JPH058593B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH058593B2 JPH058593B2 JP59207413A JP20741384A JPH058593B2 JP H058593 B2 JPH058593 B2 JP H058593B2 JP 59207413 A JP59207413 A JP 59207413A JP 20741384 A JP20741384 A JP 20741384A JP H058593 B2 JPH058593 B2 JP H058593B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- photoconductive element
- manufacturing
- cds
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明はフアクシミリや各種OA機器用読取り
ラインセンサ用の可視域の光センサとして使用さ
れる光導電素子の製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来、CdSやCdSeを主体とする光センサは光
電流が大きく、特にこの種の化合物の固溶体CdS
−CdSeを主体とする光センサでは可視光全域を
カバーする感度を有するため、フアクシミリの密
着型ラインセンサ用などとして注目され開発され
てきた。 このCdS−CdSe光センサの代表的製法は以下
の通りである。すなわち、適当な基板上にCdS−
CdSe固溶体の薄膜を蒸着形成し、CdCl2の蒸発源
としての例えばCdS：CdCl2（混合、焼結、粉砕し
た）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容器
に入れて500℃程度の高温度に加熱して蒸発した
CdCl2の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心
を形成させ大きな光電流を得るに至るのである
（この工程を活性化と称する）。上記の製法のまゝ
では暗電流がかなり大きいのでCdS−CdSe薄膜
の蒸着時に同時に蒸発源にCuを例えばCdS1-x
Sex：CuCl2（０ｘ１；CdS、CdSe、CuCl2を
混合、焼結、粉砕したもの）の形で混入しておき
蒸着膜中にCuを添加しておけば暗電流を大巾に
小さくすることができる。 さて、CdCl2蒸気による活性化で増感中心を形
成し、光電子の寿命を長くし、結果として大きな
光電流を得ることができる反面、基本的には光電
子の寿命が光応答時間に対応するので光電流が大
きいと応答時間が長くなつてしまう。さらにこの
様な多結晶薄膜では捕獲中心が多いために低照度
の場合には上記の光電子の寿命よりはるかに光応
答時間が長くなるという大きな欠点を有してい
る。 発明の目的 本発明は光電流の大きさを損わずして、その光
応答時間が短かい光導電素子を製造する方法を提
供する。 発明の構成 本発明はCdS、CdSeあるいはこれら２種の化
合物の固溶体CdS−CdSeを主成分として成り、
これに微量のCuを含んだ薄膜を基板上に形成し、
CdCl2の蒸発源と共に半密閉容器に入れ、高温度
にて該薄膜をCdCl2の蒸気に暴露して結晶成長と
共に活性化し、電極を形成して後、さらに真空中
において、しかも暗中で加熱処理することを特徴
とする光導電素子の製造方法である。 実施例の説明 薄膜の厚さは2000〜10000Åであり、結晶成長
の温度は450〜600℃である。真空中処理時の温度
は120〜200℃が好ましい。120℃以下だと効果が
でるのに時間がかゝり過ぎ、200℃以上だと変化
が大きすぎコントロールが難しくなるからであ
る。真空中熱処理の時間は0.25〜４時間が好まし
い。0.25時間以下では効果が得られ難く、４時間
以上だと変化時に光電流の減少が著しい。真空中
熱処理時の真空度は広い範囲の真空度で有効であ
るが0.01気圧以下であることが好ましい。0.01気
圧以上だと効果が小さかつたり、変化が起るのに
時間がかゝりすぎたりする。また真空中熱処理時
は暗中であることが好ましく、明るいと変化が起
り難く、また変化量が小さい。特に10ルツクス以
下の方が効果が大きい。 以下、本発明の具体実施例について説明する。
図は本発明に用いるボートの断面を示し、１はボ
ート本体、２はボートふた、３はガラス基板、４
はCdS：CdCl2粉末である。 ガラス基板（コーニング社7059、230×50×1.2
mm）の上にCdS0.6Se0.4：CuCl2を蒸発源として約
4000Åの厚さに蒸着した。蒸着膜中には含まれる
Cuの量は、0.008モル％であつた。この基板３を
