JPS6320392B2 - - Google Patents
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- JPS6320392B2 JPS6320392B2 JP9622281A JP9622281A JPS6320392B2 JP S6320392 B2 JPS6320392 B2 JP S6320392B2 JP 9622281 A JP9622281 A JP 9622281A JP 9622281 A JP9622281 A JP 9622281A JP S6320392 B2 JPS6320392 B2 JP S6320392B2
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
この発明は半導体レーザの光を単一モード光フ
アイバへ効率よく結合させる単一モード光フアイ
バ用半導体レーザ結合器に関するものである。 半導体レーザ(LD)の光を単一モード光フア
イバ(SMF)へ効率よく結合させる結合法は大
別すると、(a)直径20μm程度の微小円柱又は球レ
ンズだけを用いる方法、(b)単一モード光フアイバ
の入射位置に微小円柱又は球レンズを設ける方
法、(c)焦点距離の異る2種のレンズを共焦点に組
合せる方法(共焦点複数レンズ系と称する)等に
分けられる。第1図に各々の結合系を示す。即ち
第1図Aは(a)の方法を示し、半導体レーザ1と、
単一モード光フアイバ2との間に微小レンズ4を
配して、半導体レーザ1からの光を光フアイバ2
のコア3の入射端面に入射させている。第1図B
は(b)の方法を示し、光フアイバ2の入射端が徐々
に先細にされ、その先端に微小レンズ5が一体に
形成されている。第1図Cは(c)の方法を示し、半
導体レーザ1と光フアイバ2との間に、レンズ6
及び7が配されている。 (a)及び(b)の方法では微小レンズやレンズ付光フ
アイバの光軸に垂直方向の許容軸ずれ量が極めて
小さく、実際に結合器を製作する上では大きなネ
ツクとなつていた。例えば、結合効率を最大値か
ら1dB以内の劣化に抑えるためには±0.6μm以内
の精度で軸合せを実現する必要がある。一方、(c)
の方法は前記の微小レンズに要求される精度を緩
和するために考えられた方法であつて、使用する
レンズの固定精度は±40μmまで緩和され、実際
に半導体レーザと単一モード光フアイバとを結合
させた半導体レーザモジユールの製作が極めて容
易になつた。しかしながら、光フアイバの固定精
度は±2〜3μmと相変らず厳しい精度が要求さ
れており、この精度を緩和しない限り、多モード
光フアイバ用の半導体レーザ結合器と同等の低価
格化は望めなかつた。 この発明は共焦点複合レンズ系において、単一
モード光フアイバの固定精度を大幅に緩和するよ
うに工夫し、半導体レーザ結合器の製作性を著し
く向上させたもので、以下に図面を用いて詳細に
説明する。 先ず従来の共焦点複合レンズ系について説明す
る。第2図に共焦点複合レンズ系の原理図を示
す。図中の矢印8は半導体レーザの発光端面の位
置、矢印9は単一モード光フアイバの入射端面の
位置をそれぞれ示す。第1レンズ6は半導体レー
ザの端面位置8からほゞ第1レンズ6の焦点距離
f1だけ離れており、第2レンズ7(焦点距離f2)
と第1レンズ6との距離は両者の焦点距離の和
(f1+f2)であり、光フアイバの入射面の位置9
は第2レンズ7とf2だけ離れている。 このようなレンズ系をとると、半導体レーザの
発光直径(スポツトサイズ)2W0はレンズ系焦点
距離の比(f2/f1)だけ拡大され、光フアイバの
入射面の位置9に、スポツトサイズの直径2W2が
2W2=2W0×(f2/f1)の像を結ぶ。従つて光フア
イバの導波光ビームの半径をWfとする時、f2/f1
とWf/W0とがほゞ等しくなるようにする。実際
には半導体レーザ1の接合面でのレーザビーム
は、その接合面に垂直方向のビームウエイストに
おけるビーム半径Wvと、平行方向のビームウエ
イストにおけるビーム半径Wpとは異なり、接合
面での等価的ビーム半径として√v・pでW0
が定義される。このビーム変換はレンズ系の焦点
距離の比にのみ依存するので、半導体レーザのス
ポツトサイズW0=1μm、光フアイバのスポツト
サイズWf=5μmとすると、f2/f1=5のレンズの
組合せを使用すればよく、f1、f2の値そのものに
は制限がない。 例えば第2レンズ7として市販の集束形ロツド
レンズ(屈折率分布が中心軸からの距離xの2乗
に比例して減少している円柱状のガラスロツドで
レンズ作用を有するものである。屈折率分布をn
(r)=n0(1−α2/2r2)とおくと、長さLのロツ
ド レンズの焦点距離fはf(L)=1/(n0αsinαL)、
ピツチ長LpはLp=2π/αで定義される。)(直径
1.8mm、約1/5ピツチ長)を用いるとf2=2.2mmとな
る。したがつて第1レンズ6はf1=440μmが最適
となる。第1レンズ6としては通常サフアイア、
ルビー、YAG又はガラス等で作つた球レンズで、
その外径は0.7〜1.0mmのものを使用する。 次にこの従来の共焦点複合レンズ系における軸
ずれ特性について説明する。半導体レーザと単一
モード光フアイバとを一体化した結合器を製作す
る上では各レンズの固定精度と光フアイバの固定
精度とを明らかにする必要がある。表1に最適値
から1dB以内の劣化に抑えるための各光学素子の
固定精度を示す。
アイバへ効率よく結合させる単一モード光フアイ
バ用半導体レーザ結合器に関するものである。 半導体レーザ(LD)の光を単一モード光フア
イバ(SMF)へ効率よく結合させる結合法は大
別すると、(a)直径20μm程度の微小円柱又は球レ
ンズだけを用いる方法、(b)単一モード光フアイバ
の入射位置に微小円柱又は球レンズを設ける方
法、(c)焦点距離の異る2種のレンズを共焦点に組
合せる方法(共焦点複数レンズ系と称する)等に
分けられる。第1図に各々の結合系を示す。即ち
第1図Aは(a)の方法を示し、半導体レーザ1と、
単一モード光フアイバ2との間に微小レンズ4を
配して、半導体レーザ1からの光を光フアイバ2
