JPH0481247B2 - - Google Patents
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- JPH0481247B2 JPH0481247B2 JP58046272A JP4627283A JPH0481247B2 JP H0481247 B2 JPH0481247 B2 JP H0481247B2 JP 58046272 A JP58046272 A JP 58046272A JP 4627283 A JP4627283 A JP 4627283A JP H0481247 B2 JPH0481247 B2 JP H0481247B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- -1 fatty acid esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- ORAWFNKFUWGRJG-UHFFFAOYSA-N Docosanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O ORAWFNKFUWGRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- VBICKXHEKHSIBG-UHFFFAOYSA-N 1-monostearoylglycerol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(O)CO VBICKXHEKHSIBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910020637 Co-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020674 Co—B Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020708 Co—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020710 Co—Sm Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- DCXXMTOCNZCJGO-UHFFFAOYSA-N Glycerol trioctadecanoate Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC DCXXMTOCNZCJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- GWFGDXZQZYMSMJ-UHFFFAOYSA-N Octadecansaeure-heptadecylester Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC GWFGDXZQZYMSMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000010775 animal oil Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(N)=O ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SELIRUAKCBWGGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid;octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O SELIRUAKCBWGGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKBWPOSQERPBFI-UHFFFAOYSA-N octadecyl octadecanoate Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC NKBWPOSQERPBFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229940045845 sodium myristate Drugs 0.000 description 1
- JUQGWKYSEXPRGL-UHFFFAOYSA-M sodium;tetradecanoate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCCC([O-])=O JUQGWKYSEXPRGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000015112 vegetable and seed oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000008158 vegetable oil Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、短波長記録に利用される金属薄膜型
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
従来例の構成とその問題点
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体
