JPH0481860A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH0481860A JPH0481860A JP19504190A JP19504190A JPH0481860A JP H0481860 A JPH0481860 A JP H0481860A JP 19504190 A JP19504190 A JP 19504190A JP 19504190 A JP19504190 A JP 19504190A JP H0481860 A JPH0481860 A JP H0481860A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、チタニルフタロシアニンを電荷発生層とする
電子写真感光体の製造方法に関する。
電子写真感光体の製造方法に関する。
(従来の技術)
従来、電子写真感光体の感光層を構成する光導電材料と
しては、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機化
合物及びポリビニルカルバゾールに代表される有機化合
物が提案され、有機態゛光体として実用化されている。
しては、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機化
合物及びポリビニルカルバゾールに代表される有機化合
物が提案され、有機態゛光体として実用化されている。
近年、レーザ・−1LEDを光源とする電子写真方式の
ノンインパクトプリンタが広く普及しつつあり、電子写
真感光体の用途が拡がってきている。
ノンインパクトプリンタが広く普及しつつあり、電子写
真感光体の用途が拡がってきている。
特に、レーザーを光源とする場合、小型、安価等の利点
から、半導体レーザーが多く使用されるが、この光源の
発光波長は、780〜830 niの近赤外領域であり
、この波長領域に対して高い光感度を持つ感光体が必要
になってきている。
から、半導体レーザーが多く使用されるが、この光源の
発光波長は、780〜830 niの近赤外領域であり
、この波長領域に対して高い光感度を持つ感光体が必要
になってきている。
この要求を満たす有機光導電材料としては、スクェアリ
リウム系顔料、トリフェニルアミン系トリスアゾ顔料、
フタロシアニン系顔料等が知られているが、半導体レー
ザー用の感光体としては、感光波長領域が長波長まで延
びていることのみならず、帯電性が高く、暗減衰が小さ
く、残留電位が小さいことが必要であり、また、繰り返
し使用時の帯電電位の安定性等の耐久性が要求されるの
で、前記の有機光導電材料は必ずしも満足のいくもので
はない。
リウム系顔料、トリフェニルアミン系トリスアゾ顔料、
フタロシアニン系顔料等が知られているが、半導体レー
ザー用の感光体としては、感光波長領域が長波長まで延
びていることのみならず、帯電性が高く、暗減衰が小さ
く、残留電位が小さいことが必要であり、また、繰り返
し使用時の帯電電位の安定性等の耐久性が要求されるの
で、前記の有機光導電材料は必ずしも満足のいくもので
はない。
フタロシアニン系顔料の感光波長領域を長波長まで延ば
す光感度改善技術が、例えば、特開昭59−18695
9号及び特開平1−120584号公報に報告されてい
る。
す光感度改善技術が、例えば、特開昭59−18695
9号及び特開平1−120584号公報に報告されてい
る。
特開昭59−1136959号公報には、チタニルフタ
ロシアニン蒸着膜をテトラヒドロフランの飽和蒸気に1
〜24時間接触させることにより、ある特定の赤外吸収
スペクトル及びX線回折スペクトルを有する結晶構造を
持たせ、この蒸着膜を電荷発生層として用いると、75
0nm以上の波長領域に高い光感度を有する感光体が得
られることが記載されている。
ロシアニン蒸着膜をテトラヒドロフランの飽和蒸気に1
〜24時間接触させることにより、ある特定の赤外吸収
スペクトル及びX線回折スペクトルを有する結晶構造を
持たせ、この蒸着膜を電荷発生層として用いると、75
0nm以上の波長領域に高い光感度を有する感光体が得
られることが記載されている。
また、特開平1−120564号公報には、チタニルフ
タロシアニン蒸着膜を1−10秒アルコールに浸漬させ
ることにより、ある特定のX線回折スペクトルを有する
結晶構造を持たせ、この蒸着膜を電荷発生層として用い
ることにより、600〜80Onmの波長領域に対して
、高感度で、しかも優れた電子写真感光特性を持つ感光
体が得られることが開示されている。
タロシアニン蒸着膜を1−10秒アルコールに浸漬させ
ることにより、ある特定のX線回折スペクトルを有する
結晶構造を持たせ、この蒸着膜を電荷発生層として用い
ることにより、600〜80Onmの波長領域に対して
、高感度で、しかも優れた電子写真感光特性を持つ感光
体が得られることが開示されている。
これら公知技術のうち、前者は、その結晶構造が、本発
明のチタニルフタロシアニン蒸着膜とは、X線回折スペ
