353990A JPH0479217A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479217A true JPH0479217A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16309759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19353990A Pending JPH0479217A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0479217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100236065B1 (en) * | 1996-12-17 | 1999-12-15 | Hyundai Micro Electronics Co | Hydrophilic method of semiconductor device |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19353990A patent/JPH0479217A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100236065B1 (en) * | 1996-12-17 | 1999-12-15 | Hyundai Micro Electronics Co | Hydrophilic method of semiconductor device |
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