JPH048667Y2 - - Google Patents

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JPH048667Y2
JPH048667Y2 JP8786782U JP8786782U JPH048667Y2 JP H048667 Y2 JPH048667 Y2 JP H048667Y2 JP 8786782 U JP8786782 U JP 8786782U JP 8786782 U JP8786782 U JP 8786782U JP H048667 Y2 JPH048667 Y2 JP H048667Y2
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phase
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、可変位相回路に関するもので、特に
制御された時の遅れ方向と進み方向の最大制御範
囲をほぼ等しい割合に設定することが出来ると共
に、電圧制御発振器に用いて好適な可変位相回路
に関する。
[Detailed description of the invention] The present invention relates to a variable phase circuit. In particular, the maximum control range in the delay direction and the advance direction when controlled can be set to approximately the same ratio, and it can be used in a voltage controlled oscillator. The present invention relates to a suitable variable phase circuit.

従来の電圧制御発振器に用いた可変位相回路の
回路例は第1図に示すように電源端子1、共振回
、第1第2の差動増幅器,移相回路
5、第3の差動増幅器、制御入力端子7、バイ
アス8、出力端子9より構成されている。
A circuit example of a variable phase circuit used in a conventional voltage controlled oscillator is as shown in FIG. It is composed of a differential amplifier 6 , a control input terminal 7, a bias 8, and an output terminal 9.

ここで、第1の差動増幅器の構成素子である
トランジスタQ2と、第2の差動増幅器の構成
素子であるトランジスタQ4のコレクタ交点の電
流信号は、第1の差動増幅器の構成素子である
トランジスタQ1のベースに現われる信号をA、
移相回路により、位相シフトされて、第1第2
の差動増幅器の構成素子であるトランジス
タQ2Q3のベースに現われる信号をB、第1第2
差動増幅器の構成素子だえるトランジスタ
Q1Q2及びトランジスタQ3Q4のエミツタ微分抵抗
をγe1,γe2とすれば(B−A)/γe1−B/γe2
なる。
Here, the current signal at the intersection of the collectors of the transistor Q 2 which is a component of the first differential amplifier 3 and the transistor Q 4 which is a component of the second differential amplifier 4 is The signal appearing at the base of transistor Q1 , which is a component of
The phase is shifted by the phase shift circuit 5 , and the first and second
The signal appearing at the base of the transistor Q 2 Q 3 , which is a constituent element of the differential amplifiers 3 and 4 , is denoted by B, the first and second
Transistors used as constituent elements of differential amplifiers 3 and 4
If the emitter differential resistances of Q 1 Q 2 and transistor Q 3 Q 4 are γe 1 and γe 2 , then (B-A)/γe 1 -B/γe 2 is obtained.

次に第3の差動増幅器の構成素子であるトラ
ンジスタQ5とQ6のバランスがとれているときは
トランジスタQ1Q2及びトランジスタQ3Q4のエミ
ツタ微分抵抗γe1、γe2は同じ値となり、第1及び
第2の差動増幅器の構成素子であるトラン
ジスタQ2Q4のコレクタに現われる合成電流を図
示すると、第2図aのようになり、トランジスタ
Q2とQ4のコレクタに現われる合成電流位相の可
変範囲は−Aを中心としてB−Aから−Bまでで
ある。
Next, when the transistors Q 5 and Q 6 , which are the constituent elements of the third differential amplifier 6 , are balanced, the emitter differential resistances γe 1 and γe 2 of the transistors Q 1 Q 2 and Q 3 Q 4 are the same. Figure 2a shows the composite current appearing in the collector of the transistor Q 2 Q 4 which is a constituent element of the first and second differential amplifiers 3 and 4 .
The variable range of the composite current phase appearing at the collectors of Q 2 and Q 4 is from B-A to -B with -A as the center.

第1図の回路のIC化を行なう際に、比較的周
波数の低い電圧制御発振器を構成したい場合には
差動増幅器のバイアス安定化という点より位相回
路中の抵抗Rをあまり大きく出来ず、位相回路中
のコンデンサCの値を大きくしなければならない
という欠点が生じ、前記コンデンサをIC化する
場合にはICのペレツト面積の拡大につながり問
題であつた。そこで、例えばBの移相量を小さく
すると、第2図bに示す様に、−Aを中心として
可変範囲がアンバランスとなり問題であつた。
When converting the circuit shown in Figure 1 into an IC, if you want to configure a voltage-controlled oscillator with a relatively low frequency, the resistance R in the phase circuit cannot be made too large in order to stabilize the bias of the differential amplifier. A drawback arises in that the value of the capacitor C in the circuit must be increased, and when the capacitor is integrated into an IC, this leads to an increase in the pellet area of the IC, which is a problem. Therefore, for example, if the amount of phase shift of B is made small, the variable range becomes unbalanced around -A as shown in FIG. 2b, which is a problem.

本考案は上記欠点を除去したものであり、以下
図面と共に第3図に示す本考案の一実施例につき
説明する。説明するにあたつて、第1図との対応
部分には同一図番を付してこれを行う。即ち、第
1図の回路において、第1の差動増幅器の構成
素子であるトランジスタQ1のベースより第2の
差動増幅器の構成素子であるトランジスタQ4
のベースに抵抗10を接続し、その抵抗をバイア
ス抵抗8と例えば同じ値にする。すると、バイア
ス抵抗8と、第1の差動増幅器の構成素子であ
るトランジスタQ1のベースより、バイアス抵抗
8との間に設けられた抵抗10とにより、第2の
差動増幅器の構成素子であるトランジスタQ4
のベースに1/2Aというベース信号が現われる。
そして第1第2の差動増幅器の構成素子で
あるトランジスタQ2及びQ4のコレクタの交点の
電流信号は (B−A)−B+1/2A=−1/2Aを中心として B−Aから1/2A−Bまでの間の可変範囲(第4 図においてθ=±60°程度)を得ることができる。
トランジスタQ2及びQ4のコレクタの交点の電流
信号を図示すれば、第4図のようになる。
The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks, and an embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described below with reference to the drawings. In the explanation, parts corresponding to those in FIG. 1 will be given the same figure numbers. That is, in the circuit of FIG. 1, the base of the transistor Q 1 , which is a component of the first differential amplifier 3 , is connected to the base of the transistor Q 4 , which is a component of the second differential amplifier 4 .
A resistor 10 is connected to the base of the bias resistor 8, and the resistor is set to have the same value as the bias resistor 8, for example. Then, the structure of the second differential amplifier 4 is changed by the bias resistor 8 and the resistor 10 provided between the bias resistor 8 and the base of the transistor Q 1 which is a component of the first differential amplifier 3 . Transistor Q 4 which is an element
A base signal of 1/2A appears at the base of.
The current signal at the intersection of the collectors of transistors Q 2 and Q 4 , which are the constituent elements of the first and second differential amplifiers 3 and 4 , is B- centered around (B-A)-B+1/2A=-1/2A. A variable range from A to 1/2A-B (θ=about ±60° in FIG. 4) can be obtained.
The current signal at the intersection of the collectors of transistors Q 2 and Q 4 is illustrated in FIG. 4.

ところで、第3図の説明においては抵抗10と
バイアス抵抗8との抵抗値が等しい場合について
説明したが、これは移相回路の移相量に応じて
定まるものであり、例えば第4図の場合より移相
量が小であるならば、それに応じてバイアス抵抗
8の値を抵抗10の値に比べ大に設定すれば良
い。
Incidentally, in the explanation of FIG. 3, the case where the resistance values of the resistor 10 and the bias resistor 8 are equal was explained, but this is determined depending on the amount of phase shift of the phase shift circuit 5 , and for example, as shown in FIG. If the amount of phase shift is smaller than the case, the value of the bias resistor 8 may be set larger than the value of the resistor 10 accordingly.

尚、第3図の実施例においては本考案の可変位
相回路を電圧制御発振回路に用いた場合について
説明したが、本考案はこれに限定されるものでな
く共振回路の替りに抵抗などの負荷を用いて通
常の移相回路としても用いることが出来る。
In the embodiment shown in FIG. 3, a case has been described in which the variable phase circuit of the present invention is used in a voltage controlled oscillation circuit, but the present invention is not limited to this, and instead of the resonant circuit 2 , a resistor etc. It can also be used as a normal phase shift circuit by using a load.

以上の様に、本考案においては、第1の差動増
幅器の一方のトランジスタのベースと、第2の差
動増幅器の一方のトランジスタのバイアス抵抗と
の間に抵抗を接続することにより、移相回路を介
して位相シフトした信号の移相量が少ないときで
も十分な位相可変範囲を得る事ができるという利
点をもつ。
As described above, in the present invention, phase shifting is achieved by connecting a resistor between the base of one transistor of the first differential amplifier and the bias resistor of one transistor of the second differential amplifier. This has the advantage that a sufficient phase variable range can be obtained even when the amount of phase shift of the signal phase-shifted via the circuit is small.

更に比較的周波数が低い場合にも差動のバイア
スの安定化が図れ、このため移相回路をIC内に
内蔵しPin数を減少させることができる。
Furthermore, differential bias can be stabilized even when the frequency is relatively low, and for this reason, the phase shift circuit can be built into the IC and the number of pins can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、電圧制御発振器に用いた従来の可変
位相回路の一実施例を示し、第2図a,bは、第
1図の第1第2の差動増幅器の各々一方のトラン
ジスタのコレクタ交点に現われる合成電流ベクト
ル図、第3図は、本考案の電圧制御発振器に用い
た可変位相回路の一実施例を示し、第4図は第3
図の第1第2の差動増幅器の各々一方のトランジ
スタの共通コレクタに現われる合成電流ベクトル
図を示す。 主な図番の説明、1……電源端子、……共振
回路、……第1差動増幅器、……第2差動増
幅器、……移相回路、……第3差動増幅器、
7……制御入力端子、8……バイアス抵抗、9…
…出力端子、10……抵抗。
FIG. 1 shows an example of a conventional variable phase circuit used in a voltage controlled oscillator, and FIGS. 2a and 2b show collectors of one transistor in each of the first and second differential amplifiers in FIG. Figure 3 shows an example of the variable phase circuit used in the voltage controlled oscillator of the present invention, and Figure 4 shows the composite current vector diagram that appears at the intersection.
FIG. 6 shows a composite current vector diagram appearing at the common collector of one transistor of each of the first and second differential amplifiers shown in the figure. Explanation of main figure numbers, 1...Power terminal, 2 ...Resonant circuit, 3 ...First differential amplifier, 4 ...Second differential amplifier, 5 ...Phase shift circuit, 6 ...Third difference dynamic amplifier,
7... Control input terminal, 8... Bias resistor, 9...
...output terminal, 10...resistance.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] エミツタが共通接続された第1及び第2トラン
ジスタから成り、入力信号が前記第1トランジス
タのベースに印加される第1差動増幅器と、前記
第2のトランジスタのベースにベースが接続され
た第3トランジスタ及び該第3トランジスタのエ
ミツタにエミツタが接続された第4トランジスタ
から成る第2差動増幅器と、前記第1トランジス
タのベースと前記第2及び第3トランジスタの共
通ベースとの間に接続された移相回路と、バイア
ス抵抗を介して前記第4トランジスタのベースに
バイアスを加える基準電圧源と、前記第1及び第
3トランジスタの共通コレクタに接続された電源
と、前記第1及び第2差動増幅器の共通エミツタ
に流す電流の分流比を制御して出力信号の位相を
変化させる第3差動増幅器とから成る可変位相回
路において、前記第1トランジスタのベースと前
記第4トランジスタのベースとの間に移相制御用
抵抗を設け、前記移相回路の移相量に応じて前記
バイアス抵抗と前記移相制御用抵抗とを出力信号
の移相変化範囲が進み範囲と遅れ範囲で等しくな
るように抵抗比を設定し、前記第2及び第4トラ
ンジスタの共通コレクタから移相を行なつた出力
信号を導出するようにしたことを特徴とする可変
位相回路。
a first differential amplifier comprising first and second transistors whose emitters are commonly connected, an input signal being applied to the base of the first transistor; and a third differential amplifier whose base is connected to the base of the second transistor. a second differential amplifier comprising a transistor and a fourth transistor whose emitter is connected to the emitter of the third transistor; and a second differential amplifier connected between the base of the first transistor and the common base of the second and third transistors. a phase shift circuit, a reference voltage source that applies a bias to the base of the fourth transistor via a bias resistor, a power supply connected to a common collector of the first and third transistors, and the first and second differential transistors; between the base of the first transistor and the base of the fourth transistor in a variable phase circuit comprising a third differential amplifier that changes the phase of the output signal by controlling the shunt ratio of the current flowing to the common emitter of the amplifier. A phase shift control resistor is provided in the phase shift circuit, and the bias resistor and the phase shift control resistor are connected in accordance with the amount of phase shift of the phase shift circuit so that the phase shift change range of the output signal is equal in the lead range and the delay range. A variable phase circuit characterized in that a resistance ratio is set and a phase-shifted output signal is derived from a common collector of the second and fourth transistors.
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