JPH0480614A - 磁気センサと磁気ロータリエンコーダ - Google Patents
磁気センサと磁気ロータリエンコーダInfo
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- JPH0480614A JPH0480614A JP2195186A JP19518690A JPH0480614A JP H0480614 A JPH0480614 A JP H0480614A JP 2195186 A JP2195186 A JP 2195186A JP 19518690 A JP19518690 A JP 19518690A JP H0480614 A JPH0480614 A JP H0480614A
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は従来の倍の出力電圧が得られると共に回転方向
による中点電圧の変動が無い、ロータリエンコーダの2
相検出に用いて好適な磁気センサに関する。
による中点電圧の変動が無い、ロータリエンコーダの2
相検出に用いて好適な磁気センサに関する。
(ロ)従来の技術
磁気ロータリエンコーダは、第8図に示す如く歯車等の
磁性体材料から成る回転体(1)に磁気センサ(2)を
近接配置し、回転体(1)が発生する磁界の変化を磁気
センサ(2)が電気信号に変換することにより、回転体
(1)の回転速度と角度、および位置の割り出しを行う
ものであり、各種情報機器やNC工作機械等に広く応用
されている。(特開昭62−276408号)。
磁性体材料から成る回転体(1)に磁気センサ(2)を
近接配置し、回転体(1)が発生する磁界の変化を磁気
センサ(2)が電気信号に変換することにより、回転体
(1)の回転速度と角度、および位置の割り出しを行う
ものであり、各種情報機器やNC工作機械等に広く応用
されている。(特開昭62−276408号)。
前記磁気センサ(2)は、InSb 、 In−NiS
b、またはInAs等の磁気抵抗効果を有する半導体薄
膜から成り、ロータリエンコーダ用の磁気センサ(2)
としては、回転体(1)の回転速度と回転方向を検出す
るための第1の磁気センサ(3)と、回転体(1)の回
転数をカウントする第2の磁気センサ(4)とを組み合
わせた2チツプ構成のものが用いられる。
b、またはInAs等の磁気抵抗効果を有する半導体薄
膜から成り、ロータリエンコーダ用の磁気センサ(2)
としては、回転体(1)の回転速度と回転方向を検出す
るための第1の磁気センサ(3)と、回転体(1)の回
転数をカウントする第2の磁気センサ(4)とを組み合
わせた2チツプ構成のものが用いられる。
前記第1の磁気センサ(3)は、回転体(1)のうち全
周に一定間隔λで歯と谷が設けられた部分に近接配置き
れ、前記歯と谷の周期λに対応して互いに位相が90°
ずれた信号A相、B相を出力するように構成きれている
(第9図)。また、前記第2の磁気センサ<4)は、回
転体(1)のうち全周に1箇所だけ凹凸が設けられた部
分に近接配置きれ、回転体(1)が1回転する毎に1回
の信号、2相を出力するように構成きれている(第9図
)。そして、前記A、B、およびZ相の信号をコンパレ
ータ等で波形整形することにより矩形波出力信号を得、
これらの信号から前述した如く回転体(1)の回転速度
や位置を割り出すようになっている。
周に一定間隔λで歯と谷が設けられた部分に近接配置き
れ、前記歯と谷の周期λに対応して互いに位相が90°
ずれた信号A相、B相を出力するように構成きれている
(第9図)。また、前記第2の磁気センサ<4)は、回
転体(1)のうち全周に1箇所だけ凹凸が設けられた部
分に近接配置きれ、回転体(1)が1回転する毎に1回
の信号、2相を出力するように構成きれている(第9図
)。そして、前記A、B、およびZ相の信号をコンパレ
ータ等で波形整形することにより矩形波出力信号を得、
これらの信号から前述した如く回転体(1)の回転速度
や位置を割り出すようになっている。
ところで、磁気センサ(2)の出力電圧は大きい方がノ
イズ等に強い。そのため、A相とB相用の第1の磁気セ
ンサ(3)は差動型で構成され、第9図に示す如く信号
A、Bと同時に逆相の信号A。
イズ等に強い。そのため、A相とB相用の第1の磁気セ
ンサ(3)は差動型で構成され、第9図に示す如く信号
A、Bと同時に逆相の信号A。
Bを得、これらの差をとることにより倍の出力電圧を得
ている。従って、第1の磁気センサ(3)のチップ表面
には第10図に示す如く総計8個の磁無抵抗素子(5)
が設けられ、これらを配線で接続することにより差動接
続を行っている。また、A相、B相が検出する歯車は一
定ピンチλで連続するので、磁気抵抗素子(5)は位置
関係さえ合致すればどの凹凸を検出しても良く、従って
8個の磁気抵抗素子(5)は全て横一列に並べていた。
ている。従って、第1の磁気センサ(3)のチップ表面
には第10図に示す如く総計8個の磁無抵抗素子(5)
が設けられ、これらを配線で接続することにより差動接
続を行っている。また、A相、B相が検出する歯車は一
定ピンチλで連続するので、磁気抵抗素子(5)は位置
関係さえ合致すればどの凹凸を検出しても良く、従って
8個の磁気抵抗素子(5)は全て横一列に並べていた。
尚、1個の磁気抵抗素子(5)は矩形パターンを有する
のでは無く、折れ曲った蛇行パターンを有する。
のでは無く、折れ曲った蛇行パターンを有する。
一方、2相に関しては従来は差動型にすること無く、片
側のみの出力で構成していたので、総計2個の磁気抵抗
素子(5〉を有していた(第10図)。
