JPH0482035A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH0482035A JPH0482035A JP19835990A JP19835990A JPH0482035A JP H0482035 A JPH0482035 A JP H0482035A JP 19835990 A JP19835990 A JP 19835990A JP 19835990 A JP19835990 A JP 19835990A JP H0482035 A JPH0482035 A JP H0482035A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
光ディスクの製造方法に関し、
レジスト液塗布、および該塗布形成したレジスト膜の露
光、現像工程や、該レジスト膜上に金属膜をメツキする
メツキ工程を不要とし、工程数を短縮して容易に短時間
にスタンパが形成できるようにした光ディスクの製造方
法を目的とし、プリグループを設けた基板上に加熱によ
り相変化が可能な金属膜を被着した後、 該金属膜に光ビームを所定のパターンで選択的に照射し
、該金属膜に凸型パターンを選択的に形成してスタンパ
を形成し、 該スタンパの凸型パターンをブランク基板に転写後、該
ブランク基板をスタンパより剥離し、前記ブランク基板
に光反射膜、および保護膜を形成することで構成する。
光、現像工程や、該レジスト膜上に金属膜をメツキする
メツキ工程を不要とし、工程数を短縮して容易に短時間
にスタンパが形成できるようにした光ディスクの製造方
法を目的とし、プリグループを設けた基板上に加熱によ
り相変化が可能な金属膜を被着した後、 該金属膜に光ビームを所定のパターンで選択的に照射し
、該金属膜に凸型パターンを選択的に形成してスタンパ
を形成し、 該スタンパの凸型パターンをブランク基板に転写後、該
ブランク基板をスタンパより剥離し、前記ブランク基板
に光反射膜、および保護膜を形成することで構成する。
本発明は光ディスクの製造方法に関する。
円形状の透明基板の表面に情報を記録した凹凸パターン
を有する透明プラスチック層を形成し、その上に光反射
層を設けてＣＤ、 ＣＤ−ＲＯｙＩ等の光ディスクが形
成されている。
を有する透明プラスチック層を形成し、その上に光反射
層を設けてＣＤ、 ＣＤ−ＲＯｙＩ等の光ディスクが形
成されている。
従来、このような光ディスクを形成するには、第２図（
ａ）に示すように透明なガラス円板Ｉ上にレジスト膜２
を塗布し、この上にレーザ光を選択的に所定のパターン
で照射して信号を記録した後、露光現像してレジスト膜
の表面に凹凸パターンを形成して記録情報とする。
ａ）に示すように透明なガラス円板Ｉ上にレジスト膜２
を塗布し、この上にレーザ光を選択的に所定のパターン
で照射して信号を記録した後、露光現像してレジスト膜
の表面に凹凸パターンを形成して記録情報とする。
次いでこの凹凸状のパターンを有するレジスト膜上にニ
ッケル（Ｎｉ）、或いはコバルト（Ｃｏ）等の金属薄膜
３を蒸着して、この薄膜を電極としてＮｉの金属電解メ
ツキ層を形成し、このメツキ層を剥がしてスタンパとす
る。そしてこのスタンパを射出成形機の金型に設置する
。
ッケル（Ｎｉ）、或いはコバルト（Ｃｏ）等の金属薄膜
３を蒸着して、この薄膜を電極としてＮｉの金属電解メ
ツキ層を形成し、このメツキ層を剥がしてスタンパとす
る。そしてこのスタンパを射出成形機の金型に設置する
。
そして第２図（ｂ）に示すように、前記した金型に溶融
したポリカーボネイトのようなプラスチック樹脂４を射
出して円板状の形状とすると共に、スタンパの表面の凹
凸情報を転写する。
したポリカーボネイトのようなプラスチック樹脂４を射
出して円板状の形状とすると共に、スタンパの表面の凹
凸情報を転写する。
そしてこのプラスチック樹脂の表面にアルミニウム（Ａ
ｆ） 、或いは金（Ａｕ）等の光反射膜５を蒸着、或い
はスバンタ法で形成する。そしてこの上にレジスト膜の
ような紫外線硬化型樹脂を保護膜６として塗布した後、
硬化して光ディスクを形成している。
ｆ） 、或いは金（Ａｕ）等の光反射膜５を蒸着、或い
はスバンタ法で形成する。そしてこの上にレジスト膜の
ような紫外線硬化型樹脂を保護膜６として塗布した後、
硬化して光ディスクを形成している。
然し、上記した従来の方法では、スタンパを形成するの
にレジスト液の塗布、塗布したレジスト膜の露光および
現像工程、またレジスト膜上の金属の蒸着、およびメツ
キ工程等多数の製造工程を必要とし、上記スタンパの製
造に長時間を要し、またレジスト液の管理、或いはメツ
キ液の濃度管理等、煩雑な管理作業を必要とする等の問
題がある。
にレジスト液の塗布、塗布したレジスト膜の露光および
現像工程、またレジスト膜上の金属の蒸着、およびメツ
キ工程等多数の製造工程を必要とし、上記スタンパの製
造に長時間を要し、またレジスト液の管理、或いはメツ
キ液の濃度管理等、煩雑な管理作業を必要とする等の問
題がある。
本発明は上記した問題点を解決し、前記レジスト液の塗
布、露光、現像工程、或いは蒸着、或いはメツキ工程等
の煩雑な工程を除去し、簡単な工程で容易に短時間に光
ディスクが得られるような光ディスクの製造方法を目的
とする。
布、露光、現像工程、或いは蒸着、或いはメツキ工程等
の煩雑な工程を除去し、簡単な工程で容易に短時間に光
ディスクが得られるような光ディスクの製造方法を目的
とする。
上記目的を達成する本発明の光ディスクの製造方法は、
プリグループを設けた基板上に加熱により相変化が可能
な金属膜を被着した後、該金属膜に光ビームを所定のパ
ターンで選択的に照射し、該金属膜に凸型パターンを選
択的に形成してスタンパを形成し、 該スタンパの凸型パターンをブランク基板に転写後、該
ブランク基板をスタンパより剥離し、前記ブランク基板
に光反射膜、および保護膜を形成する。または上記ブラ
ンク基板に予め、光反射膜を形成し、該基板を加熱しな
がら前記スタンパの凸型パターンを転写する。また上記
金属膜の厚さを１００〜８００ｎｍの範囲とする。
プリグループを設けた基板上に加熱により相変化が可能
な金属膜を被着した後、該金属膜に光ビームを所定のパ
ターンで選択的に照射し、該金属膜に凸型パターンを選
択的に形成してスタンパを形成し、 該スタンパの凸型パターンをブランク基板に転写後、該
ブランク基板をスタンパより剥離し、前記ブランク基板
に光反射膜、および保護膜を形成する。または上記ブラ
ンク基板に予め、光反射膜を形成し、該基板を加熱しな
がら前記スタンパの凸型パターンを転写する。また上記
金属膜の厚さを１００〜８００ｎｍの範囲とする。
ガラス基板上にプリグループを設けた光硬化型の２Ｐ
（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂を形成し、該基板
上にインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）より成り、Ｓ
ｂＯ劃合側５５〜６５原子％とした合金薄膜を形成して
、レーザ光を選択的に照射して加熱すると、加熱領域が
閃亜鉛鉱型結晶構造より立方晶系の結晶相に相変化する
と共に、加熱領域に凸型のパターンが形成される。
（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ）樹脂を形成し、該基板
上にインジウム・アンチモン（ＩｎＳｂ）より成り、Ｓ
ｂＯ劃合側５５〜６５原子％とした合金薄膜を形成して
、レーザ光を選択的に照射して加熱すると、加熱領域が
閃亜鉛鉱型結晶構造より立方晶系の結晶相に相変化する
と共に、加熱領域に凸型のパターンが形成される。
このような加熱領域に凸型の合金薄膜パターンが形成さ
れるのは、合金薄膜を被着した基板が平坦な場合では形
成されず、ＩｎとＳｂが所定の原子％で合金化した薄膜
を１１ノグループを設けた基板上に被着した場合に限り
、形成されることを本発明者等は実験的に確認した。
れるのは、合金薄膜を被着した基板が平坦な場合では形
成されず、ＩｎとＳｂが所定の原子％で合金化した薄膜
を１１ノグループを設けた基板上に被着した場合に限り
、形成されることを本発明者等は実験的に確認した。
このようにプリグループを備えた基板上にレーザ光を選
択的に照射すると、基板上にレーザ光の加熱による熱の
滞留領域が形成され、それによって照射領域に凸型のパ
ターンが形成される。
択的に照射すると、基板上にレーザ光の加熱による熱の
滞留領域が形成され、それによって照射領域に凸型のパ
ターンが形成される。
この凸型パターンが形成された金属膜を有するガラス基
板よりなるスタンパを金型内に設置し、咳金型を加熱し
、該金属膜上にポリカーボネイト樹脂を設置し、該樹脂
を低圧力で加圧すると該樹脂表面には金属パターンが転
写される。そしてその上にｉやＡｕの光反射膜、および
紫外線硬化型樹脂のレジスト膜を保護膜として塗布する
と、煩雑なレジスト液の管理や、レジスト膜上に金属膜
をメツキするような煩雑な工程を採らずに光ディスクが
短時間に容易に形成できる。
板よりなるスタンパを金型内に設置し、咳金型を加熱し
、該金属膜上にポリカーボネイト樹脂を設置し、該樹脂
を低圧力で加圧すると該樹脂表面には金属パターンが転
写される。そしてその上にｉやＡｕの光反射膜、および
紫外線硬化型樹脂のレジスト膜を保護膜として塗布する
と、煩雑なレジスト液の管理や、レジスト膜上に金属膜
をメツキするような煩雑な工程を採らずに光ディスクが
短時間に容易に形成できる。
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）に示すように、外径が１３０ｍｍで、厚さ
が１．９ｍｍのガラス円板より成る基板１１に、プリグ
ループを有する２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ−ＰｏｌｙｌＩｌ
ｅｒ）の光硬化型樹脂１２をレジスト液の塗布、および
所定のパターンの露光現像によって螺旋状に形成する。
が１．９ｍｍのガラス円板より成る基板１１に、プリグ
ループを有する２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ−ＰｏｌｙｌＩｌ
ｅｒ）の光硬化型樹脂１２をレジスト液の塗布、および
所定のパターンの露光現像によって螺旋状に形成する。
次いで第１図（ｂ）に示すように、Ｉｎが３７、Ｓｂが
６３原子％のＩｎＳｂの合金薄膜よりなる金属膜１３を
、４６０ｎｍの厚さにスパッタにより被着形成する。
６３原子％のＩｎＳｂの合金薄膜よりなる金属膜１３を
、４６０ｎｍの厚さにスパッタにより被着形成する。
次いでこのガラス円板より成る基板１１を、周速１．４
ｍ／ｓｅｃで回転し、図示しないが半導体レーザ光源よ
り波長が７８０ｎｍのレーザ光をレンズで絞り、かつＣ
Ｄフォーマット信号でレーザビームを強度変調し、Ｉｎ
Ｓｂの合金薄膜より成る金属膜１３に照射した。この半
導体レーザ光源の照射電力は、ディスクのガラス円板よ
りなる基板表面で８１で有る。
ｍ／ｓｅｃで回転し、図示しないが半導体レーザ光源よ
り波長が７８０ｎｍのレーザ光をレンズで絞り、かつＣ
Ｄフォーマット信号でレーザビームを強度変調し、Ｉｎ
Ｓｂの合金薄膜より成る金属膜１３に照射した。この半
導体レーザ光源の照射電力は、ディスクのガラス円板よ
りなる基板表面で８１で有る。
このようにすると第１図（Ｃ）に示すように、上記金属
膜には凸部の高さｈが１２０ｎｍでピッチが１．６μｍ
の螺旋状の凸型パターン１４が前記金属膜の溝１５の箇
所に形成される。
膜には凸部の高さｈが１２０ｎｍでピッチが１．６μｍ
の螺旋状の凸型パターン１４が前記金属膜の溝１５の箇
所に形成される。
次いでこの凸型パターンを有する金属膜とガラス円板と
よりなるスタンパをエンボス成形用の金型（図示せず）
内に設置し、該金型を１９０°Ｃに加熱し、この金属膜
上に第１図（ｄ）に示すように、金属膜の凸型パターン
の転写用で、平坦な表面を有するポリカーボイト製のブ
ランク基板１６を設置し、このブランク基板より５０ｋ
ｇ／ ｃｍ”程度の低圧の圧力を加えて３０秒間加圧す
る。
よりなるスタンパをエンボス成形用の金型（図示せず）
内に設置し、該金型を１９０°Ｃに加熱し、この金属膜
上に第１図（ｄ）に示すように、金属膜の凸型パターン
の転写用で、平坦な表面を有するポリカーボイト製のブ
ランク基板１６を設置し、このブランク基板より５０ｋ
ｇ／ ｃｍ”程度の低圧の圧力を加えて３０秒間加圧す
る。
この圧力は従来に於けるようにプラスチック樹脂を射出
成形する際に用いる射出成形機に比して感かに低圧であ
るのでガラス基板が破損することは無く、装置も大規模
で高価なものを必要としない この圧力を取り去るとポリカーボネイトのブランク基板
上には、金属膜の凸型パターンが忠実に転写される。次
いでこのブランク基板を金型より取り外す。
成形する際に用いる射出成形機に比して感かに低圧であ
るのでガラス基板が破損することは無く、装置も大規模
で高価なものを必要としない この圧力を取り去るとポリカーボネイトのブランク基板
上には、金属膜の凸型パターンが忠実に転写される。次
いでこのブランク基板を金型より取り外す。
次いで第１図（ｅ）に示すようにブランク基板１６の表
面にへ！金属を２０Ｏｒ＋ｎ＋の厚さに被着して光反射
膜１７を形成し、その上に紫外線硬化型樹脂を塗布して
保護膜１８を形成する。このようにして形成した光ディ
スクをＣＤプレーヤに設置し、音楽情報を再生したとこ
ろ、通常のＣＤディスクと全く同様に音声が再生できた
。
面にへ！金属を２０Ｏｒ＋ｎ＋の厚さに被着して光反射
膜１７を形成し、その上に紫外線硬化型樹脂を塗布して
保護膜１８を形成する。このようにして形成した光ディ
スクをＣＤプレーヤに設置し、音楽情報を再生したとこ
ろ、通常のＣＤディスクと全く同様に音声が再生できた
。
またこのエンボス成形を５００回繰り返してもガラス基
板と凸型パターンを有する金属膜とより成るスタンパが
破損することは無く、また形成されたＣＤディスクには
何ら欠陥が認められなかった。
板と凸型パターンを有する金属膜とより成るスタンパが
破損することは無く、また形成されたＣＤディスクには
何ら欠陥が認められなかった。
またその他の実施例として、前記実施例で用いたスタン
パと金型を同一のものを用い、上記ブランク基板として
は予め表面に金（Ａｕ）膜を１００ｒｖの厚さに蒸着形
成したポリカーボネイト基板を用い、該基板を予め８０
°Ｃに加熱し、前記金膜を蒸着した側のポリカーボネイ
ト基板表面をエンボス成形したところ、前記した実施例
と同様にスタンパの金属膜の凸型パターンを忠実に転写
することができた。
パと金型を同一のものを用い、上記ブランク基板として
は予め表面に金（Ａｕ）膜を１００ｒｖの厚さに蒸着形
成したポリカーボネイト基板を用い、該基板を予め８０
°Ｃに加熱し、前記金膜を蒸着した側のポリカーボネイ
ト基板表面をエンボス成形したところ、前記した実施例
と同様にスタンパの金属膜の凸型パターンを忠実に転写
することができた。
そしてこのようにして形成した光ディスクをＣＤプレー
ヤに設置した音楽情報を再生したところ、前記実施例と
同様な音楽情報が忠実に再生できた。
ヤに設置した音楽情報を再生したところ、前記実施例と
同様な音楽情報が忠実に再生できた。
またエンボス成形回数も５００回以上可能であった。
また音楽情報を記録する代わりに、コンピュータのプロ
グラム情報を記録したいわゆるＣＤ−ＲＯＭを形成して
も、忠実に信号が再生できるものが形成できた。
グラム情報を記録したいわゆるＣＤ−ＲＯＭを形成して
も、忠実に信号が再生できるものが形成できた。
なお本発明者等は実験の結果、上記凸型パターンの凸型
部の高さは、合金薄膜の厚さによって異なり、上記合金
薄膜の厚さが１１００ｎより８００ｎｍの範囲で変化す
ると、凸部の高さは５０〜２００ｎｍの範囲で変化する
。この中で合金薄膜の厚さが４００ｎｍの厚さにすると
凸部の高さは１２０ｎｍとなって、再生用の半導体レー
ザ光の波長を８００ｎｍとした時、上記金属パターンに
形成された凸部パターンの頂上と、該凸部パターンが形
成された金属膜の溝の表面との箇所で上記波長のレーザ
光の干渉が最大となって、最も高信顧度の再生が行い得
ることが判明した。
部の高さは、合金薄膜の厚さによって異なり、上記合金
薄膜の厚さが１１００ｎより８００ｎｍの範囲で変化す
ると、凸部の高さは５０〜２００ｎｍの範囲で変化する
。この中で合金薄膜の厚さが４００ｎｍの厚さにすると
凸部の高さは１２０ｎｍとなって、再生用の半導体レー
ザ光の波長を８００ｎｍとした時、上記金属パターンに
形成された凸部パターンの頂上と、該凸部パターンが形
成された金属膜の溝の表面との箇所で上記波長のレーザ
光の干渉が最大となって、最も高信顧度の再生が行い得
ることが判明した。
また実施例では金属膜１３のＩｎとＳｂの割合を３７と
６３原子％としたが、ＩｎＳｂに於けるＳｂの割合を５
５〜６５原子％まで変化させた場合も同様な効果を得た
。
６３原子％としたが、ＩｎＳｂに於けるＳｂの割合を５
５〜６５原子％まで変化させた場合も同様な効果を得た
。
そしてこの範囲より外れると相変化による凸型パターン
が形成されないことが判明した。
が形成されないことが判明した。
以上述べたように本発明の方法によれば、スタンパ作成
時に於けるレジスト膜の露光、現像工程、金属膜のメツ
キ工程、メツキ液の濃度管理等の煩雑な工程が省略でき
、短時間で容易に光ディスクを形成することができる。
時に於けるレジスト膜の露光、現像工程、金属膜のメツ
キ工程、メツキ液の濃度管理等の煩雑な工程が省略でき
、短時間で容易に光ディスクを形成することができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、簡単な
方法で短時間で種々の記録情報を有する光ディスクが容
易に形成できる効果がある。
方法で短時間で種々の記録情報を有する光ディスクが容
易に形成できる効果がある。
第１図（ａ）より第１図（ｅ）迄は、本発明の光ディス
クの製造方法の一実施例の断面図、 第２図（ａ）、および第２図（ｂ）は従来の光ディスク
の製造方法を示す断面図である。 図において、 １１は基板、１２は光硬化型樹脂、１３は金属膜、１４
は凸型パターン、１５は溝、１６はブランク基板、１７
は光反射膜、１８は保護膜を示す。 第１図（÷色２） （ｄ） ４４：萌、ｌ走ヂ、７７の製造方法虻ｒ種判４牛面ｍ第
１関いのｆ〕 ４六ＬＡ１ｒｌデ’ｔ２ｈ％ＡａＪ５に＆ 不Ｔ＠°ｉ
Ｃ２１１２図
クの製造方法の一実施例の断面図、 第２図（ａ）、および第２図（ｂ）は従来の光ディスク
の製造方法を示す断面図である。 図において、 １１は基板、１２は光硬化型樹脂、１３は金属膜、１４
は凸型パターン、１５は溝、１６はブランク基板、１７
は光反射膜、１８は保護膜を示す。 第１図（÷色２） （ｄ） ４４：萌、ｌ走ヂ、７７の製造方法虻ｒ種判４牛面ｍ第
１関いのｆ〕 ４六ＬＡ１ｒｌデ’ｔ２ｈ％ＡａＪ５に＆ 不Ｔ＠°ｉ
Ｃ２１１２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕プリグルーブを設けた基板（１１）上に加熱によ
り相変化する金属膜（１３）を被着した後、該金属膜に
光ビームを所定のパターンで選択的に照射し、該金属膜
に凸型パターン（１４）を選択的に形成してスタンパを
形成し、 該スタンパの凸型パターン（１４）をブランク基板（１
６）に転写後、該ブランク基板をスタンパより剥離し、 前記金属膜の凸型パターンを転写したブランク基板（１
６）に光反射膜（１７）、および保護膜（１８）を形成
することを特徴とする光ディスクの製造方法。 〔２〕上記ブランク基板（１６）に予め、光反射膜（１
７）を形成し、該基板を加熱しながら上記ブランク基板
の光反射膜形成面に前記スタンパの凸型パターンを転写
することを特徴とする請求項（１）記載の光ディスクの
製造方法。 〔３〕上記金属膜（１３）はＩｎＳｂから成り、Ｓｂの
割合を５５〜６５原子％の範囲とし、該金属膜（１３）
の厚さを１００〜８００ｎｍの範囲とすることを特徴と
する請求項（１）、或いは（２）に記載の光ディスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19835990A JPH0482035A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19835990A JPH0482035A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482035A true JPH0482035A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16389801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19835990A Pending JPH0482035A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100830872B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-05-21 | 삼성전기주식회사 | 광디스크 및 그 제조 방법 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19835990A patent/JPH0482035A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100830872B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-05-21 | 삼성전기주식회사 | 광디스크 및 그 제조 방법 |
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