JPH0117574B2 - - Google Patents
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- JPH0117574B2 JPH0117574B2 JP57103798A JP10379882A JPH0117574B2 JP H0117574 B2 JPH0117574 B2 JP H0117574B2 JP 57103798 A JP57103798 A JP 57103798A JP 10379882 A JP10379882 A JP 10379882A JP H0117574 B2 JPH0117574 B2 JP H0117574B2
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- photoreceptor
- charge
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- layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子写真用感光体の改良に関するも
のである。
のである。
従来、電子写真用感光体として、アルミニウム
などの導電性基板上にSe膜を真空蒸着法で形成
したSe感光体がある。この感光体は、分光感度
が500nｍ付近までしかなく、また結晶し易く不
安定なものある。そこで、Se感光体の分光感度
を改善するために、SeにTeを添加したSe−Te合
金感光体や安定性を改善するためにSe−Teにさ
らにAsを添加したSe−Te−As合金感光体が実用
化されている。このようにSeにTeおよびAsを添
加し、これらの添加量を増大させると、分光感度
をより長波長まで有するようにすることが可能と
なる。しかし、TeおよびAsの添加量が増すにつ
れて表面電荷の保持特性が悪くなる。そこで、光
による電荷の発生と電荷の輸送との機能を分離さ
せた形式の機能分離型の感光体を構成し、表面電
荷の保持特性を改善することが行なわれている。
すなわち、第１図に例示するように、アルミニウ
ムなどの導電性基板１１上にSe−Te合金からな
る電荷発生層１２を形成し、この電荷発生層１２
上にポリビニルカルバゾールからなる電荷輸送層
１３を形成した構造のものがある。この感光体
は、電荷を保持する表面が絶縁抵抗が高いポリビ
ニルカルバゾールであるため、表面電荷の保持特
性がすぐれており、単層膜ではほとんど帯電不可
能なほどTeの含有率が高いSe−Te合金の電荷発
生層を有するものでも、感光体として使用可能で
ある。しかし、電荷発生層のTeの含有率が約20
原子パーセント以上では第１図に示すような構造
を採用しても帯電させることができず、また、
Teの含有率が20原子パーセントのSe−Te合金を
電荷発生層とした感光体の長波長側の感光域は
600nｍまでである。
などの導電性基板上にSe膜を真空蒸着法で形成
したSe感光体がある。この感光体は、分光感度
が500nｍ付近までしかなく、また結晶し易く不
安定なものある。そこで、Se感光体の分光感度
を改善するために、SeにTeを添加したSe−Te合
金感光体や安定性を改善するためにSe−Teにさ
らにAsを添加したSe−Te−As合金感光体が実用
化されている。このようにSeにTeおよびAsを添
加し、これらの添加量を増大させると、分光感度
をより長波長まで有するようにすることが可能と
なる。しかし、TeおよびAsの添加量が増すにつ
れて表面電荷の保持特性が悪くなる。そこで、光
による電荷の発生と電荷の輸送との機能を分離さ
せた形式の機能分離型の感光体を構成し、表面電
荷の保持特性を改善することが行なわれている。
すなわち、第１図に例示するように、アルミニウ
ムなどの導電性基板１１上にSe−Te合金からな
る電荷発生層１２を形成し、この電荷発生層１２
上にポリビニルカルバゾールからなる電荷輸送層
１３を形成した構造のものがある。この感光体