図に享る様にアルミナ製ボート１に上向きに置き
ボートの中央底部にCdS：CdCl2（２モル％）粉末
４を0.2ｇ／cmの割合で長さ方向に置き、ふた２
をして500℃で１時間加熱した。この様にして得
た膜にNiCr／Auの電極を蒸着形成（巾２mm、ギ
ヤツプ１mm）して後、真空中（0.01気圧）、しか
も暗中（10ルツクス）で175℃にて0.25、0.5、
１、２および４時間加熱処理した。この様にして
得た光導電素子にDC10Vを印加して100ルツクス
の緑色光（波長555nm）を照射（１Hzで0.5secず
つ点滅）して光電流Jpとその立上り時間τr（０か
ら飽和値の90％に上がるまでの時間）、立下り時
間τd（飽和値からその10％に下がるまでの時間）
を測定した。結果をこの様な真空中加熱処理のな
い場合の結果と共に次表に載せる。
ラインセンサ用の可視域の光センサとして使用さ
れる光導電素子の製造方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来、CdSやCdSeを主体とする光センサは光
電流が大きく、特にこの種の化合物の固溶体CdS
−CdSeを主体とする光センサでは可視光全域を
カバーする感度を有するため、フアクシミリの密
着型ラインセンサ用などとして注目され開発され
てきた。 このCdS−CdSe光センサの代表的製法は以下
の通りである。すなわち、適当な基板上にCdS−
CdSe固溶体の薄膜を蒸着形成し、CdCl2の蒸発源
としての例えばCdS：CdCl2（混合、焼結、粉砕し
た）粉末を該薄膜と共にアルミナ等の半密閉容器
に入れて500℃程度の高温度に加熱して蒸発した
CdCl2の蒸気中で結晶成長させ、同時に増感中心
を形成させ大きな光電流を得るに至るのである
（この工程を活性化と称する）。上記の製法のまゝ
では暗電流がかなり大きいのでCdS−CdSe薄膜
の蒸着時に同時に蒸発源にCuを例えばCdS1-x
Sex：CuCl2（０ｘ１；CdS、CdSe、CuCl2を
混合、焼結、粉砕したもの）の形で混入しておき
蒸着膜中にCuを添加しておけば暗電流を大巾に
小さくすることができる。 さて、CdCl2蒸気による活性化で増感中心を形
成し、光電子の寿命を長くし、結果として大きな
光電流を得ることができる反面、基本的には光電
子の寿命が光応答時間に対応するので光電流が大
きいと応答時間が長くなつてしまう。さらにこの
様な多結晶薄膜では捕獲中心が多いために低照度
の場合には上記の光電子の寿命よりはるかに光応
答時間が長くなるという大きな欠点を有してい
る。 発明の目的 本発明は光電流の大きさを損わずして、その光
応答時間が短かい光導電素子を製造する方法を提
供する。 発明の構成 本発明はCdS、CdSeあるいはこれら２種の化
合物の固溶体CdS−CdSeを主成分として成り、
これに微量のCuを含んだ薄膜を基板上に形成し、
CdCl2の蒸発源と共に半密閉容器に入れ、高温度
にて該薄膜をCdCl2の蒸気に暴露して結晶成長と
共に活性化し、電極を形成して後、さらに真空中
において、しかも暗中で加熱処理することを特徴
とする光導電素子の製造方法である。 実施例の説明 薄膜の厚さは2000〜10000Åであり、結晶成長
の温度は450〜600℃である。真空中処理時の温度
は120〜200℃が好ましい。120℃以下だと効果が
でるのに時間がかゝり過ぎ、200℃以上だと変化
が大きすぎコントロールが難しくなるからであ
る。真空中熱処理の時間は0.25〜４時間が好まし
い。0.25時間以下では効果が得られ難く、４時間
以上だと変化時に光電流の減少が著しい。真空中
熱処理時の真空度は広い範囲の真空度で有効であ
るが0.01気圧以下であることが好ましい。0.01気
圧以上だと効果が小さかつたり、変化が起るのに
時間がかゝりすぎたりする。また真空中熱処理時
は暗中であることが好ましく、明るいと変化が起
り難く、また変化量が小さい。特に10ルツクス以
下の方が効果が大きい。 以下、本発明の具体実施例について説明する。
図は本発明に用いるボートの断面を示し、１はボ
ート本体、２はボートふた、３はガラス基板、４
はCdS：CdCl2粉末である。 ガラス基板（コーニング社7059、230×50×1.2
mm）の上にCdS0.6Se0.4：CuCl2を蒸発源として約
4000Åの厚さに蒸着した。蒸着膜中には含まれる
Cuの量は、0.008モル％であつた。この基板３を
図に享る様にアルミナ製ボート１に上向きに置き
ボートの中央底部にCdS：CdCl2（２モル％）粉末
４を0.2ｇ／cmの割合で長さ方向に置き、ふた２
をして500℃で１時間加熱した。この様にして得
た膜にNiCr／Auの電極を蒸着形成（巾２mm、ギ
