JPH0486711A - 半導体レーザモジユール - Google Patents

半導体レーザモジユール

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Publication number
JPH0486711A
JPH0486711A JP20116790A JP20116790A JPH0486711A JP H0486711 A JPH0486711 A JP H0486711A JP 20116790 A JP20116790 A JP 20116790A JP 20116790 A JP20116790 A JP 20116790A JP H0486711 A JPH0486711 A JP H0486711A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
optical fiber
lens
pellet
shape
Prior art date
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Pending
Application number
JP20116790A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeta Ishikawa
石川 重太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0486711A publication Critical patent/JPH0486711A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体レーザとレンズと光ファイバとを結合
させて一体化され光通信用光源に用いられる半導体レー
ザモジュールに係わり、特にその結合用レンズの構造に
閃するものである。
[従来の技術] 近年、光通信用の光ファイバとしては、幹線系における
大量需要による低価格化および将来の大容量化に対する
自由度が大きいなとの理由により、支線系、加入者系に
おいてまでマルチモードファイバよりシングルモードフ
ァイバが主流になりつつある。支線系、加入者系におい
ては、幹線系とは異なり、通常、中継を行わず、ネット
ワークの末端に位置するため、伝送距離が比較的短い上
にその偏差が大である。また、回線の多重度が低いため
、低価格の要求が大である。そのために支線系、加入者
系伝送方式は、長区間、単区間の2方式に分離してコス
ト的に最適設計される。単区間方式用光源としては、高
速で単一モードファイバへの結合特性が良く、将来的に
低コストが予測される半導体レーザ(以下LDと称する
)が主流となりつつある。単区間方式用LDモジュール
の光出力は、長区間用に比べて約10dB以上低くても
良い。そのため、従来、この種のLDモジュールには、
高い結合効率は得られないが、第5図に示すようにLD
ペレット1と光ファイバ2との結合用に低価格な球レン
ズ3が用いられいた。
[発明が解決しよとする課題] しかしながら、従来のLDペレット1と、球レンズ3と
、光ファイバ2とから構成される結合系では、結合損失
の、LDベレット1および光ファイバ2の位置ずれ感度
特性が厳しい。そのため、LDベレット1または光ファ
イバ2の位置調整に時間を要するとともに溶接などによ
る固定時の軸ずれにより、結合損失の個体差が大きくな
る。この軸ずれは、結合損失の温度特性や経時安定性を
劣化させる要因となっていた。したがって従来の部品の
位置固定精度が厳しい結合系を有するLDモジュールは
、自動組み立て化による生産性向上、特性の均一化およ
び安定化が困難であった。
[課題を解決するための手段] このような課題を解決するために本発明による半導体レ
ーザモジュールは、レンズの少なくとも1つの端面の形
状を、対称な凸形曲線の中心’jilt ’x回転軸か
ら平行・、こ移動して形成さ4しる回転本形状としたも
のである。
[作用コ 本発明においては、レンズの少なくとも1つの端面形状
を回転体形状としたことにより、焦点か1点とならず、
円形状となり、光ビームの集束部における光パワー密度
の強度分布はピークの平坦な広範囲にわたる均一な分布
となる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による半導体レーザモジュールの一実施
例による構成を説明する図である。同図において、LD
ベレット1の出射ビームが高収差レンズ4により、光フ
ァイバ2に結合されている。この高収差レンズ4は、レ
ンズの端面の少なくとも一方、この場合、レンズの両面
側が対称な凸形曲線の中心軸を回転軸からずらして得ら
れる回転体形状を有して形成されている。
次にこの高収差レンズ4による結合系の原理を第2図お
よび第3図を用いて説明する。
従来の球レンズ3の焦点は、−点に存在するが、本実施
例の高収差レンズ4では、焦点は一点とはなちず、円形
状となる。その結果、光ビームの集束部における光パワ
ー密度の強度分布は第2図に示すようになり、従来レン
ズ3の場合のガウシャンに対してピークの平坦な広い範
囲にわたり均一な分布となる。この結果、LDペレ・ソ
ト1と光ファイバ2との結合損失の、LDベレット1ま
たは光ファイバ2の光軸に垂直方向(x、y)の位置ず
れ特性は、第3図に示すように最低結合損失は大きいが
、平坦領域の広い特性となる。
第4図は本発明による半導体レーザモジュールの具体的
な構成を示す断面図である。同図において、LDベレッ
ト1は、LDパッケージ5内に気密封止されている。光
フアイバ芯線6はフェルール7内に挿入、接着され、こ
のフェルール7および光フアイバ芯線6の端面は近端反
射光のLDペレット1への再注入を抑制するために斜め
に研磨されている。フェルール7はねじ8によりホルダ
9の貫通穴に機械的に固定されている。高収差レンズ4
はガラスモールディングで製作されており、ホルダ9の
貫通穴内に低融点ガラスなどにより固定されている。組
み立ては、LDパツゲーン5の鍔部をホルダ9の端面に
突き当てながらLDパッケージ5のx、y方向の位置調
整を行い、最適位置で鍔部をホルダ9の端面にYAGレ
ーザ溶接により固定する。ここで高収差レンズ4として
は、直径的2.5mmの円の中心を回転軸に対して約1
0μm偏心させた回転体となるように製作したところ、
結合損失が約1dB増大するx、 y方向のLDベレッ
ト1の位置許容幅が約20μmとなり、従来の約5倍に
緩和された。この結果からLDモジュールの生産性向上
に効果があることが確認された。
[発明の効果] 以上、説明したように本発明による半導体レーザモジュ
ールは、半導体レーザと光ファイバとの結合に少なくと
も一端面を対称な凸形曲線の中心軸を回転軸からずらせ
て得られる回転体形状とした高収差レンズを用いること
により、半導体レーザまたは光ファイバの必要な位置固
定精度が緩和される。その結果、半導体レーザモジュー
ルの自動組み立てが容易となり、生産性の格段の向上。
初期特性の均一化、経時的安定性の向上などの効果が得
られる。したがって本発明による半導体レーザモジュー
ルは、特に高出力が不要で低価格の要求の厳しい加入者
用半導体レーザモジュールの低価格化、高信頼化を実現
できるため、加入者用光通信装置の実用化、大量生産の
促進に貢献できるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体レーザモジュールの一実施
例による構成を示す図、第2図は従来および本発明によ
る半導体レーザモジュールのビーム集束部における光パ
ワー密度の強度分布を示す図、第3図は従来および本発
明による半導体レーザモジュールの結合損失の光ファイ
バの軸ずれに対する特性を示す図、第4図は本発明によ
る半導体レーザモジュールの具体的な構成を示す断面図
、第5図は従来の半導体レーザモジュールの構成を示す
図である。 1・・、・LDベレ・ソト、2・・・・光ファイバ、4
・・・・高収差レンズ、5・・・・LDバッゲージ、6
・・・・光フアイバ芯線、7・・−フェルール、8・・
・・ねじ、9・・・・ホルダ。 特許出願人   日本電気株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザと、光ファイバと、該半導体レーザと光フ
    ァイバとを結合する少なくとも1個のレンズとから構成
    される半導体レーザモジュールにおいて、前記レンズの
    少なくとも1つの端面の形状を、対称な凸形曲線の中心
    軸を回転軸から平行に移動して形成される回転体形状と
    したことを特徴とする半導体レーザモジュール。
JP20116790A 1990-07-31 1990-07-31 半導体レーザモジユール Pending JPH0486711A (ja)

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JP20116790A JPH0486711A (ja) 1990-07-31 1990-07-31 半導体レーザモジユール

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JP20116790A JPH0486711A (ja) 1990-07-31 1990-07-31 半導体レーザモジユール

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ID=16436481

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JP20116790A Pending JPH0486711A (ja) 1990-07-31 1990-07-31 半導体レーザモジユール

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06118284A (ja) * 1992-10-02 1994-04-28 Alps Electric Co Ltd 光結合装置
JP2023084982A (ja) * 2021-12-08 2023-06-20 株式会社エンプラス 光レセプタクルおよび光モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5028344A (ja) * 1973-07-13 1975-03-22
JPH02101405A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Nec Corp 半導体レーザモジュール
JPH02130985A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Nec Corp 半導体レーザモジュール

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