は、電荷を保持する表面が絶縁抵抗が高いポリビ
ニルカルバゾールであるため、表面電荷の保持特
性がすぐれており、単層膜ではほとんど帯電不可
能なほどTeの含有率が高いSe−Te合金の電荷発
生層を有するものでも、感光体として使用可能で
ある。しかし、電荷発生層のTeの含有率が約20
原子パーセント以上では第１図に示すような構造
を採用しても帯電させることができず、また、
Teの含有率が20原子パーセントのSe−Te合金を
電荷発生層とした感光体の長波長側の感光域は
600nｍまでである。
一方、この発明の発明者らは、長波長域でも十
分高感度であり、かつ安定性の高い感光体とし
て、導電性基板上にSe（セレン）−Bi（ビスマス）
−Ｆ（フツ素）合金膜を形成したものを先に提案
している（特願昭57−49009号参照）。
分高感度であり、かつ安定性の高い感光体とし
て、導電性基板上にSe（セレン）−Bi（ビスマス）
−Ｆ（フツ素）合金膜を形成したものを先に提案
している（特願昭57−49009号参照）。
この発明は、前述した発明者らが先に提案した
Se−Bi−Ｆ合金を電荷発生層とし、この電荷発
生層上にポリビニルカルバゾールなどの電荷輸送
層を形成して機能分離型の電子写真用感光体を構
成することにより、従来のものの問題を解決する
と共に、発明者らが先に提案したものを改善し
て、表面電荷保持能力を高め、かつ長波長域での
感度をさらに高めた感光体を提供することを目的
としている。さらに、この発明は、Seからなる
薄い高抵抗層を備えることにより、表面電荷保持
能力の一層の向上を図ることを目的としている。
Se−Bi−Ｆ合金を電荷発生層とし、この電荷発
生層上にポリビニルカルバゾールなどの電荷輸送
層を形成して機能分離型の電子写真用感光体を構
成することにより、従来のものの問題を解決する
と共に、発明者らが先に提案したものを改善し
て、表面電荷保持能力を高め、かつ長波長域での
感度をさらに高めた感光体を提供することを目的
としている。さらに、この発明は、Seからなる
薄い高抵抗層を備えることにより、表面電荷保持
能力の一層の向上を図ることを目的としている。
なお、この発明において、電荷輸送層として、
ポリビニルカルバゾールに代えて、ピラゾリン誘
導体とポリカーボネート樹脂あるいはフエノキシ
樹脂との混合物を用いてもよい。
ポリビニルカルバゾールに代えて、ピラゾリン誘
導体とポリカーボネート樹脂あるいはフエノキシ
樹脂との混合物を用いてもよい。
以下、この発明の実施例につき図面を参照して
説明するが、その前に、この発明に関係する参考
例について２つ説明しておく。
説明するが、その前に、この発明に関係する参考
例について２つ説明しておく。
第２図は第１の参考例を示す。第２図におい
て、２１はアルミニウムからなる導電性基板、２
２は導電性基板２１上に形成したSe−Bi−Ｆ合
金からなる電荷発生層、２３は電荷発生層２２上
に形成したポリビニルカルバゾールからなる電荷
輸送層である。前記電荷発生層２２を構成する
Se−Bi−Ｆ合金の組成はSeが97原子パーセセン
ト、Biが２原子パーセント、Ｆが１原子パーセ
ントである。この電荷発生層２２はBiを2.0原子
パーセント含むSe−Bi合金の粉末0.4ｇとBiF3
（フツ化ビスマス）粉末0.4ｇとをボールミルを用
いてよく攪拌混合、粉砕して、Seが96.8原子パー
セント、Biが2.3原子パーセント、Ｆが0.9原子パ
ーセントにしたものを石英皿に入れ、これをスパ
ツタ用タゲツトとし高周波スパツタ装置を用いて
スパツタし、0.5μｍの厚さのSe−Bi−Ｆ合金層
を導電性基板２１上に形成したものである。さら
に、導電性基板２２上に、ポリビニルカルバゾー
ルのテトラヒドロフラン溶液を塗布して乾燥さ
せ、電荷輸送層２３を形成して感光体とした。な
お、スパツタされたSe−Bi−Ｆ合金層の組成を
分析したところ、Seが97原子パーセント、Biが
20％、Ｆが１％であり、スパツタ用ターゲツトに
用いた粉末材料の組成とほぼ同一であつた。