のコア3の入射端面に入射させている。第1図B
は(b)の方法を示し、光フアイバ2の入射端が徐々
に先細にされ、その先端に微小レンズ5が一体に
形成されている。第1図Cは(c)の方法を示し、半
導体レーザ1と光フアイバ2との間に、レンズ6
及び7が配されている。 (a)及び(b)の方法では微小レンズやレンズ付光フ
アイバの光軸に垂直方向の許容軸ずれ量が極めて
小さく、実際に結合器を製作する上では大きなネ
ツクとなつていた。例えば、結合効率を最大値か
ら1dB以内の劣化に抑えるためには±0.6μm以内
の精度で軸合せを実現する必要がある。一方、(c)
の方法は前記の微小レンズに要求される精度を緩
和するために考えられた方法であつて、使用する
レンズの固定精度は±40μmまで緩和され、実際
に半導体レーザと単一モード光フアイバとを結合
させた半導体レーザモジユールの製作が極めて容
易になつた。しかしながら、光フアイバの固定精
度は±2〜3μmと相変らず厳しい精度が要求さ
れており、この精度を緩和しない限り、多モード
光フアイバ用の半導体レーザ結合器と同等の低価
格化は望めなかつた。 この発明は共焦点複合レンズ系において、単一
モード光フアイバの固定精度を大幅に緩和するよ
うに工夫し、半導体レーザ結合器の製作性を著し
く向上させたもので、以下に図面を用いて詳細に
説明する。 先ず従来の共焦点複合レンズ系について説明す
る。第2図に共焦点複合レンズ系の原理図を示
す。図中の矢印8は半導体レーザの発光端面の位
置、矢印9は単一モード光フアイバの入射端面の
位置をそれぞれ示す。第1レンズ6は半導体レー
ザの端面位置8からほゞ第1レンズ6の焦点距離
f1だけ離れており、第2レンズ7(焦点距離f2)
と第1レンズ6との距離は両者の焦点距離の和
(f1+f2)であり、光フアイバの入射面の位置9
は第2レンズ7とf2だけ離れている。 このようなレンズ系をとると、半導体レーザの
発光直径(スポツトサイズ)2W0はレンズ系焦点
距離の比(f2/f1)だけ拡大され、光フアイバの
入射面の位置9に、スポツトサイズの直径2W2が
2W2=2W0×(f2/f1)の像を結ぶ。従つて光フア
イバの導波光ビームの半径をWfとする時、f2/f1
とWf/W0とがほゞ等しくなるようにする。実際
には半導体レーザ1の接合面でのレーザビーム
は、その接合面に垂直方向のビームウエイストに
おけるビーム半径Wvと、平行方向のビームウエ
イストにおけるビーム半径Wpとは異なり、接合
面での等価的ビーム半径として√v・pでW0
が定義される。このビーム変換はレンズ系の焦点
距離の比にのみ依存するので、半導体レーザのス
ポツトサイズW0=1μm、光フアイバのスポツト
サイズWf=5μmとすると、f2/f1=5のレンズの
組合せを使用すればよく、f1、f2の値そのものに
は制限がない。 例えば第2レンズ7として市販の集束形ロツド
レンズ(屈折率分布が中心軸からの距離xの2乗
に比例して減少している円柱状のガラスロツドで
レンズ作用を有するものである。屈折率分布をn
(r)=n0(1−α2/2r2)とおくと、長さLのロツ
ド レンズの焦点距離fはf(L)=1/(n0αsinαL)、
ピツチ長LpはLp=2π/αで定義される。)(直径
1.8mm、約1/5ピツチ長)を用いるとf2=2.2mmとな
る。したがつて第1レンズ6はf1=440μmが最適
となる。第1レンズ6としては通常サフアイア、
ルビー、YAG又はガラス等で作つた球レンズで、
その外径は0.7〜1.0mmのものを使用する。 次にこの従来の共焦点複合レンズ系における軸
ずれ特性について説明する。半導体レーザと単一
モード光フアイバとを一体化した結合器を製作す
る上では各レンズの固定精度と光フアイバの固定
精度とを明らかにする必要がある。表1に最適値
から1dB以内の劣化に抑えるための各光学素子の
固定精度を示す。
【表】
この数値は結合器の製作時に要求される精度
で、第1、第2レンズ6,7のずれによるビーム
ウエイストW2のx、y、z方向の軸ずれを、光
フアイバをx、y、z方向に動かして調整するこ
とを念頭においている。表1から第1レンズ6及
び第2レンズ7は比較的ゆるい精度で固定しても
よく、あとは光フアイバを調整することで最適の
結合がはかれる。半導体レーザに対し、まず第1
レンズ6を位置合せし、次に第2レンズ7を合
せ、このレンズ系によるビーム変換でフアイバと
マツチングするため、その時の光フアイバの固定
精度は単一モード光フアイバ同志の接続特性と同
等になる。したがつてどういうレンズ系をもつて
きても光フアイバの入射面でx、y、z方向の調
整を行なう限り、表1に示したようにx、y方向
で±2.5μmの固定精度が要求される。ところでガ
ウスビーム同志の接続特性は η(x、θ)=exp(−x2/W2−π2W2θ2/λ2) (1) で表わされる。xは光軸に垂直方向の軸ずれ、θ
は二つのビームの角度ずれ、Wはガウスビームの
ビームウエイストにおけるスポツトサイズ、λは
波長である。但し、二つのビームウエイストの位
置は一致しているとした。この式よりWを大きく
すればxの許容誤差が大きくなる。但しWを大き
くしすぎると角度ずれθの誤差が厳しくなること
が判る。現状では単一モード光フアイバのスポツ
トサイズがW=5μm程度であるので1dB劣化の
x1、θ1の値はそれぞれx1=±2.4μm、θ1=±2.3度
となる。通常角度ずれは±0.5度以内には抑えら
れるので5μmのスポツトサイズを数倍大きくす
れば単一モード光フアイバの固定精度が極めてゆ
るくなることが期待される。 こゝで実際の複合レンズ系について考察する。
半導体レーザのスポツトサイズをW0=1μm、光
フアイバのそれをWf=5μm、f2/f1=5で第2レ
ンズ7としてf2=2.2mmの集束形ロツドレンズを
用いるとすると、f1=440μmとなる。共焦点系に
おいてはf1のレンズによりW0はW1=λf1/πW0の
関係式でW1に変換される。この値は約W1=182μ
mであり広がり角0.13度のほゞ平行ビームとな
る。表1に示したように第1レンズ6と第2レン
ズ7との間隔が共焦点の条件(f1+f2)から大き
くずれても効率の変化が少ないのは、第1レンズ
