JPH0480733B2 - - Google Patents
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- JPH0480733B2 JPH0480733B2 JP28734285A JP28734285A JPH0480733B2 JP H0480733 B2 JPH0480733 B2 JP H0480733B2 JP 28734285 A JP28734285 A JP 28734285A JP 28734285 A JP28734285 A JP 28734285A JP H0480733 B2 JPH0480733 B2 JP H0480733B2
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- JP
- Japan
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- etching chamber
- valve
- lid
- vacuum
- etching
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は真空処理装置に係り、特に真空チヤン
バ内に残留する有毒ガスの外部への放出を防ぐよ
うにした真空処理装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum processing apparatus that prevents toxic gases remaining in a vacuum chamber from being released to the outside.
第2図は真空処理装置として従来のプラズマエ
ツチング装置を示したもので、エツチングチヤン
バ1には、反応ガスおよびマイクロ波を導入して
プラズマを発生させる放電装置2が接続されると
ともに、本装置においては、真空排気系統として
メカニカルブースタポンプ3およびロータリポン
プ4が途中主バルブ5を介して接続されている。
FIG. 2 shows a conventional plasma etching apparatus as a vacuum processing apparatus, in which an etching chamber 1 is connected to a discharge apparatus 2 that generates plasma by introducing a reactive gas and microwaves, and this apparatus In this system, a mechanical booster pump 3 and a rotary pump 4 are connected via a main valve 5 as a vacuum exhaust system.
上記装置においては、エツチングチヤンバ1の
内部に被処理物6を配置し、主バルブ5を開いて
各ポンプ3,4によりエツチングチヤンバ1内を
真空排気する。そして、放電装置2により発生す
る放電プラズマをエツチングチヤンバ1内に送
り、被処理物6のエツチングを行なうものであ
る。 In the above apparatus, the object to be processed 6 is placed inside the etching chamber 1, the main valve 5 is opened, and the inside of the etching chamber 1 is evacuated by the pumps 3 and 4. Then, discharge plasma generated by the discharge device 2 is sent into the etching chamber 1 to etch the object 6 to be processed.
上記のようにエツチングを行なつた後、作業者
がエツチングチヤンバ1内の被処理物6を交換し
たり、エツチングチヤンバ1内部の清掃を行なう
等エツチングチヤンバ1の蓋を開く際に、エツチ
ングチヤンバ1の内壁に付着した有毒ガスが外部
に放出されるおそれがある。この有毒ガスが外部
に広がらないようにするため、従来から種々の手
段が用いられている。 After performing etching as described above, when an operator opens the lid of the etching chamber 1 to replace the object 6 in the etching chamber 1 or to clean the inside of the etching chamber 1, There is a risk that toxic gas adhering to the inner wall of the etching chamber 1 will be released to the outside. In order to prevent this toxic gas from spreading outside, various methods have been used.
これには、第3図に示すようにエツチングチヤ
ンバ1の周囲をケース7により覆うようにする手
段や、第4図に示すようにエツチング装置8自体
をクリーンベンチ9の中に設置する手段や、第5
図に示すようにエツチングチヤンバ1の蓋10近
傍に排気ダクト11を配置する手段等がある。 This includes a method of covering the etching chamber 1 with a case 7 as shown in FIG. 3, a method of installing the etching apparatus 8 itself in a clean bench 9 as shown in FIG. , 5th
As shown in the figure, there is a means for arranging an exhaust duct 11 near the lid 10 of the etching chamber 1.
しかし、上記いずれの手段でも、ケース7やク
リーンベンチ9等の大がかりな装置が必要であ
り、その設置スペースが多く必要となつてしま
う。 However, any of the above means requires large-scale equipment such as the case 7 and the clean bench 9, and requires a large amount of installation space.
また、上記手段では、有毒ガスがあまり広範囲
に広がらないようにするだけで完全に有毒ガスを
除去することができないので、作業者に悪影響を
及ぼしたり、クリーンルームを汚染してしまうと
いう問題があつた。 In addition, the above method only prevents the toxic gas from spreading over a wide area, but cannot completely remove the toxic gas, so there is a problem that it may have a negative impact on the workers or contaminate the clean room. .
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
エツチングチヤンバの内壁に付着した有毒ガスを
確実に除去することのできる真空処理装置を提供
することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above points, and
It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus that can reliably remove toxic gas adhering to the inner wall of an etching chamber.
上記目的を達成するため本発明に係る真空処理
装置は、真空チヤンバに主バルブを介して真空排
気系統を接続してなる真空処理装置において、上
記真空チヤンバと主バルブとの間に常時減圧状態
に保持された排気系統を途中ドラフトバルブを介
して接続して構成され、エツチングチヤンバの蓋
を開く時にドラフトバルブを開くようになされて
いる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum processing apparatus in which a vacuum exhaust system is connected to a vacuum chamber through a main valve, in which a vacuum chamber is constantly maintained in a reduced pressure state between the vacuum chamber and the main valve. The retained exhaust system is connected through a draft valve in the middle, and the draft valve is opened when the lid of the etching chamber is opened.
以下、本発明の実施例を第1図を参照して説明
し、第2図乃至第5図と同一部分には同一符号を
付してその説明を省略する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1, and the same parts as in FIGS. 2 to 5 are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.
