JPH0481817A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
- Publication number
- JPH0481817A JPH0481817A JP2197277A JP19727790A JPH0481817A JP H0481817 A JPH0481817 A JP H0481817A JP 2197277 A JP2197277 A JP 2197277A JP 19727790 A JP19727790 A JP 19727790A JP H0481817 A JPH0481817 A JP H0481817A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- crystal panel
- vertical alignment
- alignment film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置や光ツヤ、ターなどに利用され
る強誘電性液晶パネルに関する。
る強誘電性液晶パネルに関する。
従来の技術
従来の液晶パネルはガラス基板に透明導電膜を形成後、
ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの水平配向膜を
印刷、硬化させた後、ラビング処理を施し、これら基板
間に強誘電性液晶を注入するというものであった。
ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの水平配向膜を
印刷、硬化させた後、ラビング処理を施し、これら基板
間に強誘電性液晶を注入するというものであった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の液晶パネルでは、液晶分子は
初期状態から水平配向しているために、ラビングによる
基板界面の一軸規制力に影響されてしまい、良好な双安
定性を得ることが困難であった。
初期状態から水平配向しているために、ラビングによる
基板界面の一軸規制力に影響されてしまい、良好な双安
定性を得ることが困難であった。
本発明は上記課題を解決するものであり、良好な双安定
性を有する優れた強誘電性液晶パネルを提供することを
目的とするものである。
性を有する優れた強誘電性液晶パネルを提供することを
目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、少なくとも一方の
基板上の配向膜に垂直配向処理を施した一対の電極付き
の基板間に誘電率異方性が負の強誘電性液晶を封入し、
電圧を印加して水平配向状態にしたものである。
基板上の配向膜に垂直配向処理を施した一対の電極付き
の基板間に誘電率異方性が負の強誘電性液晶を封入し、
電圧を印加して水平配向状態にしたものである。
作用
本発明は上記の構成により、基板界面から離れた部分の
液晶は水平配向状態にあるが、基板界面付近の液晶は垂
直配向しているので、液晶ラビングによる一軸性の影響
を受けにくく、良好な双安定性を示す。
液晶は水平配向状態にあるが、基板界面付近の液晶は垂
直配向しているので、液晶ラビングによる一軸性の影響
を受けにくく、良好な双安定性を示す。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示すものであり、図
に示すように２枚の透明なガラス等よりなる基板１．８
上に透明導電膜（ＩＴＯＩＩＩ）からなる電極２．７を
形成する。このガラス基板１．８を洗浄した後、その上
に垂直配向膜３．６として垂直配向剤（ｎ−オクタデシ
ルトリエトキシンランの０．３％イソフ゛ロピルアルコ
ールン容液）をスピンナーにより塗布した後、レイヨン
を材質としたラビングクロスを用いてラビング処理を施
す。その後一方のガラス基板Ｉの垂直配向膜３を設けた
面にスペーサー９として直径２μｍのＳｉＣ２の粉体を
散布し、他方のガラス基板８の垂直配向膜６を設けた面
の縁部にシール樹脂４を印刷し、これら両方の基板１，
８を垂直配向＊３６面同士が対向するように貼り合わせ
、加熱することでシール樹脂４を硬化させる。その後真
空脱気し、この２枚のガラス基板１，８間に強誘電性液
晶５を加熱しながら注入する。、：のバフルを室温まで
徐冷し、注入口を封口した後、液晶がコレステリック相
を示す状態になるまで再び加熱し７、±ＩＯＶ・１０七
の交番電界を印加しながら室温まで徐冷する。このよう
に作製した液晶パネルを偏光顕微鏡を用いて観察すると
、コレステリック相において電圧を印加することにより
強ｔａ Ｎ性液晶分子が垂直配向状態から水平配向状態
に変化し、強誘電性を示すカイラルスメクティノクＣ相
においても良好な水平配向状態を示していることが観察
された。この液晶パネルと、上下基板の配向膜にポリイ
ミドを用いた従来の液晶パネルに第２回（ａ）に示すよ
うな電圧波形を印加した場合の透過率を第２図（ｂ）に
示す。図において、Ｖｋは書き込みパルスを示しており
、αは配向膜として垂直配向剤を用いた本実施例の透過
率、βは配向膜としてポリイミドを用いた従来例の透過
率を示している。
に示すように２枚の透明なガラス等よりなる基板１．８
上に透明導電膜（ＩＴＯＩＩＩ）からなる電極２．７を
形成する。このガラス基板１．８を洗浄した後、その上
に垂直配向膜３．６として垂直配向剤（ｎ−オクタデシ
ルトリエトキシンランの０．３％イソフ゛ロピルアルコ
ールン容液）をスピンナーにより塗布した後、レイヨン
を材質としたラビングクロスを用いてラビング処理を施
す。その後一方のガラス基板Ｉの垂直配向膜３を設けた
面にスペーサー９として直径２μｍのＳｉＣ２の粉体を
散布し、他方のガラス基板８の垂直配向膜６を設けた面
の縁部にシール樹脂４を印刷し、これら両方の基板１，
８を垂直配向＊３６面同士が対向するように貼り合わせ
、加熱することでシール樹脂４を硬化させる。その後真
空脱気し、この２枚のガラス基板１，８間に強誘電性液
晶５を加熱しながら注入する。、：のバフルを室温まで
徐冷し、注入口を封口した後、液晶がコレステリック相
を示す状態になるまで再び加熱し７、±ＩＯＶ・１０七
の交番電界を印加しながら室温まで徐冷する。このよう
に作製した液晶パネルを偏光顕微鏡を用いて観察すると
、コレステリック相において電圧を印加することにより
強ｔａ Ｎ性液晶分子が垂直配向状態から水平配向状態
に変化し、強誘電性を示すカイラルスメクティノクＣ相
においても良好な水平配向状態を示していることが観察
された。この液晶パネルと、上下基板の配向膜にポリイ
ミドを用いた従来の液晶パネルに第２回（ａ）に示すよ
うな電圧波形を印加した場合の透過率を第２図（ｂ）に
