JPS61711A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61711A JPS61711A JP12067584A JP12067584A JPS61711A JP S61711 A JPS61711 A JP S61711A JP 12067584 A JP12067584 A JP 12067584A JP 12067584 A JP12067584 A JP 12067584A JP S61711 A JPS61711 A JP S61711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- phase
- magnetic head
- wheatstone bridge
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/244—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains
- G01D5/24428—Error prevention
- G01D5/24433—Error prevention by mechanical means
- G01D5/24438—Special design of the sensing element or scale
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/244—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains
- G01D5/24471—Error correction
- G01D5/24476—Signal processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、角度及び回転方向の検出ができる磁気式ロー
タリエンコーダの磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果合金を
磁気スケールの磁気マークの磁気を検出する磁気抵抗体
又は磁気抵抗素子として用いる磁気ヘッドに於て、基板
に蒸着等の薄膜形成手段により形成されて、磁気ヘッド
を構成する磁気抵抗体又は素子の形状又は配置構成に関
する。
タリエンコーダの磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果合金を
磁気スケールの磁気マークの磁気を検出する磁気抵抗体
又は磁気抵抗素子として用いる磁気ヘッドに於て、基板
に蒸着等の薄膜形成手段により形成されて、磁気ヘッド
を構成する磁気抵抗体又は素子の形状又は配置構成に関
する。
磁気式ロータ゛リエ加−ダは、例えば、特開昭５５−ｊ
ｊ６００’７号公報や同５９−７２１３号公報等に記載
されているように、円板状の磁気媒体の周辺部に角度コ
ードを示す磁気マークを所定の一定角度θ毎、又は所定
の一定間隔λで設けて成る磁気コード盤を回動自在に支
承すると共に、上記回動する磁気コード盤のコード記録
面に、前記磁気抵抗素子の単相ヘッドをＡ相及びＢ相と
して２個並置するか、同一基板上に磁気抵抗素子のヘッ
ドをＡ相とＢ相の２相分形成した磁気ヘッドを接触又は
微少距離隔てて対向させ、上記磁気マークを読み取る方
式のものが公知である。尚、上記の場合磁気コード盤を
固定として、磁気ヘッドを磁気コード盤の周縁に沿って
周りを回転させる形式のものがあるが、上記両者の回転
移動は相対−的なものであるから実質上同一のものであ
る。
ｊ６００’７号公報や同５９−７２１３号公報等に記載
されているように、円板状の磁気媒体の周辺部に角度コ
ードを示す磁気マークを所定の一定角度θ毎、又は所定
の一定間隔λで設けて成る磁気コード盤を回動自在に支
承すると共に、上記回動する磁気コード盤のコード記録
面に、前記磁気抵抗素子の単相ヘッドをＡ相及びＢ相と
して２個並置するか、同一基板上に磁気抵抗素子のヘッ
ドをＡ相とＢ相の２相分形成した磁気ヘッドを接触又は
微少距離隔てて対向させ、上記磁気マークを読み取る方
式のものが公知である。尚、上記の場合磁気コード盤を
固定として、磁気ヘッドを磁気コード盤の周縁に沿って
周りを回転させる形式のものがあるが、上記両者の回転
移動は相対−的なものであるから実質上同一のものであ
る。
然しなから、斯種の磁気式ロークリエンコーダに於ては
、磁気コード盤の機械的な回転中心と記録磁気コード（
目盛）の円の中心とが必ずしも充分一致していないため
、磁気ヘッドが記録磁気コードに対して相対的に偏芯運
動をし、検出信号に位相の揺らぎが現れ、甚だしい場合
には、検出信号の位相関係が逆転する等のコードを誤解
してしまうと云う問題点があった。
、磁気コード盤の機械的な回転中心と記録磁気コード（
目盛）の円の中心とが必ずしも充分一致していないため
、磁気ヘッドが記録磁気コードに対して相対的に偏芯運
動をし、検出信号に位相の揺らぎが現れ、甚だしい場合
には、検出信号の位相関係が逆転する等のコードを誤解
してしまうと云う問題点があった。
本発明は叙上の観点に立ってなされたものであり、本発
明の目的とするところは、上記問題点を解消した新規な
磁気式ロータリエンコーダ用磁気ヘッドを提供すること
にある。
明の目的とするところは、上記問題点を解消した新規な
磁気式ロータリエンコーダ用磁気ヘッドを提供すること
にある。
而して、本発明の要旨とするところは、四辺にそれぞれ
磁気抵抗素子から成る磁気検知部を有するホイートスト
ンブリッジ回路の各磁気検知部が、隣辺間に於て、磁気
マーク間隔（隣接するＮ極とＳ極との間隔）λの’Ａ″
″Ａ（但し、ｎ ＝ １．２，３．−）、又はその整数
倍の位相差、例えば、ｎ＝２で２λ又はその整数倍の位
相差をもっているものを２個、各ブリッジ間の相互に対
応する磁気検知部間に於て％９′＋Ｉλ“、例えば、前
記ｎ＝２で％λの位相差を有するようにして二相並列に
設け、両ブリッジ回路の出力電圧を比較して磁気コード
盤の磁気マークを読み取り、角度及び回転方向の検出を
する磁気ヘッドに於て、 一方のホイートストンブリッジ回路の四個の磁気検知部
ＡＩ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４と、これと対応する他の
一方のホイートストンブリッジ回路の四個の磁気検知部
ＢＩ、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４とを、磁気ヘッドの基板上に一
体に、そして、磁気マークとの相対的な移動方向（磁気
コード盤の曲率円弧方向）に順次に、例えばＡ、、Ｂ、
、Ａ２、Ｂ２、Ａ３ 、Ｂ３ 、Ａｄ 、Ｂ４の如く順
次交互に配列するか、 又は、順次に、例えばＢ４、ＡＩ、Ａ２、Ｂ２、Ｂ Ｉ
％ Ａａ 、Ａ３ 、Ｂ３の順に、若しくはＡ、、Ｂ
１・Ｂ２・Ａ３・Ａ４・Ｂｄ、Ｂ３・Ａ２の順の如く各
相の直列接続磁気検知部を交互に配列（勿論各個その磁
気検知部間の間隔や位相差は所定値に設定保った状態と
して配列）することにある。
磁気抵抗素子から成る磁気検知部を有するホイートスト
ンブリッジ回路の各磁気検知部が、隣辺間に於て、磁気
マーク間隔（隣接するＮ極とＳ極との間隔）λの’Ａ″
″Ａ（但し、ｎ ＝ １．２，３．−）、又はその整数
倍の位相差、例えば、ｎ＝２で２λ又はその整数倍の位
相差をもっているものを２個、各ブリッジ間の相互に対
応する磁気検知部間に於て％９′＋Ｉλ“、例えば、前
記ｎ＝２で％λの位相差を有するようにして二相並列に
設け、両ブリッジ回路の出力電圧を比較して磁気コード
盤の磁気マークを読み取り、角度及び回転方向の検出を
する磁気ヘッドに於て、 一方のホイートストンブリッジ回路の四個の磁気検知部
ＡＩ 、Ａ２ 、Ａ３ 、Ａ４と、これと対応する他の
一方のホイートストンブリッジ回路の四個の磁気検知部
ＢＩ、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４とを、磁気ヘッドの基板上に一
体に、そして、磁気マークとの相対的な移動方向（磁気
コード盤の曲率円弧方向）に順次に、例えばＡ、、Ｂ、
、Ａ２、Ｂ２、Ａ３ 、Ｂ３ 、Ａｄ 、Ｂ４の如く順
次交互に配列するか、 又は、順次に、例えばＢ４、ＡＩ、Ａ２、Ｂ２、Ｂ Ｉ
％ Ａａ 、Ａ３ 、Ｂ３の順に、若しくはＡ、、Ｂ
１・Ｂ２・Ａ３・Ａ４・Ｂｄ、Ｂ３・Ａ２の順の如く各
相の直列接続磁気検知部を交互に配列（勿論各個その磁
気検知部間の間隔や位相差は所定値に設定保った状態と
して配列）することにある。
以下、図面により本発明の詳細を具体的に従来公知のも
のと対比して説明する。
のと対比して説明する。
第り図は、本発明にかかる磁気式ロータリエンコーダの
磁気ヘッドの一実施例に於ける磁気検知部の配置とその
相互の回路構成を示す説明図、第、２図又は第３図は、
第１図とは別異の磁気検知部の配置とその相互の回路構
成を示す説明図、第４図は、第′５図に示したホイート
ストンブリッジ回路を構成する公知の磁気抵抗体の具体
的形状を示す説明図、 第５図は、第４図に示した従来のホイートストンブリッ
ジ型磁気ヘッドの回路構成を示す電気回路図、 第６図及び第７図は、第５図に示したホイートストンブ
リッジ回路を構成する第４図とは別異の従来の磁気抵抗
体の具体的形状を示す説明図、第８図は、第５図に示し
た回路を２組複合し、コード盤の回転方向を検出し得る
よう構成した従来公知の２相出力ホイートストンブリソ
ジ型磁気ヘッドの構成を示す電気回路図、 第９図は、第８図に示した回路の出力波形図、第１０図
は、磁気コード盤の磁気マークと磁気へノドのＡＢ相の
磁気検知部の位置関係を示す平面図・ 第１１図は、第１０図に示した磁気ヘットの出力波形図
である。
磁気ヘッドの一実施例に於ける磁気検知部の配置とその
相互の回路構成を示す説明図、第、２図又は第３図は、
第１図とは別異の磁気検知部の配置とその相互の回路構
成を示す説明図、第４図は、第′５図に示したホイート
ストンブリッジ回路を構成する公知の磁気抵抗体の具体
的形状を示す説明図、 第５図は、第４図に示した従来のホイートストンブリッ
ジ型磁気ヘッドの回路構成を示す電気回路図、 第６図及び第７図は、第５図に示したホイートストンブ
リッジ回路を構成する第４図とは別異の従来の磁気抵抗
体の具体的形状を示す説明図、第８図は、第５図に示し
た回路を２組複合し、コード盤の回転方向を検出し得る
よう構成した従来公知の２相出力ホイートストンブリソ
ジ型磁気ヘッドの構成を示す電気回路図、 第９図は、第８図に示した回路の出力波形図、第１０図
は、磁気コード盤の磁気マークと磁気へノドのＡＢ相の
磁気検知部の位置関係を示す平面図・ 第１１図は、第１０図に示した磁気ヘットの出力波形図
である。
先ず、第４図乃至第１１図により従来公知の磁気ヘッド
の構成とその問題点に就いて説明する。
の構成とその問題点に就いて説明する。
第４図中、１は磁気コート盤の磁気マーク （目盛）ト
ラック、２は磁気ヘッドで、ＩｎＡｓ５ ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＡｓ−ＩｎＰ、Ｉｎ５ｂ−ＮｉＳｂやパーマロイと言
われるＦ ｅ −Ｎ ｉ合金等の磁気抵抗効果合金から
構成された磁気抵抗素子から成る磁気検知部の形状、配
置を簡略に示したものである。而して、磁気ヘッド２は
、ホイートストンブリッジ回路を構成する磁気抵抗素子
から成る磁気検知部２ａ、２ｂ、２Ｃ及び２ｄ並びにそ
れ等を接続した入出力端子２ｅ、２ｅ’、２ｆ、２ｇ、
２ｈから成るものである。
ラック、２は磁気ヘッドで、ＩｎＡｓ５ ＩｎＳｂ、Ｉ
ｎＡｓ−ＩｎＰ、Ｉｎ５ｂ−ＮｉＳｂやパーマロイと言
われるＦ ｅ −Ｎ ｉ合金等の磁気抵抗効果合金から
構成された磁気抵抗素子から成る磁気検知部の形状、配