て、２１はアルミニウムからなる導電性基板、２
２は導電性基板２１上に形成したSe−Bi−Ｆ合
金からなる電荷発生層、２３は電荷発生層２２上
に形成したポリビニルカルバゾールからなる電荷
輸送層である。前記電荷発生層２２を構成する
Se−Bi−Ｆ合金の組成はSeが97原子パーセセン
ト、Biが２原子パーセント、Ｆが１原子パーセ
ントである。この電荷発生層２２はBiを2.0原子
パーセント含むSe−Bi合金の粉末0.4ｇとBiF3
（フツ化ビスマス）粉末0.4ｇとをボールミルを用
いてよく攪拌混合、粉砕して、Seが96.8原子パー
セント、Biが2.3原子パーセント、Ｆが0.9原子パ
ーセントにしたものを石英皿に入れ、これをスパ
ツタ用タゲツトとし高周波スパツタ装置を用いて
スパツタし、0.5μｍの厚さのSe−Bi−Ｆ合金層
を導電性基板２１上に形成したものである。さら
に、導電性基板２２上に、ポリビニルカルバゾー
ルのテトラヒドロフラン溶液を塗布して乾燥さ
せ、電荷輸送層２３を形成して感光体とした。な
お、スパツタされたSe−Bi−Ｆ合金層の組成を
分析したところ、Seが97原子パーセント、Biが
20％、Ｆが１％であり、スパツタ用ターゲツトに
用いた粉末材料の組成とほぼ同一であつた。
前述のように構成された第１の参考例による
Se−Bi−Ｆ合金を電荷発生層とし、ポリビニル
カルバゾールを電荷輸送層とした機能分離型すな
わち積層型の感光体は、第１の参考例と同様な導
電性基板上に第１の参考例と同組成のSe−Bi−
Ｆ合金を形成した単層型の感光体の帯電電位が
720V、長波800nｍの半減露光量が0.4μJ・cm-2で
あるのに対し、対電電位が1000Vあつて表面電荷
の保持能力が非常に高く、波長800nｍでの半減
露光量が0.3μJ・cm-2であつて感度が高かつた。
また、第１の参考例の感光体は、繰返して帯電、
露光、現像、転写、クリーニングの一連の操作を
行なう実使用に十分に耐え、残留電位も非常に小
さかつた。
Se−Bi−Ｆ合金を電荷発生層とし、ポリビニル
カルバゾールを電荷輸送層とした機能分離型すな
わち積層型の感光体は、第１の参考例と同様な導
電性基板上に第１の参考例と同組成のSe−Bi−
Ｆ合金を形成した単層型の感光体の帯電電位が
720V、長波800nｍの半減露光量が0.4μJ・cm-2で
あるのに対し、対電電位が1000Vあつて表面電荷
の保持能力が非常に高く、波長800nｍでの半減
露光量が0.3μJ・cm-2であつて感度が高かつた。
また、第１の参考例の感光体は、繰返して帯電、
露光、現像、転写、クリーニングの一連の操作を
行なう実使用に十分に耐え、残留電位も非常に小
さかつた。
第３図は第２の参考例を示す。第２の参考例
は、第１の参考例で電荷輸送層としてポリビニル
カルバゾールを用いたのに対し、電荷輸送層とし
てピラゾリン誘導体である１−フエニル−３−
（4′−ジメチルアミノスチリル）−５−（4″−ジメ
チルアミノフエニル）−２−ピラゾリンと、ポリ
カーボネート樹脂との重量比で１：１の混合物を
用いたものである。そして、第３図において、３
１は導電性基板、３２はSe−Bi−Ｆ合金の電荷
発生層であり、これらは第１の参考例のものと同
様である。３３は電荷発生層３２上に形成した電
荷輸送層であり、前記ピラゾリン誘導体とポリカ
ーボネート樹脂あるいはフエノキシ樹脂との重量
比で１：１の混合物のテトラヒドロフラン溶液を
塗布乾燥させた10μｍの厚さの膜である。
は、第１の参考例で電荷輸送層としてポリビニル
カルバゾールを用いたのに対し、電荷輸送層とし
てピラゾリン誘導体である１−フエニル−３−
（4′−ジメチルアミノスチリル）−５−（4″−ジメ
チルアミノフエニル）−２−ピラゾリンと、ポリ
カーボネート樹脂との重量比で１：１の混合物を
用いたものである。そして、第３図において、３
１は導電性基板、３２はSe−Bi−Ｆ合金の電荷
発生層であり、これらは第１の参考例のものと同
様である。３３は電荷発生層３２上に形成した電