クトルが全く異なるものである。さらにまた、チタニル
フタロシアニン蒸着膜を溶剤蒸気に1時間以上接触させ
る必要かあり、生産性を向上させるために、チタニルフ
タロシアニン蒸着工程と電荷輸送層塗布工程の同期化を
行う場合、溶剤蒸気処理の為の大規模な設備か必要にな
り、量産する上で好ましいものではない。
明のチタニルフタロシアニン蒸着膜とは、X線回折スペ
クトルが全く異なるものである。さらにまた、チタニル
フタロシアニン蒸着膜を溶剤蒸気に1時間以上接触させ
る必要かあり、生産性を向上させるために、チタニルフ
タロシアニン蒸着工程と電荷輸送層塗布工程の同期化を
行う場合、溶剤蒸気処理の為の大規模な設備か必要にな
り、量産する上で好ましいものではない。
また、後者は、チタニルフタロンアニン蒸着膜を1〜1
0秒アルコールに浸漬させることにより、結晶構造を変
化させるか、実際にはアルコール浸漬後、電荷輸送層塗
布までに、アルコールを乾燥させなければならす、自然
乾燥させる場合、数分〜10分の乾燥時間が必要であり
、また、強制乾燥させる場合は、その為の乾燥機等の場
所及び設備が必要となり、これも好ましいものではない
。
0秒アルコールに浸漬させることにより、結晶構造を変
化させるか、実際にはアルコール浸漬後、電荷輸送層塗
布までに、アルコールを乾燥させなければならす、自然
乾燥させる場合、数分〜10分の乾燥時間が必要であり
、また、強制乾燥させる場合は、その為の乾燥機等の場
所及び設備が必要となり、これも好ましいものではない
。
本発明は、従来の技術における、上記のような問題点に
鑑みてなされたものである。したがって、本発明の目的
は、半導体レーザーの近赤外波長領域に対して高い光感
度を持ち、耐久性に優れ、かつ生産性の高い新規な電子
写真感光体の製造方法を提供することにある。
鑑みてなされたものである。したがって、本発明の目的
は、半導体レーザーの近赤外波長領域に対して高い光感
度を持ち、耐久性に優れ、かつ生産性の高い新規な電子
写真感光体の製造方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電
荷輸送層とを設けてなる電子写真感光体の製造方法にお
いて、チタニルフタロシアニンを蒸着して蒸着層を形成
し、次いで該蒸着層を、少なくとも芳香族溶剤と水とを
含む混合蒸気に接触させることにより、X線回折スペク
トルにおいて、ブラック角度(2θ±0.2 @) 2
7.3″に回折ピクを示す結晶構造を有するチタニルフ
タロシアニンよりなる電荷発生層を形成することを特徴
とする。
荷輸送層とを設けてなる電子写真感光体の製造方法にお
いて、チタニルフタロシアニンを蒸着して蒸着層を形成
し、次いで該蒸着層を、少なくとも芳香族溶剤と水とを
含む混合蒸気に接触させることにより、X線回折スペク
トルにおいて、ブラック角度(2θ±0.2 @) 2
7.3″に回折ピクを示す結晶構造を有するチタニルフ
タロシアニンよりなる電荷発生層を形成することを特徴
とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図及び第2図は、本発明によって製造された電子写
真感光体の構成の一例を示す概略構成図である。第1図
においては、導電性支持体1上に少なくとも電荷発生層
2と電荷輸送層3とを設けた積層型層構成を有しており
、また、第2図においては、導電性支持体上にさらに下
引き層4か設けられている。
真感光体の構成の一例を示す概略構成図である。第1図
においては、導電性支持体1上に少なくとも電荷発生層
2と電荷輸送層3とを設けた積層型層構成を有しており
、また、第2図においては、導電性支持体上にさらに下
引き層4か設けられている。
まず、電荷発生層の形成方法について説明する。
電荷発生層の形成の為には、まず、導電性支持体の上に
、直接または下引き層を介して、チタニルフタロシアニ
ンを蒸着する。
、直接または下引き層を介して、チタニルフタロシアニ
ンを蒸着する。
蒸着に使用されるチタニルフタロシアニンは、通常の合
成法で得られたもの、或いはそれをアシッドペースト法
、昇華精製法等で精製したもの等、いずれの方法で得ら
れたものでも使用でき、また、その結晶構造は如何なる
ものであってもよい。
成法で得られたもの、或いはそれをアシッドペースト法
、昇華精製法等で精製したもの等、いずれの方法で得ら
れたものでも使用でき、また、その結晶構造は如何なる
ものであってもよい。
蒸着は、真空度10−’ 〜10−’Torr、蒸着源
温度350〜600℃、好ましくは450〜500℃、
基板温度20〜100℃、好ましくは20〜50℃の条
件で実施される。特に、基板温度は、蒸着後のチタニル
フタロシアニン膜の結晶性に僅かながら影響を与えるの
で、できる限り低い温度に設定するのが好ましいか、本
発明においては上記の温度範囲を採用することかできる
。
温度350〜600℃、好ましくは450〜500℃、
基板温度20〜100℃、好ましくは20〜50℃の条