置を簡略に示したものである。而して、磁気ヘッド２は
、ホイートストンブリッジ回路を構成する磁気抵抗素子
から成る磁気検知部２ａ、２ｂ、２Ｃ及び２ｄ並びにそ
れ等を接続した入出力端子２ｅ、２ｅ’、２ｆ、２ｇ、
２ｈから成るものである。
而して、磁気マークトラック１には、例えば前述の特開
昭５５−１４６００７号公報第６図等に記載の如き所謂
縁着磁方式で、媒体を紙面に直角に交互に逆方向に磁化
して設けたＮ極とＳ極の磁気マークｌａ、ｌｂ、１ａ、
１ｂのそれぞれの隣。
昭５５−１４６００７号公報第６図等に記載の如き所謂
縁着磁方式で、媒体を紙面に直角に交互に逆方向に磁化
して設けたＮ極とＳ極の磁気マークｌａ、ｌｂ、１ａ、
１ｂのそれぞれの隣。
接磁気マーク間の中７Ｃ，％線間隔がλの距離を隔て＼
設けである。こ′こでλは、磁気記録波長のＡに相当す
る隣接Ｎ極マークとＳ極マーク間の磁気マークピッチを
示すものであり、以下に記載するλも同様である。
設けである。こ′こでλは、磁気記録波長のＡに相当す
る隣接Ｎ極マークとＳ極マーク間の磁気マークピッチを
示すものであり、以下に記載するλも同様である。
磁気ヘッド２の磁気検知部２ａ乃至２ｄは、トラック１
に対向して、その磁気検知部２ａ乃至２ｄのそれぞれの
中心線間隔が２λの距離を隔て一般けてあり、それぞれ
の磁気検知部２ａ乃至２ｄから一方の側に設けである５
個の端子２ｅ乃至２ｈにホイートストンブリッジ回路を
構成するように通しているものである。
に対向して、その磁気検知部２ａ乃至２ｄのそれぞれの
中心線間隔が２λの距離を隔て一般けてあり、それぞれ
の磁気検知部２ａ乃至２ｄから一方の側に設けである５
個の端子２ｅ乃至２ｈにホイートストンブリッジ回路を
構成するように通しているものである。
而して、端子２ｅ及び２ｅ′と２ｆ間には、それぞれバ
イアス電圧■が供給される入力端子であり、端子２ｇ及
び２ｈは、不平衡電圧（Ｖｓｌ−Ｖ ｓ ｏ）の出力端
子である。
イアス電圧■が供給される入力端子であり、端子２ｇ及
び２ｈは、不平衡電圧（Ｖｓｌ−Ｖ ｓ ｏ）の出力端
子である。
次に、第４図に示す磁気へノド２の作用に就いて説明す
る。
る。
磁気ヘッド２は、図に示した位置では、磁気検知部２ａ
と２Ｃが最高に磁化されており抵抗値が小さいが、磁気
検知部２ｂと２ｄとは硼化されておらず抵抗値が大きい
。そして、磁気へラド２がトランク１に沿って相対的に
移動し、図に示した位置から左右どちらかに〃λ移動し
た位置（図示せず）では、磁気検知部２ａと２０の磁化
率が最低となって抵抗値が大きくなり、磁気検知部２ｂ
と２ｄが磁化されて抵抗値が小さくなる。
と２Ｃが最高に磁化されており抵抗値が小さいが、磁気
検知部２ｂと２ｄとは硼化されておらず抵抗値が大きい
。そして、磁気へラド２がトランク１に沿って相対的に
移動し、図に示した位置から左右どちらかに〃λ移動し
た位置（図示せず）では、磁気検知部２ａと２０の磁化
率が最低となって抵抗値が大きくなり、磁気検知部２ｂ
と２ｄが磁化されて抵抗値が小さくなる。
第５図中、３は前記第４図の磁気へ、ド２と等価な回路
であり、３ａ、３ｂ、３Ｃ及び３ｄは磁気検知部２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄの抵抗、３ｅ、３ｆ、３ｇ及び３ｈは
前記端子２ｅ、２ｅ’、２ｆ、２ｇ及び２ｈに対応する
端子である。
であり、３ａ、３ｂ、３Ｃ及び３ｄは磁気検知部２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄの抵抗、３ｅ、３ｆ、３ｇ及び３ｈは
前記端子２ｅ、２ｅ’、２ｆ、２ｇ及び２ｈに対応する
端子である。
而して、それぞれの磁気検知部の抵抗３ａ乃至３ｄは磁
化されていないときはいずれもや＼大きな値Ｒであるが
これらが磁化されると減少して小さな値ｒとなる。
化されていないときはいずれもや＼大きな値Ｒであるが
これらが磁化されると減少して小さな値ｒとなる。
而して、第４図に示した位置では、磁気検知部２ａ及び
２Ｃが最高に磁化されていて抵抗３ａ、３Ｃの値は、い
ずれもｒ、磁気検知部２ｂ及び２ｄの磁化の程度は最低
でその抵抗３ｂ、３ｄの値はいずれもＲである。
２Ｃが最高に磁化されていて抵抗３ａ、３Ｃの値は、い
ずれもｒ、磁気検知部２ｂ及び２ｄの磁化の程度は最低
でその抵抗３ｂ、３ｄの値はいずれもＲである。
従って、端子３ｇの電圧Ｖｓｌは、
Ｖ ｓ １＝Ｖｇ ＋ Ｖ
’ Ｒ＋ｒ
端子３ｈの電圧Ｖ ｓ □は、
＝Ｖｓ
である。
磁気ヘッド２が左右いずれかに移動すると抵抗３ａ、３
ｃが増大し、同３ｂ、３ｄが減少する。
ｃが増大し、同３ｂ、３ｄが減少する。
そして移動量が２λに達すると前者はＲ１後者はｒとな
るのでＶｓは、 Ｖｓ−Ｖｓｌ −ｖｓｏ ＝ −Ｒ二ｒ Ｖ −−−−
（２ＪＲ＋ｒ となる。
るのでＶｓは、 Ｖｓ−Ｖｓｌ −ｖｓｏ ＝ −Ｒ二ｒ Ｖ −−−−
（２ＪＲ＋ｒ となる。
これはＶ’ｓの最小値であり、磁気抵抗体２が更に同一
方向に移動を続けるとＶｓは増大に転し、合計移動量が
λに達すると再び弐（１１で示した最大値に達するので
以下同様にしてサイン波状の信号が得られるものである
。
方向に移動を続けるとＶｓは増大に転し、合計移動量が
λに達すると再び弐（１１で示した最大値に達するので
以下同様にしてサイン波状の信号が得られるものである
。
第６図は前述の磁気へノド２及びその回路３を、磁気検
知部を磁気抵抗素子として基板上に蒸着等の薄膜形成手
段により薄膜回路として形成した薄膜回路パターンの一
例を示したものであるが、該第６図の薄膜回路化された
回路パターンば、前記第４図又は第５図の磁気ヘッド２
又は回路３を単にそのま＼薄膜回路化したのではなく、
先ず第一に例えば特開昭５６−２２９６１号公報に記載
の如く、薄膜磁気ヘッド回路の入出力等の各端子を全て
一方の側にあるようにして各端子のリード線取付部が磁
気ヨー１′盤の外側にあるようにすることができるよう
にすること、そして第二にリード線取付数を出来る丈少
なくなるようにすることとを考慮して考案されたもので
ある。
知部を磁気抵抗素子として基板上に蒸着等の薄膜形成手
段により薄膜回路として形成した薄膜回路パターンの一
例を示したものであるが、該第６図の薄膜回路化された
回路パターンば、前記第４図又は第５図の磁気ヘッド２
又は回路３を単にそのま＼薄膜回路化したのではなく、
先ず第一に例えば特開昭５６−２２９６１号公報に記載
の如く、薄膜磁気ヘッド回路の入出力等の各端子を全て
一方の側にあるようにして各端子のリード線取付部が磁
気ヨー１′盤の外側にあるようにすることができるよう
にすること、そして第二にリード線取付数を出来る丈少
なくなるようにすることとを考慮して考案されたもので
ある。
即ち、第６図中、４は磁気検知部４ａ、４ｂ、４ｃ及び
４ｄ、ｆｉ子４ｅ、４ｆ、４ｇ及び４ｈ。
４ｄ、ｆｉ子４ｅ、４ｆ、４ｇ及び４ｈ。
リード部４１．４ｊ及び４ｋから成る磁気ヘッド及び回
路である。
路である。
上記に於て、磁気検知部４ａ、４ｂ、４ｃ及び４ｄは、
前述の磁気検知部２ａ、２ｂ、２ｃ及び２ｄ、抵抗３ａ
、３ｂ、３ｃ及び３ｄに対応し、又端子４ｅ、４ｆ、４
ｇ及び４ｈは、前述の端子２ｅ、２ｅ′、２ｆ、２ｇ及
び２ｈ、端子３ｅ。
前述の磁気検知部２ａ、２ｂ、２ｃ及び２ｄ、抵抗３ａ
、３ｂ、３ｃ及び３ｄに対応し、又端子４ｅ、４ｆ、４
ｇ及び４ｈは、前述の端子２ｅ、２ｅ′、２ｆ、２ｇ及
び２ｈ、端子３ｅ。
３ｆ、３ｇ及び３ｈが対応するが、前述の如く端子４ｅ
、４ｆ、４ｇ及び４ｈは一方の側にあるように形成され
ており、そしてこの磁気ヘッド及び回路４では、磁気検
知部４ａ乃至４ｄがそれぞ、れ下記に示すような中心線
間隔又は位相差を隔て＼設けられており、それぞれリー
ド部４１．４ｊ及び４ｋを通じて４個の端子部４ｅ乃至
４ｈに通じており、前記磁気ヘッド２に比べて端子が１
個少なくなるように電路を形成しているものである。
、４ｆ、４ｇ及び４ｈは一方の側にあるように形成され
ており、そしてこの磁気ヘッド及び回路４では、磁気検
知部４ａ乃至４ｄがそれぞ、れ下記に示すような中心線
間隔又は位相差を隔て＼設けられており、それぞれリー
ド部４１．４ｊ及び４ｋを通じて４個の端子部４ｅ乃至
４ｈに通じており、前記磁気ヘッド２に比べて端子が１
個少なくなるように電路を形成しているものである。
磁気検知部 位相差 間隔
４ａ〜４ｂ ’Ａλ ｎλ＋ηλ４ ｂ 〜４
ｃ ’Ａλ ｎλ＋％λ４ Ｃ〜４ ｄ
’Ａ ７１ ｎλ十２λ次に、第６図に示す磁
気へ・レド及び回路４の作用に就いて説明する。
ｃ ’Ａλ ｎλ＋％λ４ Ｃ〜４ ｄ
’Ａ ７１ ｎλ十２λ次に、第６図に示す磁
気へ・レド及び回路４の作用に就いて説明する。
磁気ヘッド及び回路４は、図に示した位置では、磁気検
知部４ａと４０が磁化されており、抵抗値が小さい値ｒ
となっており、一方、磁気検知部４ｂと４ｄが磁化され
ておらず、抵抗値が大きな値Ｒとなっている。そして、
磁気ヘッド及び回路４がトラック１に沿って相対的に移
動し、図に示した位置から左右どちらかに２λ移動した
位置（図示せず）では、磁気検知部４ａと４０が磁化を
解除され、抵抗値が大きな値Ｒとなり、磁気検知部４ｂ
と４ｄが磁化されて、抵抗値が小さな値ｒとなる。
知部４ａと４０が磁化されており、抵抗値が小さい値ｒ
となっており、一方、磁気検知部４ｂと４ｄが磁化され
ておらず、抵抗値が大きな値Ｒとなっている。そして、
磁気ヘッド及び回路４がトラック１に沿って相対的に移
動し、図に示した位置から左右どちらかに２λ移動した
位置（図示せず）では、磁気検知部４ａと４０が磁化を
解除され、抵抗値が大きな値Ｒとなり、磁気検知部４ｂ
と４ｄが磁化されて、抵抗値が小さな値ｒとなる。
従って、このブリッジ回路から成る磁気ヘッド及び回路
４によっても前記第４図及び第５図の磁気ヘッド２と同
様な信号が得られる。
４によっても前記第４図及び第５図の磁気ヘッド２と同
様な信号が得られる。
第７図は、前述第４図及び第５図の磁気ヘッド２に於て
、ホイートストンブリッジ回路を構成する各辺の磁気検
知部２ａ、２ｂ、２Ｃ及び２ｄが各１個の磁気抵抗素子
の抵抗体３ａ、３ｂ、３ｃ及び３ｄから構成されていた
ものを、各２個の磁気抵抗素子の抵抗体を直列に接続し
て磁気ヘッド及び回路を構成した場合の磁気マークトラ
ンク１に対する各磁気検知部５ａ、５ａｌ、５ｂ、５Ｃ
１５Ｃ′及び５ｄ、５４／の相対位置関係の一例を示し
たもので、第７図中、５は磁気検知部５ａ、５ａ′、５
ｂ、５ｂ’、５Ｃ１５ｃ’、５ｄ及び５ｄ′、端子５ｅ
、５ｅ′、５ｆ、５ｇ及び５ｈから成る磁気ヘッド及び
回路である。
、ホイートストンブリッジ回路を構成する各辺の磁気検
知部２ａ、２ｂ、２Ｃ及び２ｄが各１個の磁気抵抗素子
の抵抗体３ａ、３ｂ、３ｃ及び３ｄから構成されていた
ものを、各２個の磁気抵抗素子の抵抗体を直列に接続し
て磁気ヘッド及び回路を構成した場合の磁気マークトラ
ンク１に対する各磁気検知部５ａ、５ａｌ、５ｂ、５Ｃ
１５Ｃ′及び５ｄ、５４／の相対位置関係の一例を示し
たもので、第７図中、５は磁気検知部５ａ、５ａ′、５
ｂ、５ｂ’、５Ｃ１５ｃ’、５ｄ及び５ｄ′、端子５ｅ
、５ｅ′、５ｆ、５ｇ及び５ｈから成る磁気ヘッド及び
回路である。
このホイートストンブリッジ回路では、前述の如く、磁
気抵抗素子から成る磁気検知部の各辺が、それぞれ直列
に接続された二つの磁気検知部から成っている。５ａ、
５ａ’；５ｂ、５ ｂ ’ ＋ ５ ｃ、５ｃ’；５ｄ
、５ｄ’は、それぞれ直列に接続され、第１辺、第２辺
、第３辺及び第４辺を形成する。
気抵抗素子から成る磁気検知部の各辺が、それぞれ直列
に接続された二つの磁気検知部から成っている。５ａ、
５ａ’；５ｂ、５ ｂ ’ ＋ ５ ｃ、５ｃ’；５ｄ
、５ｄ’は、それぞれ直列に接続され、第１辺、第２辺
、第３辺及び第４辺を形成する。