本実施例においては、エツチングチヤンバ1と
主バルブ5との間には、排気ダクト等常に減圧状
態に保持されている排気系統12が途中ドラフト
バルブ13を介して接続されている。このドラフ
トバルフ13は、例えば、マイコン等の制御装置
により開閉制御され、この開閉のタイミングはエ
ツチングチヤンバ1の蓋の開閉と同時に行なうよ
うになされる。すなわち、エツチングチヤンバ1
の蓋が閉じている時には、ドラフトバルブ13は
閉じられ、エツチングチヤンバ1の蓋が開くと同
時にドラフトバルブ13を開くように制御され
る。また、このエツチングチヤンバ1の蓋の開閉
を検知するには、エツチングチヤンバ1の内部に
大気圧検出器を設け、エツチングチヤンバ1内が
大気圧になつたことにより上記蓋が開いたことを
検知するようにしてもよいし、タイマにより一定
の処理時間が経過した時にドラフトバルブ13を
開くようにしてもよい。 In this embodiment, an exhaust system 12 such as an exhaust duct, which is always kept in a reduced pressure state, is connected between the etching chamber 1 and the main valve 5 via a draft valve 13. The draft valve 13 is controlled to open and close by a control device such as a microcomputer, and the opening and closing timing is set to coincide with the opening and closing of the lid of the etching chamber 1. That is, etching chamber 1
When the lid of the etching chamber 1 is closed, the draft valve 13 is closed, and the draft valve 13 is controlled to be opened at the same time as the lid of the etching chamber 1 is opened. In addition, in order to detect the opening and closing of the lid of the etching chamber 1, an atmospheric pressure detector is installed inside the etching chamber 1, and when the inside of the etching chamber 1 reaches atmospheric pressure, the lid is opened. may be detected, or a timer may be used to open the draft valve 13 when a certain processing time has elapsed.
したがつて本実施例においては、エツチングチ
ヤンバ1の蓋を開いた時に、ドラフトバルブ13
が開くことにより、排気系統12への空気の流れ
が生じ、エツチングチヤンバ1の内壁に付着して
いた有毒ガスは、外部に放出されることなく排気
系統12へ排気される。その結果、作業者に悪影
響を与えることがなく、クリーンルームを汚染す
ることを防止することができ、ケースやクリーン
ベンチ等も不要となる。 Therefore, in this embodiment, when the lid of the etching chamber 1 is opened, the draft valve 13 is closed.
By opening, air flows to the exhaust system 12, and the toxic gas adhering to the inner wall of the etching chamber 1 is exhausted to the exhaust system 12 without being released to the outside. As a result, there is no adverse effect on workers, the clean room can be prevented from being contaminated, and cases, clean benches, etc. are no longer necessary.
以上述べたように本発明に係る真空処理装置
は、エツチングチヤンバと主バルブ5との間にド
ラフトバルブを介して排気系統を接続して構成さ
れ、エツチングチヤンバの蓋を開く時に上記ドラ
フトバルブを開くようにしたので、エツチングチ
ヤンバ内の有毒ガスを外部へ放出させることなく
確実に排気することができる。その結果、作業者
に悪影響を与えることがなく、クリーンルームを
汚染することもなく、さらに、スペース効率も高
まる等の効果を奏する。
As described above, the vacuum processing apparatus according to the present invention is configured such that an exhaust system is connected between the etching chamber and the main valve 5 via a draft valve, and when the lid of the etching chamber is opened, the draft valve Since it is opened, the toxic gas inside the etching chamber can be reliably exhausted without being released to the outside. As a result, there are no adverse effects on workers, no contamination of the clean room, and furthermore, space efficiency is improved.
第1図は本発明の一実施例を示す系統図、第2
図は従来のプラズマエツチング装置を示す系統
図、第3図、第4図および第5図はそれぞれ従来
の有毒ガスへの対策手段を示す説明図である。
1…エツチングチヤンバ、2…放電装置、3,
4…ポンプ、5…主バルブ、6…被処理物、12
…排気系統、13…ドラフトバルブ。
Figure 1 is a system diagram showing one embodiment of the present invention, Figure 2 is a system diagram showing an embodiment of the present invention.
The figure is a system diagram showing a conventional plasma etching apparatus, and FIGS. 3, 4, and 5 are explanatory diagrams showing conventional countermeasures against toxic gas, respectively. 1... Etching chamber, 2... Discharge device, 3,
4...Pump, 5...Main valve, 6...Workpiece, 12
...Exhaust system, 13...Draft valve.
Claims (1)
を介して真空排気系統を接続してなる真空処理装
置において、上記真空チヤンバと主バルブとの間
に常時減圧状態に保持された排気系統を途中ドラ
フトバルブを介して接続したことを特徴とする真
空処理装置。1. In a vacuum processing apparatus in which an evacuation system is connected to a vacuum chamber containing a workpiece through a main valve, the evacuation system, which is constantly maintained at a reduced pressure state, is connected to a draft midway between the vacuum chamber and the main valve. A vacuum processing device characterized in that it is connected via a valve.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28734285A JPS62144742A (en) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Vacuum processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28734285A JPS62144742A (en) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Vacuum processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144742A JPS62144742A (en) | 1987-06-27 |
| JPH0480733B2 true JPH0480733B2 (en) | 1992-12-21 |
Family
ID=17716129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28734285A Granted JPS62144742A (en) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Vacuum processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144742A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04313038A (en) * | 1991-04-08 | 1992-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for detecting amount of leaking gas |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28734285A patent/JPS62144742A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144742A (en) | 1987-06-27 |
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