件で実施される。特に、基板温度は、蒸着後のチタニル
フタロシアニン膜の結晶性に僅かながら影響を与えるの
で、できる限り低い温度に設定するのが好ましいか、本
発明においては上記の温度範囲を採用することかできる
。
形成されるチタニルフタロシアニン蒸着膜は、非晶質膜
であることが好ましく、また、その膜厚は、100人〜
5000人、好ましくは300人〜2000人の範囲に
形成する。膜厚が100人よりも薄い場合には、形成さ
れる電荷発生層の光吸収低下に伴い、光感度が低下し、
また、5000人よりも厚い場合には、電荷発生層の熱
励起キャリアの増加により、暗減衰の増大及び帯電性の
低下が起こるので、上記範囲に設定するのか好ましい。
であることが好ましく、また、その膜厚は、100人〜
5000人、好ましくは300人〜2000人の範囲に
形成する。膜厚が100人よりも薄い場合には、形成さ
れる電荷発生層の光吸収低下に伴い、光感度が低下し、
また、5000人よりも厚い場合には、電荷発生層の熱
励起キャリアの増加により、暗減衰の増大及び帯電性の
低下が起こるので、上記範囲に設定するのか好ましい。
次いで、上記のようにして形成された蒸着膜を、少なく
とも芳香族と水とを含む混合蒸気で処理する。混合蒸気
中の芳香族溶剤と水との蒸気圧比は、処理温度により制
御することが可能であり、そして処理条件は、使用する
芳香族溶剤により変化するが、処理温度30℃〜100
℃、好ましくは50〜80℃、処理時間1〜10分間、
好ましくは3〜5分間の範囲の処理条件が採用される。
とも芳香族と水とを含む混合蒸気で処理する。混合蒸気
中の芳香族溶剤と水との蒸気圧比は、処理温度により制
御することが可能であり、そして処理条件は、使用する
芳香族溶剤により変化するが、処理温度30℃〜100
℃、好ましくは50〜80℃、処理時間1〜10分間、
好ましくは3〜5分間の範囲の処理条件が採用される。
本発明において、混合蒸気を構成するために使用する芳
香族溶剤としては、具体的にはベンセン、トルエン、キ
シレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン、トリ
クロルベンゼン等があげられる。混合蒸気には、さらに
、芳香族溶剤及び水と3成分系共沸混合物を構成する他
の溶剤を含有してもよい。その様な溶剤としては、例え
ば、ベンゼンと水、或いはトルエンと水に対しては、エ
タノール及びイソプロパツール等があげられる。これら
他の溶剤を含有させる場合、その混合比及び処理温度は
、3成分系共沸混合物を構成するような組成比及び共沸
温度が好ましい。
香族溶剤としては、具体的にはベンセン、トルエン、キ
シレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン、トリ
クロルベンゼン等があげられる。混合蒸気には、さらに
、芳香族溶剤及び水と3成分系共沸混合物を構成する他
の溶剤を含有してもよい。その様な溶剤としては、例え
ば、ベンゼンと水、或いはトルエンと水に対しては、エ
タノール及びイソプロパツール等があげられる。これら
他の溶剤を含有させる場合、その混合比及び処理温度は
、3成分系共沸混合物を構成するような組成比及び共沸
温度が好ましい。
上記の混合蒸気をチタニルフタロシアニン蒸着膜に接触
させる方法としては、例えば、密閉容器或いは開放され
た容器に、混合蒸気を構成する溶剤成分を充填し、容器
こと加熱することにより、混合蒸気を発生させ、その容
器内にチタニルフタロシアニン蒸気膜を所定時間保持す
る方法、或いは、密閉容器で発生させた混合蒸気を配管
で導き、スリット、ノズル、成るいは多孔板からチタニ
ルフタロシアニン蒸着膜に吹き付ける方法等をあげるこ
とができるか、勿論これらの方法に限定されるものでは
ない。
させる方法としては、例えば、密閉容器或いは開放され
た容器に、混合蒸気を構成する溶剤成分を充填し、容器
こと加熱することにより、混合蒸気を発生させ、その容
器内にチタニルフタロシアニン蒸気膜を所定時間保持す
る方法、或いは、密閉容器で発生させた混合蒸気を配管
で導き、スリット、ノズル、成るいは多孔板からチタニ
ルフタロシアニン蒸着膜に吹き付ける方法等をあげるこ
とができるか、勿論これらの方法に限定されるものでは
ない。
上記のように処理することによって、蒸着膜を形成する
チタニルフタロシアニンは、X線回折スペクトルにおい
て、ブラック角度(2θ±0.2°)27.3°に回折
ピークを示す結晶構造を有するものになる。
チタニルフタロシアニンは、X線回折スペクトルにおい
て、ブラック角度(2θ±0.2°)27.3°に回折
ピークを示す結晶構造を有するものになる。
次に、電荷輸送層を形成する方法について説明する。電
荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂を有機溶剤に溶
解させて得た塗布液を、電荷発生層上に塗布することに
よって形成される。塗布液中の電荷輸送材料と結着樹脂