主として高分子基板上にγ−Fe2O3やCoをドーブ
したγ−Fe2O3やCrO2等の酸化物磁性粉末、或い
はCo、Fe等の強磁性合金粉末等の粉末磁性材料
を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分
散せしめ塗布、乾燥させる塗布型のものが広く使
用されてきている。
主として高分子基板上にγ−Fe2O3やCoをドーブ
したγ−Fe2O3やCrO2等の酸化物磁性粉末、或い
はCo、Fe等の強磁性合金粉末等の粉末磁性材料
を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分
散せしめ塗布、乾燥させる塗布型のものが広く使
用されてきている。
しかし、近年高密度記録が可能な媒体として知
られている強磁性金属薄膜を磁気記録層とするい
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体がメツキ法による
コンピユータ用のハードデイスクメモリや、オー
デイオ用マイクロカセツトテープなどで、一部実
用化されるに至り、ビデオ用蒸着テープや、
CoCrに代表される垂直磁気記録用媒体を実用化
するための動きが活発化しはじめている。
られている強磁性金属薄膜を磁気記録層とするい
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体がメツキ法による
コンピユータ用のハードデイスクメモリや、オー
デイオ用マイクロカセツトテープなどで、一部実
用化されるに至り、ビデオ用蒸着テープや、
CoCrに代表される垂直磁気記録用媒体を実用化
するための動きが活発化しはじめている。
しかしながら現状では、電磁変換特性上の圧倒
的優位性は認められるものの、実用信頼性の面で
は疑問視され、実用化をあやぶむ声もある。
的優位性は認められるものの、実用信頼性の面で
は疑問視され、実用化をあやぶむ声もある。
それは、塗布型であれ、金属薄膜型であれ、短
波長記録ではスペーシングロスは深酷であり、自
ずと、表面性に平滑度が要求されるため、走行が
不安定になることと、回転ヘツド、シリンダとの
相互作用に対する耐久性、とりわけ、ビデオテー
プに於けるスチル耐久性が低いことが致命的であ
るとする考えから端を発しているものである。
波長記録ではスペーシングロスは深酷であり、自
ずと、表面性に平滑度が要求されるため、走行が
不安定になることと、回転ヘツド、シリンダとの
相互作用に対する耐久性、とりわけ、ビデオテー
プに於けるスチル耐久性が低いことが致命的であ
るとする考えから端を発しているものである。
かかる問題の解決のため、金属薄膜上に潤滑剤
をうすく塗布することが種々試みられている。
をうすく塗布することが種々試みられている。
材料としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪
酸アミド、シリコーンオイル、動植物油の単独又
は混合系等が広範囲に渡り調査実験され、製法と
しては、公知の湿式の各種コーテイング方法、乾
式の真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、プラズマCVD法等が適用されているが、
広範な実用循環下で満足する結果を得るには至つ
ていないのが実状である。
酸アミド、シリコーンオイル、動植物油の単独又
は混合系等が広範囲に渡り調査実験され、製法と
しては、公知の湿式の各種コーテイング方法、乾
式の真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、プラズマCVD法等が適用されているが、
広範な実用循環下で満足する結果を得るには至つ
ていないのが実状である。
発明の目的
本発明は、広範な実用環境下での耐久性、走行
性の改良された金属薄膜型磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
性の改良された金属薄膜型磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
発明の構成
本発明は、高分子基板上に配された磁気記録層
が強磁性金属薄膜であつて、前記強磁性金属薄膜
を厚み方向に貫通するピンホールがほぼ全域にわ
たり均一に存在しそれらピンホールの面積の和が
全磁気記録媒体面積の0.5%以上5.0%以下である
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体であ
る。
が強磁性金属薄膜であつて、前記強磁性金属薄膜
を厚み方向に貫通するピンホールがほぼ全域にわ
たり均一に存在しそれらピンホールの面積の和が
全磁気記録媒体面積の0.5%以上5.0%以下である
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体であ
る。
本発明に用いることのできる高分子基板は、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、芳香族ポリアミド、ポリイミド等であ
る。
リエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、芳香族ポリアミド、ポリイミド等であ
る。
又、前記各材料をベースとして、微粒子を含有
させたもの、微細凹凸形状を塗布法等により一方
又は両方の面に付与したもの等も本発明に用いる