荷輸送層であり、前記ピラゾリン誘導体とポリカ
ーボネート樹脂あるいはフエノキシ樹脂との重量
比で１：１の混合物のテトラヒドロフラン溶液を
塗布乾燥させた10μｍの厚さの膜である。
前述のように構成された第２の参考例による
Se−Bi−Ｆ合金を電荷発生層とし、ピラゾリン
誘導体とフエノキシ樹脂の混合物を電荷輸送層と
した積層型の感光体は、これの特性を測定したと
ころ、帯電電位が900Vであつて電荷保持能力が
高く、波長800nｍでの半減露光量が0.25μJ・cm-2
であつて感度が高かつた。
Se−Bi−Ｆ合金を電荷発生層とし、ピラゾリン
誘導体とフエノキシ樹脂の混合物を電荷輸送層と
した積層型の感光体は、これの特性を測定したと
ころ、帯電電位が900Vであつて電荷保持能力が
高く、波長800nｍでの半減露光量が0.25μJ・cm-2
であつて感度が高かつた。
第４図はこの発明の第１の実施例を示す。第１
の実施例は、第１の参考例のものと同様な導電性
基板４１とSe−Bi−Ｆ合金の電荷発生層４３と
の間にSeからなる高抵抗層４２を設けたもので
ある。すなわち、導電性基板４１上にスパツタ法
でSeを0.5μｍの厚さに形成して高低抗層４２を設
け、この高抵抗層４２上に真空を破らずにスパツ
タ法でSe−Bi−Ｆ合金を0.5μｍの厚さに形成し
て電荷発生層４３を設け、さらに、電荷発生層４
３上に第１の参考例と同様にポリビニルカルバゾ
ールをコーテイングして電荷輸送層４４を形成し
た感光体である。
の実施例は、第１の参考例のものと同様な導電性
基板４１とSe−Bi−Ｆ合金の電荷発生層４３と
の間にSeからなる高抵抗層４２を設けたもので
ある。すなわち、導電性基板４１上にスパツタ法
でSeを0.5μｍの厚さに形成して高低抗層４２を設
け、この高抵抗層４２上に真空を破らずにスパツ
タ法でSe−Bi−Ｆ合金を0.5μｍの厚さに形成し
て電荷発生層４３を設け、さらに、電荷発生層４
３上に第１の参考例と同様にポリビニルカルバゾ
ールをコーテイングして電荷輸送層４４を形成し
た感光体である。
前述のように構成された第１の実施例の感光体
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
1300Vであつて、電荷保持能力が第１の参考例の
ものよりも200V高く、これは純Seからなる高抵
抗層を有しているため、導電性基板からの電荷の
注入が阻止されているからであり、また、波長
800nｍでの半減露光量が0.25μJ・cm-2であつて感
度が高かつた。
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
1300Vであつて、電荷保持能力が第１の参考例の
ものよりも200V高く、これは純Seからなる高抵
抗層を有しているため、導電性基板からの電荷の
注入が阻止されているからであり、また、波長
800nｍでの半減露光量が0.25μJ・cm-2であつて感
度が高かつた。
第５図はこの発明の第２の実施例を示す。第２
の実施例は、第１の参考例のものと同様な導電性
基板５１とSe−Bi−Ｆ合金の電荷発生層５３と
の間にSeからなる高抵抗層５２を設けたもので
ある。すなわち、導電性基板５１上にスパツタ法
でSeを0.5μｍの厚さに形成して高抵抗層５２を設
け、この高抵抗層５２上に第１の実施例と同様に
真空を破らずにスパツタ法でSe−Bi−Ｆ合金を
0.5μｍの厚さに形成して電荷発生層５３を設け、
さらに電荷発生層５３上に第２の参考例と同様に
ピラゾリン誘導体とフエノキシ樹脂との重量比
１：１の混合物のテトラヒドロフラン溶液を塗布
乾燥させた10μｍの厚さの電荷輸送層５４を形成
した感光体である。
の実施例は、第１の参考例のものと同様な導電性
基板５１とSe−Bi−Ｆ合金の電荷発生層５３と
の間にSeからなる高抵抗層５２を設けたもので
ある。すなわち、導電性基板５１上にスパツタ法
でSeを0.5μｍの厚さに形成して高抵抗層５２を設
け、この高抵抗層５２上に第１の実施例と同様に