の配合比は、通常5 :1〜1.5の範囲で設定される
。
荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂を有機溶剤に溶
解させて得た塗布液を、電荷発生層上に塗布することに
よって形成される。塗布液中の電荷輸送材料と結着樹脂
の配合比は、通常5 :1〜1.5の範囲で設定される
。
電荷輸送材料としては、例えば、アントラセン、ピレン
、フェナントレン等の多環芳香族化合物、インドール、
カルバゾール、イミダゾール等の含窒素複素環を有する
化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、エナ
ミン化合物、スチルベン化合物等、公知のものならば、
如何なるものでも使用することができる。さらにポリ−
N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニル
カルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリ−N−ビ
ニルフェニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルアクリジン、ポリビニルアセナフチレン、ポリグリ
シジルカルバゾール、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エ
チルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等の光導電性ポ
リマーがあげられ、それらはそれ自体で電荷輸送層を形
成してもよい。
、フェナントレン等の多環芳香族化合物、インドール、
カルバゾール、イミダゾール等の含窒素複素環を有する
化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、エナ
ミン化合物、スチルベン化合物等、公知のものならば、
如何なるものでも使用することができる。さらにポリ−
N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニル
カルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリ−N−ビ
ニルフェニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリビ
ニルアクリジン、ポリビニルアセナフチレン、ポリグリ
シジルカルバゾール、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エ
チルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等の光導電性ポ
リマーがあげられ、それらはそれ自体で電荷輸送層を形
成してもよい。
結着樹脂は、広範囲の絶縁性樹脂から選択することがで
きる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラー
ル、ボリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル
、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、
ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カセイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂をあげ
ることができる。
きる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラー
ル、ボリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル
、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、
ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カセイン、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂をあげ
ることができる。
有機溶剤としては、具体的には、メタノール、エタノー
ル、イソプロパツール等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、N
、N−ジメチルホルムアミド、N。
ル、イソプロパツール等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、N
、N−ジメチルホルムアミド、N。
N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベンゼン、
トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素等を用いることができる。
