JPH0467331B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0467331B2 JPH0467331B2 JP19692488A JP19692488A JPH0467331B2 JP H0467331 B2 JPH0467331 B2 JP H0467331B2 JP 19692488 A JP19692488 A JP 19692488A JP 19692488 A JP19692488 A JP 19692488A JP H0467331 B2 JPH0467331 B2 JP H0467331B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- separator paper
- capacitor
- tcnq
- tcnq salt
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical class CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 18
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 14
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 34
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-O isoquinolin-2-ium Chemical compound C1=[NH+]C=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- CUUHOLKEFUEQJE-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylquinolin-1-ium Chemical compound C1=CC=C2[N+](C(C)C)=CC=CC2=C1 CUUHOLKEFUEQJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMYITQBLSZFYLU-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylisoquinolin-2-ium Chemical compound C1=CC=CC2=C[N+](C(C)C)=CC=C21 ZMYITQBLSZFYLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 isoquinolinium iodine Chemical compound 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
(イ) 産業上の利用分野
本発明はTCNQ塩からなる有機半導体を固体
電解質とする固体電解コンデンサに関する。 (ロ) 従来の技術 固体電解コンデンサの固体電解質として
TCNQ塩からなる有機半導体を用い得ることは
既に知られている。この場合、固体電解質は酸化
皮膜を有するアルミニウムなどの皮膜形成性金属
に直接付着されるものであるが、異なる形態とし
て、陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を挾んで巻
取り、上記セパレータ紙に上記の固体電解質を含
浸することも特願昭56−116861号の発明として既
に提案されている。尚TCNQとは7,7,8,
8テトラシアノキノジメタンを意味する。 また、電解コンデンサのセパレータ紙を炭化す
る技術については特開昭56−135921号
(H01G9/02)に記載されており、これは電解液
(液体)の保持量を増大させることを目的として
はいるが、後述する本願発明のTCNQ塩(固体)
の保持量を増大させる技術とは異なつている。ま
た、この従来のセパレータ紙は、陽極箔と陰極箔
とが常に液体を介して対面して、両極間がシヨー
トするおそれのあるコンデンサにおいて両極を分
離しシヨートを防止するものであり、従つてこの
セパレータ紙の炭化を過度に行なえばその機械的
強度を失つて、金属ケースの開口端をカールさせ
た際や実使用の際の圧力により両極間がシヨート
するおそれがある。 (ハ) 発明が解決しようとする課題 本発明は、特に後者の巻取り型コンデンサの改
良を図つたもので、より具体的には、セパレータ
紙への固体電解質の含浸度を高め、その結果再結
晶化したTCNQ塩を増大させてコンデンサ特性
としての静電容量の増大、tanδおよびESR(等価
直列抵抗)の減少といつた効果を得るものであ
る。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明の固体電解コンデンサは次のようにして
作られる。即ち、 (A) セパレータ紙を有する巻取り素子を、該セパ
レータ紙にTCNQ塩を再結晶化させるための
準備工程として、400℃以下で加熱して、該セ
パレータ紙を炭化し、 (B) 有底円筒状のアルミニウムケースにTCNQ
塩を収納し、該ケースを融点以上熱分解する温