ことができるのは勿論である。
させたもの、微細凹凸形状を塗布法等により一方
又は両方の面に付与したもの等も本発明に用いる
ことができるのは勿論である。
磁気記録層として用いることのできる強磁性金
属薄膜としては大別して面内磁化膜と垂直磁化膜
とに分けられ、材料としては、Co、Co−Ni、Co
−Fe、Co−P、Co−B、Co−V、Co−W、Co
−Mo、Co−Pd、Co−Sm、Co−Cu、Co−Cr、
Co−Ni−Cr、Co−Ni−W、Co−Ni−Mo、Co
−Ni−Cu、Co−Ni−Ti、Co−Ni−Si、Co−Ni
−Mn、Co−Ni−P、Co−Ni−O、Co−Cr−
O、Co−Ti−O、Co−Si−O等の強磁性金属、
強磁性合金であり、これらの薄膜を得るのに用い
ることのできる製法は、電子ビーム蒸着誘導加熱
蒸着、電界蒸着、イオンプレーテイング、電気メ
ツキ、無電解メツキ、スパツタリング法等であ
る。
属薄膜としては大別して面内磁化膜と垂直磁化膜
とに分けられ、材料としては、Co、Co−Ni、Co
−Fe、Co−P、Co−B、Co−V、Co−W、Co
−Mo、Co−Pd、Co−Sm、Co−Cu、Co−Cr、
Co−Ni−Cr、Co−Ni−W、Co−Ni−Mo、Co
−Ni−Cu、Co−Ni−Ti、Co−Ni−Si、Co−Ni
−Mn、Co−Ni−P、Co−Ni−O、Co−Cr−
O、Co−Ti−O、Co−Si−O等の強磁性金属、
強磁性合金であり、これらの薄膜を得るのに用い
ることのできる製法は、電子ビーム蒸着誘導加熱
蒸着、電界蒸着、イオンプレーテイング、電気メ
ツキ、無電解メツキ、スパツタリング法等であ
る。
又前記磁気記録層の下地として、非磁性金属層
軟磁性下地層が配されたものであつても良いし、
磁気記録層を一方の面のみに有するものである
か、基板の両側の面に有するものであるかも問わ
ない。
軟磁性下地層が配されたものであつても良いし、
磁気記録層を一方の面のみに有するものである
か、基板の両側の面に有するものであるかも問わ
ない。
但し後述する面積分率は、両側に磁気記録層の
ある場合は、夫々の面について本発明の数値限定
が適用されるものである。
ある場合は、夫々の面について本発明の数値限定
が適用されるものである。
又、走行補助のための背面塗布層、潤滑処理防
錆処理層の有無も問うものでもない。
錆処理層の有無も問うものでもない。
本発明の強磁性金属薄膜層は厚み方向に貫通し
たピンホールを有することに波長があり、ピンホ
ールは、非磁性下地層、軟磁性下地層があつて
も、同様であり、ピンホールは高分子基板にまで
至つてることが要件となるものである。
たピンホールを有することに波長があり、ピンホ
ールは、非磁性下地層、軟磁性下地層があつて
も、同様であり、ピンホールは高分子基板にまで
至つてることが要件となるものである。
ピンホールの形状は、円形、楕円形又はそれに
近いものでの実施が容易であるが、その作用から
して、形状依存性は殆んど問題にならないといえ
るものであるが、信号の欠落にならないような配
慮は当然必要であり、従つて、記録密度の上昇ト
レンドから見て、0.2〜1μ径程度の大きさのピン
ホールが均一に点在していて、その面積の総和
が、全磁性層の面積即ちテープ又はデイスクの面
積に対しての割合で表わされる欠落部分の面積分
率が0.5%以上であれば、第2図、第3図に示し
たように、広範囲のスチル耐久性がもたらされる
ものである。
近いものでの実施が容易であるが、その作用から
して、形状依存性は殆んど問題にならないといえ
るものであるが、信号の欠落にならないような配
慮は当然必要であり、従つて、記録密度の上昇ト
レンドから見て、0.2〜1μ径程度の大きさのピン
ホールが均一に点在していて、その面積の総和
が、全磁性層の面積即ちテープ又はデイスクの面
積に対しての割合で表わされる欠落部分の面積分
率が0.5%以上であれば、第2図、第3図に示し
たように、広範囲のスチル耐久性がもたらされる
ものである。
ピンホールの作用は、明確ではないが、高分子
基板で吸湿性の高いものを用いて実施した方が、
低い面積分率で改良効果がみられることや、高温
多湿環境下に長期保存後のスチル耐久性が良いこ
と等の結果から判断して、スチル動作時に、欠落
部分より、高分子基板から水蒸気がヘツドテープ
のインタフエイスに伝達されることから生ずる潤
滑作用によるものと考えらる。
基板で吸湿性の高いものを用いて実施した方が、
低い面積分率で改良効果がみられることや、高温
多湿環境下に長期保存後のスチル耐久性が良いこ
と等の結果から判断して、スチル動作時に、欠落
部分より、高分子基板から水蒸気がヘツドテープ
のインタフエイスに伝達されることから生ずる潤
滑作用によるものと考えらる。
一方上限は、当然予測されることであるが、高
周波出力の低下が磁性層の欠落で、トータルフラ
ツクス量の低下から起ることで決定されるもので
ある。
周波出力の低下が磁性層の欠落で、トータルフラ
ツクス量の低下から起ることで決定されるもので
ある。
それと同時にノイズ側からも制約を受け、結局
出力面からみれば5%から10%近くあつても実用
域であるが、ノイズ面から5%以下が好ましいこ
とになる。
出力面からみれば5%から10%近くあつても実用
域であるが、ノイズ面から5%以下が好ましいこ
とになる。
実施例の説明
以下実施例によつて本発明を具体的に説明する
が、本発明は下記の実施例によつて限定されるも
のではない。
が、本発明は下記の実施例によつて限定されるも
のではない。