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩
化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロ
ルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベンゼン、
トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベ
ンゼン等の芳香族炭化水素等を用いることができる。
塗布液の塗布は、浸漬コーティング法、スプレーコーテ
ィング法、スピンコーティング法、ビードコーティング
法、ワイヤーバーコーチインク法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、押出しコーティング法
、カーテンコーティング法等の各種の方法を用いること
ができる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、加
熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30〜200
℃の温度で5分〜2時間の範囲で、静止または送風下で
行うことができる。また、電荷輸送層の膜厚は、通常5
〜50帆程度に設定される。
ィング法、スピンコーティング法、ビードコーティング
法、ワイヤーバーコーチインク法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、押出しコーティング法
、カーテンコーティング法等の各種の方法を用いること
ができる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、加
熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30〜200
℃の温度で5分〜2時間の範囲で、静止または送風下で
行うことができる。また、電荷輸送層の膜厚は、通常5
〜50帆程度に設定される。
導電性支持体としては、電子写真感光体用として公知の
ものならば、如何なるものでも使用することができる。
ものならば、如何なるものでも使用することができる。
本発明においては、第2図に示すように導電性支持体の
上に、下引き層を設けてもよい。下引き層は、導電性支
持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有効で
あり、感光層の帯電性を高める作用がある。さらに、゛
感光層と導電性支持体との接着性を高める作用もある。
上に、下引き層を設けてもよい。下引き層は、導電性支
持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有効で
あり、感光層の帯電性を高める作用がある。さらに、゛
感光層と導電性支持体との接着性を高める作用もある。
下引き層を構成する材料としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、セル
ロースエステル類、セルロースエーテル類、ポリアミド
、ポリウレタン、カセイン、ゼラチン、ポリグルタミン
酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアク
リル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化
合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジルコニ
ウム化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコ
キシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリン
グ剤等があげられる。下引き層の膜厚は、0.05〜0
,5部程度に設定するのが好ましい。
ル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、セル
ロースエステル類、セルロースエーテル類、ポリアミド
、ポリウレタン、カセイン、ゼラチン、ポリグルタミン
酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアク
リル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化
合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジルコニ
ウム化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコ
キシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリン
グ剤等があげられる。下引き層の膜厚は、0.05〜0
