JPH0480533B2 - - Google Patents
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- JPH0480533B2 JPH0480533B2 JP14499586A JP14499586A JPH0480533B2 JP H0480533 B2 JPH0480533 B2 JP H0480533B2 JP 14499586 A JP14499586 A JP 14499586A JP 14499586 A JP14499586 A JP 14499586A JP H0480533 B2 JPH0480533 B2 JP H0480533B2
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- etching
- anisotropic etching
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明はシリコン半導体における異方性エツチ
ング面の突起物除去方法に関するものである。
ング面の突起物除去方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
シリコン（Si）による半導体装置の製造に当つ
て次の手段がとられることは周知である。即ち第
１図ａに示すようにSiウエハ１の結晶面１００上
に成長させたSiO2膜２に、写真工程により所要
のエツチングパターンを形成して、酸およびアル
カリ液を用いる洗浄法例えばRCA洗浄法により
ウエツト洗浄を行う。次に洗浄されたものを希弗
酸（HF）溶液中に短時間浸漬して、エツチング
されるべきSi表面の自然酸化膜を除去して乾燥し
たのち、異方性エツチング液例えば加熱したエチ
レンジアミン−ピロカテコール−水溶液所謂
EPW溶液により、第１図ｂのようにSiエツチン
グする手段がとられるが、この場合次のような欠
点を生ずることが知られている。
て次の手段がとられることは周知である。即ち第
１図ａに示すようにSiウエハ１の結晶面１００上
に成長させたSiO2膜２に、写真工程により所要
のエツチングパターンを形成して、酸およびアル
カリ液を用いる洗浄法例えばRCA洗浄法により
ウエツト洗浄を行う。次に洗浄されたものを希弗
酸（HF）溶液中に短時間浸漬して、エツチング
されるべきSi表面の自然酸化膜を除去して乾燥し
たのち、異方性エツチング液例えば加熱したエチ
レンジアミン−ピロカテコール−水溶液所謂
EPW溶液により、第１図ｂのようにSiエツチン
グする手段がとられるが、この場合次のような欠
点を生ずることが知られている。
即ち第１図ｂ，ｃ（ｃ図は顕微鏡写真のトレー
ス図）中に示すように、エツチングされた面３上
に、付着有機物や微粒金属などを核として所謂マ
イクロピラミツドと称される突起物４が発生し、
しかもこれは第１図中に示すように１１１面によ
り囲まれた四角錐体構造をなすため、エツチング
によつても消滅することなく最後まで残る。この
ため例えば誘電体分離ICの分離耐圧の歩留りを
低下させたり、ダイヤフラム型圧力センサにおけ
るシリコンの加工歩留りの低下を生じさせたりす
る欠点を招く。そこでその阻止のための研究が従
来から行われているが、現状では有機溶剤例えば
イソプロピルアルコールをエツチング溶液中に混
入する方法がとられているに過ぎず、これによつ
てはマイクロピラミツドを完全になくすことはで
きない。
ス図）中に示すように、エツチングされた面３上
に、付着有機物や微粒金属などを核として所謂マ
イクロピラミツドと称される突起物４が発生し、
しかもこれは第１図中に示すように１１１面によ
り囲まれた四角錐体構造をなすため、エツチング
によつても消滅することなく最後まで残る。この
ため例えば誘電体分離ICの分離耐圧の歩留りを
低下させたり、ダイヤフラム型圧力センサにおけ
るシリコンの加工歩留りの低下を生じさせたりす
る欠点を招く。そこでその阻止のための研究が従
来から行われているが、現状では有機溶剤例えば
イソプロピルアルコールをエツチング溶液中に混
入する方法がとられているに過ぎず、これによつ
てはマイクロピラミツドを完全になくすことはで
きない。
（発明の目的）
本発明は上記の如きマイクロピラミツドのない
平滑なエツチング面の実現を目的としてなされた
もので、次に図面を用いてその詳細を説明する。
平滑なエツチング面の実現を目的としてなされた