本発明の媒体を得る方法は、円筒状回転キヤン
に沿つて移動する高分子基板に、電子ビーム蒸着
法とスパツタリング、イオンプレーテアングのい
ずれかで強磁性金属薄膜を形成した直後、前記回
転キヤンの上で、前記強磁性金属薄膜をゴムで押
圧して、一部はくりしピンホールを形成する方法
を採つた。
に沿つて移動する高分子基板に、電子ビーム蒸着
法とスパツタリング、イオンプレーテアングのい
ずれかで強磁性金属薄膜を形成した直後、前記回
転キヤンの上で、前記強磁性金属薄膜をゴムで押
圧して、一部はくりしピンホールを形成する方法
を採つた。
ゴムの表面粗さとゴムローラの直径と圧力を変
えて、ピンホールの大きさと面積分率を調整し
た。面積分率については、150倍の光学顕微鏡写
真で透過部を非透過部と比較し画像処理によつて
計測した。その際に均一性についてはサンプリン
グ箇所を任意に10箇所とつて±15%に入ることで
確認した。
えて、ピンホールの大きさと面積分率を調整し
た。面積分率については、150倍の光学顕微鏡写
真で透過部を非透過部と比較し画像処理によつて
計測した。その際に均一性についてはサンプリン
グ箇所を任意に10箇所とつて±15%に入ることで
確認した。
実施例 1
ポリエチレンテレフタレート10.5μmの上に、
Co80%Ni20%を電子ビーム蒸着法により、加熱
蒸発させ酸素雰囲気でCoに対して原子%で9%
のCo−Ni−O薄膜を0.1μm、入射角40°以上で形
成した。直径9cmの最大粗さ1μ(1S)のブチル製
ゴムローラーを線圧で0.2〜3.6Kg/cmの範囲で調
整し、ピンホールの直径(ほとんどが円形である
ので直径で表現した)で0.1〜2.7μmの範囲で径
の調整でピンホールの占める面積の総和を調整し
た。磁性層表面に、ベヘン酸アミドを真空蒸着に
より、30Å形成したものを8mm幅のテープとし
て、ギヤツプ長0.26μmのフエライトヘツドによ
り、記録再生特性を調べた。シリンダ径40mm、走
査速度3.75m/secとした。4.5MHzのキヤリアの
再生C/Nの評価でNは4MHzの値を用いた。
Co80%Ni20%を電子ビーム蒸着法により、加熱
蒸発させ酸素雰囲気でCoに対して原子%で9%
のCo−Ni−O薄膜を0.1μm、入射角40°以上で形
成した。直径9cmの最大粗さ1μ(1S)のブチル製
ゴムローラーを線圧で0.2〜3.6Kg/cmの範囲で調
整し、ピンホールの直径(ほとんどが円形である
ので直径で表現した)で0.1〜2.7μmの範囲で径
の調整でピンホールの占める面積の総和を調整し
た。磁性層表面に、ベヘン酸アミドを真空蒸着に
より、30Å形成したものを8mm幅のテープとし
て、ギヤツプ長0.26μmのフエライトヘツドによ
り、記録再生特性を調べた。シリンダ径40mm、走
査速度3.75m/secとした。4.5MHzのキヤリアの
再生C/Nの評価でNは4MHzの値を用いた。
又ドロツプアウトは45μsec、−16dBをカウンタ
で係数し、相対比較した。
で係数し、相対比較した。
その結果を第1図に示した。
又第2図は、スチル特性を示したもので、30℃
90%RHでのスチルライフは30分以上について
は、測定を中止した。
90%RHでのスチルライフは30分以上について
は、測定を中止した。
実施例 2
芳香族ポリアミド8.5μm上に、Co80%Cr20%
を高周波スパツタリング法により、0.2μmの垂直
磁化膜を形成した後、実施例1と同様に、ピンホ
ールを形成し、特にスチル特性と面積分率の関係
について調べた。
を高周波スパツタリング法により、0.2μmの垂直
磁化膜を形成した後、実施例1と同様に、ピンホ
ールを形成し、特にスチル特性と面積分率の関係
について調べた。
高周波スパツタリング条件として、
Ar0.02Torr 1500W、13.56MHzのグロー放電を
採用した。
Ar0.02Torr 1500W、13.56MHzのグロー放電を
採用した。
第3図に、各環境下でスチル特性を調べた。
尚、表面には実施例1と同じくベヘン酸アミド
の蒸着層を付加したものの特性である。
の蒸着層を付加したものの特性である。
この図より0.5%以上あれば、いずれもスチル
特性が改良されることが理解される。
特性が改良されることが理解される。
上限は第1図と同じように、ノイズの増加とド
ロツプアウトの増加により高々5%までであつ
た。
ロツプアウトの増加により高々5%までであつ
た。
実施例 3
芳香族ポリアミド10.6μm上に、40°以上の斜方
蒸着により、Co−Ni−O薄膜0.15μm形成した
後、直径6cmのシリコンゴム製、最大粗さ0.7μの
ゴムローラで線圧を1.4、2.1Kg/cmとして、平均
直径0.25、0.33μの大きさのピンホールを形成し、
面積分率として0.5%、1.0%の2種類のピンホー
ルを有するテープを製造した。Co80%Ni20%で
はOは原子%でCoに対して11%とした。比較例
として、面積分率0.1%以下のもの(即ちゴムで
ニツプにせずに製造したもの)を選んだ。この3
種類に、表面へステアリルステアレートの有機蒸
着による滑性層を形成せしめて、30℃20%RHで
のスチル特性を40℃80%HRで4週間保存した御
のスチル特性と併せて比較した。テープテンシヨ
ンは通常使用時の1.8倍として比較した。
蒸着により、Co−Ni−O薄膜0.15μm形成した
後、直径6cmのシリコンゴム製、最大粗さ0.7μの
ゴムローラで線圧を1.4、2.1Kg/cmとして、平均
直径0.25、0.33μの大きさのピンホールを形成し、