,5部程度に設定するのが好ましい。
(実施例)
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例1
第3図に示すX線回折スペクトルを有するチタニルフタ
ロシアニン顔料を真空度1O−5Torr、蒸発源温度
450℃で、アルミニウム基板上に膜厚500人になる
ように蒸着した後、50℃に加熱したモノクロルベンゼ
ン及び水の混合蒸気中に3分間放置して、電荷発生層を
形成した。この電荷発生層のX線スペクトルを第4図に
示す。
ロシアニン顔料を真空度1O−5Torr、蒸発源温度
450℃で、アルミニウム基板上に膜厚500人になる
ように蒸着した後、50℃に加熱したモノクロルベンゼ
ン及び水の混合蒸気中に3分間放置して、電荷発生層を
形成した。この電荷発生層のX線スペクトルを第4図に
示す。
次に、下記構造式
%式%
で示される化合物2部と、下記構造式
で示されるポリ(4,4−シクロヘキシリデンジフェニ
レンカーボネート)3部を、モノクロルベンゼン20部
に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に、浸漬コーティング法によって塗布
し、風乾した後、100’cにおいて1時間加熱乾燥し
て、°膜厚2oH1の電荷輸送層を形成した。
レンカーボネート)3部を、モノクロルベンゼン20部
に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に、浸漬コーティング法によって塗布
し、風乾した後、100’cにおいて1時間加熱乾燥し
て、°膜厚2oH1の電荷輸送層を形成した。
得られた電子写真感光体を、常温常湿(20℃、50%
R)1)の環境下で、静電複写紙試験装置(EP八へ1
00、川口電機■製)を用いて一6KVのコロナ放電を
2秒間行い帯電させた後、タングステンランプの光を、
モノクロメータ−を用いて790nmの単色光にし、感
光体表面上で1μW/c−になる様に調整し照射した。
R)1)の環境下で、静電複写紙試験装置(EP八へ1
00、川口電機■製)を用いて一6KVのコロナ放電を
2秒間行い帯電させた後、タングステンランプの光を、
モノクロメータ−を用いて790nmの単色光にし、感
光体表面上で1μW/c−になる様に調整し照射した。
そしてその表面電位が初期電位voの1/2になるまで
の露光量E L、=2 (erg/cjt)を測定し
、その後10ルツクスのタングステン光を1秒間感光体
表面上に照射し、残留電位VRを測定した。さらに、上
記の帯電、露光を1000回繰り返した後のV。SE+
/2及びvRを測定した。得られた結果を第1表に示す
。
の露光量E L、=2 (erg/cjt)を測定し
、その後10ルツクスのタングステン光を1秒間感光体
表面上に照射し、残留電位VRを測定した。さらに、上
記の帯電、露光を1000回繰り返した後のV。SE+
/2及びvRを測定した。得られた結果を第1表に示す
。
実施例2
蒸着膜の処理方法として、50℃に加熱したトルエン及
び水の混合蒸気中に5分間放置した以外は、実施例1と
同様の方法で電子写真感光体を作製した。この電子写真
感光体の電荷発生層のX線回折スペクトルを第5図に示
す。得られた電子写真感光体を実施例1と同様の方法で
評価を行った。結果を第1表に示す。
び水の混合蒸気中に5分間放置した以外は、実施例1と
同様の方法で電子写真感光体を作製した。この電子写真
感光体の電荷発生層のX線回折スペクトルを第5図に示
す。得られた電子写真感光体を実施例1と同様の方法で
評価を行った。結果を第1表に示す。
実施例3
蒸着膜の処理方法として、74℃に加熱したトルエン、
水及びエタノールの混合蒸気中に3分間放置した以外は
、実施例1と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
水及びエタノールの混合蒸気中に3分間放置した以外は
、実施例1と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
この電子写真感光体の電荷発生層のX線回折スペクトル
を第6図に示す。得られた電子写真感光体を実施例1と
同様の方法で評価を行った。結果を第1表に示す。
を第6図に示す。得られた電子写真感光体を実施例1と
同様の方法で評価を行った。結果を第1表に示す。
実施例4
アルミニウム基板上に、タイプ8ナイロン(商品名ニラ
ツカマイト5003、大日本インキ銖製)5部、メタノ
ール3部、n−ブタノール2部からなる塗布液を用いて
、浸漬コーティング法で塗布し、150℃において5分
間加熱乾燥し、膜厚0.3 tnrlの下引き層を形成
した。
ツカマイト5003、大日本インキ銖製)5部、メタノ
ール3部、n−ブタノール2部からなる塗布液を用いて
、浸漬コーティング法で塗布し、150℃において5分
間加熱乾燥し、膜厚0.3 tnrlの下引き層を形成
した。
次に、この下引き層上に、実施例1と同様の方法で電荷
発生層と電荷輸送層を形成した。得られた電子写真感光
