JPH0482839U - - Google Patents
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- JPH0482839U JPH0482839U JP12793390U JP12793390U JPH0482839U JP H0482839 U JPH0482839 U JP H0482839U JP 12793390 U JP12793390 U JP 12793390U JP 12793390 U JP12793390 U JP 12793390U JP H0482839 U JPH0482839 U JP H0482839U
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- semiconductor laser
- manufacturing apparatus
- heating
- laser manufacturing
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- Pending
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Description
第１図はこの考案の一実施例である半導体レー
ザ製造装置の断面図、第２図は従来の半導体レー
ザ製造装置の断面図である。図において、１は２
重水冷の反応管、２は冷却水、１４は単結晶基板
、２１は反応ガスの流れ、１０１は可動な高周波
加熱コイル、１０２は可動な発熱するカーボン製
サセプター、１０３は保持具を示す。なお、図中
、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ザ製造装置の断面図、第２図は従来の半導体レー
ザ製造装置の断面図である。図において、１は２
重水冷の反応管、２は冷却水、１４は単結晶基板
、２１は反応ガスの流れ、１０１は可動な高周波
加熱コイル、１０２は可動な発熱するカーボン製
サセプター、１０３は保持具を示す。なお、図中
、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 反応管内にて基板上に結晶成長を行うＭＯＣＶ
Ｄ装置において、前記反応管に対して相対的に加
熱のための電源と発熱体が移動できるようにした
ことを特徴とする半導体レーザ製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793390U JPH0482839U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793390U JPH0482839U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482839U true JPH0482839U (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=31875415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12793390U Pending JPH0482839U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482839U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013089682A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP12793390U patent/JPH0482839U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013089682A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
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