もので、次に図面を用いてその詳細を説明する。
（問題点を解決するための手段と作用）
本発明は前記のようにマイクロピラミツドを生
じた異方性エツチング後の半導体ウエハを、酸お
よびアルカリ液により洗浄して乾燥したのち、再
度異方性エツチング液中に浸漬して２回目のエツ
チング処理を行うと同時に、その浸漬時間を選定
することによりマイクロピラミツドを消滅させう
ることを明らかにした実験的事実にもとづくもの
であつて、マイクロピラミツドの消滅は次の理由
によるものと考えられる。
じた異方性エツチング後の半導体ウエハを、酸お
よびアルカリ液により洗浄して乾燥したのち、再
度異方性エツチング液中に浸漬して２回目のエツ
チング処理を行うと同時に、その浸漬時間を選定
することによりマイクロピラミツドを消滅させう
ることを明らかにした実験的事実にもとづくもの
であつて、マイクロピラミツドの消滅は次の理由
によるものと考えられる。
即ちマイクロピラミツドは前記したように、１
１１面に囲まれた四角錐形である。従つてこの
まゝではいくら異方性エツチングを行つても消滅
させることはできない。しかし上記のように異方
性エツチングを行つたのち、洗浄などの前処理後
更に２回目の異方性エツチングを行えは、洗浄に
よるマイクロピラミツドの清浄化作用により、第
１図ｃに示すピラミツド４の頂点ａと１１１面の
各交線部ｂなどに、１１１面以外のSi面が露呈し
た状態で再び異方性エツチングが行われる。従つ
て頂点ａと交線部ｂとからエツチングが急速に行
われてマイクロピラミツド４の消去作用が行われ
る。なおこの場合、２回目のエツチング時間が長
過ぎるとピラミツド４の消滅後、再びその形成が
行われる。従つて時間の適切な選定が必要であ
り、その時間は実験によれば10分以下である。次
に本発明の効果を具体例によつて説明する。
１１面に囲まれた四角錐形である。従つてこの
まゝではいくら異方性エツチングを行つても消滅
させることはできない。しかし上記のように異方
性エツチングを行つたのち、洗浄などの前処理後
更に２回目の異方性エツチングを行えは、洗浄に
よるマイクロピラミツドの清浄化作用により、第
１図ｃに示すピラミツド４の頂点ａと１１１面の
各交線部ｂなどに、１１１面以外のSi面が露呈し
た状態で再び異方性エツチングが行われる。従つ
て頂点ａと交線部ｂとからエツチングが急速に行
われてマイクロピラミツド４の消去作用が行われ
る。なおこの場合、２回目のエツチング時間が長
過ぎるとピラミツド４の消滅後、再びその形成が
行われる。従つて時間の適切な選定が必要であ
り、その時間は実験によれば10分以下である。次
に本発明の効果を具体例によつて説明する。
（発明の効果）
第２図ののように１００の結晶面を有する３
〜5Ωcmｐ型のSiウエハ１をRCA洗浄法により洗
浄したのち、HFの10％水溶液中に浸漬して自然
酸化膜を除去する。次にのようにこれを酸化
してSiO2膜２を成長させたのち、パターンの形
成を行う。次に１回目の異方性エツチングのため
のようにRCA洗浄法によるウエツト洗浄
を行つたのち、HFの10％水溶液の中に20秒間浸
漬して、エツチングされるべきSi表面の自然酸化
膜を除去して乾燥する。しかるのちのように
EPW溶液（Ethylenediamin−Pyrocatictechol−
Water）の加熱環流により１回目の異方性エツチ
ングを必要時間（エツチング深さによつて変わ
る）行つたものに、本発明の特徴である２回目の
エツチング処理を行つた。
〜5Ωcmｐ型のSiウエハ１をRCA洗浄法により洗
浄したのち、HFの10％水溶液中に浸漬して自然
酸化膜を除去する。次にのようにこれを酸化
してSiO2膜２を成長させたのち、パターンの形
成を行う。次に１回目の異方性エツチングのため
のようにRCA洗浄法によるウエツト洗浄
を行つたのち、HFの10％水溶液の中に20秒間浸
漬して、エツチングされるべきSi表面の自然酸化
膜を除去して乾燥する。しかるのちのように
EPW溶液（Ethylenediamin−Pyrocatictechol−
Water）の加熱環流により１回目の異方性エツチ
ングを必要時間（エツチング深さによつて変わ
る）行つたものに、本発明の特徴である２回目の
エツチング処理を行つた。
即ち第２図ののように第１回目のエツチ
ング処理におけると同様の手法により、洗浄と自
然酸化膜の除去および乾燥を行つたのち、上記の
EPW溶液により５分間のエツチングを行つた。
ング処理におけると同様の手法により、洗浄と自