体を実施例1と同様の方法で評価を行った。結果を第1
表に示す。
発生層と電荷輸送層を形成した。得られた電子写真感光
体を実施例1と同様の方法で評価を行った。結果を第1
表に示す。
実施例5
電荷発生層の膜厚を1000人にした以外は、実施例4
と同様の方法で電子写真感光体を作製腰実施例1と同様
の方法で評価を行った。結果を第1表に示す。
と同様の方法で電子写真感光体を作製腰実施例1と同様
の方法で評価を行った。結果を第1表に示す。
実施例6
アルミニウム基板上に、有機ジルコニウム化合物(商品
名:オルガチックスZC540、松本製薬■製)10部
、シランカップリング剤(商品8二^1110、日本ユ
ニカー■製) 11部、エタノール5部、n−ブタノー
ル2部からなる塗布液を用いて、浸漬コーティング法で
塗布し、150℃において、5分間加熱乾燥して、膜厚
0.1 tmの下引き層を形成した。
名:オルガチックスZC540、松本製薬■製)10部
、シランカップリング剤(商品8二^1110、日本ユ
ニカー■製) 11部、エタノール5部、n−ブタノー
ル2部からなる塗布液を用いて、浸漬コーティング法で
塗布し、150℃において、5分間加熱乾燥して、膜厚
0.1 tmの下引き層を形成した。
次に、この下引き層上に、実施例1と同様の方法で、電
荷発生層と電荷輸送層を形成した。得られた電子写真感
光体を実施例1と同様の方法で評価を行った。結果を第
1表に示す。
荷発生層と電荷輸送層を形成した。得られた電子写真感
光体を実施例1と同様の方法で評価を行った。結果を第
1表に示す。
比較例1
電荷発生層の形成方法として、モノクロルベンゼンと水
との混合蒸気中での処理を行わなかった以外は、実施例
]と同様の方法で電子写真感光体を作製した。この電子
写真感光体の電荷発生層のX線回折スペクトルを第7図
に示す。得られた電子写真感光体について、実施例1と
同様の方法て評価を行った。結果を第1表に示す。
との混合蒸気中での処理を行わなかった以外は、実施例
]と同様の方法で電子写真感光体を作製した。この電子
写真感光体の電荷発生層のX線回折スペクトルを第7図
に示す。得られた電子写真感光体について、実施例1と
同様の方法て評価を行った。結果を第1表に示す。
比較例2
電荷発生層の形成方法として、モノクロルベンゼンと水
との混合蒸気中での処理を行わなかった以外は、実施例
4と同様の方法で電子写真感光体を作製し、同様に評価
を行った。結果を第1表に示す。
との混合蒸気中での処理を行わなかった以外は、実施例
4と同様の方法で電子写真感光体を作製し、同様に評価
を行った。結果を第1表に示す。
比較例3
蒸着膜の処理方法として、50℃に加熱したモノクロル
ベンゼン蒸気中に3分間放置した以外は、実施例1と同
様の方法で電子写真感光体を作製した。この電子写真感
光体の電荷発生層のX線回折スペクトルを第8図に示す
。得られた電子写真感光体について、実施例1と同様の
方法で評価を行った。結果を第1表に示す。
ベンゼン蒸気中に3分間放置した以外は、実施例1と同
様の方法で電子写真感光体を作製した。この電子写真感
光体の電荷発生層のX線回折スペクトルを第8図に示す
。得られた電子写真感光体について、実施例1と同様の
方法で評価を行った。結果を第1表に示す。
比較例4
蒸着膜の処理方法として、50℃に加熱したトルエン蒸
気中に5分間放置した以外は、実施例1と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この電子写真感光体の電荷
発生層のX線回折スペクトルを第9図に示す。得られた
電子写真感光体について、実施例1と同様の方法で評価
を行った。結果を第1表に示す。
気中に5分間放置した以外は、実施例1と同様の方法で
電子写真感光体を作製した。この電子写真感光体の電荷
発生層のX線回折スペクトルを第9図に示す。得られた
電子写真感光体について、実施例1と同様の方法で評価
を行った。結果を第1表に示す。
比較例5
蒸着膜の処理方法として、50℃に加熱した水蒸気中に
5分間放置した以外は、実施例1と同様の方法で電子写
真感光体を作製した。得られた電子写真感光体について
、実施例1と同様の方法て評仕を行った。結果を第1表
に示す。
5分間放置した以外は、実施例1と同様の方法で電子写
真感光体を作製した。得られた電子写真感光体について
、実施例1と同様の方法て評仕を行った。結果を第1表
に示す。
これ等の結果より、本発明の芳香族溶剤と水との混合蒸
気により処理を行なったチタニルフタロシアニン蒸着膜
を電荷発生層とするいずれの電子写真感光体も、処理が
行われなかったもの或いは芳香族溶剤の単独蒸気又は水
蒸気で処理を行なったものに比べ、帯電性、光感度とも
高く、また、繰返し使用時の安定性も良好であることか
わかる。
気により処理を行なったチタニルフタロシアニン蒸着膜
を電荷発生層とするいずれの電子写真感光体も、処理が
行われなかったもの或いは芳香族溶剤の単独蒸気又は水