而して、この磁気ヘッド及び回路５でば、磁気検知部５
ａ乃至５ｄ′がそれぞれ下記に示すような中心線間隔又
は位相差を隔て一般けられており、それぞれの磁気検知
部５ａ乃至５ａ／がら５個の端子５ｅ乃至５ｈ４こ通じ
ているものである。
ａ乃至５ｄ′がそれぞれ下記に示すような中心線間隔又
は位相差を隔て一般けられており、それぞれの磁気検知
部５ａ乃至５ａ／がら５個の端子５ｅ乃至５ｈ４こ通じ
ているものである。
・ 磁気検知部−位相差 間隔
５ａ〜５ａ’ Ｏｎ λ
５ ａ ’ 〜５ ｂ ％λ ｎλ＋２λ５ｂ〜
５ｂｌ Ｏｎλ ５ｂ′〜５ｃ Ｖ２λ ｎλ＋２λ５Ｃ〜５ ’ｃ
’ Ｏｎ λ５ ｃ ’ 〜５ ｄ
’Ａλ ｎλ＋２λ５ｄ〜５ｄ’ Ｏｎλ 従って、磁気ヘッド及び回路５ば、図示されている状態
では、第１辺（５２，５ａ′）と第３辺（５ｃ、５ｃ’
）が磁化されており、第２辺（５ｂ、５ｂ’）と第４辺
（５ｄ′、５ｄ′）とは、磁化されていない。そして、
磁気ヘッド及び回路５がトランクＩに沿って相対的に移
動し、図に示した位置から左右どちらかに％λ移動する
と第１辺（５ａ１．５ａ’）と第３辺（５Ｇ、５０′）
が磁化を解除され、第２辺（５ｂ、５ｂ′）と第４辺（
５ｄ、５ｄ′）が磁化される。
５ｂｌ Ｏｎλ ５ｂ′〜５ｃ Ｖ２λ ｎλ＋２λ５Ｃ〜５ ’ｃ
’ Ｏｎ λ５ ｃ ’ 〜５ ｄ
’Ａλ ｎλ＋２λ５ｄ〜５ｄ’ Ｏｎλ 従って、磁気ヘッド及び回路５ば、図示されている状態
では、第１辺（５２，５ａ′）と第３辺（５ｃ、５ｃ’
）が磁化されており、第２辺（５ｂ、５ｂ’）と第４辺
（５ｄ′、５ｄ′）とは、磁化されていない。そして、
磁気ヘッド及び回路５がトランクＩに沿って相対的に移
動し、図に示した位置から左右どちらかに％λ移動する
と第１辺（５ａ１．５ａ’）と第３辺（５Ｇ、５０′）
が磁化を解除され、第２辺（５ｂ、５ｂ′）と第４辺（
５ｄ、５ｄ′）が磁化される。
従って、この回路によっても前述と同様な信号が得られ
る。
る。
而して、この磁気ヘッド及び回路５のホイートストンブ
リッジ型磁気ヘッド回路では、各１辺の磁気検知部の直
列接続磁気抵抗素子数を更に増やせば各辺の抵抗値が大
きくなるので出力Ｖｓを大きくすることができる。
リッジ型磁気ヘッド回路では、各１辺の磁気検知部の直
列接続磁気抵抗素子数を更に増やせば各辺の抵抗値が大
きくなるので出力Ｖｓを大きくすることができる。
Ｖｓ＝Ｒ−１−３−Ｂ
又入力電圧が一定であるとすると、抵抗値が大きくなる
のでバイアス電流ｌが小さくなり、磁気ヘッド５の発熱
が少なくなるので消費電力が小さくなる。又磁気媒体に
放映る各記録磁気マーク信号の大きさのばらつきが平均
化されるので記録磁気マーク間の間隔の不均一が補正さ
れる等々の長所があり、従って各辺をより多素子で構成
することが行なわれている。
のでバイアス電流ｌが小さくなり、磁気ヘッド５の発熱
が少なくなるので消費電力が小さくなる。又磁気媒体に
放映る各記録磁気マーク信号の大きさのばらつきが平均
化されるので記録磁気マーク間の間隔の不均一が補正さ
れる等々の長所があり、従って各辺をより多素子で構成
することが行なわれている。
第８図は、前述第４図、第６図、又は第７図の如き磁気
ヘッド２．４、又は５の磁気抵抗素子から成るホイート
ストンブリッジ型磁気ヘッドと、それらと実質上同一の
構成のホイートストンブリッジ型磁気ヘッドを前記ヘッ
ドに対してＡ２位相を異ならせて並設し、當用の２相出
力ホイートストンブリーソジ型磁気ヘツドとしたものの
電気回路図を示すもので、第８図中、６は抵抗６Ａａ、
６Ａｂ、６’Ａｃ及び６＾ｄから成るＡ相ホイートスト
ンブリッジ回路と、同６Ｂａ、６Ｂｂ、６Ｂｃ及び６Ｂ
ｄから成るＢ相ホイートストンブリッジ回路、及び端子
６＾ｇ、６ Ａ、ｈ、６８ｇ、６Ｂｈ、６ｅ及び６ｆか
ら成る２相出カホイートストンブリフジ型磁気ヘツドの
電気回路で゛ある。
ヘッド２．４、又は５の磁気抵抗素子から成るホイート
ストンブリッジ型磁気ヘッドと、それらと実質上同一の
構成のホイートストンブリッジ型磁気ヘッドを前記ヘッ
ドに対してＡ２位相を異ならせて並設し、當用の２相出
力ホイートストンブリーソジ型磁気ヘツドとしたものの
電気回路図を示すもので、第８図中、６は抵抗６Ａａ、
６Ａｂ、６’Ａｃ及び６＾ｄから成るＡ相ホイートスト
ンブリッジ回路と、同６Ｂａ、６Ｂｂ、６Ｂｃ及び６Ｂ
ｄから成るＢ相ホイートストンブリッジ回路、及び端子
６＾ｇ、６ Ａ、ｈ、６８ｇ、６Ｂｈ、６ｅ及び６ｆか
ら成る２相出カホイートストンブリフジ型磁気ヘツドの
電気回路で゛ある。
而して、電気回路６は、前記例えば第７図に示した単相
のホイートストンブリッジ回路３と同様に磁気検知部の
抵抗６＾ａ、６＾ｂ、６Ａｃ及び６Ａｄのそれぞれの位
置間隔は、抵抗６＾ａの位置を、ｎλ （又は基準位置
としてｎ＝０）とすると、順次に〃λ＋ｎλ、ｎλ及び
２λ＋ｎλ、（尚、抵抗６八ｄと６＾ｄ間の位置間隔は
ｎλ）である人相と、このＡ相と並列に全体としてＡλ
位相差を設けて磁気検知部の抵抗６Ｂａ、６Ｂｂ、６Ｂ
ｃ及び６Ｂｄのそれぞれの位置間隔が〃λ＋ｎλ、ｎλ
及び２λ＋ｎλ、（尚、抵抗６Ｂｄと６Ｂａ間の位置間
隔はｎλ）であるＢ相とから構成する２相出力ホイ一ト
ストンブリソジ回路である。
のホイートストンブリッジ回路３と同様に磁気検知部の
抵抗６＾ａ、６＾ｂ、６Ａｃ及び６Ａｄのそれぞれの位
置間隔は、抵抗６＾ａの位置を、ｎλ （又は基準位置
としてｎ＝０）とすると、順次に〃λ＋ｎλ、ｎλ及び
２λ＋ｎλ、（尚、抵抗６八ｄと６＾ｄ間の位置間隔は
ｎλ）である人相と、このＡ相と並列に全体としてＡλ
位相差を設けて磁気検知部の抵抗６Ｂａ、６Ｂｂ、６Ｂ
ｃ及び６Ｂｄのそれぞれの位置間隔が〃λ＋ｎλ、ｎλ
及び２λ＋ｎλ、（尚、抵抗６Ｂｄと６Ｂａ間の位置間
隔はｎλ）であるＢ相とから構成する２相出力ホイ一ト
ストンブリソジ回路である。
即ち、Ａ、Ｂ各相の磁気検知部の各抵抗が、例えば前述
第４図の如く構成されていて、隣接Ａ相とＢ・相間の配
置間隔が、（ｎλ十Ｘλ）で、ｎ−〇、即ちＡλであっ
たとすると、人相の抵抗６Ａａに対する１也の抵抗の位
相差及び位置間隔は、次のようになる。
第４図の如く構成されていて、隣接Ａ相とＢ・相間の配
置間隔が、（ｎλ十Ｘλ）で、ｎ−〇、即ちＡλであっ
たとすると、人相の抵抗６Ａａに対する１也の抵抗の位
相差及び位置間隔は、次のようになる。
磁気検知部 抵抗６Ａａに 抵抗６Ａａに抵抗
対する位相差 対する間隔６＾ｂ
Ｖ２λ ２λ６ 八ｃ
Ｏλ６＾ｄ ’Ａλ
λ＋２λ６Ｂａ Ｖｉλ λ
＋２λ＋×λ６Ｂｂ 、’Ａλ＋％λ ２
λ＋Ａλ６Ｂｃ ’Ａλ ２λ十２λ十
’Ａ ）６Ｂｄ ’Ａλ＋Ａλ ３λ＋
Ｚλ而して、磁気式ロークリエンコーダに於て回転方向
を判別し得るようにするためには、第８図に示す如くＡ
相とＢ相の２相から成り、両ＡＢ相間には、各相のホイ
ートストンブリッジ各隣接抵抗間の位相差が（２＋λ）
ｎであるから、（Ａ（〜ｎ）λの位置のずれがある構成
の磁気へノドとし、端子６Ａｇと６＾ｈ、及び６８ｇと
６Ｂｈに通常それぞれコンバータを接続してそれぞれの
コンバータから方形波電圧信号を出力させるように構成
した場合、第９図に示す如くＡ相とＢ相の方形波出力が
％Ｐの位相差のある２相方形波出力となるようにする必
要がある。
対する位相差 対する間隔６＾ｂ
Ｖ２λ ２λ６ 八ｃ
Ｏλ６＾ｄ ’Ａλ
λ＋２λ６Ｂａ Ｖｉλ λ
＋２λ＋×λ６Ｂｂ 、’Ａλ＋％λ ２
λ＋Ａλ６Ｂｃ ’Ａλ ２λ十２λ十
’Ａ ）６Ｂｄ ’Ａλ＋Ａλ ３λ＋
Ｚλ而して、磁気式ロークリエンコーダに於て回転方向
を判別し得るようにするためには、第８図に示す如くＡ
相とＢ相の２相から成り、両ＡＢ相間には、各相のホイ
ートストンブリッジ各隣接抵抗間の位相差が（２＋λ）
ｎであるから、（Ａ（〜ｎ）λの位置のずれがある構成
の磁気へノドとし、端子６Ａｇと６＾ｈ、及び６８ｇと
６Ｂｈに通常それぞれコンバータを接続してそれぞれの
コンバータから方形波電圧信号を出力させるように構成
した場合、第９図に示す如くＡ相とＢ相の方形波出力が
％Ｐの位相差のある２相方形波出力となるようにする必
要がある。
従来公知の磁気式ロークリエンコーダに於てはこの第８
図に示した回路を形成するに当って、第４図、第６図又
は第７図に示した磁気へノドを２個同一基板上に並べて
設けることにより、２相出カホイートストンブリツジ型
磁気ヘツドとしていた。
図に示した回路を形成するに当って、第４図、第６図又
は第７図に示した磁気へノドを２個同一基板上に並べて
設けることにより、２相出カホイートストンブリツジ型
磁気ヘツドとしていた。
そしてこのことは、磁気ヘッド上に於ける磁気検知部の
磁気抵抗素子Ａ相とＢ相との対応磁気マークに対する配
置間隔は、前述の如＜ （ｎ−１−Ｖ４）λで、ｎ＝
０と言うようなことはなく、ｎ−１で、ｎは成る整数に
設定されるから、即ち、Ａ相とＢ相とは通常２〜３λ又
はそれ以上と可成り離隔していることが多く、それぞれ
が離隔した異なる部分の磁気マークに対応感応すべく配
置されていることによって更に促進されるものである。
磁気抵抗素子Ａ相とＢ相との対応磁気マークに対する配
置間隔は、前述の如＜ （ｎ−１−Ｖ４）λで、ｎ＝
０と言うようなことはなく、ｎ−１で、ｎは成る整数に
設定されるから、即ち、Ａ相とＢ相とは通常２〜３λ又
はそれ以上と可成り離隔していることが多く、それぞれ
が離隔した異なる部分の磁気マークに対応感応すべく配
置されていることによって更に促進されるものである。
一方、磁気コード盤の磁気マークのトラックの中心は、
磁気コード盤を磁気マーク記録装置に取り付けて回転着
磁した時の回転中心であるから、この中心と、この磁気
コード盤を各個その磁気エンコーダの回転軸に取り付け
たときの回転中心とを完全に一致させることば不可能で
ある。従って、叙上の如く構成すると、磁気ヘッドの磁
気検知部が磁気マークに対して相対的に偏心運動をする
こと＼なり、先に述べた如くコードを誤解することがあ
るという問題点が生じる。このことを第１０図及び第１
１図によりその詳細を具体的に説明する。
磁気コード盤を磁気マーク記録装置に取り付けて回転着
磁した時の回転中心であるから、この中心と、この磁気
コード盤を各個その磁気エンコーダの回転軸に取り付け
たときの回転中心とを完全に一致させることば不可能で
ある。従って、叙上の如く構成すると、磁気ヘッドの磁
気検知部が磁気マークに対して相対的に偏心運動をする
こと＼なり、先に述べた如くコードを誤解することがあ
るという問題点が生じる。このことを第１０図及び第１
１図によりその詳細を具体的に説明する。
第１０図及び第１１図は、磁気コード盤の磁気マークと
磁気ヘッドのＡＢ相の磁気検知部の位置関係を示す平面
図及びその出力波形図である。
磁気ヘッドのＡＢ相の磁気検知部の位置関係を示す平面
図及びその出力波形図である。
第１０図中、７は中心孔７ａ、磁気コード面７ｂ及び磁
気マーク７Ｃ１７Ｃから成る磁気コード盤、８は磁気コ
ード盤７に対する磁気ヘッド９の相対的移動径路であり
、磁気ヘッド９は移動径路８に沿って９から９′まで移
動する。Ａ相及びＢ相の検知部は、磁気ヘッド９で示す
位置では、９ａ及び９ｂで示す位置にあるが、位置９′
では、ｇ ａ／９ｂ’となる。
気マーク７Ｃ１７Ｃから成る磁気コード盤、８は磁気コ
ード盤７に対する磁気ヘッド９の相対的移動径路であり
、磁気ヘッド９は移動径路８に沿って９から９′まで移
動する。Ａ相及びＢ相の検知部は、磁気ヘッド９で示す
位置では、９ａ及び９ｂで示す位置にあるが、位置９′
では、ｇ ａ／９ｂ’となる。
而して、磁気コード盤７及びその記録磁気マーク７Ｇ、
７ｃは第１０図に図示の如く、又は前述特開昭５５−１
４６００７号公報等に記載の如く、円板状体の磁気コー
ド盤７の外周縁に円周方向に所定の間隔（又は角度）で
、板厚方・向に貫通させて、且つ半径方向の線状に細長