面積分率として0.5%、1.0%の2種類のピンホー
ルを有するテープを製造した。Co80%Ni20%で
はOは原子%でCoに対して11%とした。比較例
として、面積分率0.1%以下のもの(即ちゴムで
ニツプにせずに製造したもの)を選んだ。この3
種類に、表面へステアリルステアレートの有機蒸
着による滑性層を形成せしめて、30℃20%RHで
のスチル特性を40℃80%HRで4週間保存した御
のスチル特性と併せて比較した。テープテンシヨ
ンは通常使用時の1.8倍として比較した。
有機蒸着層は35Å〜50Åの厚み範囲にて検討を
加えた。
加えた。
本発明品は、有機蒸着想の種類によらず、25分
以上のスチルライフを示したのに対して、比較例
は、最も良好なもので15分、殆んどのものが10分
以下であつた。40℃80%RHで4週間保存した後
のテープはスチル特性が面積分率0.5%、1.0%の
ものが夫々32〜39分、45〜51分であつたのに比し
て、比較例は7〜9分であつた。
以上のスチルライフを示したのに対して、比較例
は、最も良好なもので15分、殆んどのものが10分
以下であつた。40℃80%RHで4週間保存した後
のテープはスチル特性が面積分率0.5%、1.0%の
ものが夫々32〜39分、45〜51分であつたのに比し
て、比較例は7〜9分であつた。
実施確認した有機物の種類は、天然パラフイン
マイクロワツクス、ミリスチン酸、パルミチン酸
ステアリン酸、ベヘン酸、リノール酸、ラウリン
酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸ア
ミド、ベヘン酸アミド、硬化半脂アミド、ステア
リン酸メチル、ミリスチン酸ナトリウムの14種類
であるが、材料依存は殆んどみられず、面積分率
が支配的に寄与していることが確認された。
マイクロワツクス、ミリスチン酸、パルミチン酸
ステアリン酸、ベヘン酸、リノール酸、ラウリン
酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸ア
ミド、ベヘン酸アミド、硬化半脂アミド、ステア
リン酸メチル、ミリスチン酸ナトリウムの14種類
であるが、材料依存は殆んどみられず、面積分率
が支配的に寄与していることが確認された。
発明の効果
本発明の磁気記録媒体は、広範な環境条件下で
のスチルライフ向上にみられるように、耐久性が
著しく向上するもので、ビデオ用途に最適であ
る。
のスチルライフ向上にみられるように、耐久性が
著しく向上するもので、ビデオ用途に最適であ
る。
本発明品は、出力低下も殆んど1dB以内の範囲
で、ドロツプアウトの増加も、実用上無視できる
範囲で、耐久性能を改良したものであり、短波長
記録に有用である。
で、ドロツプアウトの増加も、実用上無視できる
範囲で、耐久性能を改良したものであり、短波長
記録に有用である。
第1図は、ピンホールの面積分率と、C/N、
ドロツプアウト増加率の関係を示す図、第2図は
ピンホールの面積分率のスチルライフに及ぼす影
響を示す図、第3図は、ピンホール面積分率のス
チルライフに及ぼす影響の温湿度条件による差を
示す図である。
ドロツプアウト増加率の関係を示す図、第2図は
ピンホールの面積分率のスチルライフに及ぼす影
響を示す図、第3図は、ピンホール面積分率のス
チルライフに及ぼす影響の温湿度条件による差を
示す図である。
Claims (1)
- 1 高分子基板上に直接配された磁気記録層が、
強磁性金属薄膜であつて、前記強磁性金属薄膜を
厚み方向に貫通するピンホールがほぼ全域にわた
り均一に存在し、それらピンホールの面積の和が
全磁気記録媒体面積の0.5%以上5.0%以下である
ことを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046272A JPS59171022A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58046272A JPS59171022A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171022A JPS59171022A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0481247B2 true JPH0481247B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=12742589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58046272A Granted JPS59171022A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171022A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613515A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58046272A patent/JPS59171022A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59171022A (ja) | 1984-09-27 |
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