蒸気で処理を行なったものに比べ、帯電性、光感度とも
高く、また、繰返し使用時の安定性も良好であることか
わかる。
(発明の効果)
本発明の方法によれば、簡単な処理で、チタニルフタロ
シアニン蒸着膜を特定の結晶構造ををするものに変換す
ることか可能であり、そしてその様に変換させた結晶構
造を有するチタニルフタロシアニンよりなる電荷発生層
を有する電子写真感光体は、半導体レーサーの近赤外波
長領域に対して極めて感度が高く、優れた耐久性を有す
るものになる。したかって、本発明は、半導体レーサ用
の電子写真感光体の製造に極めて有用である。
シアニン蒸着膜を特定の結晶構造ををするものに変換す
ることか可能であり、そしてその様に変換させた結晶構
造を有するチタニルフタロシアニンよりなる電荷発生層
を有する電子写真感光体は、半導体レーサーの近赤外波
長領域に対して極めて感度が高く、優れた耐久性を有す
るものになる。したかって、本発明は、半導体レーサ用
の電子写真感光体の製造に極めて有用である。
第1図及び第2図は、それぞれ本発明の電子写真感光体
の模式的断面図、第3図は実施例で蒸着に使用したチタ
ニルフタロシアニン顔料のX線回折図、第4図、第5図
及び第6図は、それぞれ実施例1.2及び3の電子写真
感光体の電荷発生層のX線回折図、第7図、第8図及び
第9図は、それぞれ比較例1.3及び4の電子写真感光
体の電荷発生層のX線回折図を示す。 ■・・・導電性支持体、2・・・電荷発生層、3・・・
電荷輸送層、4・・・下引き層。 出願人 富士ゼロックス株式会社
の模式的断面図、第3図は実施例で蒸着に使用したチタ
ニルフタロシアニン顔料のX線回折図、第4図、第5図
及び第6図は、それぞれ実施例1.2及び3の電子写真
感光体の電荷発生層のX線回折図、第7図、第8図及び
第9図は、それぞれ比較例1.3及び4の電子写真感光
体の電荷発生層のX線回折図を示す。 ■・・・導電性支持体、2・・・電荷発生層、3・・・
電荷輸送層、4・・・下引き層。 出願人 富士ゼロックス株式会社
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸
送層とを設けてなる電子写真感光体の製造方法において
、チタニルフタロシアニンを蒸着して蒸着層を形成し、
次いで該蒸着層を、少なくとも芳香族溶剤と水とを含む
混合蒸気に接触させることにより、X線回折スペクトル
において、ブラック角度(2θ±0.2゜)27.3゜
に回折ピークを示す結晶構造を有するチタニルフタロシ
アニンよりなる電荷発生層を形成することを特徴とする
電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19504190A JP2833170B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19504190A JP2833170B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0481860A true JPH0481860A (ja) | 1992-03-16 |
| JP2833170B2 JP2833170B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=16334562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19504190A Expired - Lifetime JP2833170B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833170B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576577A (en) * | 1993-05-24 | 1996-11-19 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multi-layer lead-frame for a semiconductor device |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP19504190A patent/JP2833170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576577A (en) * | 1993-05-24 | 1996-11-19 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Multi-layer lead-frame for a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2833170B2 (ja) | 1998-12-09 |
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