側のみの出力で構成していたので、総計2個の磁気抵抗
素子(5〉を有していた(第10図)。
しかしながら、装置の高精度化に伴ってZ相の出力電圧
も大きくしたいというユーザ要求が高まった。そこで本
願発明者は、2相検出にも差動接続を用いることとして
第11図に示すパターンを提案した。
も大きくしたいというユーザ要求が高まった。そこで本
願発明者は、2相検出にも差動接続を用いることとして
第11図に示すパターンを提案した。
即ち、磁気抵抗素子RA、RBの中点から2相出力を、
磁気抵抗素子RC、RDの中点から2相出力を得、2相
のV CC側の磁気抵抗素子RAと2相のGND側の磁
気抵抗素子RDを一直線状に配したものである。磁気抵
抗素子RAとRゎを一直線にするのは、2相用の凹凸が
1個しかないという制約があるからで、断点はA相、B
相のように凹凸が連続してどこの凹凸を検出しても良い
のとは事情が異る。
磁気抵抗素子RC、RDの中点から2相出力を得、2相
のV CC側の磁気抵抗素子RAと2相のGND側の磁
気抵抗素子RDを一直線状に配したものである。磁気抵
抗素子RAとRゎを一直線にするのは、2相用の凹凸が
1個しかないという制約があるからで、断点はA相、B
相のように凹凸が連続してどこの凹凸を検出しても良い
のとは事情が異る。
上記構成によれば、磁気抵抗素子(5)が差動接続きれ
るので、第12図に示すように互いに逆相のZ相とl相
出力が得られこれらの差をとることによって倍の大きさ
の出力電圧が得られる。
るので、第12図に示すように互いに逆相のZ相とl相
出力が得られこれらの差をとることによって倍の大きさ
の出力電圧が得られる。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、第11図の構成では回転体(1)の回転
方向の違い(CW、CCW)によって出力波形が異なる
という不具合が発生した。即ち、回転方向CWで第12
図の出力波形が得られたとすると、反対方向CCWでは
第13図に示すように波形の中点電圧が一致せず、その
結果振幅の大きな波と小さい波とが組合わさった出力波
形になってしまうのである。この原因については今だ明
確な解答が得られていないが、恐らくはvccとGND
のどちらに接続された磁気抵抗素子(5)が先に磁界の
変化を受けるかが影響しているものと考えられる。即ち
、第11図のパターンは回転方向CCWのときに、2相
側はGNDに接続されたRB1が先に磁界変化を受ける
のに対して2相側はvccに接続きれたRcが先にとい
うように、組み合わせが反対になるのである。
方向の違い(CW、CCW)によって出力波形が異なる
という不具合が発生した。即ち、回転方向CWで第12
図の出力波形が得られたとすると、反対方向CCWでは
第13図に示すように波形の中点電圧が一致せず、その
結果振幅の大きな波と小さい波とが組合わさった出力波
形になってしまうのである。この原因については今だ明
確な解答が得られていないが、恐らくはvccとGND
のどちらに接続された磁気抵抗素子(5)が先に磁界の
変化を受けるかが影響しているものと考えられる。即ち
、第11図のパターンは回転方向CCWのときに、2相
側はGNDに接続されたRB1が先に磁界変化を受ける
のに対して2相側はvccに接続きれたRcが先にとい
うように、組み合わせが反対になるのである。
このように第11図の構成は回転方向によって差動出力
波形が異なるので、波形整形などの手段が煩雑になる欠
点を有する。
波形が異なるので、波形整形などの手段が煩雑になる欠
点を有する。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は上記従来の欠点に鑑みてJlれ、直列接続した
磁気抵抗素子RA、Rおの中点から2相出力を、同じく
直列接続した磁気抵抗素子RC、Rtlの中点からl相
出力を得るようにこれらを差動接続するとともに、 各磁気抵抗素子RA−Rゎの配置を前記磁界変化の関係
が同じになるような配置とすることにより、回転方向の
違いによる中点電圧の変動を無くし、 磁気抵抗素子RB1,RCの抵抗変化率を小とすること
により余分な出力波形を出力しないものとし 且つ検出磁界を与えたことによる中点電圧の変化を外付
抵抗(20)で補償することにより、Z相検出に用いて
好適な磁気センサとこれを用いた磁気ロータリエンコー
ダを提供するものである。
磁気抵抗素子RA、Rおの中点から2相出力を、同じく
直列接続した磁気抵抗素子RC、Rtlの中点からl相
出力を得るようにこれらを差動接続するとともに、 各磁気抵抗素子RA−Rゎの配置を前記磁界変化の関係
が同じになるような配置とすることにより、回転方向の
違いによる中点電圧の変動を無くし、 磁気抵抗素子RB1,RCの抵抗変化率を小とすること
により余分な出力波形を出力しないものとし 且つ検出磁界を与えたことによる中点電圧の変化を外付
抵抗(20)で補償することにより、Z相検出に用いて
好適な磁気センサとこれを用いた磁気ロータリエンコー
ダを提供するものである。
(*)作用
本発明によれば、磁気抵抗素子R9とReが互いに反対
方向へ配置きれるので、先に磁界変化を受ける磁気抵抗
素子(17)に印加される電圧が2相直列回路、Z相直
列回路ともに同じ組み合わせになり、且つ回転方向が逆
になってもこの関係は変わらない。従って、回転方向に
よる中点電圧の変動がなく一定した出力波形が得られる
。
方向へ配置きれるので、先に磁界変化を受ける磁気抵抗
素子(17)に印加される電圧が2相直列回路、Z相直
列回路ともに同じ組み合わせになり、且つ回転方向が逆
になってもこの関係は変わらない。従って、回転方向に
よる中点電圧の変動がなく一定した出力波形が得られる
。
また、磁気抵抗素子RB1,Rcの抵抗変化率を小とし
たので、これらが磁界変化を受けても出力電圧は殆ど変
化しない。従って、差動出力つまり磁気抵抗素子RA、
Rゎによる出力以外は余分な出力波形が生じない。
たので、これらが磁界変化を受けても出力電圧は殆ど変
化しない。従って、差動出力つまり磁気抵抗素子RA、
Rゎによる出力以外は余分な出力波形が生じない。
さらに、抵抗変化率を異ならしめたことによって検出磁
界を与えた時に変動する中点重圧を、外付抵抗を挿入す
ることによって正規の値に制御することができる。
界を与えた時に変動する中点重圧を、外付抵抗を挿入す
ることによって正規の値に制御することができる。
(へ)実施例
以下に本発明の一実施例を図面を参照しながら詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明による磁気センサを示す斜視図である・
この磁気センサは、直列接続きれた磁気抵抗素子RA、
RBと、同じく直列接続された磁気抵抗素子Rc、RD
とから成り、前記磁気抵抗素子RA、RDの接続中点か
ら出力信号Zを、前記磁気抵抗素子RC,RDの接続中
点から出力信号2を取り出し、夫々の直列回路の両端に
電源電位V。0と接地電位GNDを印加したものである
。
この磁気センサは、直列接続きれた磁気抵抗素子RA、
RBと、同じく直列接続された磁気抵抗素子Rc、RD
とから成り、前記磁気抵抗素子RA、RDの接続中点か
ら出力信号Zを、前記磁気抵抗素子RC,RDの接続中
点から出力信号2を取り出し、夫々の直列回路の両端に
電源電位V。0と接地電位GNDを印加したものである
。
4個の磁気抵抗素子RA−RDの配置は、先ずZ相側の
接地電位GNDに接続される磁気抵抗素子RAに対し、
2相側の反対の電位つまり電源電位vccに接続される
磁気抵抗素子RDを一直線状に並べ、次いでZ相側のも
う一方の磁気抵抗素子R3を磁気抵抗素子RAとは検出
すべき回転体(11)の溝(12)の幅^と同じ距離だ
け離れた位置に磁気抵抗素子RAと平行となるように配
置し、さらに7相側のもう一方の磁気抵抗素子Rcを前
記磁気抵抗素子RDが配置された側とは反対の側に前記
入だけ離して磁気抵抗素子RDと平行に配設する。
接地電位GNDに接続される磁気抵抗素子RAに対し、
2相側の反対の電位つまり電源電位vccに接続される
磁気抵抗素子RDを一直線状に並べ、次いでZ相側のも
う一方の磁気抵抗素子R3を磁気抵抗素子RAとは検出
すべき回転体(11)の溝(12)の幅^と同じ距離だ
け離れた位置に磁気抵抗素子RAと平行となるように配
置し、さらに7相側のもう一方の磁気抵抗素子Rcを前
記磁気抵抗素子RDが配置された側とは反対の側に前記
入だけ離して磁気抵抗素子RDと平行に配設する。
このようにZ相側とZ相側とで反対の電位が印加きれる
磁気抵抗素子を一直線に並べることにより、回転体(1
1)が発生する単発(連続していないということ)の磁
界変化を検知し、且っZ相側の出力電圧が最大のときに
7個の出力電圧を最小にすることができる。但し、磁気
抵抗素子RBとR6を互いに反対側へ配置したことによ
って、位相は180°ずれる。尚、上記接地電位GND
と電源電位V ccとの関係を反転しても差支えない。
磁気抵抗素子を一直線に並べることにより、回転体(1
1)が発生する単発(連続していないということ)の磁
界変化を検知し、且っZ相側の出力電圧が最大のときに
7個の出力電圧を最小にすることができる。但し、磁気
抵抗素子RBとR6を互いに反対側へ配置したことによ
って、位相は180°ずれる。尚、上記接地電位GND
と電源電位V ccとの関係を反転しても差支えない。
そして、差動出力を得るための磁気抵抗素子R、、RD
と対になる磁気抵抗素子RB,RCの磁気抵抗変化率を
小さくする。手法は、磁気抵抗素子RB、RCの抵抗素
子パターンを磁気抵抗効果を持たない材料で構成するか
、又は磁気抵抗素子RD。
と対になる磁気抵抗素子RB,RCの磁気抵抗変化率を
小さくする。手法は、磁気抵抗素子RB、RCの抵抗素
子パターンを磁気抵抗効果を持たない材料で構成するか
、又は磁気抵抗素子RD。
Rcのラスタを調整することによって行う。
ラスタについて更に説明する。磁気抵抗素子は、InS
b 、 In−NiSb 、 Inks等のように磁界
の変化によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果を有する
半導体薄膜をパターニングすることによって得られ、こ
の半導体薄膜はパターン形状によって磁界の変化に対す
る抵抗値の変動の割合(磁気抵抗変化率と称す)が異る
という所謂形状効果を有する。即ち電流の向きに対して
短く且つ幅広の形状とした方が前記磁気抵抗変化率が大
きいのである。この特性を利用して変化率を大きくしよ
うとするのがラスタである。
b 、 In−NiSb 、 Inks等のように磁界
の変化によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果を有する
半導体薄膜をパターニングすることによって得られ、こ
の半導体薄膜はパターン形状によって磁界の変化に対す
る抵抗値の変動の割合(磁気抵抗変化率と称す)が異る
という所謂形状効果を有する。即ち電流の向きに対して
短く且つ幅広の形状とした方が前記磁気抵抗変化率が大
きいのである。この特性を利用して変化率を大きくしよ
うとするのがラスタである。
第2図Aにラスタ付半導体薄膜のパターンを示す。各磁
気抵抗素子は第1図において矩形状に表記したが、実際
は第2図Aに示す如く一定線幅のパターン(13)が一
定間隔で多数回折り曲げた形状を有する。ラスタ(14
)は、半導体薄膜に銅等の導電材料を一定間隔で付着し
たものであり、前記導電材料を付着した部分の半導体薄
膜は磁気抵抗効果を失うので、結果として磁気抵抗素子
はラスタ(14)によって区切られた部分(15)を縦
列接続して抵抗体を形成することになる。この時ラスタ
(14)が無い部分(15)の長きをパターンの線幅よ
り短くしておけば、前述したような短く且つ幅広の形状
となり、形状効果によって磁気抵抗変化率を大に且つ抵
抗値の大きな抵抗体を構成することができるものである
。
気抵抗素子は第1図において矩形状に表記したが、実際
は第2図Aに示す如く一定線幅のパターン(13)が一
定間隔で多数回折り曲げた形状を有する。ラスタ(14
)は、半導体薄膜に銅等の導電材料を一定間隔で付着し
たものであり、前記導電材料を付着した部分の半導体薄
膜は磁気抵抗効果を失うので、結果として磁気抵抗素子
はラスタ(14)によって区切られた部分(15)を縦
列接続して抵抗体を形成することになる。この時ラスタ
(14)が無い部分(15)の長きをパターンの線幅よ
り短くしておけば、前述したような短く且つ幅広の形状
となり、形状効果によって磁気抵抗変化率を大に且つ抵
抗値の大きな抵抗体を構成することができるものである
。
前記したラスタ(14)の調整によって抵抗変化率を調
整するとは、上記ラスタ(14)の有無、個数、または
ラスタ(14)のパターンの長きを調整することを示す
。
整するとは、上記ラスタ(14)の有無、個数、または
ラスタ(14)のパターンの長きを調整することを示す
。
以下にラスタ(14)の有無によって調整した例を示す
。即ち、一直線状に並べた磁気抵抗素子RA、RDには
上記ラスタ(14)を通常に配設し、これらと対をなす
磁気抵抗素子RB、RCは第2図Bに示す如くラスタ(
14)を無くした。材料は同一である。従って半導体薄
膜パターン(13)はtl[方向に対して長く幅狭の形
状となり、前記形状効果が得られないので、磁界変化を
与えても抵抗値が殆ど変化しない特性とすることができ
るものである。
。即ち、一直線状に並べた磁気抵抗素子RA、RDには
上記ラスタ(14)を通常に配設し、これらと対をなす
磁気抵抗素子RB、RCは第2図Bに示す如くラスタ(
14)を無くした。材料は同一である。従って半導体薄
膜パターン(13)はtl[方向に対して長く幅狭の形
状となり、前記形状効果が得られないので、磁界変化を
与えても抵抗値が殆ど変化しない特性とすることができ
るものである。
尚、パターン(13)の折れ曲り部分には、ラスタ材料
と同じ銅の付着部(16)を設けた。これは、折れ曲り
部分による抵抗値の余計なばらつきを避けるためである
。
と同じ銅の付着部(16)を設けた。これは、折れ曲り
部分による抵抗値の余計なばらつきを避けるためである
。
このようにラスタ(14)で磁気抵抗変化率を調整すれ
ば、マスクパターンの変更だけで済む利点がある。
ば、マスクパターンの変更だけで済む利点がある。
第3図Aに磁気抵抗変化率を異ならしめた磁気センサの
出力波形を示す。第1図の構成において回転体(11)
がCCW方向に回転し、溝(12)が磁気センサに接近
したとする。溝(12)は先ず磁気抵抗素子R6に達し
て磁界変化を与え、磁気抵抗素子Rcの抵抗値を変化さ
せる。対をなす磁気抵抗素子RDはまだ溝(12)に達
していないので、中点電圧Zは減少するはずである。と
ころが、上述したように磁気抵抗素子Rcは磁気抵抗変
化率が極めて小きいので、出力波形は第3図Aの図示点
線aにはならず、はぼ中点電位を保ったままで推移する
。回転体(11)の移動が進むと、磁気抵抗素子R6が
溝(12)からはずれ、替って磁気抵抗素子RAとRD
が溝(12〉に対向する。磁気抵抗素子RAはGND側
に接続された素子なので中点電圧Zは減少し、磁気抵抗
素子RDはVCC側に接続された素子なので、中点電圧
2は逆に増大する。従って互いに逆相の2相とZ相が得
られる。回転がきらに進むと磁気抵抗素子RA、RDが
溝(12)からはずれ、磁気抵抗素子RDが溝(12)
と対向する。磁気抵抗素子RB1の磁気抵抗変化率も小
さくされているので、中点電圧2は点wAbではなく中
点電位を保つことになる。結局、磁気抵抗素子RA、R
Dが溝(12)と対向した時にだけ出力波形が変化する
のである。
出力波形を示す。第1図の構成において回転体(11)
がCCW方向に回転し、溝(12)が磁気センサに接近
したとする。溝(12)は先ず磁気抵抗素子R6に達し
て磁界変化を与え、磁気抵抗素子Rcの抵抗値を変化さ
せる。対をなす磁気抵抗素子RDはまだ溝(12)に達
していないので、中点電圧Zは減少するはずである。と
ころが、上述したように磁気抵抗素子Rcは磁気抵抗変
化率が極めて小きいので、出力波形は第3図Aの図示点
線aにはならず、はぼ中点電位を保ったままで推移する
。回転体(11)の移動が進むと、磁気抵抗素子R6が
溝(12)からはずれ、替って磁気抵抗素子RAとRD
が溝(12〉に対向する。磁気抵抗素子RAはGND側
に接続された素子なので中点電圧Zは減少し、磁気抵抗
素子RDはVCC側に接続された素子なので、中点電圧
2は逆に増大する。従って互いに逆相の2相とZ相が得
られる。回転がきらに進むと磁気抵抗素子RA、RDが
溝(12)からはずれ、磁気抵抗素子RDが溝(12)
と対向する。磁気抵抗素子RB1の磁気抵抗変化率も小
さくされているので、中点電圧2は点wAbではなく中
点電位を保つことになる。結局、磁気抵抗素子RA、R
Dが溝(12)と対向した時にだけ出力波形が変化する
のである。
そして、2相とl相の差をとることにより第3図Bに示
す如〈従来の倍の振幅の出力波形を得るものである。点
線は磁気抵抗素子Rs、Rcが通常の変化率を有する場
合の波形である。このように、本願の出力波形は余分な
波形が一切存在しないので、波形整形に要する処理回路
を簡略化又は−切省くことが可能である。
す如〈従来の倍の振幅の出力波形を得るものである。点
線は磁気抵抗素子Rs、Rcが通常の変化率を有する場
合の波形である。このように、本願の出力波形は余分な
波形が一切存在しないので、波形整形に要する処理回路
を簡略化又は−切省くことが可能である。
上記本願の磁気センサの配置は、磁気抵抗素子RB1と
Rcを互いに反対の側へ配置したことによって、磁界変
化が必ず同じ側の磁気抵抗素子に先に加わるようになっ
ている。即ち、回転方向CCWの時に2相側ではGND
側に接続された磁気抵抗素子RAが、7相側でも同じ<
GND側に接続された磁気抵抗素子Reが先に磁界変化
を受ける。
Rcを互いに反対の側へ配置したことによって、磁界変
化が必ず同じ側の磁気抵抗素子に先に加わるようになっ
ている。即ち、回転方向CCWの時に2相側ではGND
側に接続された磁気抵抗素子RAが、7相側でも同じ<
GND側に接続された磁気抵抗素子Reが先に磁界変化
を受ける。
この関係は反対の回転方向CWにおいても固定電位の関
係が異るだけで変りがなく、今度はVCC側に接続きれ
た磁気抵抗素子RB1とRDが先に変化を受けるという
関係になる。従って、回転方向CWとCCWとで出力波
形が歪むことが無く、安定した出力波形が得られる。
係が異るだけで変りがなく、今度はVCC側に接続きれ
た磁気抵抗素子RB1とRDが先に変化を受けるという
関係になる。従って、回転方向CWとCCWとで出力波
形が歪むことが無く、安定した出力波形が得られる。
第4図にロータリエンコーダの概略図を示した。回転体
(11)は鉄等の磁性体材料から成り、全周に一定ピッ
チで連続する歯と谷が設けられた歯車の如き第1の回転
体(16)と、第1の回転体(16)に同一軸上に設け
られて一体化し、全周に1箇所だけ溝(12)を設けた
第2の回転体(17)とから成り、これに近接して磁気
センサ(18)が固定される。磁気センサ(18)内に
は第1の回転体(16)と対向する位置に第1の磁気セ
ンサが、第2の回転体(17)と対向する位置に第2の
磁気センサが同一平面となるように収納され、それらの
後方には両者に磁気バイアスを与える永久磁石が配置き
れて全体が一体化モールドきれている。
(11)は鉄等の磁性体材料から成り、全周に一定ピッ
チで連続する歯と谷が設けられた歯車の如き第1の回転
体(16)と、第1の回転体(16)に同一軸上に設け
られて一体化し、全周に1箇所だけ溝(12)を設けた
第2の回転体(17)とから成り、これに近接して磁気
センサ(18)が固定される。磁気センサ(18)内に
は第1の回転体(16)と対向する位置に第1の磁気セ
ンサが、第2の回転体(17)と対向する位置に第2の
磁気センサが同一平面となるように収納され、それらの
後方には両者に磁気バイアスを与える永久磁石が配置き
れて全体が一体化モールドきれている。
前記第1と第2の磁気センサは、フェライト等の磁性体
基板上にIn−5b等の薄膜パターンがエポキシ系接着
剤にて接着されて成り、前記第1と第2の磁気センサは
2チツプ構成を採る。第5図に示す如く第1の磁気セン
サ(19)は、総計8個の磁気抵抗素子(20)が配置
され、第1の回転体く16)の歯車と同じピッチだけ離
れた磁気抵抗素子(20〉の中点からA相出力を、A相
と位相が90@ずれるようにしてB相を、A相およびB
相の逆相出力A相、B相が得られるように夫々の磁気抵
抗素子(20)を接続し、全て並列配置した。このよう
に配置できるのは、第1の回転体(16)が一定ピツチ
で連続する凹凸を有し、位置関係さえ合致していればど
の歯を検知してもかまわないからである。
基板上にIn−5b等の薄膜パターンがエポキシ系接着
剤にて接着されて成り、前記第1と第2の磁気センサは
2チツプ構成を採る。第5図に示す如く第1の磁気セン
サ(19)は、総計8個の磁気抵抗素子(20)が配置
され、第1の回転体く16)の歯車と同じピッチだけ離
れた磁気抵抗素子(20〉の中点からA相出力を、A相
と位相が90@ずれるようにしてB相を、A相およびB
相の逆相出力A相、B相が得られるように夫々の磁気抵
抗素子(20)を接続し、全て並列配置した。このよう
に配置できるのは、第1の回転体(16)が一定ピツチ
で連続する凹凸を有し、位置関係さえ合致していればど
の歯を検知してもかまわないからである。
方、第2の磁気センサ(21)には磁気抵抗素子(20
)が第1図の如きパターンで配置される。
)が第1図の如きパターンで配置される。
ところで、本願の如く直列回路を構成する磁気抵抗素子
の一方を磁気抵抗変化率の小さなものにすると、第4図
のロータリエンコーダとして組立てると中点電圧に狂い
が生しる。これは、磁気センサを磁性体に近接配置する
と磁気回路が変わり、この変化が直列回路を構成する磁
気抵抗素子に均等に加わるためで、片側の抵抗値が変動
しないのであるから当然の現象と言える。当初から磁気
回路の変化を想定して抵抗値を決定すれば良いが、製品
がどの様なロータリエンコーダに組み込まれるか分から
ない状態では、チップの製造段階で個々の要求に対応す
るのは不可能である。
の一方を磁気抵抗変化率の小さなものにすると、第4図
のロータリエンコーダとして組立てると中点電圧に狂い
が生しる。これは、磁気センサを磁性体に近接配置する
と磁気回路が変わり、この変化が直列回路を構成する磁
気抵抗素子に均等に加わるためで、片側の抵抗値が変動
しないのであるから当然の現象と言える。当初から磁気
回路の変化を想定して抵抗値を決定すれば良いが、製品
がどの様なロータリエンコーダに組み込まれるか分から
ない状態では、チップの製造段階で個々の要求に対応す
るのは不可能である。
そこで、本発明の最も特徴とする如く、チップを製造し
た後に組立段階で前記中点電圧の狂いを補償する。手法
は、第1図に示す如く各直列回路の中点と固定電位(V
C(:、GND)との間に補償用の外付抵抗(20)を
磁気抵抗素子と並列に挿入する。第1図では磁気抵抗素
子RB1,RCに外付抵抗(20)を並列接続した。こ
れで中点電圧は、磁気抵抗素子の一方と並列抵抗との抵
抗分割になるので、外付抵抗(20)の抵抗値を適切な
値にすれば前記中点電圧の狂いを補正できる。尚、中点
電圧がVoC側にずれたかGND側にずれたかによって
、磁気抵抗素子RA、RDに外付抵抗(20)を挿入す
ることもあり得る。
た後に組立段階で前記中点電圧の狂いを補償する。手法
は、第1図に示す如く各直列回路の中点と固定電位(V
C(:、GND)との間に補償用の外付抵抗(20)を
磁気抵抗素子と並列に挿入する。第1図では磁気抵抗素
子RB1,RCに外付抵抗(20)を並列接続した。こ
れで中点電圧は、磁気抵抗素子の一方と並列抵抗との抵
抗分割になるので、外付抵抗(20)の抵抗値を適切な
値にすれば前記中点電圧の狂いを補正できる。尚、中点
電圧がVoC側にずれたかGND側にずれたかによって
、磁気抵抗素子RA、RDに外付抵抗(20)を挿入す
ることもあり得る。
前記外付抵抗(20)は、磁気センサ(15)本体内に
おいては第6図と第7図に示す如く組立てられる。同図
において、(21)は筐体、〈22)は筐体(21〉の
保護板、(23)はプリント基板である。プリント基板
(23)上には前記第1と第2の磁気センサ(16)(
18)を形成する2つのベレッ)(24)が固着され、
スペーサ(25)によって保護板(22)と一定間隔を
保つように固定される。プリント基板(23)の反対面
にはペレット(24)に磁気バイアスを与える永久磁石
〈26)が固着きれ、外部と電気接続をとるためのノー
ド(27)がプリント基板(23〉から筐体(21)の
底面より導出される。
おいては第6図と第7図に示す如く組立てられる。同図
において、(21)は筐体、〈22)は筐体(21〉の
保護板、(23)はプリント基板である。プリント基板
(23)上には前記第1と第2の磁気センサ(16)(
18)を形成する2つのベレッ)(24)が固着され、
スペーサ(25)によって保護板(22)と一定間隔を
保つように固定される。プリント基板(23)の反対面
にはペレット(24)に磁気バイアスを与える永久磁石
〈26)が固着きれ、外部と電気接続をとるためのノー
ド(27)がプリント基板(23〉から筐体(21)の
底面より導出される。
そして、各パーツとり一ド(27)を取付けたプリント
基板(23)を筐体(21)内に挿入し、筐体(21)
の約半分を樹脂モールドして固定すると共に保護板(2
2〉の前方に磁性体材料を配置する。つまり、ロータリ
エンコーダとしての組立状態と同じ環境ニヘレット(2
4)を置くのである。この状態でり一ド(27)を介し
て磁気抵抗素子の中点電圧を測定し、ずれ量を確認する
。得られたデータから並列接続すべき外付抵抗(20)
の抵抗値を算出するのである。
基板(23)を筐体(21)内に挿入し、筐体(21)
の約半分を樹脂モールドして固定すると共に保護板(2
2〉の前方に磁性体材料を配置する。つまり、ロータリ
エンコーダとしての組立状態と同じ環境ニヘレット(2
4)を置くのである。この状態でり一ド(27)を介し
て磁気抵抗素子の中点電圧を測定し、ずれ量を確認する
。得られたデータから並列接続すべき外付抵抗(20)
の抵抗値を算出するのである。
測定データに基き算出された抵抗値を持つ外付抵抗(2
0)は、磁気センサとは別の第2のプリント基板(28
)上に固定きれる。第2のプリント基板(28)にはリ
ード(27)のピッチと一致するような接続リード(2
9)が導出されており、リード(27)と同本数設けら
れる。そして、筐体(21)内の未封脂部分に第2のプ
リント基板(28)を挿入し、磁気センサのリード(2
7)と外付抵抗(20)の接続リード(29)とを半田
付けする。これで、直列回路の中点とV。C又はGND
の固定電位との間に前記算出データに基づく外付抵抗(
20〉が挿入され、中点電圧の狂いを補正できるのであ
る。最後に、筐体(21)内の死空間をもう一度樹脂モ
ールドして製品が完成する。尚、InSb等の半導体薄
膜は温度係数によっても抵抗値が変動するので、外付抵
抗(20)にもIn5b等の磁気抵抗素子材料を用いる
ことにより、温度による中点電圧変動も防止することが
できる。
0)は、磁気センサとは別の第2のプリント基板(28
)上に固定きれる。第2のプリント基板(28)にはリ
ード(27)のピッチと一致するような接続リード(2
9)が導出されており、リード(27)と同本数設けら
れる。そして、筐体(21)内の未封脂部分に第2のプ
リント基板(28)を挿入し、磁気センサのリード(2
7)と外付抵抗(20)の接続リード(29)とを半田
付けする。これで、直列回路の中点とV。C又はGND
の固定電位との間に前記算出データに基づく外付抵抗(
20〉が挿入され、中点電圧の狂いを補正できるのであ
る。最後に、筐体(21)内の死空間をもう一度樹脂モ
ールドして製品が完成する。尚、InSb等の半導体薄
膜は温度係数によっても抵抗値が変動するので、外付抵
抗(20)にもIn5b等の磁気抵抗素子材料を用いる
ことにより、温度による中点電圧変動も防止することが
できる。
(ト)発明の効果
以上に説明した通り、本発明によれば信号Z相、2相の
差信号をとることによって従来の倍の出力振幅が得られ
る利点を有する。また、磁気抵抗素子RDとR6を反対
側にずらして配置したことによって、磁界変化がV。0
側とGND側のどちらに先に印加才れるかという関係が
2相と7相とで同一であるので、正方向CW1反対方向
CCWで出力波形が同じ磁気センサを提供できる。
差信号をとることによって従来の倍の出力振幅が得られ
る利点を有する。また、磁気抵抗素子RDとR6を反対
側にずらして配置したことによって、磁界変化がV。0
側とGND側のどちらに先に印加才れるかという関係が
2相と7相とで同一であるので、正方向CW1反対方向
CCWで出力波形が同じ磁気センサを提供できる。
また、磁気抵抗素子RD,Rcの磁気抵抗変化率を手さ
くすることによって、必要以外の余分な波形を一切省く
ことができるので、波形整形に要する処理回路を簡略化
する又は−切を無くすことができるという利点をも有す
る。
くすることによって、必要以外の余分な波形を一切省く
ことができるので、波形整形に要する処理回路を簡略化
する又は−切を無くすことができるという利点をも有す
る。
さらに、被検体と対向させた状態と同じ環境での中点電
圧のずれを外付抵抗(20〉によって補正できるので、
正確な出力波形を出力できる磁気センサを提供できる。
圧のずれを外付抵抗(20〉によって補正できるので、
正確な出力波形を出力できる磁気センサを提供できる。
従って斯る磁気センサを一体化することにより、A、B
、Z相全てにおいて同程度の大きな出力振幅で出力でき
る磁気センサを提供でき、ロタリエンコーダとして組み
立てることにより、波形整形回路や歯車形状の特殊加工
が不要なので、構成を簡略化できるという利点をも有す
る。
、Z相全てにおいて同程度の大きな出力振幅で出力でき
る磁気センサを提供でき、ロタリエンコーダとして組み
立てることにより、波形整形回路や歯車形状の特殊加工
が不要なので、構成を簡略化できるという利点をも有す
る。
第1図は本発明の磁気センサを示す斜視図、第2図Aと
第2図Bは夫々ラスク有りのパターンとラスク無しのパ
ターンを示す平面図、第3図Aと第3図Bは出力波形を
示す波形図、第4図は本発明のロータリエンコーダを示
す側面図、第5図は本発明の磁気センサを示す平面図、
第6図と第7図は磁気センサの内部構造を示す断面図、
第8図はロータリエンコーダを示す側面図、第9図はそ
の出力波形を示す波形図、第10図は従来の磁気センサ
を示す平面図、第11図は思案きれた磁気センサを示す
平面図、第12図は回転方向CW時の出力波形を示す波
形図、第13図は回転方向CCW時の出力波形を示す波
形図である。
第2図Bは夫々ラスク有りのパターンとラスク無しのパ
ターンを示す平面図、第3図Aと第3図Bは出力波形を
示す波形図、第4図は本発明のロータリエンコーダを示
す側面図、第5図は本発明の磁気センサを示す平面図、
第6図と第7図は磁気センサの内部構造を示す断面図、
第8図はロータリエンコーダを示す側面図、第9図はそ
の出力波形を示す波形図、第10図は従来の磁気センサ
を示す平面図、第11図は思案きれた磁気センサを示す
平面図、第12図は回転方向CW時の出力波形を示す波
形図、第13図は回転方向CCW時の出力波形を示す波
形図である。
Claims (7)
- (1)抵抗変化率が異る磁気抵抗素子R_A、R_Bを
直列接続しその中点から一方の出力信号を取り出す一方
の直列回路と、 抵抗変化率が異る磁気抵抗素子R_C、R_Dを直列接
続しその中点から他方の出力信号を取り出す他方の直列
回路と、 磁気抵抗素子R_A、R_Dを実質的に一直線状に配置
し、 磁気抵抗素子R_A、R_Dよりは抵抗変化率が小さい
磁気抵抗素子R_B、R_Cの一方を前記一直線状配置
の一方の側に、他方の磁気抵抗素子を前記一直線状配置
の他方の側に各々配置し、 前記直列回路の中点と固定電位との間に、検出環境と同
じ状態で前記中点の電位を調整する外付抵抗を挿入した
ことを特徴とする磁気センサ。 - (2)前記磁気抵抗素子はIn−Sb、In−NiSb
、またはInAsであることを特徴とする請求項第1項
に記載の磁気センサ。 - (3)前記外付抵抗は前記磁気抵抗素子材料と同一の温
度係数を持つものであることを特徴とする請求項第1項
記載の磁気センサ。 - (4)角速度検出用の第1の磁気センサと回転数検出用
の第2の磁気センサとを一体化した磁気センサにおいて
、 前記第2の磁気センサは、抵抗変化率が異る磁気抵抗素
子R_A、R_Bを直列接続しその中点から一方の出力
信号を取り出す一方の直列回路と、抵抗変化率が異る磁
気抵抗素子R_C、R_Dを直列接続しその中点から他
方の出力信号を取り出す他方の直列回路と、磁気抵抗素
子R_A、R_Dを実質的に一直線状に配置し、 前記磁気抵抗素子R_A、R_Dよりは抵抗変化率が小
さい磁気抵抗素子R_B、R_Cの一方を前記一直線状
配置の一方の側に、他方の磁気抵抗素子を前記一直線状
配置の他方の側に各々配置し、 前記直列回路の中点と固定電位との間に、検出環境と同
じ状態で前記中点の電位を調整する外付抵抗を挿入し、 前記外付抵抗を含めて一体化したことを特徴とする磁気
センサ。 - (5)前記第1と第2の磁気センサと前記外付抵抗とが
別個に組立てられ、封止パッケージ内で両者の電気接続
が成されることを特徴とする請求項第4項に記載の磁気
センサ。 - (6)その周囲に角速度検出用の磁界変化発生手段と回
転数検出用の磁界変化発生手段とを備える回転体と、 前記角速度検出用の磁界変化に対応する信号を出力する
第1の磁気センサと、 前記回転数検出用の磁界変化に対応する信号を出力する
第2の磁気センサと、を具備する磁気ロータリエンコー
ダにおいて、 前記第2の磁気センサは、抵抗変化率が異る磁気抵抗素
子R_A、R_Bを直列接続しその中点から一方の出力
信号を取り出す一方の直列回路と、抵抗変化率が異る磁
気抵抗素子R_C、R_Dを直列接続しその中点から他
方の出力信号を取り出す他方の直列回路と、磁気抵抗素
子R_A、R_Dを実質的に一直線状に配置し、 前記磁気抵抗素子R_A、R_Dよりは抵抗変化率が小
さい磁気抵抗素子R_B、R_Cの一方を前記一直線状
配置の一方の側に、他方の磁気抵抗素子を前記一直線状
配置の他方の側に各々配置し、 前記直列回路の中点と固定電位との間に、前記回転体と
対向した状態又はそれに相当する状態で前記中点の電位
を調整する外付抵抗を挿入し、前記外付抵抗を含めて一
体化した磁気センサを前記回転体に近接配置したことを
特徴とする磁気ロータリエンコーダ。 - (7)前記磁界変化の発生手段は歯車の歯と谷によるも
のであることを特徴とする請求項第6項に記載の磁気ロ
ータリエンコーダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195186A JP2627354B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 磁気センサと磁気ロータリエンコーダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195186A JP2627354B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 磁気センサと磁気ロータリエンコーダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480614A true JPH0480614A (ja) | 1992-03-13 |
| JP2627354B2 JP2627354B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=16336886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195186A Expired - Lifetime JP2627354B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 磁気センサと磁気ロータリエンコーダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2627354B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7225659B2 (en) | 2002-06-13 | 2007-06-05 | Amada Company, Limited | Punch press die |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58204313A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Nippon Fuenoole Kk | リニヤスケ−ルの検出ヘツド |
| JPS6038615A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | 磁気式ロ−タリ−エンコ−ダ |
| JPS61711A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-06 | Inoue Japax Res Inc | 磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP2195186A patent/JP2627354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58204313A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Nippon Fuenoole Kk | リニヤスケ−ルの検出ヘツド |
| JPS6038615A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | 磁気式ロ−タリ−エンコ−ダ |
| JPS61711A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-06 | Inoue Japax Res Inc | 磁気ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7225659B2 (en) | 2002-06-13 | 2007-06-05 | Amada Company, Limited | Punch press die |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2627354B2 (ja) | 1997-07-02 |
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