JPH048667Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH048667Y2 JPH048667Y2 JP8786782U JP8786782U JPH048667Y2 JP H048667 Y2 JPH048667 Y2 JP H048667Y2 JP 8786782 U JP8786782 U JP 8786782U JP 8786782 U JP8786782 U JP 8786782U JP H048667 Y2 JPH048667 Y2 JP H048667Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- base
- phase shift
- differential amplifier
- phase
- Prior art date
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- Expired
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、可変位相回路に関するもので、特に
制御された時の遅れ方向と進み方向の最大制御範
囲をほぼ等しい割合に設定することが出来ると共
に、電圧制御発振器に用いて好適な可変位相回路
に関する。
制御された時の遅れ方向と進み方向の最大制御範
囲をほぼ等しい割合に設定することが出来ると共
に、電圧制御発振器に用いて好適な可変位相回路
に関する。
従来の電圧制御発振器に用いた可変位相回路の
回路例は第１図に示すように電源端子１、共振回
路２、第１第２の差動増幅器３，４，移相回路
５、第３の差動増幅器６、制御入力端子７、バイ
アス８、出力端子９より構成されている。
回路例は第１図に示すように電源端子１、共振回
路２、第１第２の差動増幅器３，４，移相回路
５、第３の差動増幅器６、制御入力端子７、バイ
アス８、出力端子９より構成されている。
ここで、第１の差動増幅器３の構成素子である
トランジスタQ2と、第２の差動増幅器４の構成
素子であるトランジスタQ4のコレクタ交点の電
流信号は、第１の差動増幅器３の構成素子である
トランジスタQ1のベースに現われる信号をＡ、
移相回路５により、位相シフトされて、第１第２
の差動増幅器３，４の構成素子であるトランジス
タQ2Q3のベースに現われる信号をＢ、第１第２
差動増幅器３，４の構成素子だえるトランジスタ
Q1Q2及びトランジスタQ3Q4のエミツタ微分抵抗
をγe1，γe2とすれば（Ｂ−Ａ）／γe1−Ｂ／γe2と
なる。
トランジスタQ2と、第２の差動増幅器４の構成
素子であるトランジスタQ4のコレクタ交点の電
流信号は、第１の差動増幅器３の構成素子である
トランジスタQ1のベースに現われる信号をＡ、
移相回路５により、位相シフトされて、第１第２
の差動増幅器３，４の構成素子であるトランジス
タQ2Q3のベースに現われる信号をＢ、第１第２
差動増幅器３，４の構成素子だえるトランジスタ
Q1Q2及びトランジスタQ3Q4のエミツタ微分抵抗
をγe1，γe2とすれば（Ｂ−Ａ）／γe1−Ｂ／γe2と
なる。
次に第３の差動増幅器６の構成素子であるトラ
ンジスタQ5とQ6のバランスがとれているときは
トランジスタQ1Q2及びトランジスタQ3Q4のエミ
ツタ微分抵抗γe1、γe2は同じ値となり、第１及び
第２の差動増幅器３，４の構成素子であるトラン
ジスタQ2Q4のコレクタに現われる合成電流を図
示すると、第２図ａのようになり、トランジスタ
Q2とQ4のコレクタに現われる合成電流位相の可
変範囲は−Ａを中心としてＢ−Ａから−Ｂまでで
ある。
ンジスタQ5とQ6のバランスがとれているときは
トランジスタQ1Q2及びトランジスタQ3Q4のエミ
ツタ微分抵抗γe1、γe2は同じ値となり、第１及び
第２の差動増幅器３，４の構成素子であるトラン
ジスタQ2Q4のコレクタに現われる合成電流を図
示すると、第２図ａのようになり、トランジスタ
Q2とQ4のコレクタに現われる合成電流位相の可
変範囲は−Ａを中心としてＢ−Ａから−Ｂまでで
ある。
第１図の回路のIC化を行なう際に、比較的周
波数の低い電圧制御発振器を構成したい場合には
差動増幅器のバイアス安定化という点より位相回
路中の抵抗Ｒをあまり大きく出来ず、位相回路中
のコンデンサＣの値を大きくしなければならない
という欠点が生じ、前記コンデンサをIC化する
場合にはICのペレツト面積の拡大につながり問
題であつた。そこで、例えばＢの移相量を小さく
すると、第２図ｂに示す様に、−Ａを中心として
可変範囲がアンバランスとなり問題であつた。
波数の低い電圧制御発振器を構成したい場合には
差動増幅器のバイアス安定化という点より位相回
路中の抵抗Ｒをあまり大きく出来ず、位相回路中
のコンデンサＣの値を大きくしなければならない
という欠点が生じ、前記コンデンサをIC化する
場合にはICのペレツト面積の拡大につながり問
題であつた。そこで、例えばＢの移相量を小さく
すると、第２図ｂに示す様に、−Ａを中心として
可変範囲がアンバランスとなり問題であつた。
本考案は上記欠点を除去したものであり、以下
図面と共に第３図に示す本考案の一実施例につき
説明する。説明するにあたつて、第１図との対応
部分には同一図番を付してこれを行う。即ち、第
１図の回路において、第１の差動増幅器３の構成
素子であるトランジスタQ1のベースより第２の
差動増幅器４の構成素子であるトランジスタQ4
のベースに抵抗１０を接続し、その抵抗をバイア
ス抵抗８と例えば同じ値にする。すると、バイア
ス抵抗８と、第１の差動増幅器３の構成素子であ
るトランジスタQ1のベースより、バイアス抵抗
８との間に設けられた抵抗１０とにより、第２の
差動増幅器４の構成素子であるトランジスタQ4
のベースに1/2Ａというベース信号が現われる。
そして第１第２の差動増幅器３，４の構成素子で
あるトランジスタQ2及びQ4のコレクタの交点の
電流信号は （Ｂ−Ａ）−Ｂ＋１／２Ａ＝−１／２Ａを中心として Ｂ−Ａから１／２Ａ−Ｂまでの間の可変範囲（第４ 図においてθ＝±60°程度）を得ることができる。
トランジスタQ2及びQ4のコレクタの交点の電流
信号を図示すれば、第４図のようになる。
図面と共に第３図に示す本考案の一実施例につき
説明する。説明するにあたつて、第１図との対応
部分には同一図番を付してこれを行う。即ち、第
１図の回路において、第１の差動増幅器３の構成
素子であるトランジスタQ1のベースより第２の
差動増幅器４の構成素子であるトランジスタQ4
のベースに抵抗１０を接続し、その抵抗をバイア
ス抵抗８と例えば同じ値にする。すると、バイア
ス抵抗８と、第１の差動増幅器３の構成素子であ
るトランジスタQ1のベースより、バイアス抵抗
８との間に設けられた抵抗１０とにより、第２の
差動増幅器４の構成素子であるトランジスタQ4
のベースに1/2Ａというベース信号が現われる。
そして第１第２の差動増幅器３，４の構成素子で
あるトランジスタQ2及びQ4のコレクタの交点の
電流信号は （Ｂ−Ａ）−Ｂ＋１／２Ａ＝−１／２Ａを中心として Ｂ−Ａから１／２Ａ−Ｂまでの間の可変範囲（第４ 図においてθ＝±60°程度）を得ることができる。
トランジスタQ2及びQ4のコレクタの交点の電流
信号を図示すれば、第４図のようになる。
ところで、第３図の説明においては抵抗１０と
バイアス抵抗８との抵抗値が等しい場合について
説明したが、これは移相回路５の移相量に応じて
定まるものであり、例えば第４図の場合より移相
量が小であるならば、それに応じてバイアス抵抗
８の値を抵抗１０の値に比べ大に設定すれば良
い。
バイアス抵抗８との抵抗値が等しい場合について
説明したが、これは移相回路５の移相量に応じて
定まるものであり、例えば第４図の場合より移相
量が小であるならば、それに応じてバイアス抵抗
８の値を抵抗１０の値に比べ大に設定すれば良
い。
尚、第３図の実施例においては本考案の可変位
相回路を電圧制御発振回路に用いた場合について
説明したが、本考案はこれに限定されるものでな
く共振回路２の替りに抵抗などの負荷を用いて通
常の移相回路としても用いることが出来る。
相回路を電圧制御発振回路に用いた場合について
説明したが、本考案はこれに限定されるものでな
く共振回路２の替りに抵抗などの負荷を用いて通
常の移相回路としても用いることが出来る。
以上の様に、本考案においては、第１の差動増
幅器の一方のトランジスタのベースと、第２の差
動増幅器の一方のトランジスタのバイアス抵抗と
の間に抵抗を接続することにより、移相回路を介
して位相シフトした信号の移相量が少ないときで
も十分な位相可変範囲を得る事ができるという利
点をもつ。
幅器の一方のトランジスタのベースと、第２の差
動増幅器の一方のトランジスタのバイアス抵抗と
の間に抵抗を接続することにより、移相回路を介
して位相シフトした信号の移相量が少ないときで
も十分な位相可変範囲を得る事ができるという利
点をもつ。
更に比較的周波数が低い場合にも差動のバイア
スの安定化が図れ、このため移相回路をIC内に
内蔵しPin数を減少させることができる。
スの安定化が図れ、このため移相回路をIC内に
内蔵しPin数を減少させることができる。
第１図は、電圧制御発振器に用いた従来の可変
位相回路の一実施例を示し、第２図ａ，ｂは、第
１図の第１第２の差動増幅器の各々一方のトラン
ジスタのコレクタ交点に現われる合成電流ベクト
ル図、第３図は、本考案の電圧制御発振器に用い
た可変位相回路の一実施例を示し、第４図は第３
図の第１第２の差動増幅器の各々一方のトランジ
スタの共通コレクタに現われる合成電流ベクトル
図を示す。 主な図番の説明、１……電源端子、２……共振
回路、３……第１差動増幅器、４……第２差動増
幅器、５……移相回路、６……第３差動増幅器、
７……制御入力端子、８……バイアス抵抗、９…
…出力端子、１０……抵抗。
位相回路の一実施例を示し、第２図ａ，ｂは、第
１図の第１第２の差動増幅器の各々一方のトラン
ジスタのコレクタ交点に現われる合成電流ベクト
ル図、第３図は、本考案の電圧制御発振器に用い
た可変位相回路の一実施例を示し、第４図は第３
図の第１第２の差動増幅器の各々一方のトランジ
スタの共通コレクタに現われる合成電流ベクトル
図を示す。 主な図番の説明、１……電源端子、２……共振
回路、３……第１差動増幅器、４……第２差動増
幅器、５……移相回路、６……第３差動増幅器、
７……制御入力端子、８……バイアス抵抗、９…
…出力端子、１０……抵抗。
Claims (1)
- エミツタが共通接続された第１及び第２トラン
ジスタから成り、入力信号が前記第１トランジス
タのベースに印加される第１差動増幅器と、前記
第２のトランジスタのベースにベースが接続され
た第３トランジスタ及び該第３トランジスタのエ
ミツタにエミツタが接続された第４トランジスタ
から成る第２差動増幅器と、前記第１トランジス
タのベースと前記第２及び第３トランジスタの共
通ベースとの間に接続された移相回路と、バイア
ス抵抗を介して前記第４トランジスタのベースに
バイアスを加える基準電圧源と、前記第１及び第
３トランジスタの共通コレクタに接続された電源
と、前記第１及び第２差動増幅器の共通エミツタ
に流す電流の分流比を制御して出力信号の位相を
変化させる第３差動増幅器とから成る可変位相回
路において、前記第１トランジスタのベースと前
記第４トランジスタのベースとの間に移相制御用
抵抗を設け、前記移相回路の移相量に応じて前記
バイアス抵抗と前記移相制御用抵抗とを出力信号
の移相変化範囲が進み範囲と遅れ範囲で等しくな
るように抵抗比を設定し、前記第２及び第４トラ
ンジスタの共通コレクタから移相を行なつた出力
信号を導出するようにしたことを特徴とする可変
位相回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8786782U JPS58189612U (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 可変位相回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8786782U JPS58189612U (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 可変位相回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189612U JPS58189612U (ja) | 1983-12-16 |
| JPH048667Y2 true JPH048667Y2 (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=30096562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8786782U Granted JPS58189612U (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 可変位相回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189612U (ja) |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP8786782U patent/JPS58189612U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58189612U (ja) | 1983-12-16 |
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