JPH0480527B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0480527B2 JPH0480527B2 JP61181046A JP18104686A JPH0480527B2 JP H0480527 B2 JPH0480527 B2 JP H0480527B2 JP 61181046 A JP61181046 A JP 61181046A JP 18104686 A JP18104686 A JP 18104686A JP H0480527 B2 JPH0480527 B2 JP H0480527B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- manufacturing
- capacitor element
- Prior art date
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、７，７，８，８−テトラシアノキノ
ジメタンからなるイオンラジカル塩を固体電解質
とした固体電解コンデンサの製造方法に関するも
のである。 ［従来の技術］ ７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（以下、TCNQという）からなるイオンラジカル
塩を固体電解コンデンサとして、例えばキノリン
あるいはイソキノリンをカチオンとし、TCNQ
をアニオンとするTCNQ錯塩（特開昭58−
191414号）や同様にピリジンをカチオンとした
TCNQ錯塩（特開昭59−61026号）を加熱融解
し、冷却固化したものを固体電解質したものが良
く知られている。TCNQ錯塩を冷却固化する方
法は、エツチングを施したアルミニウム箔からな
る陽極箔と陰極箔とを電解紙であるセパレータを
介して巻回したコンデンサ素子にTCNQ錯塩を
融解状態で含浸することができるので、非常に好
ましいものである。 ［発明が解決しようとする問題点］ このような巻回型のコンデンサ素子の特に陽極
箔は、箔スリツタで生じた箔切断面には化成皮膜
が形成されておらず、また巻回時に生じた皮膜損
傷部分を有している。そこで、TCNQ錯塩から
なる固体電解質を有する固体電解コンデンサにお
いても、箔切断面への化成皮膜の生成および皮膜
損傷部分の修復を目的としてエージング処理を行
なつている。 しかし、TCNQ錯塩のこれら化成性は同じ固
体電解質である二酸化マンガンよりは良好である
が、溶質を有機極性溶媒に溶解した通常の電解液
よりも非常に劣るものである。それゆえに、エー
ジング処理後の固体電解コンデンサであつても漏
れ電流および損失角の正接が大きいものである。 ［問題を解決するための手段］ しかるに、本発明はTCNQ錯塩からなる固体
電解質を有する固体電解コンデンサの漏れ電流お
よび損失角の正接を低下させるために、コンデン
サ素子にTCNQ錯塩を融解状態で含浸する前に
化成液中でコンデンサ素子に通電化成するように
したものである。 化成液は有機極性溶媒と有機酸または無機酸の
溶質とからなる。有機極性溶媒はエチレングリコ
ールのような多価アルコール類、γ−ブチロラク
トンなどのケトン類、NN′−ジメチルホルムア
ミドなどのアミド類、メチルカルビトールなどの
アルキルエーテル類などからなる。有機酸はコハ
ク酸、セバシン酸などの直鎖ジカルボン酸、安息
香酸、フタル酸などの芳香族カルボン酸、マレイ
ン酸、フマル酸などの不飽和ジカルボン酸、酒石
酸、クエン酸などのオキシ酸からなる。無機酸は
硼酸、リン酸などからなる。 コンデンサ素子はアルミニウムからなる陽極箔
と陰極箔とをセパレータを介して巻回した構造を
有し、またその外周はポリプロピレンなどの合成
樹脂製テープにゴム系あるいはアクリル系の粘着
剤を塗布した素子止めテープにより巻き止めされ
ている。 化成に際して、化成液として上述の溶媒を使用
すると、粘着剤が不溶のために素子止めテープが
弛むことがないので好ましい。しかし、水溶液を
使用すると、粘着剤が溶解してしまうものがあ
り、素子止めテープが解れてしまい、好ましくな
い。 次に、TCNQ錯塩からなる固体電解質として
本発明実施例ではＮ−ｎ−ブチル−βナフトキノ
リンTCNQ錯塩について述べるが、他の既に公
知のイソキノリンTCNQ錯塩、キノリンTCNQ
錯塩、ピリジンTCNQ錯塩などについても適用
し得るものである。 ［実施例］ 先ず、アルミニウムをエツチングし、化成した
箔を陽極箔とし、アルミニウムをエツチングした
箔を陰極箔とし、両箔を電解紙であるセパレータ
を介して巻回したコンデンサ素子を用意する。 このコンデンサ素子の箔切断面への化成皮膜の
生成および皮膜損傷部分の修復を目的として、第
１図に示すように化成液１中にコンデンサ素子２
を浸漬し、コンデンサ素子２の陽極側リード線３
および陰極側リード線４間に直流電圧５を印加す
る。化成液としてはここではアジピン酸アンモニ
ウムをエチレングリコールに10wt％溶解したも
のである。化成液温20〜85℃中で定格25Vのコン
デンサ素子を化成する場合、化成電圧は25〜
140Vが好ましく、化成時間は１〜30分が好まし
い。このような条件で化成すると、コンデンサ素
子の箔切断面への化成皮膜の生成および皮膜損傷
部分の修復がなされることになる。化成処理後、
コンデンサ素子は有機極性溶媒で洗浄され、乾燥
される。 次に、化成処理後のコンデンサ素子を加熱し、
セパレータを炭化させておく。なお、この炭化は
上述の化成前であつても良い。TCNQ錯塩とし
て、例えばＮ−ｎ−ブチル−βナフトキノリン
TCNQ錯塩を用意し、同粉末40mgを直径5.0mmの
アルミニウムケースに充填し、290℃で約10秒で
加熱し、溶解する。そこに270℃の温度まで加熱
しておいたコンデンサ素子を浸漬し、浸漬後約15
秒で急冷させる。 上述のようにして製造された本発明に係る固体
電解コンデンサ（定格25V・4.7μF）の実施例１、
２、３と化成処理のない従来例の特性比較を第１
表に示す。
ジメタンからなるイオンラジカル塩を固体電解質
とした固体電解コンデンサの製造方法に関するも
のである。 ［従来の技術］ ７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（以下、TCNQという）からなるイオンラジカル
塩を固体電解コンデンサとして、例えばキノリン
あるいはイソキノリンをカチオンとし、TCNQ
をアニオンとするTCNQ錯塩（特開昭58−
191414号）や同様にピリジンをカチオンとした
TCNQ錯塩（特開昭59−61026号）を加熱融解
し、冷却固化したものを固体電解質したものが良
く知られている。TCNQ錯塩を冷却固化する方
法は、エツチングを施したアルミニウム箔からな
る陽極箔と陰極箔とを電解紙であるセパレータを
介して巻回したコンデンサ素子にTCNQ錯塩を
融解状態で含浸することができるので、非常に好
ましいものである。 ［発明が解決しようとする問題点］ このような巻回型のコンデンサ素子の特に陽極
箔は、箔スリツタで生じた箔切断面には化成皮膜
が形成されておらず、また巻回時に生じた皮膜損
傷部分を有している。そこで、TCNQ錯塩から
なる固体電解質を有する固体電解コンデンサにお
いても、箔切断面への化成皮膜の生成および皮膜
損傷部分の修復を目的としてエージング処理を行
なつている。 しかし、TCNQ錯塩のこれら化成性は同じ固
体電解質である二酸化マンガンよりは良好である
が、溶質を有機極性溶媒に溶解した通常の電解液
よりも非常に劣るものである。それゆえに、エー
ジング処理後の固体電解コンデンサであつても漏
れ電流および損失角の正接が大きいものである。 ［問題を解決するための手段］ しかるに、本発明はTCNQ錯塩からなる固体
電解質を有する固体電解コンデンサの漏れ電流お
よび損失角の正接を低下させるために、コンデン
サ素子にTCNQ錯塩を融解状態で含浸する前に
化成液中でコンデンサ素子に通電化成するように
したものである。 化成液は有機極性溶媒と有機酸または無機酸の
溶質とからなる。有機極性溶媒はエチレングリコ
ールのような多価アルコール類、γ−ブチロラク
トンなどのケトン類、NN′−ジメチルホルムア
ミドなどのアミド類、メチルカルビトールなどの
アルキルエーテル類などからなる。有機酸はコハ
ク酸、セバシン酸などの直鎖ジカルボン酸、安息
香酸、フタル酸などの芳香族カルボン酸、マレイ
ン酸、フマル酸などの不飽和ジカルボン酸、酒石
酸、クエン酸などのオキシ酸からなる。無機酸は
硼酸、リン酸などからなる。 コンデンサ素子はアルミニウムからなる陽極箔
と陰極箔とをセパレータを介して巻回した構造を
有し、またその外周はポリプロピレンなどの合成
樹脂製テープにゴム系あるいはアクリル系の粘着
剤を塗布した素子止めテープにより巻き止めされ
ている。 化成に際して、化成液として上述の溶媒を使用
すると、粘着剤が不溶のために素子止めテープが
弛むことがないので好ましい。しかし、水溶液を
使用すると、粘着剤が溶解してしまうものがあ
り、素子止めテープが解れてしまい、好ましくな
い。 次に、TCNQ錯塩からなる固体電解質として
本発明実施例ではＮ−ｎ−ブチル−βナフトキノ
リンTCNQ錯塩について述べるが、他の既に公
知のイソキノリンTCNQ錯塩、キノリンTCNQ
錯塩、ピリジンTCNQ錯塩などについても適用
し得るものである。 ［実施例］ 先ず、アルミニウムをエツチングし、化成した
箔を陽極箔とし、アルミニウムをエツチングした
箔を陰極箔とし、両箔を電解紙であるセパレータ
を介して巻回したコンデンサ素子を用意する。 このコンデンサ素子の箔切断面への化成皮膜の
生成および皮膜損傷部分の修復を目的として、第
１図に示すように化成液１中にコンデンサ素子２
を浸漬し、コンデンサ素子２の陽極側リード線３
および陰極側リード線４間に直流電圧５を印加す
る。化成液としてはここではアジピン酸アンモニ
ウムをエチレングリコールに10wt％溶解したも
のである。化成液温20〜85℃中で定格25Vのコン
デンサ素子を化成する場合、化成電圧は25〜
140Vが好ましく、化成時間は１〜30分が好まし
い。このような条件で化成すると、コンデンサ素
子の箔切断面への化成皮膜の生成および皮膜損傷
部分の修復がなされることになる。化成処理後、
コンデンサ素子は有機極性溶媒で洗浄され、乾燥
される。 次に、化成処理後のコンデンサ素子を加熱し、
セパレータを炭化させておく。なお、この炭化は
上述の化成前であつても良い。TCNQ錯塩とし
