JPH0482267A - 半導体イメージセンサ装置 - Google Patents

半導体イメージセンサ装置

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JPH0482267A
JPH0482267A JP2196462A JP19646290A JPH0482267A JP H0482267 A JPH0482267 A JP H0482267A JP 2196462 A JP2196462 A JP 2196462A JP 19646290 A JP19646290 A JP 19646290A JP H0482267 A JPH0482267 A JP H0482267A
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豊 斉藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光照射された原稿から反射光を受けて電気信号
に変換する半導体イメージセンサ装置に関する。
〔発明の概要〕
本発明は半導体イメージセンサ装置の構造において、配
列されたフォトトランジスタとその受光面と反対側の面
にフォトトランジスタを駆動及び読み出しを行う０Ｍ０
３回路を構成するという構造をとったものであり、そう
することで読み取るための原稿からの距離を大幅に少な
くすることが可能となったものである。
また、前記構造を実現するために貼り合わせＳＯ■技術
を使用したことも本発明の特徴である。
〔従来の技術〕
従来の半導体イメージセンサ装置の断面図を第２図に示
す。配列されたフォトトランジスタと同一面上にそれを
駆動及び読み出しを行うための０Ｍ０３回路が構成され
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記従来の半導体イメージセンサ装置の構造では、この
イメージセンサ装置を読み取りヘッド乙こ実装した場合
においては、読み取りヘッドの回路から前記ＣＭＯ３回
路へ接続するための電極や電線が前記フォトトランジス
タの受光面と同一面側を通るためフォトトランジスタと
原稿との間隔を一定量以下に減少することができないと
いう課題があった。
〔課題を解決するための手段〕
前記課題を解決するため本発明では、透明基体を用いた
貼り合わせＳｏｌ技術を使用し、フォトトランジスタの
受光面を透明基体側に構成し、受光面と反対側の半導体
基板面にフォトトランジスタを駆動及び読み出しを行う
ＣＭＯ３回路を構成するという手段を取った。
（作用〕 前記手段を取ることで、半導体イメージセンサ装置のＣ
ＭＯＳ回路と外部の回路を接続する電極や電線がフォト
トランジスタの受光面と反対側を通るようムこなった。
（実施例〕 以下、本発明を図面に基づいて詳細ムこ説明する。
第１図は本発明の実施例の半導体イメージセンサ装置の
断面図である。
第３図（ａ）〜＋ｈ＋は本発明の実施例の工程順の断面
図である。Ｎ型導電型のシリコン基板３１にＰ型導電型
のウェル３３を形成する（第３図（ａ））。次に素子分
離用Ｓ　ｉ　０２３４を形成する（第３図（ｂ））。次
にフォトトランジスタのヘース領域３７を形成し、Ｎ型
導電型のポリシリコン３８を形成し、熱処理の後エミッ
タ３９が形成される。同時に基板を介して出力を反対側
へ出すためのＮ型拡散層４０が形成される（第３図（Ｃ
））。　次にＣＶＤによるＮ５Ｇ（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ
　Ｓｉｎ□）などの絶縁物４１を堆積する（第３図（ｄ
））。次にエツチングや研磨などで平坦化した面４２を
形成する（第３図（ｅ））。次に石英基板４３などの透
明基体を熱接着する（第３図（ｆ））。しかるのち反対
側面のシリコン基板を研磨した面４４を形成する（第３
図（ｇ））。しかるのちＣＭＯ３回路を形成すべ（通常
の製造工程を経てＰチャネルＭ○Ｓトランジスタ４５や
ＮチャネルＭＯ３）ランジスタ４６などを得る　（第３
図（ｈ））。
〔発明の効果〕
以上説明しできたように、本発明を用いることで以下の
効果が期待できる。
（１）！極や電線が受光側と反対側を通るため原稿との
距離を減少することが可能となった。
（２）電極を受光側と反対側に取れるため、バンプ電極
の形成も可能となり、実装の自由度が大幅に広がる。
（３）　　受光用フォトトランジスタの上面が石英基板
などの透明基体で覆われているため、従来の実装のよう
にボッティング材などを使用する必要がなくなる。
（４）配列フォトトランジスタの各々は絶縁体で分離さ
れているためキャリアの回り込みがなく、イメージセン
サとして良好な性能が得られる。また従来、キャリアの
回り込みは端ビットのフォトトランジスタの特性に大き
く影響しており、性能検査時に問題となっていた。この
問題も本発明で解決することができる。
（５）　　フォ））ランジスタの上面に形成された透明
基体の上面にあらかしめオンチップマイクロレンズなど
を形成しておけば、さらに性能の向上が望める上に、従
来型では実装時にはセルフォックレンズを使用していた
ものが不要になり、大幅な工程源、コスト減が望める。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の半導体イメージセンサ装置の
断面図、第２図は従来の半導体イメージセンサ装置の断
面図、第３図は本発明の実施例の製造工程順の断面図で
ある。 １．２１・・・シリコン基板 ２・・・・・絶縁物 ３、３４．３６・・・素子分離用５ｉ０２４・・・・・
透明基体 ５．２３・・・フォトトランジスタ ６、２４．３９・・・エミッタ ７、２５．３７・・・ヘース ８．２６・・・コレクタ ９・・・・・コレクタ電極用拡散層 １０、３８　　・・エミソタポリシリコン１１・・・・
・エミッタ引出し用拡散層１２．２７．４６・・・Ｎチ
ャネルＭＯ３）ランジスタ１３、２８．４５・・・Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１４・・・・・Ｐ型シリコン １５・・・・・Ｎ型シリコン １Ｇ・・・・・Ｐ型拡散層 １７、４０．４７．５０・・・Ｎ型拡散層１８、２２・
・・パシベーション ２９、３３・・・Ｐウェル ３１・・・・・Ｐ型シリコン基板 ３２・・・・・ＳｉＣ２ ３５・・・・・５ｉＮ ４１・　・　・　・　・　ＣＶＤ　　　Ｎ５Ｇ４３・・
・・・石英基板 ４４・・・・・シリコン研磨面 ４７・・・・・エミッタ電極 ４９・・・・・コレクタ電極 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　林　　敬　之　助 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　配列されたフォトトランジスタを有し、前記フォトト
    ランジスタの受光面側の上方に少なくとも１層の透明基
    体を有し、前記フォトトランジスタのエミッタからの出
    力はフォトトランジスタが構成されている半導体基板を
    介して前記フォトトランジスタの受光面側と反対の面へ
    導き出される構造を有し、前記フォトトランジスタの受
    光面側と反対の面の半導体基板面に前記フォトトランジ
    スタを駆動及び読み出しを行うＣＭＯＳ回路を有するこ
    とを特徴とする半導体イメージセンサ装置。
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