度以下に加熱することにより該TCNQ塩を融
解液化し、 (C) 該TCNQ塩に前記巻取り素子を浸漬して前
記セパレータ紙に該TCNQ塩を含浸させ、 (D) 前記ケースを冷却することにより、該セパレ
ータ紙に含浸した前記TCNQ塩を再結晶化し
て固体電解コンデンサを製造する。 尚、本発明の固体電解コンデンサの電解質とし
て使用するTCNQ塩は冷却固化後コンデンサ用
電解質として使用し得る高い電導度を有すること
は言うまでもない。 (ホ) 作用 セパレータ紙は炭化処理により密度が低下する
から、液化したTCNQ塩を巻取り素子内部へ容
易に吸引し、この結果TCNQ塩の含浸度が高ま
り、再結晶するTCNQ塩の量を増大させる。 更に、本願発明のセパレータ紙は、含浸工程
(上記(C)の工程)においてのみ両極間がシヨート
しなければ、以後の工程および実使用の際には
TCNQ塩の再結晶化(固体化)により、両極間
の距離が維持されるので、炭化処理を過度に行な
つても致命的な問題はない。従つて、本願発明の
セパレータ紙は、電気的絶縁度の低下やひび割れ
を考慮して当初の重量の40%まで炭化処理を行な
うことができ、結果としてTCNQ塩の再結晶の
量を十分確保できる。 (ヘ) 実施例 以下本発明実施例として、アルミニウム化成箔
を陽極箔とし、アルミニウムエツチング箔を陰極
箔として、これらをマニラ紙をセパレータ紙とし
て巻取つた定格25V用巻取り素子に固体電解質を
含浸した場合を、その製造過程と共に説明する。
まず、セパレータ紙にTCNQ塩を再結晶化させ
るための準備工程として、上記巻取り素子を空気
中で250℃、30分以上加熱し、これによりセパレ
ータ紙の炭化が行なわれる。 一方固体電解質として、N−(n−プロピル)−
イソキノリニウムのTCNQ塩が準備される。斯
るTCNQ塩の作成自体は、J.Am.Chem.Soc.,
Vol.84,P.3374〜3387(1962)の記載に基いて行
なえるが、簡単に述べればn−プロピルヨードと
イソキノリンとを反応させて得られるN−(n−
プロピル)−イソキノリニウムヨードとTCNQと
をアセトニトリル中で1:1.3モル比で反応させ
ることにより粉末結晶状のN−(n−プロピル)−
イソキノリニウムのTCNQ錯塩が作られる。以
後この塩を単にTCNQ塩と称す。 次いで、有底円筒状のアルミニウムケース内に
上記TCNQ塩の粉末を入れ、TCNQ塩の融点以
上で約300℃以下(熱分解する温度以下)、より好
ましくは280℃〜290℃に保持された鉄板上にて上
記ケースを加熱保持する。尚斯るケースは最終的
にコンデンサの外囲器となるものである。上記
TCNQ塩の融点は210℃〜220℃であり、従つて
上記加熱によりケース内のTCNQ塩は融解液化
する。 続く工程ではケース内の液化TCNQ塩中に予
め準備されている巻取り素子を浸漬し、セパレー
タ紙にTCNQ塩を含浸させる。次に工程では直
ちにこの状態でケースを室温の水に浸漬して冷却
する。斯る冷却は、上記TCNQ塩の液化完了後
す早く開始すべきである。即ち長時間、上記
TCNQ塩を液体状態に保持すれば、TCNQ塩は
激しく発泡し、ほゞ電気的絶縁物となる。より具
体的には、この様な液化から絶縁物化までの時間
はTCNQ塩の液化保持温度が低い程長く、上記
の如くそれが280℃〜290℃の場合上記冷却開始時
期は液化完了後1分以内、より好ましくは15秒以
内に設定される。又、巻取り素子はその浸漬直前
にTCNQ塩の加熱温度とほゞ同温度に予熱して
おくことが好ましい。斯る工程により、巻取り素
子のセパレータ紙に液状のTCNQ塩が含浸され、
その後の冷却セパレータ紙に含浸されたTCNQ
塩は再結晶化して、20〜30Ωcm(25℃)高い電導
度を示す固体電解質を形成する。 最後に陽極リード及び陰極リードの先端を露出
した状態で上記ケースの開口を樹脂封口して目的
とする固体電解コンデンサが完成する。 下表に本実施例固体電解コンデンサの特性を示
す。表中、第1、第2、第3実施例は夫々上記炭
化処理の継続時間を30分、1時間、2時間とした
場合であり、又参考例は炭化処理のみを全く行な
わなかつた場合である。尚、静電容量C及びtanδ
は120Hzでの測定値、ESRは100kHzでの測定値で
あり、ΔC/Cは20℃を基準とする容量変化率、
LC/30″は30秒後の平均漏れ電流を夫々表わす。
電解質とする固体電解コンデンサに関する。 (ロ) 従来の技術 固体電解コンデンサの固体電解質として
TCNQ塩からなる有機半導体を用い得ることは
既に知られている。この場合、固体電解質は酸化
皮膜を有するアルミニウムなどの皮膜形成性金属
に直接付着されるものであるが、異なる形態とし
て、陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙を挾んで巻
取り、上記セパレータ紙に上記の固体電解質を含
浸することも特願昭56−116861号の発明として既
に提案されている。尚TCNQとは7,7,8,
8テトラシアノキノジメタンを意味する。 また、電解コンデンサのセパレータ紙を炭化す
る技術については特開昭56−135921号
(H01G9/02)に記載されており、これは電解液
(液体)の保持量を増大させることを目的として
はいるが、後述する本願発明のTCNQ塩(固体)
の保持量を増大させる技術とは異なつている。ま
た、この従来のセパレータ紙は、陽極箔と陰極箔
とが常に液体を介して対面して、両極間がシヨー
トするおそれのあるコンデンサにおいて両極を分
離しシヨートを防止するものであり、従つてこの
セパレータ紙の炭化を過度に行なえばその機械的
強度を失つて、金属ケースの開口端をカールさせ
た際や実使用の際の圧力により両極間がシヨート
するおそれがある。 (ハ) 発明が解決しようとする課題 本発明は、特に後者の巻取り型コンデンサの改
良を図つたもので、より具体的には、セパレータ
紙への固体電解質の含浸度を高め、その結果再結
晶化したTCNQ塩を増大させてコンデンサ特性
としての静電容量の増大、tanδおよびESR(等価
直列抵抗)の減少といつた効果を得るものであ
る。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明の固体電解コンデンサは次のようにして
作られる。即ち、 (A) セパレータ紙を有する巻取り素子を、該セパ
レータ紙にTCNQ塩を再結晶化させるための
準備工程として、400℃以下で加熱して、該セ
パレータ紙を炭化し、 (B) 有底円筒状のアルミニウムケースにTCNQ
塩を収納し、該ケースを融点以上熱分解する温
度以下に加熱することにより該TCNQ塩を融
解液化し、 (C) 該TCNQ塩に前記巻取り素子を浸漬して前
記セパレータ紙に該TCNQ塩を含浸させ、 (D) 前記ケースを冷却することにより、該セパレ
ータ紙に含浸した前記TCNQ塩を再結晶化し
て固体電解コンデンサを製造する。 尚、本発明の固体電解コンデンサの電解質とし
て使用するTCNQ塩は冷却固化後コンデンサ用
電解質として使用し得る高い電導度を有すること
は言うまでもない。 (ホ) 作用 セパレータ紙は炭化処理により密度が低下する
から、液化したTCNQ塩を巻取り素子内部へ容
易に吸引し、この結果TCNQ塩の含浸度が高ま
り、再結晶するTCNQ塩の量を増大させる。 更に、本願発明のセパレータ紙は、含浸工程
(上記(C)の工程)においてのみ両極間がシヨート
しなければ、以後の工程および実使用の際には
TCNQ塩の再結晶化(固体化)により、両極間
の距離が維持されるので、炭化処理を過度に行な
つても致命的な問題はない。従つて、本願発明の
セパレータ紙は、電気的絶縁度の低下やひび割れ
を考慮して当初の重量の40%まで炭化処理を行な
うことができ、結果としてTCNQ塩の再結晶の
量を十分確保できる。 (ヘ) 実施例 以下本発明実施例として、アルミニウム化成箔
を陽極箔とし、アルミニウムエツチング箔を陰極
箔として、これらをマニラ紙をセパレータ紙とし
て巻取つた定格25V用巻取り素子に固体電解質を
含浸した場合を、その製造過程と共に説明する。
まず、セパレータ紙にTCNQ塩を再結晶化させ
るための準備工程として、上記巻取り素子を空気
中で250℃、30分以上加熱し、これによりセパレ
ータ紙の炭化が行なわれる。 一方固体電解質として、N−(n−プロピル)−
イソキノリニウムのTCNQ塩が準備される。斯
るTCNQ塩の作成自体は、J.Am.Chem.Soc.,
Vol.84,P.3374〜3387(1962)の記載に基いて行
なえるが、簡単に述べればn−プロピルヨードと
イソキノリンとを反応させて得られるN−(n−
プロピル)−イソキノリニウムヨードとTCNQと
をアセトニトリル中で1:1.3モル比で反応させ
ることにより粉末結晶状のN−(n−プロピル)−
イソキノリニウムのTCNQ錯塩が作られる。以
後この塩を単にTCNQ塩と称す。 次いで、有底円筒状のアルミニウムケース内に
上記TCNQ塩の粉末を入れ、TCNQ塩の融点以
上で約300℃以下(熱分解する温度以下)、より好
ましくは280℃〜290℃に保持された鉄板上にて上
記ケースを加熱保持する。尚斯るケースは最終的
にコンデンサの外囲器となるものである。上記
TCNQ塩の融点は210℃〜220℃であり、従つて
上記加熱によりケース内のTCNQ塩は融解液化
する。 続く工程ではケース内の液化TCNQ塩中に予
め準備されている巻取り素子を浸漬し、セパレー
タ紙にTCNQ塩を含浸させる。次に工程では直
ちにこの状態でケースを室温の水に浸漬して冷却
する。斯る冷却は、上記TCNQ塩の液化完了後
す早く開始すべきである。即ち長時間、上記
TCNQ塩を液体状態に保持すれば、TCNQ塩は
激しく発泡し、ほゞ電気的絶縁物となる。より具
体的には、この様な液化から絶縁物化までの時間
はTCNQ塩の液化保持温度が低い程長く、上記
の如くそれが280℃〜290℃の場合上記冷却開始時
期は液化完了後1分以内、より好ましくは15秒以
内に設定される。又、巻取り素子はその浸漬直前
にTCNQ塩の加熱温度とほゞ同温度に予熱して
おくことが好ましい。斯る工程により、巻取り素
子のセパレータ紙に液状のTCNQ塩が含浸され、
その後の冷却セパレータ紙に含浸されたTCNQ
塩は再結晶化して、20〜30Ωcm(25℃)高い電導
度を示す固体電解質を形成する。 最後に陽極リード及び陰極リードの先端を露出
した状態で上記ケースの開口を樹脂封口して目的
とする固体電解コンデンサが完成する。 下表に本実施例固体電解コンデンサの特性を示
す。表中、第1、第2、第3実施例は夫々上記炭
化処理の継続時間を30分、1時間、2時間とした
場合であり、又参考例は炭化処理のみを全く行な
わなかつた場合である。尚、静電容量C及びtanδ
は120Hzでの測定値、ESRは100kHzでの測定値で
あり、ΔC/Cは20℃を基準とする容量変化率、
LC/30″は30秒後の平均漏れ電流を夫々表わす。
【表】
【表】
上記表より本実施例の如くセパレータ紙に炭化
処理を施せば静電容量の増大、tanδ及びESRの
減少の各効果が表われることは明らかである。 炭化処理によるこの様な効果はセパレータ紙の
繊維が炭化により細くなり、繊維間の隙間を大き
くしセパレータ紙への固体電解質の含浸度が高ま
り、再結晶化したTCNQ塩を増大させることに
よるものである。下表は、炭化処理(温度250℃)
の継続時間とセパレータ紙の重量変化を示すもの
で、これは炭化による繊維の細径度合を意味す
る。
処理を施せば静電容量の増大、tanδ及びESRの
減少の各効果が表われることは明らかである。 炭化処理によるこの様な効果はセパレータ紙の
繊維が炭化により細くなり、繊維間の隙間を大き
くしセパレータ紙への固体電解質の含浸度が高ま
り、再結晶化したTCNQ塩を増大させることに
よるものである。下表は、炭化処理(温度250℃)
の継続時間とセパレータ紙の重量変化を示すもの
で、これは炭化による繊維の細径度合を意味す
る。
【表】
炭化処理温度は高すぎると、セパレータ紙の表
面付近の繊維のみが過度に炭化され、内部の繊維
まで炭化が十分進まない。従つて処理温度は400
℃以下より好ましくは300℃以下に設定すべきで
ある。又上記表より明らかな如く、時間をかけれ
ばかけるほど炭化が進むが、過度の炭化はセパレ
ータ紙の電気的絶縁度の低下やひび割れを招き、
従つて炭化の度合いはセパレータ紙の重量にして
当初の90%〜40%が好ましい。 上記実施例において、アルミニウム箔をタンタ
ル箔等他の皮膜形成性金属箔に変えること、セパ
レータ紙としてクラフト紙を用いること、固体電
解質として、N−(イソプロピル)−キノリニウ
ム、N−(n−プロピル)−キノリニウム、N−
(イソプロピル)−イソキノリニウムも各TCNQ
錯塩を用いることは何れも可能であり、同様に実
施され得る。 (ト) 発明の効果 以上の説明より明らかな如く、本発明の固体電
解コンデンサは陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙
を挾んで巻き取り、上記セパレータ紙にTCNQ
塩からなる有機半導体を固体電解質として含浸し
た固体電解コンデンサであり、而も、本願発明の
セパレータ紙は、含浸工程(上記(C)の工程)にお
いてのみ両極間がシヨートしなければ、以後の工
程および実使用の際にはTCNQ塩の再結晶化
(固体化)により、両極端の距離が維持されるの
で、炭化処理を過度に行なつても致命的な問題は
ない。従つて、本願発明のセパレータ紙は、電気
的絶縁度の低下やひび割れを考慮して当初の重量
の40%まで炭化処理を行なうことができ、結果と
してTCNQ塩の再結晶の量を十分確保できる。
こうして、その特性向上を図ることができる。
面付近の繊維のみが過度に炭化され、内部の繊維
まで炭化が十分進まない。従つて処理温度は400
℃以下より好ましくは300℃以下に設定すべきで
ある。又上記表より明らかな如く、時間をかけれ
ばかけるほど炭化が進むが、過度の炭化はセパレ
ータ紙の電気的絶縁度の低下やひび割れを招き、
従つて炭化の度合いはセパレータ紙の重量にして
当初の90%〜40%が好ましい。 上記実施例において、アルミニウム箔をタンタ
ル箔等他の皮膜形成性金属箔に変えること、セパ
レータ紙としてクラフト紙を用いること、固体電
解質として、N−(イソプロピル)−キノリニウ
ム、N−(n−プロピル)−キノリニウム、N−
(イソプロピル)−イソキノリニウムも各TCNQ
錯塩を用いることは何れも可能であり、同様に実
施され得る。 (ト) 発明の効果 以上の説明より明らかな如く、本発明の固体電
解コンデンサは陽極箔と陰極箔とをセパレータ紙
を挾んで巻き取り、上記セパレータ紙にTCNQ
塩からなる有機半導体を固体電解質として含浸し
た固体電解コンデンサであり、而も、本願発明の
セパレータ紙は、含浸工程(上記(C)の工程)にお
いてのみ両極間がシヨートしなければ、以後の工
程および実使用の際にはTCNQ塩の再結晶化
(固体化)により、両極端の距離が維持されるの
で、炭化処理を過度に行なつても致命的な問題は
ない。従つて、本願発明のセパレータ紙は、電気
的絶縁度の低下やひび割れを考慮して当初の重量
の40%まで炭化処理を行なうことができ、結果と
してTCNQ塩の再結晶の量を十分確保できる。
こうして、その特性向上を図ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 陰極箔と陽極箔の間にセパレータ紙を挾んで
巻取つたコンデンサ巻取り素子と、該コンデンサ
巻取り素子の陰陽両電極箔および400℃以下で加
熱して炭化された前記セパレータ紙に、融解可能
で冷却固化後コンデンサ用電解質として使用し得
る電導度を有するTCNQ塩を融解含浸して冷却
固化せしめた固体電解質とを備える固体電解コン
デンサ。 2 陰極箔と陽極箔の間にセパレータ紙を挾んで
巻取つたコンデンサ巻取り素子と、融解可能で冷
却固化後コンデンサ用電解質として使用し得る電
導度を有するTCNQ塩を収納し且つ加熱融解さ
せる容器と、前記コンデンサ巻取り素子の陰陽両
電極箔および400℃以下で加熱して炭化された前
記セパレータ紙に、前記容器内のTCNQ塩を融
解含浸して冷却固化せしめた固体電解質とを備
え、前記容器をコンデンサ素子の外装容器として
そのまま使用してなる固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19692488A JPS6486514A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Solid electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19692488A JPS6486514A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Solid electrolytic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6486514A JPS6486514A (en) | 1989-03-31 |
| JPH0467331B2 true JPH0467331B2 (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=16365935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19692488A Granted JPS6486514A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Solid electrolytic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6486514A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038312A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH039507A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19692488A patent/JPS6486514A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6486514A (en) | 1989-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6252939B2 (ja) | ||
| JPS6251489B2 (ja) | ||
| JPH0158856B2 (ja) | ||
| JPH0467331B2 (ja) | ||
| JPH0376573B2 (ja) | ||
| JPS63312625A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2950898B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH047086B2 (ja) | ||
| KR930008940B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| JPH0374030B2 (ja) | ||
| JPS61281513A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JPS60167413A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH02241014A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH01255209A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH02237010A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0252848B2 (ja) | ||
| JPS617618A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH0255930B2 (ja) | ||
| JPH026210B2 (ja) | ||
| JPH0255928B2 (ja) | ||
| JPS6251491B2 (ja) | ||
| JPH01255208A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0252849B2 (ja) | ||
| JPH0466373B2 (ja) |