て、例えばＮ−ｎ−ブチル−βナフトキノリン
TCNQ錯塩を用意し、同粉末40mgを直径5.0mmの
アルミニウムケースに充填し、290℃で約10秒で
加熱し、溶解する。そこに270℃の温度まで加熱
しておいたコンデンサ素子を浸漬し、浸漬後約15
秒で急冷させる。 上述のようにして製造された本発明に係る固体
電解コンデンサ（定格25V・4.7μF）の実施例１、
２、３と化成処理のない従来例の特性比較を第１
表に示す。
【表】
［効果］
本発明に係る固体電解コンデンサはTCNQ錯
塩の加熱融解含浸前にコンデンサ素子を化成する
ようにしたので、損失角の正接を従来例に比較し
て約1/2に、また漏れ電流を従来例に比較して約
１／４に低減することができるものである。これに
より、特に漏れ電流の少ない固体電解コンデンサ
を提供できるものである。
塩の加熱融解含浸前にコンデンサ素子を化成する
ようにしたので、損失角の正接を従来例に比較し
て約1/2に、また漏れ電流を従来例に比較して約
１／４に低減することができるものである。これに
より、特に漏れ電流の少ない固体電解コンデンサ
を提供できるものである。
第１図は本発明に係るコンデンサ素子の通電化
成を示す図である。 図中、１……化成液、２……コンデンサ素子、
３，４……リード線、５……直流電圧。
成を示す図である。 図中、１……化成液、２……コンデンサ素子、
３，４……リード線、５……直流電圧。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウムからなる陽極箔と陰極箔とをセ
パレータを介して巻回したコンデンサ素子を有機
極性溶媒と有機酸または無機酸の溶質とからなる
化成液中に浸漬し、コンデンサ素子のリード線間
に電圧を印加して化成する工程と、化成処理後、
有機極性溶媒で洗浄し、乾燥したコンデンサ素子
に７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯
塩を加熱融解して含浸する工程とからなる固体電
解コンデンサの製造方法。 ２ 特許請求の範囲１において、有機極性溶媒は
多価アルコール類、ケトン類、アミド類またはア
ルキルエーテル類からなることを特徴とした固体
電解コンデンサの製造方法。 ３ 特許請求の範囲１において、溶質としての有
機酸は直鎖ジカルボン酸、芳香族カルボン酸、不
飽和ジカルボン酸またはオキシ酸からなることを
特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 ４ 特許請求の範囲１において、溶質としての無
機酸は硼酸またはリン酸からなることを特徴とす
る固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18104686A JPS6337610A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18104686A JPS6337610A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337610A JPS6337610A (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0480527B2 true JPH0480527B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=16093822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18104686A Granted JPS6337610A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337610A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0377307A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH03136227A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| FI104510B (fi) | 1998-05-25 | 2000-02-15 | Tamfelt Oyj Abp | Sovitelma puristusvaipan kiinnittämiseksi puristintelan päätyyn |
| CN105551801B (zh) * | 2011-12-19 | 2018-12-21 | 帝化株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191414A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18104686A patent/JPS6337610A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337610A (ja) | 1988-02-18 |
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