然酸化膜の除去および乾燥を行つたのち、上記の
EPW溶液により５分間のエツチングを行つた。
第３図ａ，ｂは上記のように２回の異方性エツ
チングを行つた本発明と、１回の異方性エツチン
グのみの従来方法によるエツチング面を撮影した
写真をトレースしたものの対比図であつて、１回
目のエツチングにより生じたマイクロピラミツド
４が、洗浄や自然酸化膜の除去などの前処理を含
む本発明の２回目のエツチング処理により消滅す
ることが明らかに示されている。
チングを行つた本発明と、１回の異方性エツチン
グのみの従来方法によるエツチング面を撮影した
写真をトレースしたものの対比図であつて、１回
目のエツチングにより生じたマイクロピラミツド
４が、洗浄や自然酸化膜の除去などの前処理を含
む本発明の２回目のエツチング処理により消滅す
ることが明らかに示されている。
従つて本発明によれば、簡単にマイクロピラミ
ツドを消滅させて平滑なシリコン面を実現できる
ので、誘電体分離ICの歩留りの向上、シリコン
ダイヤフラム型圧力センサや、IS FET等のシリ
コンセンサの加工を精度よく、しかも高歩留りを
実現できる大きな効果が得られる。
ツドを消滅させて平滑なシリコン面を実現できる
ので、誘電体分離ICの歩留りの向上、シリコン
ダイヤフラム型圧力センサや、IS FET等のシリ
コンセンサの加工を精度よく、しかも高歩留りを
実現できる大きな効果が得られる。
第１図はシリコンウエハにおける従来の異方性
エツチング法の説明図、第２図は本発明の説明
図、第３図は本発明によるマイクロピラミツドの
消滅実態の説明図である。 １……Siウエハ、２……SiO2膜、３……エツ
チング面、４……突起物（マイクロピラミツド）。
エツチング法の説明図、第２図は本発明の説明
図、第３図は本発明によるマイクロピラミツドの
消滅実態の説明図である。 １……Siウエハ、２……SiO2膜、３……エツ
チング面、４……突起物（マイクロピラミツド）。
Claims (1)
- １ 異方性エツチングによりエツチング面に突起
物が生成されたシリコン半導体を、洗浄および自
然酸化膜の除去などの前処理後、突起物の非再生
成時間だけ再び異方性エツチングを行うことを特
徴とするシリコン半導体における異方性エツチン
グ面の突起物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14499586A JPS632322A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14499586A JPS632322A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632322A JPS632322A (ja) | 1988-01-07 |
| JPH0480533B2 true JPH0480533B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15375021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14499586A Granted JPS632322A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632322A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3054123B2 (ja) * | 1998-06-08 | 2000-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法 |
| US6426254B2 (en) * | 1999-06-09 | 2002-07-30 | Infineon Technologies Ag | Method for expanding trenches by an anisotropic wet etch |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14499586A patent/JPS632322A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS632322A (ja) | 1988-01-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |