JPH0481877B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0481877B2 JPH0481877B2 JP59129336A JP12933684A JPH0481877B2 JP H0481877 B2 JPH0481877 B2 JP H0481877B2 JP 59129336 A JP59129336 A JP 59129336A JP 12933684 A JP12933684 A JP 12933684A JP H0481877 B2 JPH0481877 B2 JP H0481877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- conductor
- metal film
- metal
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はLSI等の素子を搭載する多層配線基板
に係り、特に基板内での電気信号伝播の高速化に
好適な多層配線基板の新規な構造とその製造方法
に関する。
に係り、特に基板内での電気信号伝播の高速化に
好適な多層配線基板の新規な構造とその製造方法
に関する。
電子計算機用の多層配線板においては電気信号
伝送の高速化、高機能化等の要求に伴ない、絶縁
基板の低誘導率、高密度配線の適用が必須となつ
ている。
伝送の高速化、高機能化等の要求に伴ない、絶縁
基板の低誘導率、高密度配線の適用が必須となつ
ている。
これに対して、従来の多層配線板ではエポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等、主として熱硬化性樹脂
と基体とした銅張り積層板を用いて、所定の導体
配線板を形成し、多層化するもの、あるいはアル
ミナグリンシートに厚膜で高融点金属の配線層を
形成し、多層化して焼結するもの等がある。
樹脂、ポリイミド樹脂等、主として熱硬化性樹脂
と基体とした銅張り積層板を用いて、所定の導体
配線板を形成し、多層化するもの、あるいはアル
ミナグリンシートに厚膜で高融点金属の配線層を
形成し、多層化して焼結するもの等がある。
エポキシ樹脂等の有機高分子膜、およびアルミ
ナ絶縁基材は誘電率がそれぞれ３〜５、８〜10と
大きく、絶縁体とする配線板では信号伝送の高速
化に限界がある。
ナ絶縁基材は誘電率がそれぞれ３〜５、８〜10と
大きく、絶縁体とする配線板では信号伝送の高速
化に限界がある。
一方、信号伝送の高速化を達成する方法として
導体配線基板の内層層間を空気等の気体絶縁とす
る特公昭57−39559、特公昭58−11117あるいは導
体を空中配線とする特開昭48−41259に記載され
ている。
導体配線基板の内層層間を空気等の気体絶縁とす
る特公昭57−39559、特公昭58−11117あるいは導
体を空中配線とする特開昭48−41259に記載され
ている。
しかし特公昭57−39559および特公昭58−11117
においては内層配線である信号層配線間（Ｘ、Ｙ
方向）に有機絶縁材が介在するため、実質的に誘
電率を小さくすることができない。また、層間の
接続方法として通常の多層配線板の工法である化
学銅、電気銅めつき法を用いるため微小スルホー
ル等の形成が困難であり高密度配線板への適用性
が小さい。
においては内層配線である信号層配線間（Ｘ、Ｙ
方向）に有機絶縁材が介在するため、実質的に誘
電率を小さくすることができない。また、層間の
接続方法として通常の多層配線板の工法である化
学銅、電気銅めつき法を用いるため微小スルホー
ル等の形成が困難であり高密度配線板への適用性
が小さい。
また特公昭48−41259においては蒸着法により
薄膜導体およびスルーホールを形成し、その後支
持体である絶縁樹脂層を除去する方法であり、こ
の場合においては、導体およびスルホール接続部
分が非常に薄いため、機械的物理的強度の確保が
できず、信頼性の観点から実用的でない。
薄膜導体およびスルーホールを形成し、その後支
持体である絶縁樹脂層を除去する方法であり、こ
の場合においては、導体およびスルホール接続部
分が非常に薄いため、機械的物理的強度の確保が
できず、信頼性の観点から実用的でない。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、所定の導体パターンを形成した二次元導体を
空間をあけ、一括又は逐次積層を可能とする合理
的な接続法を提供することにある。
し、所定の導体パターンを形成した二次元導体を
空間をあけ、一括又は逐次積層を可能とする合理
的な接続法を提供することにある。
さらに、配線板内での電気信号伝送の高速化を
可能とする多層配線板の構造とその製造方法を提
供することにある。
可能とする多層配線板の構造とその製造方法を提
供することにある。
上記目的のため種々検討した結果、以下の特徴
を有する発明で達成した。すなわち、本発明は低
抵抗の金属板の片面又は両面にTi金属膜を形成
する工程、Ti金属膜の所定部分をエツチングし、
鋼を露出させ、ランド部を形成する工程、前記ラ
ンド部及びその近傍以外のTi金属膜上に低融点
金属形成用レジストパターンを形成する工程、ラ
ンド部及びその近傍にはんだバンプを形成する工
程、前記低融点金属形成用レジストパターンを除
去する工程、所定部分のTi金属膜及び露出部銅
板をエツチングして二次元導体配線板を形成する
工程、前記二次元導体配線板の複数枚を加熱し、
はんだバンプを溶融し、積み重ねて接続一体化す
る工程からなることを特徴とする多層配線板の製
造方法である。
を有する発明で達成した。すなわち、本発明は低
抵抗の金属板の片面又は両面にTi金属膜を形成
する工程、Ti金属膜の所定部分をエツチングし、
鋼を露出させ、ランド部を形成する工程、前記ラ
ンド部及びその近傍以外のTi金属膜上に低融点
金属形成用レジストパターンを形成する工程、ラ
ンド部及びその近傍にはんだバンプを形成する工
程、前記低融点金属形成用レジストパターンを除
去する工程、所定部分のTi金属膜及び露出部銅
板をエツチングして二次元導体配線板を形成する
工程、前記二次元導体配線板の複数枚を加熱し、
はんだバンプを溶融し、積み重ねて接続一体化す
る工程からなることを特徴とする多層配線板の製
造方法である。
ランドパターン上へのバンプ状低融点金属は主
に錫、鉛を主成分とするハンダから構成され、そ
の形成方法としては通常のホトエツチング、ある
いは印刷法による選択的レジストマスキング法を
用い、ハンダ合金めつき、錫／鉛二層めつきある
いは蒸着法等により形成される。
に錫、鉛を主成分とするハンダから構成され、そ
の形成方法としては通常のホトエツチング、ある
いは印刷法による選択的レジストマスキング法を
用い、ハンダ合金めつき、錫／鉛二層めつきある
いは蒸着法等により形成される。
この低融点金属は所定の導体パターン配線の上
下（各層間）の電気的接続を主目的に行なうもの
であるが、また各層間の相対的位置を固定すると
同時に立体組み立て（多重化）に対しての機械
的、物理的強度を確保する支持体の役割を有す
る。
下（各層間）の電気的接続を主目的に行なうもの
であるが、また各層間の相対的位置を固定すると
同時に立体組み立て（多重化）に対しての機械
的、物理的強度を確保する支持体の役割を有す
る。
さらにはバンプ状に形成されることにより、上
記の各層間を中空に維持することができ、空気等
の気体絶縁した多層配線板が可能となる。すなわ
ち、空気等の気体絶縁により誘電率を小さくし、
電気信号伝送の高速化が達成される。
記の各層間を中空に維持することができ、空気等
の気体絶縁した多層配線板が可能となる。すなわ
ち、空気等の気体絶縁により誘電率を小さくし、
電気信号伝送の高速化が達成される。
本発明の導体パターン、すなわち信号パター
ン、ランドパターンを構成する導体配線は材料と
して低抵抗なCu、Ag、Au、Al、Mo、Ｗ、Pt、
Ni等が使用できるが、コスト、加工性の観点か
らCuが適当である。
ン、ランドパターンを構成する導体配線は材料と
して低抵抗なCu、Ag、Au、Al、Mo、Ｗ、Pt、
Ni等が使用できるが、コスト、加工性の観点か
らCuが適当である。
また、その導体の配線パターン形成には、上記
材料の板状導体を用いて、通常のホトエツチング
法および導体金属材料のエツチング法の併用によ
り容易に可能である。この場合のホトレジストと
してはポジ型、ネガ型の液状感光性レジストある
いはフイルム状感光性レジスト（ドライフイル
ム）が使用できる。
材料の板状導体を用いて、通常のホトエツチング
法および導体金属材料のエツチング法の併用によ
り容易に可能である。この場合のホトレジストと
してはポジ型、ネガ型の液状感光性レジストある
いはフイルム状感光性レジスト（ドライフイル
ム）が使用できる。
板状導体の厚さは特に限定しないが、約10μｍ
程度であればよく、機械的、物理的に強度を維持
できない場合にはCu等の導体上に剛性の高い金
属、例えばNi、Ti、Crなどをめつき法あるいは
蒸着、スパツター法により形成すること、または
圧着張り合せなどで全体として剛性を与えること
が可能である。
程度であればよく、機械的、物理的に強度を維持
できない場合にはCu等の導体上に剛性の高い金
属、例えばNi、Ti、Crなどをめつき法あるいは
蒸着、スパツター法により形成すること、または
圧着張り合せなどで全体として剛性を与えること
が可能である。
以下に本発明の一実施例を図を用いて詳細に説
明する。
明する。
実施例 １
第１図ａは板厚20μｍの銅板１の両面に通常の
真空蒸着法を用い、厚さ約0.1μｍのTi金属膜２を
形成した板状導体である。
真空蒸着法を用い、厚さ約0.1μｍのTi金属膜２を
形成した板状導体である。
この導体両面に東京応化製ネガ型感光性レジス
トOMR−83をスピンナー塗布、乾燥し、格子状
の所定位置に接続用ランドパターンを有するガラ
スホトマスク（図示せず）を両面に密着し、
500WaXe−Hg灯で紫外線照射、露光後OMR−
83用現像液により現像、さらに専用リンス液にて
洗浄して接続用ランドを有するエツチングレジス
トパターン３を形成した（第１図ｂ）。
トOMR−83をスピンナー塗布、乾燥し、格子状
の所定位置に接続用ランドパターンを有するガラ
スホトマスク（図示せず）を両面に密着し、
500WaXe−Hg灯で紫外線照射、露光後OMR−
83用現像液により現像、さらに専用リンス液にて
洗浄して接続用ランドを有するエツチングレジス
トパターン３を形成した（第１図ｂ）。
その後50％硫酸水溶液（液温50℃）にて露出し
たTi金属部をエツチング（第１図ｃ）、50℃の
OMR−83専用剥離液（東京応化製）に浸漬して
レジスト膜を剥離除去し、接続用ランド部（銅露
出部）を有する板状導体（第１図ｄ）を形成し
た。
たTi金属部をエツチング（第１図ｃ）、50℃の
OMR−83専用剥離液（東京応化製）に浸漬して
レジスト膜を剥離除去し、接続用ランド部（銅露
出部）を有する板状導体（第１図ｄ）を形成し
た。
次いで上記板状導体の両面にネガ型感光性レジ
ストOMR−83（東京応化製）をスピンナー塗布、
乾燥し、所定の位置に接続用低融点金属を形成す
るためのガラスマスク（図示せず）を両面に密
着、Xe−Hg灯により紫外線露光、現像、リンス
のホトプロセスで低融点金属形成用レジストパタ
ーン４を形成した（第１図ｅ）。
ストOMR−83（東京応化製）をスピンナー塗布、
乾燥し、所定の位置に接続用低融点金属を形成す
るためのガラスマスク（図示せず）を両面に密
着、Xe−Hg灯により紫外線露光、現像、リンス
のホトプロセスで低融点金属形成用レジストパタ
ーン４を形成した（第１図ｅ）。
第１図ｅで得られた板状導体基板を通常の電気
めつき前処理プロセスであるアルカリ脱脂（ニユ
ートラクリーン68、シツプレイ社）および５％
HCl酸洗処理を行ない、所定の部分（接続用パツ
ド部）に錫／鉛合金比が60／40を有するはんだめ
つきを行ない、第１図ｆに示すごとく、接続用パ
ツド部上に約20μｍの接続用はんだバンプ５を形
成した。
めつき前処理プロセスであるアルカリ脱脂（ニユ
ートラクリーン68、シツプレイ社）および５％
HCl酸洗処理を行ない、所定の部分（接続用パツ
ド部）に錫／鉛合金比が60／40を有するはんだめ
つきを行ない、第１図ｆに示すごとく、接続用パ
ツド部上に約20μｍの接続用はんだバンプ５を形
成した。
使用したはんだめつき液組成および条件は以下
の通りである。
の通りである。
（液組成）
ホウフツ化錫（45％）…110〜330ml／、好まし
くは220ml／ ホウフツ化鉛（45％）…50〜150ml／、好まし
くは175ml／ ホウフツ酸…50〜150ml／、好ましくは175ml／
ゼラチン…１〜10ｇ／、好ましくは６ｇ／ ホウ酸…５〜20ｇ／、好ましくは12ｇ／ （めつき条件） 液 温…20〜30℃、好ましくは25℃ 電流密度…１〜3A／ｄm2、好ましくは2A／ｄm2 接続用パツド部にはんだバンプを形成した後、
低融点金属形成用レジストパターン４をOMR−
83専用剥離液（東京応化製）を用い剥離、除去し
て、第１図ｇに示す接続用はんだバンプ５を有す
る板状導体を形成した。
くは220ml／ ホウフツ化鉛（45％）…50〜150ml／、好まし
くは175ml／ ホウフツ酸…50〜150ml／、好ましくは175ml／
ゼラチン…１〜10ｇ／、好ましくは６ｇ／ ホウ酸…５〜20ｇ／、好ましくは12ｇ／ （めつき条件） 液 温…20〜30℃、好ましくは25℃ 電流密度…１〜3A／ｄm2、好ましくは2A／ｄm2 接続用パツド部にはんだバンプを形成した後、
低融点金属形成用レジストパターン４をOMR−
83専用剥離液（東京応化製）を用い剥離、除去し
て、第１図ｇに示す接続用はんだバンプ５を有す
る板状導体を形成した。
次いで第１図ｈに示すごとく、上記板状導体
（はんだバンプ形成導体板）の両面にネガ型感光
性レジストOMR−83（東京応化）により導体パ
ターン形成レジスト６を塗布、乾燥して、所定の
信号配線パターンを有するガラスマスク（図示せ
ず）を両面に密着、Xe−Hg灯により紫外線露光
した後、OMR−83専用現像液、リンス液により
処理し、信号導体配線パターンを得るためのエツ
チングレジストパターンを６形成した（第１図
ｉ）。
（はんだバンプ形成導体板）の両面にネガ型感光
性レジストOMR−83（東京応化）により導体パ
ターン形成レジスト６を塗布、乾燥して、所定の
信号配線パターンを有するガラスマスク（図示せ
ず）を両面に密着、Xe−Hg灯により紫外線露光
した後、OMR−83専用現像液、リンス液により
処理し、信号導体配線パターンを得るためのエツ
チングレジストパターンを６形成した（第１図
ｉ）。
本実施例にて用いた導体パターンガラスマスク
は網目状配線パターンで、かつ配線部の交差部分
が接続用パツドパターンを有するものである。
は網目状配線パターンで、かつ配線部の交差部分
が接続用パツドパターンを有するものである。
エツチングレジストパターンを形成した板状導
体基板の表裏両面のTi金属膜２を50％硫酸液
（50℃）にてエツチング除去し（第２図ａ）、次い
で過硫酸アンモニウム：100〜300ｇ／（好まし
くは200ｇ／）、塩化アンモニウム：20〜50ｇ／
（好ましくは32ｇ／）からなるエツチング液
により露出部銅板１をエツチング除去（第２図
ｂ）する。
体基板の表裏両面のTi金属膜２を50％硫酸液
（50℃）にてエツチング除去し（第２図ａ）、次い
で過硫酸アンモニウム：100〜300ｇ／（好まし
くは200ｇ／）、塩化アンモニウム：20〜50ｇ／
（好ましくは32ｇ／）からなるエツチング液
により露出部銅板１をエツチング除去（第２図
ｂ）する。
その後、OMR−83専用剥離液により導体パタ
ーン形成レジスト膜６を除去、第２図ｃに示す導
体配線パターンおよび配線パターンの交差点に低
融点金属の接続用はんだバンプ５を有する二次元
導体配線を形成した。
ーン形成レジスト膜６を除去、第２図ｃに示す導
体配線パターンおよび配線パターンの交差点に低
融点金属の接続用はんだバンプ５を有する二次元
導体配線を形成した。
次いで上記の配線導体を約300℃の炉内に15分
間投入、接続用はんだバンプ５を溶融（ウエツト
バツク）し、第２図ｄに示したごとく、球状のは
んだバンプを形成した。
間投入、接続用はんだバンプ５を溶融（ウエツト
バツク）し、第２図ｄに示したごとく、球状のは
んだバンプを形成した。
上記の球状はんだバンプは第２図ｄに示すTi
金属膜２に対するはんだヌレ性が悪いこと、すな
わちTi金属膜がはんだ流れを防止するダムの役
目をするため、溶融はんだの表面張力により球状
のはんだを形成するものである。
金属膜２に対するはんだヌレ性が悪いこと、すな
わちTi金属膜がはんだ流れを防止するダムの役
目をするため、溶融はんだの表面張力により球状
のはんだを形成するものである。
次いで上記の二次元導体配線体を逐次所定の接
続位置に重ね合せ、300℃の炉内に15分間投入し、
第２図ｅに示すごとく所定の位置をはんだ接続す
る。
続位置に重ね合せ、300℃の炉内に15分間投入し、
第２図ｅに示すごとく所定の位置をはんだ接続す
る。
その後、最大出力10KWを有するCO2ガスレー
ザを用い、連続出力500Wにて不要導体部分７を
切断、所望の導体回路を形成する。その後、上記
と同様に二次元導体配線体を逐次重ね合せ溶融、
接続、あるいは不要導体部分の切断をくり返し、
第２図ｆに示すごとく各層間および導体間が空気
絶縁層８からなる中空構造を有する多製配線基板
を製造した。
ザを用い、連続出力500Wにて不要導体部分７を
切断、所望の導体回路を形成する。その後、上記
と同様に二次元導体配線体を逐次重ね合せ溶融、
接続、あるいは不要導体部分の切断をくり返し、
第２図ｆに示すごとく各層間および導体間が空気
絶縁層８からなる中空構造を有する多製配線基板
を製造した。
実施例 ２
実施例１および３の層間接続用パツド部への低
融点金属形成において、所定の接続パツド上に、
まず鉛めつき皮膜を8μｍ形成、水洗後さらに上
記鉛めつき上に錫めつき皮膜12μｍを形成、加熱
溶融時に錫／鉛合金比が60／40となる二重層めつ
きにより低融点金属を形成した。上記の鉛、錫め
つき液組成および条件は以下の通り。
融点金属形成において、所定の接続パツド上に、
まず鉛めつき皮膜を8μｍ形成、水洗後さらに上
記鉛めつき上に錫めつき皮膜12μｍを形成、加熱
溶融時に錫／鉛合金比が60／40となる二重層めつ
きにより低融点金属を形成した。上記の鉛、錫め
つき液組成および条件は以下の通り。
（鉛めつき）
塩基性炭酸鉛…10〜40ｇ／
スルフアミン酸…50〜150ｇ／
アンモニア水（28％）…20〜80ml／
ゼラチン…0.5〜３ｇ／
液温：20〜30℃ 電流密度：１〜3A／ｄm2
（錫めつき）
硫酸錫…10〜40ｇ／
スルフアミン酸…20〜60ｇ／
酒石酸…0.5〜５ｇ／
液温：20〜30℃ 電流密度：0.5〜2A／ｄm2
上記の方法により得られた板状導体を実施例１
および３と同様な方法により導体配線体を形成
し、次いで300℃の炉内に15分間投入、鉛、錫を
加熱溶融して錫／鉛合金比が60／40となる接続用
球状はんだバンプを形成した。
および３と同様な方法により導体配線体を形成
し、次いで300℃の炉内に15分間投入、鉛、錫を
加熱溶融して錫／鉛合金比が60／40となる接続用
球状はんだバンプを形成した。
以上説明したように、本発明では、低抵抗の金
属板の片面又は両面にはんだバンプに対しヌレ性
が悪いTi金属膜を形成したため、ランド部及び
その近傍にはんだバンプを形成する工程でTi金
属膜がダムの役目をしてはんだ流れが防止され、
位置付け精度が大幅に向上できる。更に、低抵抗
の金属板の剛性をTi金属膜が高めるため、機械
的、物理的強度が確保でき、多層配線板として信
頼性の優れたものが得られる。
属板の片面又は両面にはんだバンプに対しヌレ性
が悪いTi金属膜を形成したため、ランド部及び
その近傍にはんだバンプを形成する工程でTi金
属膜がダムの役目をしてはんだ流れが防止され、
位置付け精度が大幅に向上できる。更に、低抵抗
の金属板の剛性をTi金属膜が高めるため、機械
的、物理的強度が確保でき、多層配線板として信
頼性の優れたものが得られる。
第１図、第２図は本発明の多層配線板の製造工
程断面図である。 １……銅板、２……チタン金属膜、３……エツ
チングレジスト、４……低融点金属形成用レジス
ト、５……接続用はんだバンプ、６……導体パタ
ーン形成レジスト、７……不要導体切断部、８…
…空気絶縁層。
程断面図である。 １……銅板、２……チタン金属膜、３……エツ
チングレジスト、４……低融点金属形成用レジス
ト、５……接続用はんだバンプ、６……導体パタ
ーン形成レジスト、７……不要導体切断部、８…
…空気絶縁層。
Claims (1)
- １ 低抵抗の金属板の片面又は両面にTi金属膜
を形成する工程、Ti金属膜の所定部分をエツチ
ングし、鋼を露出させ、ランド部を形成する工
程、前記ランド部及びその近傍以外のTi金属膜
上に低融点金属形成用レジストパターンを形成す
る工程、ランド部及びその近傍にはんだバンプを
形成する工程、前記低融点金属形成用レジストパ
ターンを除去する工程、所定部分のTi金属膜及
び露出部銅板をエツチングして二次元導体配線板
を形成する工程、前記二次元導体配線板の複数枚
を加熱し、はんだバンプを溶融し、積み重ねて接
続一体化する工程からなることを特徴とする多層
配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12933684A JPS618996A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12933684A JPS618996A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618996A JPS618996A (ja) | 1986-01-16 |
| JPH0481877B2 true JPH0481877B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15007085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12933684A Granted JPS618996A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618996A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH071830B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1995-01-11 | 日本無線株式会社 | 多層プリント配線基板の接続方法 |
| JPH0736471B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1995-04-19 | 日本無線株式会社 | 多層基板の接合方法 |
| US5171351A (en) * | 1989-04-10 | 1992-12-15 | Kyowa Hakko Kogyo Co. | Preservative for plants comprising epoxy compounds |
| NZ233184A (en) * | 1989-04-10 | 1991-10-25 | Kyowa Hakko Kogyo Kk | Preservative compositions for plants, fruits and vegetables comprising an olefin, pyridyl urea, epoxy compound, dipicolinic acid or an sh-reagent |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347927B2 (ja) * | 1973-06-08 | 1978-12-25 | ||
| JPS544375A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Suwa Seikosha Kk | Circuit substrate |