く、そして磁化方向を前記円周方向隣接磁気マーク間に
於て互いに逆向きとなるように縦着磁して形成されてい
るものである。上記の如き条件下に於て、磁気ヘッドは
９で示す位置では、Ａ相の各磁気検知部９ａとＢ相の磁
気検知部９ｂとの位相差が当該部分の磁気マーク間隔λ
に対して正確に（Ｗ＋ｎ）λであり、第１１図に２点鎖
線で示す如くＡ相とＢ相の方形波出力が正しく’ＡＰの
位相差のある２相方形波出力となるものとしても、位置
９１では、磁気ヘッドの偏芯のため径路８に沿って測っ
た磁気マーク間隔がλとならないため位相誤差が生じる
。換言すれば、Ａ相の磁気検知部９ａとＢ相の磁気検知
部９ｂとの位相差が当該部分の磁気マークの間隔λｌに
対して（％＋ｒｌ）λｌとならず、第１１図に示す如く
人相とＢ相の２相方形波出力の位相差は、（×Ｐ十α）
となるため、゛エンコーダの回転方向が正しく判断でき
なくなることがある。
７ｃは第１０図に図示の如く、又は前述特開昭５５−１
４６００７号公報等に記載の如く、円板状体の磁気コー
ド盤７の外周縁に円周方向に所定の間隔（又は角度）で
、板厚方・向に貫通させて、且つ半径方向の線状に細長
く、そして磁化方向を前記円周方向隣接磁気マーク間に
於て互いに逆向きとなるように縦着磁して形成されてい
るものである。上記の如き条件下に於て、磁気ヘッドは
９で示す位置では、Ａ相の各磁気検知部９ａとＢ相の磁
気検知部９ｂとの位相差が当該部分の磁気マーク間隔λ
に対して正確に（Ｗ＋ｎ）λであり、第１１図に２点鎖
線で示す如くＡ相とＢ相の方形波出力が正しく’ＡＰの
位相差のある２相方形波出力となるものとしても、位置
９１では、磁気ヘッドの偏芯のため径路８に沿って測っ
た磁気マーク間隔がλとならないため位相誤差が生じる
。換言すれば、Ａ相の磁気検知部９ａとＢ相の磁気検知
部９ｂとの位相差が当該部分の磁気マークの間隔λｌに
対して（％＋ｒｌ）λｌとならず、第１１図に示す如く
人相とＢ相の２相方形波出力の位相差は、（×Ｐ十α）
となるため、゛エンコーダの回転方向が正しく判断でき
なくなることがある。
そして、このようなことは、磁気マークの中心と磁気コ
ード盤の回転中心とが仮に一致している場合でも、磁気
マークの間隔がλであるべきものが、磁気コード盤の円
周方向の各部に於て、λ′とかλ“とか僅かな誤差のあ
る部分があること等によって、或いは又、磁気検知部の
磁気抵抗素子配列の中心が、−磁気マークの中心又は磁
気コード盤の中心と一致しないように、磁気コード盤に
対して磁気ヘッドが取り付けられること等によって生ず
る場合もあるｋのである。
ード盤の回転中心とが仮に一致している場合でも、磁気
マークの間隔がλであるべきものが、磁気コード盤の円
周方向の各部に於て、λ′とかλ“とか僅かな誤差のあ
る部分があること等によって、或いは又、磁気検知部の
磁気抵抗素子配列の中心が、−磁気マークの中心又は磁
気コード盤の中心と一致しないように、磁気コード盤に
対して磁気ヘッドが取り付けられること等によって生ず
る場合もあるｋのである。
次に、本発明にかかる磁気式ロータリエンコーダの磁気
ヘッドに於ける磁気検知部の配置とその相互の回路構成
を示す第１図若しくは第２図又は第３図のそれぞれの実
施例に就いて説明する。
ヘッドに於ける磁気検知部の配置とその相互の回路構成
を示す第１図若しくは第２図又は第３図のそれぞれの実
施例に就いて説明する。
尚、以下では従来と共通の部分には共通の符号を付し、
重複する説明は省略する。
重複する説明は省略する。
第１図中、１０はそれぞれが磁気抵抗素子から成る磁気
検知部１〇八ａ、１０Ａｂ、１０Ａｃ、１０ＡｄのＡ相
と、同じ＜１０Ｂａ、１０Ｂｂ、１０Ｂｃ、１０Ｂｄの
Ｂ相、端子１０ａ、１０ａ’、１０ｂ、１０ｂ’、１０
ｃ、１０ｃ’ 、 １（ｌｄ、 １０ｄ’、１０ｅ
、１０ｅ’ 、１０ｆ、１０ｆ ’ 、１０ｇ、１０ｇ
’、１０ｈ、１０ｈ′から成る磁気ヘッドで、例えば、
特開昭５９−４９３０１号第１３〜１５図等で図示説明
したように、磁気ヘッド基板上に、蒸着やスパッタリン
グ等の薄膜形成技術により形成された磁気抵抗効果合金
の素子の磁気ヘッドと同様のもので、本発明により各Ａ
、Ｂ各相の磁気検知部が磁気マーク配列方向に交互に配
列しである。
検知部１〇八ａ、１０Ａｂ、１０Ａｃ、１０ＡｄのＡ相
と、同じ＜１０Ｂａ、１０Ｂｂ、１０Ｂｃ、１０Ｂｄの
Ｂ相、端子１０ａ、１０ａ’、１０ｂ、１０ｂ’、１０
ｃ、１０ｃ’ 、 １（ｌｄ、 １０ｄ’、１０ｅ
、１０ｅ’ 、１０ｆ、１０ｆ ’ 、１０ｇ、１０ｇ
’、１０ｈ、１０ｈ′から成る磁気ヘッドで、例えば、
特開昭５９−４９３０１号第１３〜１５図等で図示説明
したように、磁気ヘッド基板上に、蒸着やスパッタリン
グ等の薄膜形成技術により形成された磁気抵抗効果合金
の素子の磁気ヘッドと同様のもので、本発明により各Ａ
、Ｂ各相の磁気検知部が磁気マーク配列方向に交互に配
列しである。
第１図に示す磁気ヘッド１０の作用に就いて説明する。
磁気ヘッド１０は、図に示した位置では、磁気検知部１
０Ａａと１０Ａｃが磁化されており抵抗値が小さい値ｒ
となっており、磁気検知部１０Ａｂと１０ Ａｄが磁化
されておらず抵抗値が大きな値Ｒとなっており、磁気検
知部１０Ｂａ、 １０Ｂｂ、１０Ｂｃ及び１０ Ｂｄが
磁化途中となっており抵抗値が中位となっているもので
ある。
０Ａａと１０Ａｃが磁化されており抵抗値が小さい値ｒ
となっており、磁気検知部１０Ａｂと１０ Ａｄが磁化
されておらず抵抗値が大きな値Ｒとなっており、磁気検
知部１０Ｂａ、 １０Ｂｂ、１０Ｂｃ及び１０ Ｂｄが
磁化途中となっており抵抗値が中位となっているもので
ある。
そして、磁気ヘッド１０がトランク１に沿って相対的に
移動し、図に示した位置から右方に２λ移動した位置（
図示せず）では、磁気検知部１０ Ａａと１０＾Ｃが磁
化を解除される途中となって抵抗値が中位となり、磁気
検知部１０Ｂｂと１０Ｂｄが更に磁化されて抵抗値が小
さな値ｒとなり、磁気検知部１０Ｂａと１０ Ｂｃが磁
化を解除され抵抗値が大きな値Ｒとなり、磁気検知部１
０Ａｂと１０Ａｄが磁化される途中となって抵抗値が中
位となるものである。
移動し、図に示した位置から右方に２λ移動した位置（
図示せず）では、磁気検知部１０ Ａａと１０＾Ｃが磁
化を解除される途中となって抵抗値が中位となり、磁気
検知部１０Ｂｂと１０Ｂｄが更に磁化されて抵抗値が小
さな値ｒとなり、磁気検知部１０Ｂａと１０ Ｂｃが磁
化を解除され抵抗値が大きな値Ｒとなり、磁気検知部１
０Ａｂと１０Ａｄが磁化される途中となって抵抗値が中
位となるものである。
従って、この回路によっても前述と同様な信号である磁
気ヘッドの左右の移動に応じた二種の信号が得られる。
気ヘッドの左右の移動に応じた二種の信号が得られる。
而して、磁気ヘッド１０は、その磁気検知部１０Ａａ乃
至１〇八ｄのＡ相と１０ Ｂａ乃至１０ＢｄのＢ相がそ
のＡＢ相の一辺を交互にそれぞれ×λの中心線間隔で等
間隔に配置してあり、それぞれの磁気検知部１０Ａａ乃
至１０Ａｄ、 １０Ｂａ乃至１０Ｂｄから１６個の端子
１０ａ乃至１０ｈ、１０ａ′乃至１０ｈ′に通じて前記
第８図に示した電気口！！８６と同様の構成となるよう
に電路を形成しているものである。
至１〇八ｄのＡ相と１０ Ｂａ乃至１０ＢｄのＢ相がそ
のＡＢ相の一辺を交互にそれぞれ×λの中心線間隔で等
間隔に配置してあり、それぞれの磁気検知部１０Ａａ乃
至１０Ａｄ、 １０Ｂａ乃至１０Ｂｄから１６個の端子
１０ａ乃至１０ｈ、１０ａ′乃至１０ｈ′に通じて前記
第８図に示した電気口！！８６と同様の構成となるよう
に電路を形成しているものである。
この構成は、前記公知のものと異なりＡ相及びＢ相ホイ
ートストンブリッジ回路を並置するのではなく、いわば
それを重ね合せること、換言すればそれらの磁気検知部
を交互に配置することにより、Ａ相及びＢ相の磁気抵抗
体の磁気マークトラック上に占める位置の差を僅少なら
しめるようにしているので前述の誤差αを生じるという
問題点は解決されているが、この方法は端子数が多く配
線の手間が掛るためあまり実用的な構成ではない。
ートストンブリッジ回路を並置するのではなく、いわば
それを重ね合せること、換言すればそれらの磁気検知部
を交互に配置することにより、Ａ相及びＢ相の磁気抵抗
体の磁気マークトラック上に占める位置の差を僅少なら
しめるようにしているので前述の誤差αを生じるという
問題点は解決されているが、この方法は端子数が多く配
線の手間が掛るためあまり実用的な構成ではない。
即ち、この磁気ヘッド回路をホイートストンブリッジ回
路として示すと例えば前述第８図の如く簡単な回路構成
となるが各端子１０’ａ乃至１０ｈ及び１０ａ′乃至１
０ｈ′を一部を端子相互間で接続した後ζバイアス電圧
入力端子及び出力端子と接続して磁気ヘッド回路を構成
するには、前述の如く磁気検知部に止まらず前記端子部
をも基板状の薄膜回路で構成しようとすると、各磁気検
知部の両端から端子名のリード部がクロスした構成とす
ることができないからである。この場合一部に半田付け
を適用するにしても、例えば特開昭５６−０２
’２６９１号公報に記載の如く種々の阻害があるとか、
何れにしても微細構成部分のクロス配線であるから実際
上も可成り実施困難である。
路として示すと例えば前述第８図の如く簡単な回路構成
となるが各端子１０’ａ乃至１０ｈ及び１０ａ′乃至１
０ｈ′を一部を端子相互間で接続した後ζバイアス電圧
入力端子及び出力端子と接続して磁気ヘッド回路を構成
するには、前述の如く磁気検知部に止まらず前記端子部
をも基板状の薄膜回路で構成しようとすると、各磁気検
知部の両端から端子名のリード部がクロスした構成とす
ることができないからである。この場合一部に半田付け
を適用するにしても、例えば特開昭５６−０２
’２６９１号公報に記載の如く種々の阻害があるとか、
何れにしても微細構成部分のクロス配線であるから実際
上も可成り実施困難である。
尚、図示した磁気検知部１０Ａａ乃至１０Ａｄ及び１０
Ｂａ乃至１０Ｂｄに於て、磁気検知部１０Ａａを図示
の一定位置とした状態で、磁気検知部１０Ａｂと１０
Ａｄ、 １０ Ｂａと１０ Ｂｃ、及び１０Ｂｂと１０
Ｂｄとは、それぞれ他の組とは無関係に相互の位置を入
れ替えても、それ等は全て実質上同一のもので、又本発
明の作用効果上も実質上同一のものであるから、磁気検
知部の配列の仕方は極めて多数（７２通り）あることが
明らかである。又上記は各相の磁気検知部が順次に２λ
×ｎの位相差を有する人相とＢ相とを相互に騒λの位相
差を有するように構成配置した場合であって、Ａλ×ｎ
の位相差を有する磁気検知部を組合せて構成した人相と
Ｂ相のホイートストンブリッジ回路を相互ににλの位相
差を有するように構成配置した場合等にも一当然適用で
きるものである。
Ｂａ乃至１０Ｂｄに於て、磁気検知部１０Ａａを図示
の一定位置とした状態で、磁気検知部１０Ａｂと１０
Ａｄ、 １０ Ｂａと１０ Ｂｃ、及び１０Ｂｂと１０
Ｂｄとは、それぞれ他の組とは無関係に相互の位置を入
れ替えても、それ等は全て実質上同一のもので、又本発
明の作用効果上も実質上同一のものであるから、磁気検
知部の配列の仕方は極めて多数（７２通り）あることが
明らかである。又上記は各相の磁気検知部が順次に２λ
×ｎの位相差を有する人相とＢ相とを相互に騒λの位相
差を有するように構成配置した場合であって、Ａλ×ｎ
の位相差を有する磁気検知部を組合せて構成した人相と
Ｂ相のホイートストンブリッジ回路を相互ににλの位相
差を有するように構成配置した場合等にも一当然適用で
きるものである。
第２図中、１１はこの端子数及び配線の不具合の点を改
良した磁気検知部配列とした磁気ヘッドの実施例を示す
もので、Ａ相磁気検知部１１Ａａ、１］Ａｂ、１１ Ａ
ｃ、１ｔＡｄ、ｇ相磁気検知部１１ Ｂａ１１１ Ｂｂ
、 １１ Ｂ（，１１Ｂｄ、、端子１１ａ 、 ｌｌｂ
、 ｌｌｃ、ｌｉｄ、 ＩＬｅ、ｌｌｆ、１１ｇ、ｌ
ｌｈから成る磁気ヘッド１１である。
良した磁気検知部配列とした磁気ヘッドの実施例を示す
もので、Ａ相磁気検知部１１Ａａ、１］Ａｂ、１１ Ａ
ｃ、１ｔＡｄ、ｇ相磁気検知部１１ Ｂａ１１１ Ｂｂ
、 １１ Ｂ（，１１Ｂｄ、、端子１１ａ 、 ｌｌｂ
、 ｌｌｃ、ｌｉｄ、 ＩＬｅ、ｌｌｆ、１１ｇ、ｌ
ｌｈから成る磁気ヘッド１１である。
而して、磁気ヘッド１１．では、各相内の磁気検知部間
に於て２λの位相差を有し、且つ各相間に於てＡλの位
相差を有するＡＳＢ相のそれぞれの磁気検知部の位置関
係が２辺づ＼交互にＢＡＡＢＢＡＡＢとなるように、即
ち、図示実施例では磁気検知部を１１Ｂｄ、１１八ａ、
１１＾ｂ、 １１Ｂｂ、 １１Ｂａ、１１Ａｄ。
に於て２λの位相差を有し、且つ各相間に於てＡλの位
相差を有するＡＳＢ相のそれぞれの磁気検知部の位置関
係が２辺づ＼交互にＢＡＡＢＢＡＡＢとなるように、即
ち、図示実施例では磁気検知部を１１Ｂｄ、１１八ａ、
１１＾ｂ、 １１Ｂｂ、 １１Ｂａ、１１Ａｄ。
１１Ａｃ、 ＩＩＢｃの順に排列すると共に、その中心
線間隔をこの図示実施例では、それぞれ下記に示す距離
にしである。尤も、この中心線間隔自体は、各検知部の
位相関係を変えない限り間隔を増又は減し得る。即ち、
それぞれにｎλをプラスすることができる訳であるから
格別意味があるものではない。
線間隔をこの図示実施例では、それぞれ下記に示す距離
にしである。尤も、この中心線間隔自体は、各検知部の
位相関係を変えない限り間隔を増又は減し得る。即ち、
それぞれにｎλをプラスすることができる訳であるから
格別意味があるものではない。
磁気検知部 間隔
１１Ｂｄ 〜１１八ａ ｌ λ１１Ａａ
〜１１Ａｂ ％λ １１八ｂ〜１１Ｂｂ ’Ａ λ１１Ｂｂ
〜１１Ｂａ ’Ａλ １１Ｂａ 〜１１Ａｄ Ｘλ １１Ａｄ〜１１Ａｃ、 ’Ａλ１１Ａｃ〜１１
Ｂｃ ’Ａλ そして、磁気検知部ｔｌＢｄの一方から端子ｌｉｄに通
じ、磁気検知部１１ Ｂｄ及び１１ Ａａの他の一方か
ら共に端子１１ａに通じ、磁気検知部１１ Ａａ及び１
１Ａｂの一方から共に端子ｌｉｅに通じ、磁気検知部１
１＾ｂ及び１１８ｂ並びに１１Ａｃ及び１１ Ｂｃの他
の一方から共に端子１１ Ｃに通じ、磁気検知部１１
Ｂｂ及び１１ Ｂａの一方から端子１１ ｆに通、じ、
磁気検知部１１ Ｂａ及び１１ Ａｄの他の一方から共
に端子１１ｂに通じ、磁気検知部１１ Ａｄ及び１１Ａ
ｃの一方から共に端子１１ｇに通じて前記第８図に示し
た電気回路６と同様の構成の電路を形成しているもので
ある。これを各磁気検知部１１Ａａ、１１Ａｂ、１１八
ｃ、１１Ａｄ、１１ Ｂａ、１１ Ｂｂ、１１ Ｂｃ、
及び１１ Ｂｄを抵抗Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、
Ｂ２、Ｂ３及びＢ４に対応させ、バイアス電圧の入力端
子を■、接地端子をＧ、及び各Ａ相及びＢ相のホイート
ストンブリッジ回路出力端子をａｌ、Ｂ２、ｂ。
〜１１Ａｂ ％λ １１八ｂ〜１１Ｂｂ ’Ａ λ１１Ｂｂ
〜１１Ｂａ ’Ａλ １１Ｂａ 〜１１Ａｄ Ｘλ １１Ａｄ〜１１Ａｃ、 ’Ａλ１１Ａｃ〜１１
Ｂｃ ’Ａλ そして、磁気検知部ｔｌＢｄの一方から端子ｌｉｄに通
じ、磁気検知部１１ Ｂｄ及び１１ Ａａの他の一方か
ら共に端子１１ａに通じ、磁気検知部１１ Ａａ及び１
１Ａｂの一方から共に端子ｌｉｅに通じ、磁気検知部１
１＾ｂ及び１１８ｂ並びに１１Ａｃ及び１１ Ｂｃの他
の一方から共に端子１１ Ｃに通じ、磁気検知部１１
Ｂｂ及び１１ Ｂａの一方から端子１１ ｆに通、じ、
磁気検知部１１ Ｂａ及び１１ Ａｄの他の一方から共
に端子１１ｂに通じ、磁気検知部１１ Ａｄ及び１１Ａ
ｃの一方から共に端子１１ｇに通じて前記第８図に示し
た電気回路６と同様の構成の電路を形成しているもので
ある。これを各磁気検知部１１Ａａ、１１Ａｂ、１１八
ｃ、１１Ａｄ、１１ Ｂａ、１１ Ｂｂ、１１ Ｂｃ、
及び１１ Ｂｄを抵抗Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、
Ｂ２、Ｂ３及びＢ４に対応させ、バイアス電圧の入力端
子を■、接地端子をＧ、及び各Ａ相及びＢ相のホイート
ストンブリッジ回路出力端子をａｌ、Ｂ２、ｂ。
及びｂ２として対応関係を示すと第１２図の如くなる。
磁気ヘッド１１は、図に示した位置では、磁気検知部１
１＾ａと１１＾Ｃが磁化されており抵抗値が小さい値ｒ
となっており、磁気検知部１１ Ａｂと１１ Ａｄ′Ｉ
Ｊ＜磁化されておらず抵抗値が大きな値Ｒとなっており
、磁気検知部１１ Ｂｄ、 １１ Ｂｂ、 １１ Ｂａ
及び１１ Ｂｃが磁化途中となっており抵抗値が中位と
なっているものである。そして、磁気へノド１１がトラ
ック１に沿って相対的に移動し、図に示した位置から右
方にＡλ移動した位置（図示せず）では、磁気検知部１
１ Ａａと１１Ａｃが磁化を解除される途中となり抵抗
値が中位となり、磁気検知部１１ Ｂｄと１１１１１ｂ
が更に磁化されて抵抗値が小さい値ｒとなり、磁気検知
部１１ Ｂａと１１ Ｂｃが磁化を解除され抵抗値が大
きな値Ｒとなり、磁気検知部１１Ａｂと１ｊＡｄが磁化
される途中となり抵抗値が中位となるものである。
１＾ａと１１＾Ｃが磁化されており抵抗値が小さい値ｒ
となっており、磁気検知部１１ Ａｂと１１ Ａｄ′Ｉ
Ｊ＜磁化されておらず抵抗値が大きな値Ｒとなっており
、磁気検知部１１ Ｂｄ、 １１ Ｂｂ、 １１ Ｂａ
及び１１ Ｂｃが磁化途中となっており抵抗値が中位と
なっているものである。そして、磁気へノド１１がトラ
ック１に沿って相対的に移動し、図に示した位置から右
方にＡλ移動した位置（図示せず）では、磁気検知部１
１ Ａａと１１Ａｃが磁化を解除される途中となり抵抗
値が中位となり、磁気検知部１１ Ｂｄと１１１１１ｂ
が更に磁化されて抵抗値が小さい値ｒとなり、磁気検知
部１１ Ｂａと１１ Ｂｃが磁化を解除され抵抗値が大
きな値Ｒとなり、磁気検知部１１Ａｂと１ｊＡｄが磁化
される途中となり抵抗値が中位となるものである。
従って、この回路によっても前述と同様な信号である磁
気抵抗体の左右の移動に応じた二種の信号が得られる。
気抵抗体の左右の移動に応じた二種の信号が得られる。
この構成は、各辺の抵抗、例えばＡ１が１個の磁気検知
部１１ Ａａから成る単相ホイー１〜ストンブリッジ回
路を２辺づ＼交互に即ち、前述ＢＡＡＢＢＡＡＢの配列
に従い、図示第２図では、Ｂ４Ａ。
部１１ Ａａから成る単相ホイー１〜ストンブリッジ回
路を２辺づ＼交互に即ち、前述ＢＡＡＢＢＡＡＢの配列
に従い、図示第２図では、Ｂ４Ａ。
／’１２ Ｂ２．Ｂ、Ａ、Ａ３Ｂ３の順に配置して、Ａ
相及びＢ相のホイートストンブリッジ回路を形成する磁
気ヘットの磁気マークトラック上の位置の差を僅少なら
しめたので前述の誤差αを生じるという問題点を解決す
ると共に、端子の数を最少としたので最も望ましい実施
例として推奨できるものである。
相及びＢ相のホイートストンブリッジ回路を形成する磁
気ヘットの磁気マークトラック上の位置の差を僅少なら
しめたので前述の誤差αを生じるという問題点を解決す
ると共に、端子の数を最少としたので最も望ましい実施
例として推奨できるものである。
そして、この磁気検知部１１ Ａａ乃至１ｊＢｄの上記
ＢＡＡＢＢＡＡＢの配列の仕方としては、上記した第２
図のもの＼外に、下記の７通りがあり、何れの配列も本
発明の目的、作用効果達成上実質的に同一のものである
。
ＢＡＡＢＢＡＡＢの配列の仕方としては、上記した第２
図のもの＼外に、下記の７通りがあり、何れの配列も本
発明の目的、作用効果達成上実質的に同一のものである
。
磁気検知部の配列
Ｂ４Ａ４Ａ３Ｂ２Ｂ、Ａ、、Ａ２ Ｂ５Ａ４８ ＩＢ２
Ａ２ Ａ Ｉ８４ Ｂ３ Ａ３Ａｄ Ｂｌｌ Ｂ３
Ａ２ ＡＩ ＢＩ Ｂ２ Ａ３Ｂ＋ Ａｔ、Ａ２ Ｂ３
Ｂ４ Ａ４ Ａ３Ｂ２Ｂ、Ａ４ Ａ３ Ｂ３
Ｂ４ Ａ、Ａ２ Ｂ２ＡＨＢＩ Ｂ２ Ａ３ Ａ
ａ Ｂ４ Ｂ３ Ａ２Ａ、１３．Ｉ Ｂ３ Ａ３
Ａ、、Ｂ、Ｂ２ Ａ２即ち、Ａ相とＢ相の各相の磁気
検知部を、磁気ヘッドの基板上に於て一体に、そして磁
気マークとの相対的な移動方向に交互に配列するに当り
各相の直列接続磁気検知部を交互に配列した例で、この
ことは上記７通りの配列に於て両端の磁気検知部の端子
は、例えば第２図及び第１２図に於て端子ｌｉｄと１１
ｈは端子ｂ２であるが如く明らかである。
Ａ２ Ａ Ｉ８４ Ｂ３ Ａ３Ａｄ Ｂｌｌ Ｂ３
Ａ２ ＡＩ ＢＩ Ｂ２ Ａ３Ｂ＋ Ａｔ、Ａ２ Ｂ３
Ｂ４ Ａ４ Ａ３Ｂ２Ｂ、Ａ４ Ａ３ Ｂ３
Ｂ４ Ａ、Ａ２ Ｂ２ＡＨＢＩ Ｂ２ Ａ３ Ａ
ａ Ｂ４ Ｂ３ Ａ２Ａ、１３．Ｉ Ｂ３ Ａ３
Ａ、、Ｂ、Ｂ２ Ａ２即ち、Ａ相とＢ相の各相の磁気
検知部を、磁気ヘッドの基板上に於て一体に、そして磁
気マークとの相対的な移動方向に交互に配列するに当り
各相の直列接続磁気検知部を交互に配列した例で、この
ことは上記７通りの配列に於て両端の磁気検知部の端子
は、例えば第２図及び第１２図に於て端子ｌｉｄと１１
ｈは端子ｂ２であるが如く明らかである。
第１３図は、この第２図及び第１２図の磁気ヘッドを、
前述基板上の薄膜回路として構成した一実施例のパター
ン及び配置構成を示す平面図で、外径約３５鶴の永久磁
石材から成る磁気コード盤（例えば、特開昭５６−２９
１１５号公報参照）の外周縁を２０００分割（隣接Ｎ極
とＳ極間の角度θ（間隔λ） ＝０．１８° （＃５５
μｍ））に、コード盤の表面に直角に、且つ磁化方向が
交互に逆向きになるように縦着磁して成る上記磁気磁気
コート盤に設計されたものである。図に於て、１３はガ
ラスやセラミックス等から成るか合金板上にセラミック
ス等の絶縁被膜を施して成る磁気ヘッド用基板であり、
１４は該基板１３上に蒸着やスパックリング等の薄膜形
成技術によって形成された磁気抵抗効果用合金、例えば
パーマロイ等の約５００人程度の薄膜であり、図示する
パターンは蒸着等の薄膜形成の際のマスキングよるか、
全体に薄膜を形成した後のマスキングによるケミカルエ
ツチングやフォトエツチング等の工具を使用した数値制
御にょるスクライビング描画加工、又は上記工具の代り
にレーザービームやエレクトロンビーム等の粒子線を使
用した数値制御によるパターン描画加工によって形成さ
れるもので、記号は前記第１２図に対応して付しである
。薄膜は１３Ａ部分で磁気抵抗素子から成る磁気検知部
Ａ、乃至Ｂ４が、所定の配列順序で細い線状に並置して
残置形成され−ると共に、その他の残置薄膜部分は、充
分な幅広に形成されリード及び端子部分となっているも
のである。
前述基板上の薄膜回路として構成した一実施例のパター
ン及び配置構成を示す平面図で、外径約３５鶴の永久磁
石材から成る磁気コード盤（例えば、特開昭５６−２９
１１５号公報参照）の外周縁を２０００分割（隣接Ｎ極
とＳ極間の角度θ（間隔λ） ＝０．１８° （＃５５
μｍ））に、コード盤の表面に直角に、且つ磁化方向が
交互に逆向きになるように縦着磁して成る上記磁気磁気
コート盤に設計されたものである。図に於て、１３はガ
ラスやセラミックス等から成るか合金板上にセラミック
ス等の絶縁被膜を施して成る磁気ヘッド用基板であり、
１４は該基板１３上に蒸着やスパックリング等の薄膜形
成技術によって形成された磁気抵抗効果用合金、例えば
パーマロイ等の約５００人程度の薄膜であり、図示する
パターンは蒸着等の薄膜形成の際のマスキングよるか、
全体に薄膜を形成した後のマスキングによるケミカルエ
ツチングやフォトエツチング等の工具を使用した数値制
御にょるスクライビング描画加工、又は上記工具の代り
にレーザービームやエレクトロンビーム等の粒子線を使
用した数値制御によるパターン描画加工によって形成さ
れるもので、記号は前記第１２図に対応して付しである
。薄膜は１３Ａ部分で磁気抵抗素子から成る磁気検知部
Ａ、乃至Ｂ４が、所定の配列順序で細い線状に並置して
残置形成され−ると共に、その他の残置薄膜部分は、充
分な幅広に形成されリード及び端子部分となっているも
のである。
この第１３図は、前記第２図に於ける各端子１１ａ〜１
１ｈ迄をリード線部分に於て交叉のない回路構成とした
ため基板１３上の一層の薄膜回路として構成し得たもの
で、この基板１３を磁気ヘッドとして前述磁気コード板
に対接させて、相対移動時に磁気マークを検知読み取る
ものである。
１ｈ迄をリード線部分に於て交叉のない回路構成とした
ため基板１３上の一層の薄膜回路として構成し得たもの
で、この基板１３を磁気ヘッドとして前述磁気コード板
に対接させて、相対移動時に磁気マークを検知読み取る
ものである。
次に、第３図の実施例に就いて説明する。
第３図中、１２は、Ａ相の磁気検知部１２Ａａ、１２Ａ
ａ’、１２八ｂ、 １２八ｂ’ 、 １２八ｃ１１２
＾ｃ′ 、 １２八ｄ、 １２Ａｄ’ 、 Ｂ相の
磁気検知部１２Ｂａ、１２Ｂａ” 、１２Ｂｂ、１２Ｂ
ビ、１２Ｂｃ、１２Ｂｃ’ 、１２Ｂｄ、 １２Ｂｄ’
、？ａ子１２ａ、 １２ｂ、１２Ｃ１１２ｄ、１２ｅ
、１２ｆ、１２ｇから成る磁気抵抗体である。
ａ’、１２八ｂ、 １２八ｂ’ 、 １２八ｃ１１２
＾ｃ′ 、 １２八ｄ、 １２Ａｄ’ 、 Ｂ相の
磁気検知部１２Ｂａ、１２Ｂａ” 、１２Ｂｂ、１２Ｂ
ビ、１２Ｂｃ、１２Ｂｃ’ 、１２Ｂｄ、 １２Ｂｄ’
、？ａ子１２ａ、 １２ｂ、１２Ｃ１１２ｄ、１２ｅ
、１２ｆ、１２ｇから成る磁気抵抗体である。
この２相ホイートストンブリツジでは、各辺が互いに直
列に接続された、従って互いに同相の二つの磁気検知部
から成っている。１２Ａａ、１２Ａａ’ ；１２八ｂ、
１２八ｂ’；１２Ａｃ、 ＋２Ａｃ’ ； １２
Ａｄ、 １２Ａｄ’ はそれぞれ直列に接続されると
共に、同相（位相差零）のＡ相ホイートストンブリッジ
の第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺を形成する人相の
磁気検知部であり、１２ Ｂａ、 １２ Ｂａ’ ；
’ １２ Ｂｂ、１２Ｂｂ’ ；１２Ｂｃ、１２Ｂｃ
’ ；１２Ｂｄ、１２ Ｂｄ’はそれぞれ直列に接続
されると共に同相のＢ相ホイートストンブリッジの第１
辺、第２辺、第３辺及び第４辺を形成するＢ相の磁気検
知部である。
列に接続された、従って互いに同相の二つの磁気検知部
から成っている。１２Ａａ、１２Ａａ’ ；１２八ｂ、
１２八ｂ’；１２Ａｃ、 ＋２Ａｃ’ ； １２
Ａｄ、 １２Ａｄ’ はそれぞれ直列に接続されると
共に、同相（位相差零）のＡ相ホイートストンブリッジ
の第１辺、第２辺、第３辺及び第４辺を形成する人相の
磁気検知部であり、１２ Ｂａ、 １２ Ｂａ’ ；
’ １２ Ｂｂ、１２Ｂｂ’ ；１２Ｂｃ、１２Ｂｃ
’ ；１２Ｂｄ、１２ Ｂｄ’はそれぞれ直列に接続
されると共に同相のＢ相ホイートストンブリッジの第１
辺、第２辺、第３辺及び第４辺を形成するＢ相の磁気検
知部である。
而して、磁気ヘッド１２は、磁気検知部を図示のもので
ば１２Ｂａ、 １２八ａ、 １２Ａａ’ 、１２Ｂａ’
、１２Ｂｂ、 １２八ｂ１１２Δｂ’ 、 １２Ｂ
ｂ’ 、 １２Ｂｃ、 １２＾ｃ、 １２Ａｃ’
、 １２Ｂｃ’ 。
ば１２Ｂａ、 １２八ａ、 １２Ａａ’ 、１２Ｂａ’
、１２Ｂｂ、 １２八ｂ１１２Δｂ’ 、 １２Ｂ
ｂ’ 、 １２Ｂｃ、 １２＾ｃ、 １２Ａｃ’
、 １２Ｂｃ’ 。
１２Ｂｄ、１２Ａｄ、１２＾ｄｌ、１２１３ｄｌの順に
排列し、その中心線間隔をそれぞれ下記に示す距離にし
であるが、前述第２図の場合と同様位相関係を変えなけ
れば、各間隔に任意のｎλをプラスし得るものであるが
、本発明の目的をより良く達するには上記ｎの値はあま
り大きくないと言うより小さい方が良い。
排列し、その中心線間隔をそれぞれ下記に示す距離にし
であるが、前述第２図の場合と同様位相関係を変えなけ
れば、各間隔に任意のｎλをプラスし得るものであるが
、本発明の目的をより良く達するには上記ｎの値はあま
り大きくないと言うより小さい方が良い。
磁気検知部 間隔
１２［１ａ〜１２Ａａ Ｘλ
１２Ａａ〜１２八ａ′ λ１２Ａａ’
〜１２Ｂａ”Ａλ １２Ｂａ’ 〜１２Ｂｂ ’Ａλ １２Ｂｂ〜１２八ｂ”Ａ λ １２Ａｂ〜１２Ａｂ’ λ １２Ａｂ’〜１２Ｂｂ”ｉｉλ １２Ｂｂ′〜１２Ｂｃｚλ １２Ｂｃ〜１２八Ｃ％ λ １２八ｃ〜１２Δｃ／ λ１２八ｃ’
〜 １２Ｂｃ”Ａ λ１２Ｂｃ’ 〜１２Ｂｄ
’Ａλ １２Ｂｄ〜１２Ａｄ ％λ １２八ｄ〜１２Ａｄ’ λ１２八ｄ′
〜１２Ｂｄ”Ａ λ 即ち本実施例に於ては、磁気検知部１２＾ａと１２Ａａ
’ ；１２Ａｂと１２八ビ ；１２Ａｃと１２Ａｃ’
； １２八ｄと１２＾ｄ’ 、１２Ｂａと１２Ｂａ’
； １２１３ｂと１２Ｂｂ’ ； １２Ｂｃと１
２Ｂｃ’ ； １２Ｂｄと１２ Ｂｄ’を、前述第７
図で説明した事由により上述の如くそれぞれ直列に接続
すると共に、Ａ相の一辺とＢ相の一辺とを交互に配置し
、更に磁気検知部１２Ｂａ及び１２ Ａａの一端を共に
端子１２ａに通じ、磁気検知部！２Ａａ’及び１２Ａｂ
の一端を共に端子１２ｅに通し、磁気検知部１２＾ｂ’
＜ １２Ｂｂ’ 、１２Ｂｃ及び１２Ａｃの一端を共
に端子１２ｃに通じ、磁気検知部１２Ａｃ’及び１２
Ａｄの一端を共に端子１２ｇに通じ、磁気検知部１２Ａ
ｄ及び１２Ｂｄの一端を共に端子１２ｂに通じ、磁気検
知部１２ Ｂａ’及び１２ Ｂｂの一端を共に端子１２
ｆに通じ、磁気検知部１２ Ｂｃ’及び１２ Ｂｄの一
方を共に端子１２ｄ（ｈ）に通じ、前記第８図に示した
電気回路６と同様の電路を形成しているものである。尚
、各端子のサフィックスのフルファベソト及び信号出力
端子ａ １、ａ ２ 、ｂ １ 、ｂ ４の記載は前述
第２図及び第１２．１３図に合せである。
〜１２Ｂａ”Ａλ １２Ｂａ’ 〜１２Ｂｂ ’Ａλ １２Ｂｂ〜１２八ｂ”Ａ λ １２Ａｂ〜１２Ａｂ’ λ １２Ａｂ’〜１２Ｂｂ”ｉｉλ １２Ｂｂ′〜１２Ｂｃｚλ １２Ｂｃ〜１２八Ｃ％ λ １２八ｃ〜１２Δｃ／ λ１２八ｃ’
〜 １２Ｂｃ”Ａ λ１２Ｂｃ’ 〜１２Ｂｄ
’Ａλ １２Ｂｄ〜１２Ａｄ ％λ １２八ｄ〜１２Ａｄ’ λ１２八ｄ′
〜１２Ｂｄ”Ａ λ 即ち本実施例に於ては、磁気検知部１２＾ａと１２Ａａ
’ ；１２Ａｂと１２八ビ ；１２Ａｃと１２Ａｃ’
； １２八ｄと１２＾ｄ’ 、１２Ｂａと１２Ｂａ’
； １２１３ｂと１２Ｂｂ’ ； １２Ｂｃと１
２Ｂｃ’ ； １２Ｂｄと１２ Ｂｄ’を、前述第７
図で説明した事由により上述の如くそれぞれ直列に接続
すると共に、Ａ相の一辺とＢ相の一辺とを交互に配置し
、更に磁気検知部１２Ｂａ及び１２ Ａａの一端を共に
端子１２ａに通じ、磁気検知部！２Ａａ’及び１２Ａｂ
の一端を共に端子１２ｅに通し、磁気検知部１２＾ｂ’
＜ １２Ｂｂ’ 、１２Ｂｃ及び１２Ａｃの一端を共
に端子１２ｃに通じ、磁気検知部１２Ａｃ’及び１２
Ａｄの一端を共に端子１２ｇに通じ、磁気検知部１２Ａ
ｄ及び１２Ｂｄの一端を共に端子１２ｂに通じ、磁気検
知部１２ Ｂａ’及び１２ Ｂｂの一端を共に端子１２
ｆに通じ、磁気検知部１２ Ｂｃ’及び１２ Ｂｄの一
方を共に端子１２ｄ（ｈ）に通じ、前記第８図に示した
電気回路６と同様の電路を形成しているものである。尚
、各端子のサフィックスのフルファベソト及び信号出力
端子ａ １、ａ ２ 、ｂ １ 、ｂ ４の記載は前述
第２図及び第１２．１３図に合せである。
この構成では、それぞれＡ、Ｂ相ホイートストンブリッ
ジ回路を構成する磁気検知部を交互に配置しであるので
誤差αを生じるという前述の問題点を解決しているもの
であり、且つ第６図に示した磁気抵抗体４と同様の効果
を得ることができるものである。
ジ回路を構成する磁気検知部を交互に配置しであるので
誤差αを生じるという前述の問題点を解決しているもの
であり、且つ第６図に示した磁気抵抗体４と同様の効果
を得ることができるものである。
次に、第３図に示す磁気ヘッド１２の作用に就いて説明
する。
する。
磁気ヘッド１２は、図に示した位置では、Ａ相のホイー
トストンブリッジでは第１辺の磁気検知部１２Ａａ、１
２八ａ／と第３辺の磁気検知部１２＾ｃ、１２＾Ｃ′が
最大に磁化されて抵抗値が小さい値ｒとなっており、第
２辺の磁気検知部１２Ａｂ、 １２Ａｂ’と第４辺の磁
気検知部１２＾ｄ、１２ Ａｄ’とは磁化されておらず
抵抗値が大きな値Ｒとなっているが、Ｂ相のホイートス
トンブリッジでは各辺の検知部は総てその、磁化率が中
位で従ってその抵抗値も中位となっている。
トストンブリッジでは第１辺の磁気検知部１２Ａａ、１
２八ａ／と第３辺の磁気検知部１２＾ｃ、１２＾Ｃ′が
最大に磁化されて抵抗値が小さい値ｒとなっており、第
２辺の磁気検知部１２Ａｂ、 １２Ａｂ’と第４辺の磁
気検知部１２＾ｄ、１２ Ａｄ’とは磁化されておらず
抵抗値が大きな値Ｒとなっているが、Ｂ相のホイートス
トンブリッジでは各辺の検知部は総てその、磁化率が中
位で従ってその抵抗値も中位となっている。
そして、磁気へラド１２がトランク１に沿って相対的に
移動し、図に示した位置から右方にＡλ移動′した位置
（図示せず）に来ると、Ａ相ホイートストンブリッジの
総ての磁気検知部１２Ａａ、１２Ａａ’、１２＾ｃ、
１２八Ｃ′及び１２＾ｂ、 １２Ａｂ’ 、１２Ａｄ、
１２＾ｄ′の磁化の程度と抵抗値が中位となり、Ｂ相
のホイートストンブリッジでは第１辺の磁気検知部（１
２Ｂａ、１２Ｂａ’）と第３辺（１２Ｂｃ、１２Ｂｃ’
）が磁化の程度が最低となり抵抗値が大きなＲとなり、
第２辺（１２Ｂｂ、 １２Ｂｂ’ ”）と第４辺（１２
Ｂｄ、 １２Ｂｄ’ ）とは、最高に磁化されて抵抗値
が小さい値ｒとなるものである。
移動し、図に示した位置から右方にＡλ移動′した位置
（図示せず）に来ると、Ａ相ホイートストンブリッジの
総ての磁気検知部１２Ａａ、１２Ａａ’、１２＾ｃ、
１２八Ｃ′及び１２＾ｂ、 １２Ａｂ’ 、１２Ａｄ、
１２＾ｄ′の磁化の程度と抵抗値が中位となり、Ｂ相
のホイートストンブリッジでは第１辺の磁気検知部（１
２Ｂａ、１２Ｂａ’）と第３辺（１２Ｂｃ、１２Ｂｃ’
）が磁化の程度が最低となり抵抗値が大きなＲとなり、
第２辺（１２Ｂｂ、 １２Ｂｂ’ ”）と第４辺（１２
Ｂｄ、 １２Ｂｄ’ ）とは、最高に磁化されて抵抗値
が小さい値ｒとなるものである。
従って、この回路によっても磁気ヘッド１２が更に移動
を続けると前記と同様なＡＢ二相の信号が得られる。
を続けると前記と同様なＡＢ二相の信号が得られる。
第１４図は、前述第１２図と同様に、第３図の磁気検知
部１２Ａａ乃至１２八ｄ′及び１２Ｂａ乃至１２Ｂｄ’
を抵抗Ａ１、Ａｌ１、Ａ２、Ａ２′、Ａ３、Ａ３′、Ａ
４、Ａ４′、及びＢｌ、Ｂ１１、Ｂ２、Ｂ１１、Ｂ３、
Ｂ３ ’ 、Ｂ４ 、Ｂｄ’に対応させてホイートスト
ンブリッジ回路として示したもの、又第１５図は前述第
１３図と同様に前記第３図の磁気ヘッド回路を基板上に
薄膜回路として構成した一実際例のパターン及び配置構
成を示す平面図である。
部１２Ａａ乃至１２八ｄ′及び１２Ｂａ乃至１２Ｂｄ’
を抵抗Ａ１、Ａｌ１、Ａ２、Ａ２′、Ａ３、Ａ３′、Ａ
４、Ａ４′、及びＢｌ、Ｂ１１、Ｂ２、Ｂ１１、Ｂ３、
Ｂ３ ’ 、Ｂ４ 、Ｂｄ’に対応させてホイートスト
ンブリッジ回路として示したもの、又第１５図は前述第
１３図と同様に前記第３図の磁気ヘッド回路を基板上に
薄膜回路として構成した一実際例のパターン及び配置構
成を示す平面図である。
第】４図は、−見して第３図との対応関係が明瞭である
から説明を省略し第１５図につき説明する。
から説明を省略し第１５図につき説明する。
この第１５図の磁気マークトラックの検出用ヘッドは、
前述第１３図と同様に基板１５上に薄膜の磁気ヘッド検
出部及び回路パターン１６として形成されたものである
が、磁気コード盤の外周縁を５００分、割（角度θ（間
隔λ） ＝０．７２．’ （＃２００ 、ｕｍ） ）
に縦着磁した磁気コード盤に対応設計されたものである
。
前述第１３図と同様に基板１５上に薄膜の磁気ヘッド検
出部及び回路パターン１６として形成されたものである
が、磁気コード盤の外周縁を５００分、割（角度θ（間
隔λ） ＝０．７２．’ （＃２００ 、ｕｍ） ）
に縦着磁した磁気コード盤に対応設計されたものである
。
この図示実施例の場合は、一方の相のブリッジ回路に於
ける各１辺の（直列接続）抵抗、例えばＡ１とＡｌ１を
、他相のブリッジ回路に於ける各１辺中の２つの抵抗、
例えばＢ、ｃ！：Ｂ／とが挾んだ形で、両相の磁気検知
部が交互に配列された構成となっていれば良く、磁気検
知部の配列組合せが多数あることは、前述第２図及び第
１３図の説明から既に明らかである。
ける各１辺の（直列接続）抵抗、例えばＡ１とＡｌ１を
、他相のブリッジ回路に於ける各１辺中の２つの抵抗、
例えばＢ、ｃ！：Ｂ／とが挾んだ形で、両相の磁気検知
部が交互に配列された構成となっていれば良く、磁気検
知部の配列組合せが多数あることは、前述第２図及び第
１３図の説明から既に明らかである。
又、この第３図の等価回路である第１４図のブリッジ回
路に於ける各辺の抵抗、例えばＡＩとＡ 、 ／を１個
の抵抗（磁気検知部）と看做して、第２図及び第１３図
で説明した７通りの配列として構成することも可能であ
る。
路に於ける各辺の抵抗、例えばＡＩとＡ 、 ／を１個
の抵抗（磁気検知部）と看做して、第２図及び第１３図
で説明した７通りの配列として構成することも可能であ
る。
第１６図は、他の薄膜回路パターンの実施例説明図で、
前記第１３図のものが第２図の磁気検知部配列の具体例
として各個々の磁気検知部、例えば１１８ａが、１個の
薄膜の線状抵抗Ｂｌとして形成されていたのに対し、該
各抵抗、例えばＡ４が、単位抵抗へ和、Ａ４．、Ａ４２
、−”’Ａ４’ｌを１０個直列接続した（上記電位抵抗
は全て同相）薄膜回路パターンの抵抗Ａ４から構成した
例として示したものである。
前記第１３図のものが第２図の磁気検知部配列の具体例
として各個々の磁気検知部、例えば１１８ａが、１個の
薄膜の線状抵抗Ｂｌとして形成されていたのに対し、該
各抵抗、例えばＡ４が、単位抵抗へ和、Ａ４．、Ａ４２
、−”’Ａ４’ｌを１０個直列接続した（上記電位抵抗
は全て同相）薄膜回路パターンの抵抗Ａ４から構成した
例として示したものである。
尚、この実施例は前述第１３図の場合と同様磁気コード
盤が２０００分割の場合に対応する設計実施例であり、
磁気検知部（抵抗）の配列は、第１３図のＢａ’Ａ Ｉ
Ａ２ Ｂ２ Ｂ ＩＡ４ 、Ａ３ Ｂ３に対して、前述
表中に記載しなかったＢ ＩＡ＋ Ａ２ Ｂ２ Ａ３
Ｂ３Ｂ４の場合であって、この配列は、一方の相のブリ
ッジ回路に於ける２辺の直列抵抗Ａ’ｌＡ２を、他方の
相の２辺の直列抵抗Ｂ１とＢ２間に挾むと共に他方に於
て、前記他方の相の残りの２辺の直列抵抗８３Ｂ４を一
方の相の２辺の直列抵抗Ａ３とＡ４間に挾み、２等両者
を並置させて各相の磁気検知部を交互に、換言すれば、
混合配列して本発明の目的とする磁気へ・ノドに構成し
たものである。尚、個々の磁気検知部Ａ、１等について
の詳細゛については、例えば特願昭５９−４９３０１号
の第１３〜１５図及びその説明等を参照することができ
る。
盤が２０００分割の場合に対応する設計実施例であり、
磁気検知部（抵抗）の配列は、第１３図のＢａ’Ａ Ｉ
Ａ２ Ｂ２ Ｂ ＩＡ４ 、Ａ３ Ｂ３に対して、前述
表中に記載しなかったＢ ＩＡ＋ Ａ２ Ｂ２ Ａ３
Ｂ３Ｂ４の場合であって、この配列は、一方の相のブリ
ッジ回路に於ける２辺の直列抵抗Ａ’ｌＡ２を、他方の
相の２辺の直列抵抗Ｂ１とＢ２間に挾むと共に他方に於
て、前記他方の相の残りの２辺の直列抵抗８３Ｂ４を一
方の相の２辺の直列抵抗Ａ３とＡ４間に挾み、２等両者
を並置させて各相の磁気検知部を交互に、換言すれば、
混合配列して本発明の目的とする磁気へ・ノドに構成し
たものである。尚、個々の磁気検知部Ａ、１等について
の詳細゛については、例えば特願昭５９−４９３０１号
の第１３〜１５図及びその説明等を参照することができ
る。
尚、本発明の実施に於て、各相の４個の磁気検知部が直
接１個のホイートストンブリッジ回路を構成する必要は
な（、例えば特開昭５８−３５４１４号公報や同５９−
１１８６２号公報記載の如く、例えば第１４図の抵抗Ａ
ＩとＡ２に対し、２個の標準抵抗Ａ。を直列接続した回
路とにより１１固のホイートストンブリッジ回路を構成
し、同様に抵抗Ａ３とＡ４と、標準抵抗とにより構成し
たホイートストンブリッジ回路とを組合せて、出力をコ
ンパレータ等により引き出すように構成した（Ｂ相は同
様に２個のホイートストンブリッジ回路としても良いが
、第１４図そのま＼でも良い。）場合の各磁気検知部の
配列の場合にも本発明は適用できるものである。
接１個のホイートストンブリッジ回路を構成する必要は
な（、例えば特開昭５８−３５４１４号公報や同５９−
１１８６２号公報記載の如く、例えば第１４図の抵抗Ａ
ＩとＡ２に対し、２個の標準抵抗Ａ。を直列接続した回
路とにより１１固のホイートストンブリッジ回路を構成
し、同様に抵抗Ａ３とＡ４と、標準抵抗とにより構成し
たホイートストンブリッジ回路とを組合せて、出力をコ
ンパレータ等により引き出すように構成した（Ｂ相は同
様に２個のホイートストンブリッジ回路としても良いが
、第１４図そのま＼でも良い。）場合の各磁気検知部の
配列の場合にも本発明は適用できるものである。
本発明は叙上の如く構成されるから、本発明によるとき
は、磁気ヘッドの磁気検知部に於ける磁気抵抗素子の検
出信号の位相の揺らぎや方形波出力のα分の余分な位相
差によるコード誤解を生しることのない高精度の新規な
磁気式ロークリエンコーダの磁気へノドを提供し得るも
のである。
は、磁気ヘッドの磁気検知部に於ける磁気抵抗素子の検
出信号の位相の揺らぎや方形波出力のα分の余分な位相
差によるコード誤解を生しることのない高精度の新規な
磁気式ロークリエンコーダの磁気へノドを提供し得るも
のである。
、向、本発明の構成は叙上の実施例に限定されるもので
はなく、各構成要素の形状、寸法等は本発明の目的の範
囲内で自由に設計変更できるものであり、本発明はそれ
らの総てを包摂するものである。
はなく、各構成要素の形状、寸法等は本発明の目的の範
囲内で自由に設計変更できるものであり、本発明はそれ
らの総てを包摂するものである。
第１図は、本発明にかかる磁気式ロークリエンコーダの
磁気ヘット−の一実施例に於ける磁気検知部の配置とそ
の相互の回路構成を示す説明図、第２図又は第３図は、
第１図とは別異の磁気検知部の配置とその相互の回路構
成を示す説明図、第４図は、第５図に示したホイートス
トンブリッジ回路を構成する公知の磁気ヘッドの具体的
形状を示す説明図、 第５図は、第４図、第６図及び第７図に示した従来のホ
イートストンブリッジ型磁気ヘッドの回路構成を示す電
気回路図、 第６図及び第７図は、第５図に示したホイートストンブ
リッジ回路を構成する第４図とは別異の従来の磁気ヘッ
ドの具体的形状を示す説明図、第８図は、第５図に示し
た回路を２組複合し、コード盤の回転方向を検出し得る
よう構成した従来公知の２相出カポイートストンブリツ
ジ型磁気ヘツドの構成を示す電気回路図、 第９図は、第８図に示した回路の出力波形図、第１０図
は、磁気コード盤の磁気マークと磁気ヘッドのＡＢ相の
磁気検知部の位置関係を示す平面図、 第１１図は、第１０図に示した磁気ヘッドの出力波形図
、 第１２図は、第２図の抵抗及び端子回路図、第１３図は
、第２図の磁気検知部の担列をパターン化して薄膜回路
に構成した実施例平面図、第１４図は、第３図の抵抗及
び端子回路図、第１５図は、第３図の配列をパターン化
して薄膜回路に構成した実施例平面図、 第１６図は、他の配列及びパターンの実施例平面図であ
る。 １−−−−−−−〜−−−−− ）ランク１ａ、１ｂ−
−ニー磁気マーク ２−−−−−−−−−−−磁気ヘット ２ａ〜２ ｄ −−−−−−−−−−一磁気検知部２ｅ
〜２ ｈ −−−−−−〜−−−−一端子３・−一−−
−・−−−−一一−−−−−・・・・・電気回路３ａ〜
３ｄ−、−−−−−−−一抵抗 ３ｅ〜３ｈ−・−−−−−−−−ｍ一端子４・−−−一
−−−−−−−−−−−−・−・−＝磁気ヘッド４ａ〜
４ ｄ −−−−−−−−−−−・磁気検知部４ｅ〜４
ｈ−・・−−一一一−−一端子部４１〜４ ｋ −−−
−−−−−−リード部５−−−−−−−−−−− ＝−
−−−磁気ヘッド５ａ〜５ｄ、５ ａ ’ 〜５ ｄ
’ −−−−一磁気検知部５ｅ〜５ ｈ −−−−−−
−−−一端子６−−−−−・−−−−−−−−一−−−
−−電気回路６ Ａａ〜６ Ａｄ−−−−−−−−−Ａ
相の抵抗６ Ｂａ〜６ Ｂｄ−−−、−−−−−−−Ｂ
相の抵抗６八ｅ、６ Ａｆ、 ６ Ｂｅ５Ｂ Ｂｆ、
６ ｇ、 ６ ｈ −−−−一端子７−・−−−−−−
−−一−−−−−−−−−−−−磁気コード盤７ ａ
−−−−−−−−’−−−−−−−−一中心孔７ ｂ
−−−−−−−−−−−−−−−−−一磁気コード面７
ｃ −−−−−−−−−Ｔ’ −−−−−磁気マーク
８・−−−−−−−一・−−−−−−−−一−・−径路
９．９′・−−−−−・−−−−−−−一磁気ヘッド９
ａ、９ａ’−−−一・−Ａ相の検知部９ｂ、９ ｂ ／
−−−−−−−１３相の検知部１０−−−−−−−−−
−−−−−−−−、−一磁気ヘノド１０Ａａ −１０Ａ
ｄ−−一−−−−−Ａ相の磁気検知部１０Ｂａ〜１０Ｂ
ｄ−−−一−−−−−Ｂ相の磁気検知部１０ａ 〜ＩＯ
ｈ、 ＩＯａ’ 〜１０ｈ’ −−−−一端子１１−−
−−−−一〜−−−−−−−−−−−−−−−磁気ヘッ
トＩＩ Ａａ〜ＩＩ Ａｄ−−−−−−−−Ａ相の磁気
検知部ＩＩ Ｂａ−１１Ｂｄ−−−−−−−Ｂ相の磁気
検知部１１ａ 〜Ｉｌｈ −−−−−−−一端子１２−
−−−−−−−−−−−、−−一磁気ヘノド１２Ａａ〜
ｌ２Ａｄ、 ＋２１１ａ’ 〜１２八ｄ／ −−
−、、、、−、−−−、−、−、−−−−、。 −−−−−・−Ａ相の磁気検知部 １２ Ｂａ−１２１１ｄ、 ＋２ Ｂａ’ 〜１２ Ｂ
ｄ’ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−Ｂ
相の磁気検知部
磁気ヘット−の一実施例に於ける磁気検知部の配置とそ
の相互の回路構成を示す説明図、第２図又は第３図は、
第１図とは別異の磁気検知部の配置とその相互の回路構
成を示す説明図、第４図は、第５図に示したホイートス
トンブリッジ回路を構成する公知の磁気ヘッドの具体的
形状を示す説明図、 第５図は、第４図、第６図及び第７図に示した従来のホ
イートストンブリッジ型磁気ヘッドの回路構成を示す電
気回路図、 第６図及び第７図は、第５図に示したホイートストンブ
リッジ回路を構成する第４図とは別異の従来の磁気ヘッ
ドの具体的形状を示す説明図、第８図は、第５図に示し
た回路を２組複合し、コード盤の回転方向を検出し得る
よう構成した従来公知の２相出カポイートストンブリツ
ジ型磁気ヘツドの構成を示す電気回路図、 第９図は、第８図に示した回路の出力波形図、第１０図
は、磁気コード盤の磁気マークと磁気ヘッドのＡＢ相の
磁気検知部の位置関係を示す平面図、 第１１図は、第１０図に示した磁気ヘッドの出力波形図
、 第１２図は、第２図の抵抗及び端子回路図、第１３図は
、第２図の磁気検知部の担列をパターン化して薄膜回路
に構成した実施例平面図、第１４図は、第３図の抵抗及
び端子回路図、第１５図は、第３図の配列をパターン化
して薄膜回路に構成した実施例平面図、 第１６図は、他の配列及びパターンの実施例平面図であ
る。 １−−−−−−−〜−−−−− ）ランク１ａ、１ｂ−
−ニー磁気マーク ２−−−−−−−−−−−磁気ヘット ２ａ〜２ ｄ −−−−−−−−−−一磁気検知部２ｅ
〜２ ｈ −−−−−−〜−−−−一端子３・−一−−
−・−−−−一一−−−−−・・・・・電気回路３ａ〜
３ｄ−、−−−−−−−一抵抗 ３ｅ〜３ｈ−・−−−−−−−−ｍ一端子４・−−−一
−−−−−−−−−−−−・−・−＝磁気ヘッド４ａ〜
４ ｄ −−−−−−−−−−−・磁気検知部４ｅ〜４
ｈ−・・−−一一一−−一端子部４１〜４ ｋ −−−
−−−−−−リード部５−−−−−−−−−−− ＝−
−−−磁気ヘッド５ａ〜５ｄ、５ ａ ’ 〜５ ｄ
’ −−−−一磁気検知部５ｅ〜５ ｈ −−−−−−
−−−一端子６−−−−−・−−−−−−−−一−−−
−−電気回路６ Ａａ〜６ Ａｄ−−−−−−−−−Ａ
相の抵抗６ Ｂａ〜６ Ｂｄ−−−、−−−−−−−Ｂ
相の抵抗６八ｅ、６ Ａｆ、 ６ Ｂｅ５Ｂ Ｂｆ、
６ ｇ、 ６ ｈ −−−−一端子７−・−−−−−−
−−一−−−−−−−−−−−−磁気コード盤７ ａ
−−−−−−−−’−−−−−−−−一中心孔７ ｂ
−−−−−−−−−−−−−−−−−一磁気コード面７
ｃ −−−−−−−−−Ｔ’ −−−−−磁気マーク
８・−−−−−−−一・−−−−−−−−一−・−径路
９．９′・−−−−−・−−−−−−−一磁気ヘッド９
ａ、９ａ’−−−一・−Ａ相の検知部９ｂ、９ ｂ ／
−−−−−−−１３相の検知部１０−−−−−−−−−
−−−−−−−−、−一磁気ヘノド１０Ａａ −１０Ａ
ｄ−−一−−−−−Ａ相の磁気検知部１０Ｂａ〜１０Ｂ
ｄ−−−一−−−−−Ｂ相の磁気検知部１０ａ 〜ＩＯ
ｈ、 ＩＯａ’ 〜１０ｈ’ −−−−一端子１１−−
−−−−一〜−−−−−−−−−−−−−−−磁気ヘッ
トＩＩ Ａａ〜ＩＩ Ａｄ−−−−−−−−Ａ相の磁気
検知部ＩＩ Ｂａ−１１Ｂｄ−−−−−−−Ｂ相の磁気
検知部１１ａ 〜Ｉｌｈ −−−−−−−一端子１２−
−−−−−−−−−−−、−−一磁気ヘノド１２Ａａ〜
ｌ２Ａｄ、 ＋２１１ａ’ 〜１２八ｄ／ −−
−、、、、−、−−−、−、−、−−−−、。 −−−−−・−Ａ相の磁気検知部 １２ Ｂａ−１２１１ｄ、 ＋２ Ｂａ’ 〜１２ Ｂ
ｄ’ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−Ｂ
相の磁気検知部
Claims (2)
- （１）隣接磁気検知部間に、読み取るべき磁気マーク間
の間隔（隣接するＮ極とＳ極との間隔）Ｘの１／２＾ｎ
の位相差を有するホイートストンブリッジ回路を、前記
磁気マーク間隔λの１／２＾ｎ＾＋＾１の位相差をもっ
て二相並列に設け、両ブリッジ回路の出力電圧を比較し
て磁気コード盤の磁気マークを読み取り、角度及び回転
方向の検出をする磁気ヘッドに於て、一方の相のホイー
トストンブリッジ回路の四個の磁気検知部Ａ＿１、Ａ＿
２、Ａ＿３、Ａ＿４と、これと対応する他方の相のホイ
ートストンブリッジ回路の四個の磁気検知部Ｂ＿１、Ｂ
＿２、Ｂ＿３、Ｂ＿４とを、磁気ヘッドの基板上に一体
に、そして磁気マークとの相対的移動方向に、順次にＡ
、Ｂ、Ａ、Ｂ、Ａ、Ｂ、Ａ、Ｂの如く両方の相の磁気検
知部を交互に配列して成る上記磁気ヘッド。 - （２）隣接磁気検知部間に読み取るべき磁気マーク間隔
λの１／２＾ｎの位相差を有するホイートストンブリッ
ジ回路を、前記磁気マーク間隔λの１／２＾ｎ＾＋＾１
の位相差をもって二相並列に設け、両ブリッジ回路の出
力電圧を比較して磁気コード盤の磁気マークを読み取り
、角度及び回転方向の検出をする磁気ヘッドに於て、 一方の相のホイートストンブリッジ回路の四個の磁気検
知部Ａ＿１、Ａ＿２、Ａ＿３、Ａ＿４と、他方の相のホ
イートストンブリッジ回路の四個の磁気検知部Ｂ＿１、
Ｂ＿２、Ｂ＿３、Ｂ＿４とを、磁気ヘッドの基板上に一
体に、そして磁気マークとの相対移動方向に順次に、Ｂ
、Ａ、Ａ、Ｂ、Ｂ、Ａ、Ａ、Ｂの如く、一方の相のホイ
ートストンブリッジ回路に於て直列に接続された対の磁
気検知部間に他方の相の１個又は一対の磁気検知部を介
設させて配列して成る上記磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12067584A JPS61711A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12067584A JPS61711A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61711A true JPS61711A (ja) | 1986-01-06 |
| JPH0511242B2 JPH0511242B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=14792152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12067584A Granted JPS61711A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61711A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63271111A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Hitachi Metals Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPH0480614A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気センサと磁気ロータリエンコーダ |
| JP2012118000A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Nidec Sankyo Corp | ロータリエンコーダ |
| JP2012173177A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Nidec Sankyo Corp | ロータリエンコーダ |
| US10809097B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-20 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Detector apparatus and detector system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690213A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Nec Corp | Position detector |
| JPS58158017A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP12067584A patent/JPS61711A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5690213A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Nec Corp | Position detector |
| JPS58158017A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63271111A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Hitachi Metals Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPH0480614A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気センサと磁気ロータリエンコーダ |
| JP2012118000A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Nidec Sankyo Corp | ロータリエンコーダ |
| JP2012173177A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Nidec Sankyo Corp | ロータリエンコーダ |
| US10809097B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-20 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Detector apparatus and detector system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511242B2 (ja) | 1993-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100611630B1 (ko) | 시트코일형 리졸버 | |
| JPH0623931Y2 (ja) | 磁気スケール用検出器 | |
| JPH0638047B2 (ja) | 磁気的に位置を検出する装置 | |
| US5909115A (en) | Position detecting apparatus employing magnetoresistance effect elements connected in series | |
| US20060012922A1 (en) | Magnetic sensor for encoder | |
| EP1770371B1 (en) | Magnetic encoder | |
| US4806860A (en) | Overlapped magnetoresistive displacement detecting transducers having closely spaced longitudinal centers | |
| US5036319A (en) | Magnetic encoder using magnetoresistive element | |
| JPH0477246B2 (ja) | ||
| JP3004926B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
| JP3922427B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
| JPS63202979A (ja) | エンコ−ダ用磁気センサ | |
| JP3308123B2 (ja) | 磁気抵抗効果センサ | |
| JPH0511242B2 (ja) | ||
| JP2529951B2 (ja) | 磁気エンコ−ダ用磁気抵抗センサ | |
| CN121702431B (zh) | Amr磁阻模块、角度传感器及芯片 | |
| JP3029581B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
| JPH0140510B2 (ja) | ||
| US12241762B2 (en) | Magnetic sensor | |
| JP2979692B2 (ja) | 磁気エンコーダ | |
| US12247852B2 (en) | Magnetic sensor | |
| JPH02231586A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0882532A (ja) | 磁界検出ヘッド及び位置検出装置 | |
| JPS62289723A (ja) | 磁気エンコ−ダ用磁気抵抗センサ | |
| JPH01318916A (ja) | 磁気エンコーダ |