6でほゞ平行なビーム系に変換しているからであ
る。 こゝで単一モード光フアイバの調整を容易にす
るため、第2レンズ7の集束形ロツドレンズを単
一モード光フアイバと一体化した場合を考える。
この時は式(1)でWが182μmとなつた場合で1dB損
失増加に対する軸ずれ、角度ずれはそれぞれx1=
±87μm、θ1=±3.75分となる。この例では角度
ずれが極めて厳しく、±0.2度のずれでも10dB損
失が増加する。また、第1レンズ6と半導体レー
ザとの距離が最適値f1=440μmからΔZずれた場
合、第2レンズ7を通つて収束される位置がΔZ
の(f2/f1)2=25倍ずれることが計算され、また
ΔZは少くとも±10μmはあると考えられるので集
束形ロツドレンズ7の出射端面(第1図9)から
ビームウエイストの位置が±250μmはばらつこ
とを考慮しなければならない。したがつて第2レ
ンズである集束形ロツドレンズ7をそのまま単一
モード光フアイバへ一体化しても高い結合効率は
期待できない。 第3図にこの発明の一実施例を示し、第4図に
その原理を示し、第1図、第2図と対応する部分
には同一符号を付けてある。第1レンズ6として
は球レンズを用いた場合であり、この発明では第
2レンズとして71及び72の例えば集束形ロツ
ドレンズを2個用いる。第2レンズ7は集束形ロ
ツドレンズ71,72を組合せており、両者を密
着させるとほゞ所望の焦点距離f2を得る長さ(例
えば1/4ピツチ長)に選んである。図示例ではレ
ンズ71,72の全ピツチ長が1/4で第1の集束
形ロツドレンズ71はΦ、第2の集束形ロツドレ
ンズ72は(1/4−Φ)のピツチ長を示している。 更に第2の集束形ロツドレンズ72は単一モード
光フアイバ2と接着剤等を用いてあらかじめ一体
化してあり、光フアイバの位置合せはレンズ72
と光フアイバ2とを固定したレンズ付フアイバの
状態で行なうものとする。 こゝで第2の集束形ロツドレンズ72の最適な
長さについて検討する。集束形ロツドレンズ7の
全長が所望のf2より決まるので第1の集束形ロツ
ドレンズ71の長さを決めると第2の集束形ロツ
ドレンズ72の長さは決まる。この時、両集束形
ロツドレンズ71,72間におけるビームウエイ
ストを求めれば式(1)より結合特性が求まる。そこ
でレンズ71だけで球レンズ6で変換されたビー
ムウエイストW1=182μmがどのような値(W21)
になるのかを計算した結果を第5図に示す。第5
図で横軸は第1、第2の集束形ロツドレンズのピ
ツチ長である。この図からW21を光フアイバのビ
ームウエイスト径Wf=5μmの数倍(2〜6)に
拡大するためには第1の集束形ロツドレンズ71
のピツチ長は1/36ピツチから1/12ピツチの範囲を
選べばよいことがわかる。なおこゝで定義したビ
ームウエイストW21の位置は現実には両集束形ロ
ツドレンズ71と72間には存在しなく、第4図
に概念的に示したように光フアイバ内に存在す
る。この場合、レンズ71,72間で調整するこ
の発明の結合特性は、ビームウエイストW1のビ
ームがレンズ71だけを通過して結像する実像の
ビームウエイスト(W21)の大きさ及び位置が、
フアイバに相当するスポツトサイズWfのビーム
が逆方向に右からレンズ72に入射した場合にで
きる虚像のビームウエイスト(Wf2)の大きさ及
び位置とどの程度合致しているかで計算できる。
W1のスポツトサイズのビームが集束形ロツドレ
ンズ71及び72を通過したあとにできるスポツ
トサイズの大きさW22とビームウエイストの位置
がフアイバのスポツトサイズWfとフアイバの入
射端面の位置とに一致していれば、前記の実像
W21と虚像Wf2とが大きさ及び位置とも合致する
ので第3図で示したレンズ付フアイバの軸ずれ特
性はスポツトサイズW=W21=Wf2を式(1)に代入
して計算することで判断できる。 次に半導体レーザと球レンズ6との間隔が設計
値f1からずれてW22の位置がフアイバ入射端面か
らずれた場合、レンズ71とレンズ72の間隔を
変えることでどの程度補償できるかを計算した結
果を第6図に示す。横軸に第1の集束形ロツドレ
ンズ71のピツチ長、縦軸に2つの集束形ロツド
レンズ71,72の間隔dをΔdだけ変えた時、
第2の集束形ロツドレンズ72の出射端面(第3
図82)からのビームウエイストW22の移動量
ΔDを示した。こゝでレンズ端面82から外側へ
の動き、即ちフアイバの内部へ移動する量を正に
とつてある。この第6図から間隔dを大きくする
とビームウエイストは第2の集束形ロツドの出射
端面82から内側へ動くことがわかる。2つの集
束形ロツドレンズ71,72の間隔がdの状態で
第2の集束形ロツドレンズの出射端面82に像を
結ぶように設計すれば、間隔dの増減でビームウ
エイストW22を出射端面82に対して左右にふる
ことができる。こゝで球レンズ6の光軸方向の設
置誤差をf1±20μmとすると、ビームウエイスト
が設計値より±500μm光軸方向にばらつくこと
になる。したがつて(ΔD/Δd)の値が小さすぎ
ると、第2レンズ付フアイバを前後に大きく動か
さなければならない。例えば第1の集束形ロツド
レンズ長を1/36ピツチ長にするとΔD/Δdが0.03
となるのでビームウエイストの光軸方向のばらつ
き(±0.5mm)をカバーするには第2レンズ付フ
アイバの可動距離を±17mmまで広げなければなら
ない。このため半導体レーザ結合器が大きくなる
とともに結合器部材の熱膨張による寸法変動が顕
著になり、光学系の光軸に垂直方向の軸ずれによ
る劣化を抑えるのが困難になる。したがつて
ΔD/Δdの値としては0.1以上ある方がよい。一
方、第1の集束形ロツドレンズ71で変換したビ
ームウエイストW21の大きさの議論から第1の集
束形ロツドレンズの長さとして1/36ピツチから1/
12ピツチが良いこと、つまり第1、第2の集束形
ロツドレンズ71,72の長さの比を1:8〜
3:6にするとよいことを導いたが、ΔD/Δdの
値を考慮すると、約1/18ピツチ程度が良いことが
わかる。こゝで第1の集束形ロツドレンズ71を
1/18ピツチ、第2の集束形ロツドレンズ72を7/
36ピツチとした時、光軸に垂直方向の軸ずれと角