示す。図において、Ｖｋは書き込みパルスを示しており
、αは配向膜として垂直配向剤を用いた本実施例の透過
率、βは配向膜としてポリイミドを用いた従来例の透過
率を示している。
第２図（ａ）、 （ｂ）から明らかなように配向膜とし
てポリイミドを用いた場合は応答時間が長く、メモリー
時においても十分な透過率が得られていない。
てポリイミドを用いた場合は応答時間が長く、メモリー
時においても十分な透過率が得られていない。
これはラビング方間に対する配向膜の液晶分子への拘束
力が強すぎるために基板界面付近の液晶分子が動きにく
く、また非選択パルス期間に液晶分子がラビング方向に
戻ってしまうためであると考えられる。これに対して配
向膜３，６として垂直配向剤を用いた場合は基板界面付
近の強誘電性液晶５の分子は垂直配向していると考えら
れるので、ラビングによる一軸性の影響を受けにくく、
非選択パルス期間においても強誘電性液晶５がラビング
方向に戻らずメモリー状態を維持するので、十分な透過
率を示している。
力が強すぎるために基板界面付近の液晶分子が動きにく
く、また非選択パルス期間に液晶分子がラビング方向に
戻ってしまうためであると考えられる。これに対して配
向膜３，６として垂直配向剤を用いた場合は基板界面付
近の強誘電性液晶５の分子は垂直配向していると考えら
れるので、ラビングによる一軸性の影響を受けにくく、
非選択パルス期間においても強誘電性液晶５がラビング
方向に戻らずメモリー状態を維持するので、十分な透過
率を示している。
なお本実施例において、両方の基板１および８に垂直配
向処理を施したが、この垂直配向処理はどちらか一方の
基板１または８だけでも良く、また垂直配向剤としてｎ
−オクタデシルトリエトキシンランを例にとり説明した
が、液晶分子を垂直配向させるものであればＤＭＯＡＰ
（Ｎ、Ｎジメチル−Ｎ−オクタデシル−３−アミノプ
ロピルトリメトキシシリルクロライド）など他の界面活
性剤を用いて行うことも可能である。またラビング処理
を行った後に垂直配向膜３，６を形成しても良い。
向処理を施したが、この垂直配向処理はどちらか一方の
基板１または８だけでも良く、また垂直配向剤としてｎ
−オクタデシルトリエトキシンランを例にとり説明した
が、液晶分子を垂直配向させるものであればＤＭＯＡＰ
（Ｎ、Ｎジメチル−Ｎ−オクタデシル−３−アミノプ
ロピルトリメトキシシリルクロライド）など他の界面活
性剤を用いて行うことも可能である。またラビング処理
を行った後に垂直配向膜３，６を形成しても良い。
このように上記実施例によれば、強誘電性液晶５をパネ
ルに封入し、加熱した状態で電圧を印加することによっ
て水平配向させているためラビングによる一軸性の影響
を受けにくく十分な透過率を得ることができるという効
果が得られる。
ルに封入し、加熱した状態で電圧を印加することによっ
て水平配向させているためラビングによる一軸性の影響
を受けにくく十分な透過率を得ることができるという効
果が得られる。
発明の効果
上記実施例により明らかなように本発明は、少なくとも
一方の基板上の配向膜に垂直配向処理を施した一対の電
極付きの基板間に誘電率異方性が負の強誘電性液晶を封
入し、電圧を印加して水平配向状態としたものであり、
良好な双安定性を示す液晶パネルを得ることができる。
一方の基板上の配向膜に垂直配向処理を施した一対の電
極付きの基板間に誘電率異方性が負の強誘電性液晶を封
入し、電圧を印加して水平配向状態としたものであり、
良好な双安定性を示す液晶パネルを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例における強誘電性液晶パネル
の構成を示す断面図、第２図（ａ）は液晶パネルに印加
される電圧波形図、第２図（ｂ）は液晶パネルの応答時
間と透過率の関係を示す特性図である。 ｌ ８・・・・・・基板、 ２゜ ７・・・・・・電極、 ６・・・・・・ 垂直配向膜、 ５・・・・・・強誘電性液晶。
の構成を示す断面図、第２図（ａ）は液晶パネルに印加
される電圧波形図、第２図（ｂ）は液晶パネルの応答時
間と透過率の関係を示す特性図である。 ｌ ８・・・・・・基板、 ２゜ ７・・・・・・電極、 ６・・・・・・ 垂直配向膜、 ５・・・・・・強誘電性液晶。
Claims (2)
- （１）少なくとも一方の基板上の配向膜に垂直配向処理
を施した一対の電極付きの基板間に誘電率異方性が負の
強誘電性液晶を封入し、電圧を印加して水平配向状態と
した強誘電性液晶パネル。 - （２）強誘電性液晶がコレステリック相である請求項１
記載の強誘電性液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197277A JPH0481817A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197277A JPH0481817A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0481817A true JPH0481817A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16371789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197277A Pending JPH0481817A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0481817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737881A3 (en) * | 1995-04-10 | 1997-12-29 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for producing ferroelectric liquid crystal device |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP2197277A patent/JPH0481817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737881A3 (en) * | 1995-04-10 | 1997-12-29 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for producing ferroelectric liquid crystal device |
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