ヤツプ１mm）して後、真空中（0.01気圧）、しか
も暗中（10ルツクス）で175℃にて0.25、0.5、
１、２および４時間加熱処理した。この様にして
得た光導電素子にDC10Vを印加して100ルツクス
の緑色光（波長555nm）を照射（１Hzで0.5secず
つ点滅）して光電流Jpとその立上り時間τr（０か
ら飽和値の90％に上がるまでの時間）、立下り時
間τd（飽和値からその10％に下がるまでの時間）
を測定した。結果をこの様な真空中加熱処理のな
い場合の結果と共に次表に載せる。
【表】
発明の効果
以上のように、この電極形成後の暗中における
真空中加熱処理によつて光電流が大きいまゝでそ
の立上り時間、立下り時を著しく短くすることが
できる。この光センサを用いれば大電流で信号処
理の容易な高速の密着型イメージセンサを作るこ
とができ、その工業的価値は大きい。
真空中加熱処理によつて光電流が大きいまゝでそ
の立上り時間、立下り時を著しく短くすることが
できる。この光センサを用いれば大電流で信号処
理の容易な高速の密着型イメージセンサを作るこ
とができ、その工業的価値は大きい。
図はアルミナ製ボートの断面図である。
１……ボート本体、２……ボートふた、３……
ガラス基板、４……CdS：CdCl2粉末。
ガラス基板、４……CdS：CdCl2粉末。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CdS，CdSeあるいはこれら２種の化合物の
固溶体CdS−CdSeを主体として成り、これに微
量のCuを含んだ薄膜を基板上に形成し、前記薄
膜をCdCl2の蒸気中にて加熱処理して結晶成長と
共に活性化し、電極を形成して後、さらに真空中
において、しかも暗中で加熱処理することを特徴
とする光導電素子の製造方法。 ２ 真空中での加熱処理の温度が120〜200℃であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光導電素子の製造方法。 ３ 真空中での加熱処理の時間が0.25〜４時間で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項に記載の光導電素子の製造方法。 ４ 真空中での熱処理の際の真空度が0.01気圧を
上限とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項〜第３項の何れかに記載の光導電素子の製造方
法。 ５ 真空中において、しかも暗中において加熱処
理する際の照度が10ルツクスを上限とすることを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項の何れ
かに記載の光導電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207413A JPS6184876A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 光導電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207413A JPS6184876A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 光導電素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184876A JPS6184876A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH058593B2 true JPH058593B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16539331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207413A Granted JPS6184876A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 光導電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184876A (ja) |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207413A patent/JPS6184876A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6184876A (ja) | 1986-04-30 |
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