度ずれ特性を求めるとW21=14.5μmより、x1=
±6.96μm、θ1=±0.78度(但しx1、θ1は1dBの損
失増を与える軸ずれ、角度ずれ量)となる。一
方、光軸方向の許容軸ずれ量はΔD/Δdの値の逆
数、即ち8.3倍に緩和される。光軸方向の大きな
許容軸ずれは第1の集束形ロツドレンズ71が短
い時は集束形ロツドレンズ間の距離dを変えても
ビームウエイストの位置はあまり変化しないこと
から理解できる。球レンズ6の光軸方向の距離の
バラツキを考慮するとフアイバの前後の可動距離
は±4.2mmとればよい。 以上の説明から集束形ロツドレンズ7の分割比
(第1と第2の集束形ロツドレンズの長さの比)
は1より小さい所に最適値が存在することがわか
るが、絶対値についてはフアイバの固定において
軸ずれ、角度ずれがそれぞれどの程度か、そして
球レンズ6と半導体レーザとの距離のバラツキが
どの程度でビームウエイストの絞り位置の変動を
どの位と見積るかによつている。こゝで示した値
は一つの例であり、現実には角度ずれが0.78度で
は軸ずれ量7μmに比べて厳しい時には第1の集
束形ロツドレンズ71は1/18ピツチよりも長く
し、その逆の場合は短くすればよい。しかし短く
する場合にはフアイバの光軸方向の可動距離を大
きくしないとビームウエイストの光軸方向のずれ
を補償できない。 この発明のもう一つの特長は、結合部における
反射光が半導体レーザに戻らないことである。例
えばフアイバ入射面は空気中においてあると、フ
レネル反射がさけられなく、また入射面では最も
絞られてビームウエイストW22になつているので
半導体レーザの出射端面にはもとのビームウエイ
ストW0に絞られる。この発明の実施例に示した
ように第2の集束形ロツドレンズ72をフアイバ
入射面に光学接着剤を用いて一体化すると、フア
イバ入射端面の反射率は10分の1以下に下げられ
る。一方、従来の共焦点系(第1図C)に比べて
新たに加わつた反射面、即ち集束形ロツドレンズ
71,72の対向面83,84については第1の
集束形ロツドレンズ71を2度通過してもどるの
で、第1の集束形ロツドレンズ71の長さを1/18
ピツチとすると、長さ1/9ピツチ相当で絞られた
W21の値、7.7μm(第5図より)になつて球レン
ズ6に入射する。もどり光が半導体レーザ1のス
ポツトサイズW0と結合する割合はW1=182μmと
W21=7.7μmとの効率を計算すればよく、これは
約21dBとなり、フアイバ入射面より10dB小さく
なり殆んど無視できる。 第1の集束形ロツドレンズ71の入射面85か
らの反射はスポツトサイズがW1=182μm同志の
結合であり、0.5度の角度ずれで64dBの損失をう
ける。即ち半導体レーザ1の光が球レンズ6で平
行光に変換されて第1の集束形ロツドレンズ71
に入射する際、この光軸が集束形ロツドレンズ7
1の入射面に対して垂直から0.25度ずれれば0.5
度の角度ずれが反射光に対して生じるので現実に
は上記に示した程度の角度ずれによる反射光の抑
圧効果が常に生じると思われる。反射光の除去を
より確実にするには光軸に対して第1の集束形ロ
ツドレンズ71の入射面85を90度に対し1度程
度傾むければよい。 第7図はこの発明の他の実施例を示す。半導体
レーザ1はヒートシンク110にマウントされて
おり、ヒートシンク110には球レンズ6をとり
つけた球レンズホルダー111を半導体レーザ1
の光軸と球レンズ6の中心軸が合致するように融
剤(AuSnやPbSn半田等)で取りつけてある。ヒ
ートシンク110は支持体114に固定され、半
導体レーザ1の信頼性を確保するため半導体レー
ザ1、ヒートシンク110、ホルダー111はサ
フアイア等の窓112付きのキヤツプ113が被
されて気密封止してある。第2レンズを構成する
集束形ロツドレンズ7は第1の集束形ロツドレン
ズ71についてはサフアイア窓112の外側に光
学接着剤を用いて貼りつけてある。こゝでサフア
イア窓112は光軸に対して1度程度傾むけてあ
る。光フアイバは内径がフアイバ外径よりわずか
に大きなキヤピラリ300を有したフアイバ保持
パイプ301に、フアイバ素線部21とフアイバ
心線部22を挿入して接着固定しておき、キヤピ
ラリ300の端面を光学研磨することでフアイバ
の端面を研磨しておく。フアイバ保持パイプ30
1はフアイバレンズホルダ302に第2の集束形
ロツドレンズ72とともに挿入されて接着剤等で
固定されている。この時、第2の集束形ロツドレ
ンズ72とフアイバ入射端面とは空気が入らない
ように光学接着剤を十分につけておく。こゝで第
1の集束形ロツドレンズ71の長さは1/18ピツチ
程度にしておき、第2の集束形ロツドレンズ72
の長さは1/4よりわずかに短い長さから第1の集
束形ロツドレンズ71の長さを引いた値にしてお
く。フアイバの位置合せは光軸方向についてはフ
アイバレンズホルダ302を外わく303の内部
をすべらすことで実現し、光軸に垂直方向は外わ
く303をキヤツプ113の面と接触させた状態
で外わく303を光軸に垂直方向に動かして調整
する。キヤツプ113と外わく303の固定はレ
ーザ溶接、ハンダ剤、接着剤のいずれでも良い
が、溶接等で瞬間に固定できる方が望ましい。通
常溶接等では軸ずれが問題になるが上記の設計で
は1dB以内の効率劣化を抑えるには±7μmの誤差
が許されるので比較的容易に実現できる。光軸方
向については±数100μmは許容されるので溶接
やハンダによる固定は殆んど問題なく実現でき
る。 以上の説明では第2レンズ72としての集束形
ロツドレンズの長さを0.25ピツチ以下に限つて議
論したが、集束形ロツドレンズの焦点距離は0.5
ピツチを加えても不変であるので、第1及び第2
の集束形ロツドレンズの長さはそれぞれに0.5ピ
ツチの整数倍を加えても同じ効果を有することが
理解できる。また反射対策としては各レンズの空
気との境界面に反射防止膜を施すことも可能であ
る。 以上説明したように、この発明では従来半導体
レーザと単一モードフアイバとの結合器において
単一モード光フアイバに要求された厳しい固定精
度を数倍にゆるくできるので単一モード光フアイ
バ用の半導体レーザ結合器が、多モードフアイバ
用と同程度に作り易くなり、生産性、歩留り、信
頼性、低価格化の大幅な向上が期待できる。特
に、従来の結合器ではフアイバを固定するのに接
着剤を使つて軸合せを行ないつつ固化するのを待
つていたので製作性が劣るとともに信頼性にも問
題があつたが、この発明では抵抗加熱法やレーザ
溶接法などを使用して信頼性に秀れたハンダ材で
固定することが可能となる大きな利点がある。更
に伝送特性の劣化を招く結合部の反射についても
低く抑えることができるため、アナログ伝送等の
反射対策の厳しい半導体レーザ結合器にも応用す
ることができる。 また上記の原理から明らかなように、この発明
は単一モードフアイバと結合させる任意の結合系
に応用できる。例えば第7図では球レンズ6と第
1の集束形ロツドレンズ71が個別に用いられて
いるが、両者を組合せレンズとして考えて1個の
レンズに置きかえてよい。この時、1個のレンズ
の働きは焦点距離をfとすると、半導体レーザと
レンズとの距離aがfより大きく、その像倍率が
f/(a−f)で与えられる像変換を行なうもの
である。1個のレンズとして先球集束形ロツドレ
ンズや球面レンズが考えられるが、これらのレン
ズで単一モードフアイバのスポツトサイズ5μm
に絞り込むのではなく、それより数倍大きいスポ
ツトサイズ(第2の集束形ロツドレンズ付の単一
モード光フアイバのスポツトサイズ)に結合させ
るように1個のレンズを配置するものである。
で、第1、第2レンズ6,7のずれによるビーム
ウエイストW2のx、y、z方向の軸ずれを、光
フアイバをx、y、z方向に動かして調整するこ
とを念頭においている。表1から第1レンズ6及
び第2レンズ7は比較的ゆるい精度で固定しても
よく、あとは光フアイバを調整することで最適の
結合がはかれる。半導体レーザに対し、まず第1
レンズ6を位置合せし、次に第2レンズ7を合
せ、このレンズ系によるビーム変換でフアイバと
マツチングするため、その時の光フアイバの固定
精度は単一モード光フアイバ同志の接続特性と同
等になる。したがつてどういうレンズ系をもつて
きても光フアイバの入射面でx、y、z方向の調
整を行なう限り、表1に示したようにx、y方向
で±2.5μmの固定精度が要求される。ところでガ
ウスビーム同志の接続特性は η(x、θ)=exp(−x2/W2−π2W2θ2/λ2) (1) で表わされる。xは光軸に垂直方向の軸ずれ、θ
は二つのビームの角度ずれ、Wはガウスビームの
ビームウエイストにおけるスポツトサイズ、λは
波長である。但し、二つのビームウエイストの位
置は一致しているとした。この式よりWを大きく
すればxの許容誤差が大きくなる。但しWを大き
くしすぎると角度ずれθの誤差が厳しくなること
が判る。現状では単一モード光フアイバのスポツ
トサイズがW=5μm程度であるので1dB劣化の
x1、θ1の値はそれぞれx1=±2.4μm、θ1=±2.3度
となる。通常角度ずれは±0.5度以内には抑えら
れるので5μmのスポツトサイズを数倍大きくす
れば単一モード光フアイバの固定精度が極めてゆ
るくなることが期待される。 こゝで実際の複合レンズ系について考察する。
半導体レーザのスポツトサイズをW0=1μm、光
フアイバのそれをWf=5μm、f2/f1=5で第2レ
ンズ7としてf2=2.2mmの集束形ロツドレンズを
用いるとすると、f1=440μmとなる。共焦点系に
おいてはf1のレンズによりW0はW1=λf1/πW0の
関係式でW1に変換される。この値は約W1=182μ
mであり広がり角0.13度のほゞ平行ビームとな
る。表1に示したように第1レンズ6と第2レン
ズ7との間隔が共焦点の条件(f1+f2)から大き
くずれても効率の変化が少ないのは、第1レンズ
6でほゞ平行なビーム系に変換しているからであ
る。 こゝで単一モード光フアイバの調整を容易にす
るため、第2レンズ7の集束形ロツドレンズを単
一モード光フアイバと一体化した場合を考える。
この時は式(1)でWが182μmとなつた場合で1dB損
失増加に対する軸ずれ、角度ずれはそれぞれx1=
±87μm、θ1=±3.75分となる。この例では角度
ずれが極めて厳しく、±0.2度のずれでも10dB損
失が増加する。また、第1レンズ6と半導体レー
ザとの距離が最適値f1=440μmからΔZずれた場
合、第2レンズ7を通つて収束される位置がΔZ
の(f2/f1)2=25倍ずれることが計算され、また
ΔZは少くとも±10μmはあると考えられるので集
束形ロツドレンズ7の出射端面(第1図9)から
ビームウエイストの位置が±250μmはばらつこ
とを考慮しなければならない。したがつて第2レ
ンズである集束形ロツドレンズ7をそのまま単一
モード光フアイバへ一体化しても高い結合効率は
期待できない。 第3図にこの発明の一実施例を示し、第4図に
その原理を示し、第1図、第2図と対応する部分
には同一符号を付けてある。第1レンズ6として
は球レンズを用いた場合であり、この発明では第
2レンズとして71及び72の例えば集束形ロツ
ドレンズを2個用いる。第2レンズ7は集束形ロ
ツドレンズ71,72を組合せており、両者を密
着させるとほゞ所望の焦点距離f2を得る長さ(例
えば1/4ピツチ長)に選んである。図示例ではレ
ンズ71,72の全ピツチ長が1/4で第1の集束
形ロツドレンズ71はΦ、第2の集束形ロツドレ
ンズ72は(1/4−Φ)のピツチ長を示している。 更に第2の集束形ロツドレンズ72は単一モード
光フアイバ2と接着剤等を用いてあらかじめ一体
化してあり、光フアイバの位置合せはレンズ72
と光フアイバ2とを固定したレンズ付フアイバの
状態で行なうものとする。 こゝで第2の集束形ロツドレンズ72の最適な
長さについて検討する。集束形ロツドレンズ7の
全長が所望のf2より決まるので第1の集束形ロツ
ドレンズ71の長さを決めると第2の集束形ロツ
ドレンズ72の長さは決まる。この時、両集束形
ロツドレンズ71,72間におけるビームウエイ
ストを求めれば式(1)より結合特性が求まる。そこ
でレンズ71だけで球レンズ6で変換されたビー
ムウエイストW1=182μmがどのような値(W21)
になるのかを計算した結果を第5図に示す。第5