| JPS5446376A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing multilayer printed board |
| JPS56150897A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing multilayer printed board |
| JPS57109392A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Suwa Seikosha Kk | Circuit mounting substrate |
| JPS58143559A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層構造半導体集積回路装置およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP12933684A patent/JPS618996A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS618996A (ja) | 1986-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7647801B2 (ja) | ガラスデバイス中間体 | |
| US6904674B2 (en) | Process for manufacturing a printed wiring board | |
| KR100826068B1 (ko) | 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법 | |
| US4401521A (en) | Method for manufacturing a fine-patterned thick film conductor structure | |
| JP2003273498A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| CN103416110A (zh) | 印刷电路板及其制造方法 | |
| JPH02260491A (ja) | プリント回路板及びその製造方法 | |
| JPH0481877B2 (ja) | ||
| WO1999026458A1 (en) | Multilayer printed wiring board and method for manufacturing the same | |
| JPH05327224A (ja) | 多層配線基板の製造方法及びその製造方法で製造される多層配線基板 | |
| JP2001196746A (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 | |
| US8409461B2 (en) | Method of manufacturing printed wiring board with component mounting pin | |
| JPH04245132A (ja) | チップヒューズ用基板及びそれを用いたチップヒューズ | |
| JP3948105B2 (ja) | 多層配線回路基板の製造方法 | |
| JPH10335826A (ja) | 多層配線回路基板及びその製造方法 | |
| JPS61269396A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| CN121586482A (zh) | 芯片载板及其制作方法、芯片封装结构 | |
| JP2003273170A (ja) | 両面配線テープキャリアの製造方法並びにこれを用いたテープキャリア | |
| JP2023167333A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH1117059A (ja) | ボールグリッドアレイ基板及びその連続体 | |
| JPS63260198A (ja) | 多層回路板の製造方法 | |
| JP2001094224A (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 | |
| JPH11261225A (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JP2025154385A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH06188534A (ja) | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |