JPH0482066B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0482066B2 JPH0482066B2 JP60213453A JP21345385A JPH0482066B2 JP H0482066 B2 JPH0482066 B2 JP H0482066B2 JP 60213453 A JP60213453 A JP 60213453A JP 21345385 A JP21345385 A JP 21345385A JP H0482066 B2 JPH0482066 B2 JP H0482066B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- film
- conversion film
- cds
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は例えばフアクシミリ等の読み取り部に
用いて好適な光電変換膜の製造方法に関するもの
であり、特に光電変換膜の画像信号出力特性を向
上させると共に、光応答特性も同時に向上させ、
実時間型画像読み出し方式の採用を可能にした光
電変換膜の製造方法に関するものである。
用いて好適な光電変換膜の製造方法に関するもの
であり、特に光電変換膜の画像信号出力特性を向
上させると共に、光応答特性も同時に向上させ、
実時間型画像読み出し方式の採用を可能にした光
電変換膜の製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、例えばフアクシミリ等の読み取り部に
は、CCD，MOS型センサ等IC技術を用いて形成
した光センサが用いられてきた。
は、CCD，MOS型センサ等IC技術を用いて形成
した光センサが用いられてきた。
しかしこのようなセンサはIC技術を用いて作
成する為、数10mmの長さのものしか作成できず、
実際に使用するには原稿を縮少結像する必要があ
る。縮少結像を行なう場合、レンズの光路長が必
要となり、一般的には20cmから30cmの距離が原稿
からセンサまで必要となる。このような光路長
は、読み取り部の小型化軽量化に対して非常に大
きな問題となる。
成する為、数10mmの長さのものしか作成できず、
実際に使用するには原稿を縮少結像する必要があ
る。縮少結像を行なう場合、レンズの光路長が必
要となり、一般的には20cmから30cmの距離が原稿
からセンサまで必要となる。このような光路長
は、読み取り部の小型化軽量化に対して非常に大
きな問題となる。
近年上記のような縮少型のセンサに対し原稿と
同じ幅のセンサ上にフアイバオプテイクレンズア
レイを用いて１対１に原稿を結像させる密着型イ
メージセンサが提案されている。
同じ幅のセンサ上にフアイバオプテイクレンズア
レイを用いて１対１に原稿を結像させる密着型イ
メージセンサが提案されている。
このイメージセンサの光電変換部にはCdSXSe1
−X混晶蒸着膜、ａ−Si膜等が用いられているが、
いづれも真空プロセスを用いる為生産性歩留り等
に問題がありコスト高となる。
−X混晶蒸着膜、ａ−Si膜等が用いられているが、
いづれも真空プロセスを用いる為生産性歩留り等
に問題がありコスト高となる。
一方、光電変換膜を比較的安価に作製する方法
として、硫化カドミウム、セレン化カドミウムま
たは硫・セレン化カドミウムの粉末と、少量の活
性化不純物と融剤と有機結合剤とを混合し、泥状
物質として基板上に塗布し、この塗布された基板
を窒素ガスあるいは微量（0.8％）の酸素ガスを
含む窒素ガス雰囲気中で焼成することによつて作
製する方法が知らている（例えば特公昭52−
25305号公報）。
として、硫化カドミウム、セレン化カドミウムま
たは硫・セレン化カドミウムの粉末と、少量の活
性化不純物と融剤と有機結合剤とを混合し、泥状
物質として基板上に塗布し、この塗布された基板
を窒素ガスあるいは微量（0.8％）の酸素ガスを
含む窒素ガス雰囲気中で焼成することによつて作
製する方法が知らている（例えば特公昭52−
25305号公報）。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記のような厚膜形成方法によれば光
電変換膜が比較的安価に、また再現性良く作製さ
れるものの、実時間型画像読み出し方式の採用を
可能とした画像信号出力特性及び光応答特性の優
れた光電変換膜を作製することが出来ず、フアク
シミリ等の高密度高画素数の読み取り部への適用
は困難であつた。
電変換膜が比較的安価に、また再現性良く作製さ
れるものの、実時間型画像読み出し方式の採用を
可能とした画像信号出力特性及び光応答特性の優
れた光電変換膜を作製することが出来ず、フアク
シミリ等の高密度高画素数の読み取り部への適用
は困難であつた。
本発明は、上記の問題点に鑑みて創案されたも
ので、実時間型画像読み出し方式の採用を可能に
した高感度低価格な光電変換膜の作成方法を提供
することを目的としたものである。
ので、実時間型画像読み出し方式の採用を可能に
した高感度低価格な光電変換膜の作成方法を提供
することを目的としたものである。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明は少なくと
もCdS，CdSe，CdSXSe1−X，CdSXTe1−X，
CdSeXTe1−Xの光導電体材料の１種類以上を主成
分とし、この光導電体材料に低融点ガラスを添加
熱処理してなる光電変換膜の製造方法において、
上記の熱処理を不活性気体に対する酸素分圧を1/
４〜1/20とし、一定の流量で流した少なくとも酸
素を含む不活性気体中で行なうように構成してい
る。
もCdS，CdSe，CdSXSe1−X，CdSXTe1−X，
CdSeXTe1−Xの光導電体材料の１種類以上を主成
分とし、この光導電体材料に低融点ガラスを添加
熱処理してなる光電変換膜の製造方法において、
上記の熱処理を不活性気体に対する酸素分圧を1/
４〜1/20とし、一定の流量で流した少なくとも酸
素を含む不活性気体中で行なうように構成してい
る。
〈作用〉
上記のような構成により、粒子成長及び表面粗
度が好適に制御された光電変換膜が形成され、高
出力安定な光電変換膜が得られる。
度が好適に制御された光電変換膜が形成され、高
出力安定な光電変換膜が得られる。
〈実施例〉
次に、本発明の一実施例としてCdSeを用いた
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
第１図は、本発明により作製された光電変換膜
を備えた光電変換素子の構造の一例を示す図であ
り、１は絶縁性基板、２は本発明にしたがつて作
製された光導電膜、３は電極である。
を備えた光電変換素子の構造の一例を示す図であ
り、１は絶縁性基板、２は本発明にしたがつて作
製された光導電膜、３は電極である。
光導電膜２の光導電材料としてのCdSeは化学
析出法を用いて作成し、焼処理によりあらかじめ
活性化した微粉体を用いる。上記CdSe粉末に低
融点ガラス、ハロゲン化物を添加し、さらに有機
溶剤を加えペースト状にし、スクリーン印刷法を
用いて基板上に塗布して、所定の膜を形成する。
具体的にはセラミツク、ガラス等の絶縁性基板１
上にCdSe微結晶粉末に低融点ガラス及び3mol％
のCdCl2を添加し、さらに有機溶剤によりペース
ト状にした光導電ペースト２を所定の幅に塗布す
る。本実施例ではスクリーン印刷を用いて、膜厚
10μ〜20μに塗布した。次に基板１上に塗布した
膜２の有機溶剤を蒸発させた後、炉で再焼成を行
なう。この焼成温度は450℃〜550℃の間で行な
う。また焼成時には酸素と窒素を混合させた気体
を一定流量流す。即ち100℃で有機溶剤を蒸発さ
せた後、活性化処理を行なう。活性化処理は450
℃〜550℃の温度で窒素酸素の混合雰囲気中で行
ない、混合ガスを毎分１〜10流した。
析出法を用いて作成し、焼処理によりあらかじめ
活性化した微粉体を用いる。上記CdSe粉末に低
融点ガラス、ハロゲン化物を添加し、さらに有機
溶剤を加えペースト状にし、スクリーン印刷法を
用いて基板上に塗布して、所定の膜を形成する。
具体的にはセラミツク、ガラス等の絶縁性基板１
上にCdSe微結晶粉末に低融点ガラス及び3mol％
のCdCl2を添加し、さらに有機溶剤によりペース
ト状にした光導電ペースト２を所定の幅に塗布す
る。本実施例ではスクリーン印刷を用いて、膜厚
10μ〜20μに塗布した。次に基板１上に塗布した
膜２の有機溶剤を蒸発させた後、炉で再焼成を行
なう。この焼成温度は450℃〜550℃の間で行な
う。また焼成時には酸素と窒素を混合させた気体
を一定流量流す。即ち100℃で有機溶剤を蒸発さ
せた後、活性化処理を行なう。活性化処理は450
℃〜550℃の温度で窒素酸素の混合雰囲気中で行
ない、混合ガスを毎分１〜10流した。
この時、酸素分圧を低くすると粒子の成長が抑
制されて光電流が低下する。また酸素分圧を高く
すると粒成長は進むが表面粗度が悪くなり電極形
成等において歩留りが低下する。
制されて光電流が低下する。また酸素分圧を高く
すると粒成長は進むが表面粗度が悪くなり電極形
成等において歩留りが低下する。
第２図は活性化処理による粒成長と表面粗度の
焼成雰囲気依存性を示したものである。
焼成雰囲気依存性を示したものである。
この第２図より明らかなように、酸素分圧を高
くすると粒成長が顕著になり5μｍ程度まで成長
するが一方表面粗度が悪くなり上部電極部形成時
の欠陥等の原因となる。また酸素分圧を低くする
と粒子の成長が抑制されて必要最小出力
（1.0μA）が得られなくなる。従つて本発明では
酸素分圧を1/20〜1/4として素子作製を行なつた。
くすると粒成長が顕著になり5μｍ程度まで成長
するが一方表面粗度が悪くなり上部電極部形成時
の欠陥等の原因となる。また酸素分圧を低くする
と粒子の成長が抑制されて必要最小出力
（1.0μA）が得られなくなる。従つて本発明では
酸素分圧を1/20〜1/4として素子作製を行なつた。
以上のようにして作製した光導電膜２上にリフ
トオフプロセスを用いて８本／mmのプレーナ電極
３を形成して出力特性を測定した結果、第３図に
示すように、酸素分圧1/20以上において、必要最
小出力1.0μA以上の5μA程度以上の出力が得られ
た。特に酸素分圧1/10以上において、出力10μA
以上、光応答速度5msec以下の充分な結果が得ら
れた。
トオフプロセスを用いて８本／mmのプレーナ電極
３を形成して出力特性を測定した結果、第３図に
示すように、酸素分圧1/20以上において、必要最
小出力1.0μA以上の5μA程度以上の出力が得られ
た。特に酸素分圧1/10以上において、出力10μA
以上、光応答速度5msec以下の充分な結果が得ら
れた。
なお、上記実施例においては不活性気体として
窒素を用いた例について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、アルゴン、ヘリウ
ム等の他の不活性気体を用いても同様に実施でき
るものであることは言うまでもない。
窒素を用いた例について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、アルゴン、ヘリウ
ム等の他の不活性気体を用いても同様に実施でき
るものであることは言うまでもない。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、熱処理時の酸素
分圧を制御することにより高出力安定な光電変換
膜を作製することができる。さらに素子作製に際
して電極形成時の歩留りを向上させ安価な素子を
作製することができる。
分圧を制御することにより高出力安定な光電変換
膜を作製することができる。さらに素子作製に際
して電極形成時の歩留りを向上させ安価な素子を
作製することができる。
第１図は本発明により作製された光電変換膜を
備えた光電変換素子の構造の一例を示す図、第２
図は熱処理時の酸素、窒素分圧に対する粒径及び
表面粗度を示す図、第３図は酸素、窒素分圧に対
する出力を示す図である。 １…絶縁性基板、２…光導電膜、３…電極。
備えた光電変換素子の構造の一例を示す図、第２
図は熱処理時の酸素、窒素分圧に対する粒径及び
表面粗度を示す図、第３図は酸素、窒素分圧に対
する出力を示す図である。 １…絶縁性基板、２…光導電膜、３…電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくともCdS，CdSe，CdTe，CdSXSe1−
Ｘ，CdSXTe1−X，CdSeXTe1−Xの光導電体材料の
１種類以上を主成分とし、該光導電体材料に低融
点ガラスを添加熱処理してなる光電変換膜の製造
方法において、 上記熱処理を不活性気体に対する酸素分圧を、
１／４〜1/20とし、一定の流量で流した少なくとも
酸素を含む不活性気体中で行なうことを特徴とす
る光電変換膜の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213453A JPS6272183A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 光電変換膜の製造方法 |
| US06/910,875 US4759951A (en) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Heat-treating Cd-containing photoelectric conversion film in the presence of a cadmium halide |
| DE19863632210 DE3632210A1 (de) | 1985-09-25 | 1986-09-23 | Verfahren zur herstellung eines photoelektrischen umwandlungsfilms |
| GB8622999A GB2183089B (en) | 1985-09-25 | 1986-09-24 | Process for producing photoelectric conversion film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213453A JPS6272183A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 光電変換膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272183A JPS6272183A (ja) | 1987-04-02 |
| JPH0482066B2 true JPH0482066B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=16639466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213453A Granted JPS6272183A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 光電変換膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272183A (ja) |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60213453A patent/JPS6272183A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6272183A (ja) | 1987-04-02 |
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