図で横軸は第1、第2の集束形ロツドレンズのピ
ツチ長である。この図からW21を光フアイバのビ
ームウエイスト径Wf=5μmの数倍(2〜6)に
拡大するためには第1の集束形ロツドレンズ71
のピツチ長は1/36ピツチから1/12ピツチの範囲を
選べばよいことがわかる。なおこゝで定義したビ
ームウエイストW21の位置は現実には両集束形ロ
ツドレンズ71と72間には存在しなく、第4図
に概念的に示したように光フアイバ内に存在す
る。この場合、レンズ71,72間で調整するこ
の発明の結合特性は、ビームウエイストW1のビ
ームがレンズ71だけを通過して結像する実像の
ビームウエイスト(W21)の大きさ及び位置が、
フアイバに相当するスポツトサイズWfのビーム
が逆方向に右からレンズ72に入射した場合にで
きる虚像のビームウエイスト(Wf2)の大きさ及
び位置とどの程度合致しているかで計算できる。
W1のスポツトサイズのビームが集束形ロツドレ
ンズ71及び72を通過したあとにできるスポツ
トサイズの大きさW22とビームウエイストの位置
がフアイバのスポツトサイズWfとフアイバの入
射端面の位置とに一致していれば、前記の実像
W21と虚像Wf2とが大きさ及び位置とも合致する
ので第3図で示したレンズ付フアイバの軸ずれ特
性はスポツトサイズW=W21=Wf2を式(1)に代入
して計算することで判断できる。 次に半導体レーザと球レンズ6との間隔が設計
値f1からずれてW22の位置がフアイバ入射端面か
らずれた場合、レンズ71とレンズ72の間隔を
変えることでどの程度補償できるかを計算した結
果を第6図に示す。横軸に第1の集束形ロツドレ
ンズ71のピツチ長、縦軸に2つの集束形ロツド
レンズ71,72の間隔dをΔdだけ変えた時、
第2の集束形ロツドレンズ72の出射端面(第3
図82)からのビームウエイストW22の移動量
ΔDを示した。こゝでレンズ端面82から外側へ
の動き、即ちフアイバの内部へ移動する量を正に
とつてある。この第6図から間隔dを大きくする
とビームウエイストは第2の集束形ロツドの出射
端面82から内側へ動くことがわかる。2つの集
束形ロツドレンズ71,72の間隔がdの状態で
第2の集束形ロツドレンズの出射端面82に像を
結ぶように設計すれば、間隔dの増減でビームウ
エイストW22を出射端面82に対して左右にふる
ことができる。こゝで球レンズ6の光軸方向の設
置誤差をf1±20μmとすると、ビームウエイスト
が設計値より±500μm光軸方向にばらつくこと
になる。したがつて(ΔD/Δd)の値が小さすぎ
ると、第2レンズ付フアイバを前後に大きく動か
さなければならない。例えば第1の集束形ロツド
レンズ長を1/36ピツチ長にするとΔD/Δdが0.03
となるのでビームウエイストの光軸方向のばらつ
き(±0.5mm)をカバーするには第2レンズ付フ
アイバの可動距離を±17mmまで広げなければなら
ない。このため半導体レーザ結合器が大きくなる
とともに結合器部材の熱膨張による寸法変動が顕
著になり、光学系の光軸に垂直方向の軸ずれによ
る劣化を抑えるのが困難になる。したがつて
ΔD/Δdの値としては0.1以上ある方がよい。一
方、第1の集束形ロツドレンズ71で変換したビ
ームウエイストW21の大きさの議論から第1の集
束形ロツドレンズの長さとして1/36ピツチから1/
12ピツチが良いこと、つまり第1、第2の集束形
ロツドレンズ71,72の長さの比を1:8〜
3:6にするとよいことを導いたが、ΔD/Δdの
値を考慮すると、約1/18ピツチ程度が良いことが
わかる。こゝで第1の集束形ロツドレンズ71を
1/18ピツチ、第2の集束形ロツドレンズ72を7/
36ピツチとした時、光軸に垂直方向の軸ずれと角
度ずれ特性を求めるとW21=14.5μmより、x1=
±6.96μm、θ1=±0.78度(但しx1、θ1は1dBの損
失増を与える軸ずれ、角度ずれ量)となる。一
方、光軸方向の許容軸ずれ量はΔD/Δdの値の逆
数、即ち8.3倍に緩和される。光軸方向の大きな
許容軸ずれは第1の集束形ロツドレンズ71が短
い時は集束形ロツドレンズ間の距離dを変えても
ビームウエイストの位置はあまり変化しないこと
から理解できる。球レンズ6の光軸方向の距離の
バラツキを考慮するとフアイバの前後の可動距離
は±4.2mmとればよい。 以上の説明から集束形ロツドレンズ7の分割比
(第1と第2の集束形ロツドレンズの長さの比)
は1より小さい所に最適値が存在することがわか
るが、絶対値についてはフアイバの固定において
軸ずれ、角度ずれがそれぞれどの程度か、そして
球レンズ6と半導体レーザとの距離のバラツキが
どの程度でビームウエイストの絞り位置の変動を
どの位と見積るかによつている。こゝで示した値
は一つの例であり、現実には角度ずれが0.78度で
は軸ずれ量7μmに比べて厳しい時には第1の集
束形ロツドレンズ71は1/18ピツチよりも長く
し、その逆の場合は短くすればよい。しかし短く
する場合にはフアイバの光軸方向の可動距離を大
きくしないとビームウエイストの光軸方向のずれ
を補償できない。 この発明のもう一つの特長は、結合部における
反射光が半導体レーザに戻らないことである。例
えばフアイバ入射面は空気中においてあると、フ
レネル反射がさけられなく、また入射面では最も
絞られてビームウエイストW22になつているので
半導体レーザの出射端面にはもとのビームウエイ
ストW0に絞られる。この発明の実施例に示した
ように第2の集束形ロツドレンズ72をフアイバ
入射面に光学接着剤を用いて一体化すると、フア
イバ入射端面の反射率は10分の1以下に下げられ
る。一方、従来の共焦点系(第1図C)に比べて
新たに加わつた反射面、即ち集束形ロツドレンズ
71,72の対向面83,84については第1の
集束形ロツドレンズ71を2度通過してもどるの
で、第1の集束形ロツドレンズ71の長さを1/18
ピツチとすると、長さ1/9ピツチ相当で絞られた
W21の値、7.7μm(第5図より)になつて球レン
ズ6に入射する。もどり光が半導体レーザ1のス
ポツトサイズW0と結合する割合はW1=182μmと
W21=7.7μmとの効率を計算すればよく、これは
約21dBとなり、フアイバ入射面より10dB小さく
なり殆んど無視できる。 第1の集束形ロツドレンズ71の入射面85か
らの反射はスポツトサイズがW1=182μm同志の
結合であり、0.5度の角度ずれで64dBの損失をう
ける。即ち半導体レーザ1の光が球レンズ6で平
行光に変換されて第1の集束形ロツドレンズ71
に入射する際、この光軸が集束形ロツドレンズ7
1の入射面に対して垂直から0.25度ずれれば0.5
度の角度ずれが反射光に対して生じるので現実に
は上記に示した程度の角度ずれによる反射光の抑
圧効果が常に生じると思われる。反射光の除去を
より確実にするには光軸に対して第1の集束形ロ
ツドレンズ71の入射面85を90度に対し1度程
度傾むければよい。 第7図はこの発明の他の実施例を示す。半導体
レーザ1はヒートシンク110にマウントされて
おり、ヒートシンク110には球レンズ6をとり
つけた球レンズホルダー111を半導体レーザ1
の光軸と球レンズ6の中心軸が合致するように融
剤(AuSnやPbSn半田等)で取りつけてある。ヒ
ートシンク110は支持体114に固定され、半
導体レーザ1の信頼性を確保するため半導体レー
ザ1、ヒートシンク110、ホルダー111はサ
フアイア等の窓112付きのキヤツプ113が被
されて気密封止してある。第2レンズを構成する
集束形ロツドレンズ7は第1の集束形ロツドレン
ズ71についてはサフアイア窓112の外側に光
学接着剤を用いて貼りつけてある。こゝでサフア
イア窓112は光軸に対して1度程度傾むけてあ
る。光フアイバは内径がフアイバ外径よりわずか
に大きなキヤピラリ300を有したフアイバ保持
パイプ301に、フアイバ素線部21とフアイバ
心線部22を挿入して接着固定しておき、キヤピ
ラリ300の端面を光学研磨することでフアイバ
の端面を研磨しておく。フアイバ保持パイプ30
1はフアイバレンズホルダ302に第2の集束形
ロツドレンズ72とともに挿入されて接着剤等で
固定されている。この時、第2の集束形ロツドレ
ンズ72とフアイバ入射端面とは空気が入らない
ように光学接着剤を十分につけておく。こゝで第
1の集束形ロツドレンズ71の長さは1/18ピツチ
程度にしておき、第2の集束形ロツドレンズ72
の長さは1/4よりわずかに短い長さから第1の集
束形ロツドレンズ71の長さを引いた値にしてお
く。フアイバの位置合せは光軸方向についてはフ
アイバレンズホルダ302を外わく303の内部
をすべらすことで実現し、光軸に垂直方向は外わ
く303をキヤツプ113の面と接触させた状態
で外わく303を光軸に垂直方向に動かして調整
する。キヤツプ113と外わく303の固定はレ
ーザ溶接、ハンダ剤、接着剤のいずれでも良い
が、溶接等で瞬間に固定できる方が望ましい。通
常溶接等では軸ずれが問題になるが上記の設計で
は1dB以内の効率劣化を抑えるには±7μmの誤差
が許されるので比較的容易に実現できる。光軸方
向については±数100μmは許容されるので溶接
やハンダによる固定は殆んど問題なく実現でき
る。 以上の説明では第2レンズ72としての集束形
ロツドレンズの長さを0.25ピツチ以下に限つて議
論したが、集束形ロツドレンズの焦点距離は0.5
ピツチを加えても不変であるので、第1及び第2
の集束形ロツドレンズの長さはそれぞれに0.5ピ
ツチの整数倍を加えても同じ効果を有することが
理解できる。また反射対策としては各レンズの空
気との境界面に反射防止膜を施すことも可能であ
る。 以上説明したように、この発明では従来半導体
レーザと単一モードフアイバとの結合器において
単一モード光フアイバに要求された厳しい固定精
度を数倍にゆるくできるので単一モード光フアイ
バ用の半導体レーザ結合器が、多モードフアイバ
用と同程度に作り易くなり、生産性、歩留り、信
頼性、低価格化の大幅な向上が期待できる。特
に、従来の結合器ではフアイバを固定するのに接
着剤を使つて軸合せを行ないつつ固化するのを待
つていたので製作性が劣るとともに信頼性にも問
題があつたが、この発明では抵抗加熱法やレーザ
溶接法などを使用して信頼性に秀れたハンダ材で
固定することが可能となる大きな利点がある。更
に伝送特性の劣化を招く結合部の反射についても
低く抑えることができるため、アナログ伝送等の
反射対策の厳しい半導体レーザ結合器にも応用す
ることができる。 また上記の原理から明らかなように、この発明
は単一モードフアイバと結合させる任意の結合系
に応用できる。例えば第7図では球レンズ6と第
1の集束形ロツドレンズ71が個別に用いられて
いるが、両者を組合せレンズとして考えて1個の
レンズに置きかえてよい。この時、1個のレンズ
の働きは焦点距離をfとすると、半導体レーザと
レンズとの距離aがfより大きく、その像倍率が
f/(a−f)で与えられる像変換を行なうもの
である。1個のレンズとして先球集束形ロツドレ
ンズや球面レンズが考えられるが、これらのレン
ズで単一モードフアイバのスポツトサイズ5μm
に絞り込むのではなく、それより数倍大きいスポ
ツトサイズ(第2の集束形ロツドレンズ付の単一
モード光フアイバのスポツトサイズ)に結合させ
るように1個のレンズを配置するものである。
第1図は従来の半導体レーザと単一モード光フ
アイバとの結合方法の各種例を示す側面図、第2
図は従来の共焦点複合レンズ系を説明する原理
図、第3図はこの発明の一実施例を示す構成図、
第4図は第3図の原理図、第5図はこの発明にお
ける軸ずれ特性を説明するため第2レンズに使用
する集束形ロツドレンズを分割した時、第1の集
束形ロツドレンズにより結像されるビームウエイ
ストW21の値を計算した例を示す図、第6図は第
1の集束形ロツドレンズと第2の集束形ロツドレ
ンズの間隔の変化(Δd)に対するビームウエイ
ストW21の移動量(ΔD)を第1の集束形ロツド
レンズの長さを変えて求めた計算値を示す図、第
7図はこの発明の一実施例を説明する側断面図で
ある。 1:半導体レーザ、2:単一モード光フアイ
バ、3:光フアイバのコア、4:微小円柱又は球
レンズ、5:フアイバ付テーパ先球レンズ、6:
第1レンズ(球レンズ)、7:第2レンズ(集束
形ロツドレンズ)、71:第1の集束形ロツドレ
ンズ、72:第2の集束形ロツドレンズ、11
0:ヒートシンク、111:球レンズホルダ、1
12:サフアイア窓、113:半導体パツケージ
のキヤツプ、300:キヤピラリ、301:フア
イバ保持パイプ、302:フアイバレンズホル
ダ、303:外わく。
アイバとの結合方法の各種例を示す側面図、第2
図は従来の共焦点複合レンズ系を説明する原理
図、第3図はこの発明の一実施例を示す構成図、
第4図は第3図の原理図、第5図はこの発明にお
ける軸ずれ特性を説明するため第2レンズに使用
する集束形ロツドレンズを分割した時、第1の集
束形ロツドレンズにより結像されるビームウエイ
ストW21の値を計算した例を示す図、第6図は第
1の集束形ロツドレンズと第2の集束形ロツドレ
ンズの間隔の変化(Δd)に対するビームウエイ
ストW21の移動量(ΔD)を第1の集束形ロツド
レンズの長さを変えて求めた計算値を示す図、第
7図はこの発明の一実施例を説明する側断面図で
ある。 1:半導体レーザ、2:単一モード光フアイ
バ、3:光フアイバのコア、4:微小円柱又は球
レンズ、5:フアイバ付テーパ先球レンズ、6:
第1レンズ(球レンズ)、7:第2レンズ(集束
形ロツドレンズ)、71:第1の集束形ロツドレ
ンズ、72:第2の集束形ロツドレンズ、11
0:ヒートシンク、111:球レンズホルダ、1
12:サフアイア窓、113:半導体パツケージ
のキヤツプ、300:キヤピラリ、301:フア
イバ保持パイプ、302:フアイバレンズホル
ダ、303:外わく。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体レーザチツプ、第1レンズ、第2レン
ズ及び単一モード光フアイバをこの順序に配置し
て、半導体レーザと単一モード光フアイバとを結
合させる単一モード光フアイバ用半導体レーザ結
合器において、前記第2レンズと前記第1レンズ
の焦点距離の比を、前記単一モード光フアイバを
導波する光ビームのビーム半径と前記半導体レー
ザの接合面に垂直方向及び平行方向のビームウエ
イストにおけるビーム半径の相乗平均との比にほ
ぼ等しくするように選ぶとともに、前記第2レン
ズとしてその長さが(1/4+1/2l)ピツチよりわ ずかに短い集束形ロツドレンズを使用し、それは
ほゞ(1/36+1/2m)ピツチ:(2/9+1/2n
)ピツ チ乃至(1/12+1/2m)ピツチ:(1/6+1/2
n)ピ ツチ(l、m、nはそれぞれゼロを含む正整数)
の範囲で分割され、その分割された集束形ロツド
レンズ中の焦点距離の短い方は前記光フアイバと
共に同一のハウジング内に固定されている単一モ
ード光フアイバ用半導体レーザ結合器(但し、1
ピツチは集束形ロツドレンズの屈折率分布をn
(r)=n0(1−α2/2r2)(rは中心軸からの距離
) とすると、2π/αで与えられる長さである)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9622281A JPS57211289A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Semicondutor laser coupler for single mode optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9622281A JPS57211289A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Semicondutor laser coupler for single mode optical fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211289A JPS57211289A (en) | 1982-12-25 |
| JPS6320392B2 true JPS6320392B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=14159202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9622281A Granted JPS57211289A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Semicondutor laser coupler for single mode optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57211289A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873170A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-02 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS6120389A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザモジユ−ル |
| JPH0521456U (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-19 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードモジユール |
| JP2008028316A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Ihi Corp | 伝送光学系 |
-
1981
- 1981-06-22 JP JP9622281A patent/JPS57211289A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57211289A (en) | 1982-12-25 |
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