真空を破らずにスパツタ法でSe−Bi−Ｆ合金を
0.5μｍの厚さに形成して電荷発生層５３を設け、
さらに電荷発生層５３上に第２の参考例と同様に
ピラゾリン誘導体とフエノキシ樹脂との重量比
１：１の混合物のテトラヒドロフラン溶液を塗布
乾燥させた10μｍの厚さの電荷輸送層５４を形成
した感光体である。
前述のように構成された第２の実施例の感光体
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
11150Vであつて電荷保持能力が純Seからなる高
抵抗層を有していない第２の参考例のものより高
く、また波長800nｍでの半減露光量が0.2μJ・cm
-2であつて感度も第２の参考例のものより高かつ
た。
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
11150Vであつて電荷保持能力が純Seからなる高
抵抗層を有していない第２の参考例のものより高
く、また波長800nｍでの半減露光量が0.2μJ・cm
-2であつて感度も第２の参考例のものより高かつ
た。
第６図はこの発明の第３の実施例を示す。第３
の実施例は、第１実施例と同様に導電性基板６１
上にSeからなる高抵抗層６２を形成し、高抵抗
層６２の上にSe−Bi−Ｆ合金からなる電荷発生
層６３を形成し、電荷発生層６３上にSeからな
る高抵抗層６５を0.5μｍの厚さに形成し、さらに
高抵抗層６５上に第２の参考例と同様にピラゾリ
ン誘導体とフエノキシ樹脂との重量比１：１の混
合物のテトラヒドロフラン溶液を塗液乾燥させた
10μｍの厚さの電荷輸送層６４を形成した感光体
である。
の実施例は、第１実施例と同様に導電性基板６１
上にSeからなる高抵抗層６２を形成し、高抵抗
層６２の上にSe−Bi−Ｆ合金からなる電荷発生
層６３を形成し、電荷発生層６３上にSeからな
る高抵抗層６５を0.5μｍの厚さに形成し、さらに
高抵抗層６５上に第２の参考例と同様にピラゾリ
ン誘導体とフエノキシ樹脂との重量比１：１の混
合物のテトラヒドロフラン溶液を塗液乾燥させた
10μｍの厚さの電荷輸送層６４を形成した感光体
である。
前述のように構成された第３の実施例の感光体
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
1250Vであつて、電荷保持能力が第２の実施例よ
りさらに高く、また波長800nｍでの半減露光量
が0.2μj・cm-2であり感度も高かつた。
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
1250Vであつて、電荷保持能力が第２の実施例よ
りさらに高く、また波長800nｍでの半減露光量
が0.2μj・cm-2であり感度も高かつた。
第７図は第１の比較例を示す。第１の比較例
は、アルミニウムの導電性基板７１上にSeから
なる高抵抗層７２を真空蒸着法によつて50μｍの
厚さに形成し、高抵抗層７２上にSe−Bi−Ｆ合
金からなる電荷発生層７３をスパツタ法で3μｍ
の厚さに形成した感光体である。
は、アルミニウムの導電性基板７１上にSeから
なる高抵抗層７２を真空蒸着法によつて50μｍの
厚さに形成し、高抵抗層７２上にSe−Bi−Ｆ合
金からなる電荷発生層７３をスパツタ法で3μｍ
の厚さに形成した感光体である。
前述のように構成された第１の比較例の感光体
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
600Vであつて電荷保持能力が第１および第２の
参考例ならびに第１ないし第３の実施例のものよ
りも低く、また波長800nｍでの半減露光量が
0.9μj・cm-2であり、これは実用上高い値であつ
た。
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
600Vであつて電荷保持能力が第１および第２の
参考例ならびに第１ないし第３の実施例のものよ
りも低く、また波長800nｍでの半減露光量が
0.9μj・cm-2であり、これは実用上高い値であつ
た。
第８図は第２の比較例を示す。第２の比較例
は、アルミニウムの導電性基板８１上にSeから
なる高抵抗層８２を真空蒸着法によつて50μｍの
厚さに形成し、高抵抗層８２上にSe−ｉ−Ｆ合
金からなる電荷発生層８３をスパツタ法で0.5μｍ
の厚さに形成し、電荷発生層８３上にSeからな
る高抵抗層８４をスパツタ法で3μｍの厚さに形
成した感光体である。
は、アルミニウムの導電性基板８１上にSeから
なる高抵抗層８２を真空蒸着法によつて50μｍの
厚さに形成し、高抵抗層８２上にSe−ｉ−Ｆ合
金からなる電荷発生層８３をスパツタ法で0.5μｍ
の厚さに形成し、電荷発生層８３上にSeからな
る高抵抗層８４をスパツタ法で3μｍの厚さに形
成した感光体である。
前述のように構成された第２の比較例の感光体
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
800Vであつて電荷保持能力が第１の比較例より
も200V高く、また波長800nｍでの半減露光量が
0.6μJ・cm-2であつて第１の比較例よりも感度が
高かつたが、第１および第２の参考例ならびに第
１ないし第３の実施例のものよりも低かつた。
は、これの特性を測定したところ、帯電電位が
800Vであつて電荷保持能力が第１の比較例より
も200V高く、また波長800nｍでの半減露光量が
0.6μJ・cm-2であつて第１の比較例よりも感度が
高かつたが、第１および第２の参考例ならびに第
１ないし第３の実施例のものよりも低かつた。
この発明において、電荷発生層Se−Bi−Ｆ合
金は0.5〜10原子パーセントのBi、0.01〜10原子
パーセントのＦ、および残余のSeの組成範囲の
ものが好ましい。また、電荷輸送層のピラゾリン
誘導体は、１−フエニル−３−（4′−ジメチルア
ミノスチリル）−５−（4″−ジメチルアミノフエニ
ル）−２−ピラゾリンのほかに、１−フエニル−
３−（4′−ジエチルアミノスチリル）−５−（4″−
ジエチルアミノフエニル）−ピラゾリンまたは１，
５−ジフエニル−３−スチリル−２−ピラゾリン
などを用いることができ、ピラゾリン誘導体は成
膜がむずかしく、安定な膜を形成するためにポリ
カーボネート樹脂またはフエノキシ樹脂との混合
物として使用するものであり、前記樹脂とピラゾ
リン誘導体との混合は重量比で１：１程度にする
ことが好ましい。
金は0.5〜10原子パーセントのBi、0.01〜10原子
パーセントのＦ、および残余のSeの組成範囲の
ものが好ましい。また、電荷輸送層のピラゾリン
誘導体は、１−フエニル−３−（4′−ジメチルア
ミノスチリル）−５−（4″−ジメチルアミノフエニ
ル）−２−ピラゾリンのほかに、１−フエニル−
３−（4′−ジエチルアミノスチリル）−５−（4″−
ジエチルアミノフエニル）−ピラゾリンまたは１，
５−ジフエニル−３−スチリル−２−ピラゾリン
などを用いることができ、ピラゾリン誘導体は成
膜がむずかしく、安定な膜を形成するためにポリ
カーボネート樹脂またはフエノキシ樹脂との混合
物として使用するものであり、前記樹脂とピラゾ
リン誘導体との混合は重量比で１：１程度にする
ことが好ましい。
以上説明したように、この発明の電子写真用感
光体は、表面電荷保持能力が高くかつ長波長域で
の感度が発明者らが先に提案したものよりさらに
高いという効果があり、したがつて、レーザビー
ムプリンタ用感光体としてだけではなく、半導体
レーザ光を用いたフアクシミリまたは赤色発光ダ
イオード（LED）を用いたプリンタ、フアツク
スに利用できる。特に、この発明の電子写真用感
光体は、電荷発生層にSe−Bi−Ｆ合金膜を用い、
その電荷発生層と導電性基板との間もしくは電荷
発生層と電荷輸送層との間の少なくとも一方に、
Seからなる厚さが薄い高抵抗層を備えることに
より大幅に帯電電位を高くして、大幅な表面電荷
保持能力の向上を図ることがでできる。
光体は、表面電荷保持能力が高くかつ長波長域で
の感度が発明者らが先に提案したものよりさらに
高いという効果があり、したがつて、レーザビー
ムプリンタ用感光体としてだけではなく、半導体
レーザ光を用いたフアクシミリまたは赤色発光ダ
イオード（LED）を用いたプリンタ、フアツク
スに利用できる。特に、この発明の電子写真用感
光体は、電荷発生層にSe−Bi−Ｆ合金膜を用い、
その電荷発生層と導電性基板との間もしくは電荷
発生層と電荷輸送層との間の少なくとも一方に、
Seからなる厚さが薄い高抵抗層を備えることに
より大幅に帯電電位を高くして、大幅な表面電荷
保持能力の向上を図ることがでできる。
第１図は従来例の電子写真用感光体を示す断面
図、第２図および第３図は参考例の電子写真用感
光体をそれぞれ示す断面図、第４図ないし第６図
はこの発明の第１ないし第３の実施例による電子
写真用感光体をそれぞれ示す断面図、第７図およ
び第８図は第１および第２の比較例の電子写真用
感光体をそれぞれ示す断面図である。 ４１，５１，６１……導電性基板、４３，５
３，６３……電荷発生層、４４，５４，６４……
電荷輸送層、４２，５２，６２，６５……高抵抗
層。
図、第２図および第３図は参考例の電子写真用感
光体をそれぞれ示す断面図、第４図ないし第６図
はこの発明の第１ないし第３の実施例による電子
写真用感光体をそれぞれ示す断面図、第７図およ
び第８図は第１および第２の比較例の電子写真用
感光体をそれぞれ示す断面図である。 ４１，５１，６１……導電性基板、４３，５
３，６３……電荷発生層、４４，５４，６４……
電荷輸送層、４２，５２，６２，６５……高抵抗
層。
Claims (1)
- １ 導電性基板と、この導電性基板上に形成した
Se−Bi−Ｆ合金からなる電荷発生層と、この電
荷発生層上に形成したポリビニルカルバゾールま
たはピラゾリン誘導体とポリカーボネート樹脂あ
るいはフエノキシ樹脂との混合物からなる電荷輸
送層と、前記導電性基板と前記電荷発生層との間
もしくは前記電荷発生層と前記電荷輸送層との間
の少なくとも一方に形成されたSeからなる厚さ
が薄い高抵抗層とを備えたことを特徴とする電子
写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10379882A JPS58221847A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10379882A JPS58221847A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58221847A JPS58221847A (ja) | 1983-12-23 |
| JPH0117574B2 true JPH0117574B2 (ja) | 1989-03-31 |
Family
ID=14363410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10379882A Granted JPS58221847A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58221847A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3898083A (en) * | 1973-01-05 | 1975-08-05 | Xerox Corp | High sensitivity visible infrared photoconductor |
-
1982
- 1982-06-18 JP JP10379882A patent/JPS58221847A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58221847A (ja) | 1983-12-23 |
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