JPH0487360A - Hybrid integrated circuit device - Google Patents
Hybrid integrated circuit deviceInfo
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- JPH0487360A JPH0487360A JP2201221A JP20122190A JPH0487360A JP H0487360 A JPH0487360 A JP H0487360A JP 2201221 A JP2201221 A JP 2201221A JP 20122190 A JP20122190 A JP 20122190A JP H0487360 A JPH0487360 A JP H0487360A
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は混成集積回路装置に関し、特にメモリおよびマ
イクロコンピュータを搭載した混成集積回路装置の配線
接続構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a hybrid integrated circuit device, and more particularly to a wiring connection structure for a hybrid integrated circuit device equipped with a memory and a microcomputer.
(0)従来の技術 第4図を参照して従来の混成集積回路装置を説明する。(0) Conventional technology A conventional hybrid integrated circuit device will be explained with reference to FIG.
第4図は混成集積回路装置の平面図を示し、混成集積回
路装置は絶縁金属基板(70)と、導電路(72)と、
中継パッド(74)と、外部リード用パッド(76)と
、ボンディングワイア(78)と、第1のゲトアレイ(
80)、マイクロコンピュータ(82)、メモリ(84
)、第2のゲートアレイ(86)、その他の周辺集積回
路(88)等の複数の集積回路素子と、チップ抵抗(9
0)等で構成されている。FIG. 4 shows a plan view of a hybrid integrated circuit device, which includes an insulated metal substrate (70), a conductive path (72),
A relay pad (74), an external lead pad (76), a bonding wire (78), and a first gate array (
80), microcomputer (82), memory (84)
), a second gate array (86), other peripheral integrated circuits (88), and a chip resistor (9).
0) etc.
絶縁金属基板(70)は絶縁処理されたアルミニウム基
板が主として用いられ、この絶縁金属基板(70)に貼
着しだ銅箔をホトエツチングする等して所定形状に配線
パターンが形成され、後述する集積回路素子を固着する
ためのパッド、その電極を接続するためのパッド、中継
パッド(74)等の導電路(72)および外部リード用
パッ)’(76)等が形成されている。The insulated metal substrate (70) is mainly an insulated aluminum substrate, and a wiring pattern is formed in a predetermined shape by photo-etching a copper foil adhered to the insulated metal substrate (70), and then integrated as described below. Pads for fixing circuit elements, pads for connecting their electrodes, conductive paths (72) such as relay pads (74), pads for external leads (76), etc. are formed.
上記した導電路(72)の所定位置には、第1および第
2のゲートアレイ(80)(86)、マイクロコンピュ
ータ(82)、メモリ(84)および周辺集積回路(8
8)を形成するチップ状の素子がAgベーストにより固
着され、チップコンデンサ、チップ抵抗素子等の電子部
品が接続強度、コンタクト抵抗を考慮して半田固着され
ている。At predetermined positions of the conductive path (72), there are first and second gate arrays (80) (86), a microcomputer (82), a memory (84), and a peripheral integrated circuit (86).
The chip-shaped elements forming 8) are fixed with an Ag base, and electronic components such as chip capacitors and chip resistance elements are fixed with solder taking connection strength and contact resistance into consideration.
斯る大規模な混成集積回路装置は多種の電気機器に使用
され、近年ではプリンタコントローラとしても使用され
る。Such large-scale hybrid integrated circuit devices are used in a wide variety of electrical equipment, and in recent years have also been used as printer controllers.
一般的なプリンタコントローラを混成集積回路装置とし
て実現する場合につき簡単に説明すると、例えば第1の
ゲートアレイ(80)はセントロニクス仕様のパラレル
・データ、センサ人力およびプリンタのフロントパネル
・スイッチ信号等を人力してマイクロコンピュータ(8
2)に人力する人力インターフェースとして機能し、第
2のゲートアレイ(86)はマイクロコンピュータ(8
2)の命令に基づいて文字フォントを印字ヘッドに出力
し、またキャリッジリターンあるいはフィードフォワド
信号等の制御信号等を出力する出力インタフェースとし
て機能する。また、マイクロコンピュータ(82)には
例えば16ビツトの人出力ホトと20ビツトのアドレス
空間を有する80ピンのマイクロコンピュータが使用さ
れ、メモリ(84)には例えば256にビット、28ビ
ンのメモリが使用される。To briefly explain the case where a general printer controller is realized as a hybrid integrated circuit device, for example, the first gate array (80) is connected manually to the Centronics specification parallel data, sensor input, printer front panel switch signals, etc. microcomputer (8
2), and the second gate array (86) functions as a human power interface for the microcomputer (86).
It functions as an output interface that outputs a character font to the print head based on the command 2), and also outputs control signals such as a carriage return or feed forward signal. Further, the microcomputer (82) is, for example, an 80-pin microcomputer with a 16-bit human output and a 20-bit address space, and the memory (84) is, for example, a 256-bit, 28-bin memory. be done.
上記構造の混成集積回路装置はプリンタコントローラに
要求される小型化の要求に一応、応えることができ、ま
た絶縁金属基板を使用するため機器の放熱の問題も解決
されている。The hybrid integrated circuit device having the above structure can meet the demand for miniaturization required for printer controllers, and also solves the problem of heat dissipation from the device since it uses an insulated metal substrate.
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、16ビツトのデータバスと20ビツトも
のアドレス空間を有し、しかも大規模構成されるディジ
タル回路の配線パターンは極めて複雑なものとなり、デ
ータバス、アドレスバス等の導電路は基板上の処断で、
ジャンピングワイア接続と称される技術を用いて相互に
接続しなければならなかった。(c) Problems to be Solved by the Invention However, the wiring pattern of a large-scale digital circuit that has a 16-bit data bus and a 20-bit address space has become extremely complex. Conductive paths such as
They had to be interconnected using a technique called jumping wire connections.
斯るジャンピングワイア接続技術を用いることにより、
比較的離間する導電路間の接続が行えるものの、極めて
多数のデータバス、アドレスバスを必要とするマイクロ
コンピュータ、メモリ等を搭載する混成集積回路装置に
おいては、第4図に示す如く、極めて多数のジャンピン
グワイアを必要としていた。その結果、ジャンピングワ
イアを固着するためのパッド数の増加による基板実装有
効面積の低下および装置の小型化の点で限界があり、大
容量かつ超小型の混成集積回路装置の実現が困難であっ
た。By using such jumping wire connection technology,
Although connections can be made between relatively distant conductive paths, hybrid integrated circuit devices equipped with microcomputers, memories, etc. that require an extremely large number of data buses and address buses, as shown in Figure 4, require an extremely large number of data buses and address buses. Jumping wire was needed. As a result, the effective board mounting area decreased due to the increased number of pads for fixing the jumping wires, and there were limits to miniaturization of the device, making it difficult to realize a large-capacity, ultra-small hybrid integrated circuit device. .
また、80ビンもの多ビンに構成される集積回路素子の
周辺には多くのバスが配列されるためその全ての電極を
所要のバスと接続するためには数回のり士ンビングワイ
ア接続を必要とした。In addition, since many buses are arranged around the integrated circuit device, which is composed of as many as 80 bins, connecting all the electrodes to the required buses requires multiple wiring connections. .
(ニ)課題を解決するだめの手段
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、メモ
リおよびマイクロコンピュータ等の素子の周辺にアドレ
スバス、データバス等の配線パターンおよびボンディン
グパッドを形成した多層基板を絶縁配置し、この多層基
板を介して所定の導電路相互の接続およびマイクロコン
ピュータの電極とその周辺回路素子等の電極の接続を行
うことによって、ワイヤボンディングの数を著しく削減
し高信頼並びに高密度かつ小型の混成集積回路装置を提
供するものである。(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above problems, and is a method of forming wiring patterns and bonding pads for address buses, data buses, etc. around elements such as memory and microcomputers. By arranging the multilayer board insulated and connecting predetermined conductive paths to each other and connecting the electrodes of the microcomputer and the electrodes of its peripheral circuit elements, etc., the number of wire bonding is significantly reduced and high reliability is achieved. Furthermore, the present invention provides a high-density and small-sized hybrid integrated circuit device.
(ホ)作用
多層基板に形成された導電路を介してアドレスバス、デ
ータバス等の接続が行われるため長スパンの接続が可能
になり、マイクロコンピュータとその周辺回路素子間の
接続、並びにマイクロコンピュータおよびその周辺回路
素子と所定の導電路との接続において、従来の如き、ジ
↑ンビングワイア接続を不要とすることができる。(e) Since the address bus, data bus, etc. are connected via conductive paths formed on the functional multilayer board, long-span connections are possible, and connections between the microcomputer and its peripheral circuit elements, as well as the microcomputer Further, in connection between peripheral circuit elements and a predetermined conductive path, it is possible to eliminate the need for conventional dipping wire connections.
また、メモリおよびマイクロコンピュータ等の素子に隣
接して、その電極とワイワボンデイングすべきパッド並
びにそれに連続するバスが多層に配列されるため所定の
バスに最短距離で接続することができる。Further, adjacent to elements such as memory and microcomputers, pads to be bonded to their electrodes and buses connected thereto are arranged in multiple layers, so that connection to a predetermined bus can be made at the shortest possible distance.
(へ)実施例
以下、本発明をプリンタコントローラ用の混成集積回路
装置に適用した実施例を第1図乃至第3図を参照して説
明する。(F) Embodiment Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a hybrid integrated circuit device for a printer controller will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
第1図は実施例の平面図であり、混成集積回路装置は絶
縁金属基板(12) (但し、同平面図には当該金属基
板上に形成される絶縁樹脂層が現れているにすぎないの
で、後述の断面構造の説明に際しては、絶縁金属基板(
12)の参照番号を絶縁樹脂層にも使用する)、この絶
縁金属基板(12)上に所定のパターンに形成された導
電路(14)、外部リード用バフド(18)、第1のゲ
ートアレイ(24)、マイクロコンビコータ(26)、
メモリ(28)、第2のゲートアレイ(30)、その他
の周辺集積回路(32)、チップ抵抗(34)および本
発明に特徴的な多層基板(40)等で示されている。な
お、多層基板(40)下の絶縁金属基板(12)上にも
導電路(14)が形成されている。FIG. 1 is a plan view of the embodiment, and the hybrid integrated circuit device has an insulating metal substrate (12) (however, the plan view only shows the insulating resin layer formed on the metal substrate). , when explaining the cross-sectional structure below, an insulated metal substrate (
12) (the reference number 12) is also used for the insulating resin layer), a conductive path (14) formed in a predetermined pattern on this insulating metal substrate (12), a buffed external lead (18), and a first gate array. (24), micro combi coater (26),
A memory (28), a second gate array (30), other peripheral integrated circuits (32), a chip resistor (34), a multilayer substrate (40) characteristic of the present invention, etc. are shown. Note that a conductive path (14) is also formed on the insulated metal substrate (12) below the multilayer substrate (40).
絶縁金属基板(12)にはアルミニウムが使用され、陽
極酸化により表面がアルマイト処理され、その−主面に
エポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂等の接着性を有す
る絶縁樹脂が被覆される。The insulated metal substrate (12) is made of aluminum, the surface of which is alumite-treated by anodizing, and its main surface is coated with an adhesive insulating resin such as epoxy resin or polyimide resin.
導電路(14)、外部リード用パツl’(18)は前記
絶縁金属基板(12)に予め貼着しだ銅箔をホトエツチ
ングする等して所定のパターンに形成され、特にバス(
16)として示す導電路(14)により分断される一部
の導電路(I4)はアルミワイア(22)によりジtン
ビング接続される。また、接地電位の導電路(14)は
基板金属(20)に接続される。The conductive path (14) and the external lead pad l' (18) are formed into a predetermined pattern by photo-etching a copper foil that has been previously attached to the insulated metal substrate (12), and is particularly suitable for the bus (18).
A portion of the conductive path (I4) separated by the conductive path (14) shown as 16) is connected by dipping with an aluminum wire (22). Further, a conductive path (14) at ground potential is connected to the substrate metal (20).
第1および第2のゲートアレイ(24030)、マイク
ロコンピュータ(26)、メモリ(28)、その他の周
辺集積回路(32)にはチップ素子が使用され、それら
は所定の導電路(14)上にAgペーストにより固着さ
れる。また、チップ抵抗(34)およびチップコンデン
サは所定の導電路(14)に半田固着される。Chip elements are used for the first and second gate arrays (24030), microcomputer (26), memory (28), and other peripheral integrated circuits (32), and they are arranged on predetermined conductive paths (14). It is fixed with Ag paste. Further, the chip resistor (34) and the chip capacitor are soldered and fixed to a predetermined conductive path (14).
なお、集積回路素子の機能は従来例の項で説明したので
省略する。Note that the functions of the integrated circuit elements have been explained in the conventional example section, so a description thereof will be omitted.
次に、第2図を参照して本発明に特徴的な多層基板(4
0)を説明する。Next, referring to FIG. 2, a multilayer substrate (4
0) will be explained.
多層基板(40)は厚さ0.6mm〜1.0mmのガラ
スエポキシ、紙エポキシ、紙フエノール、ポリイミド等
の樹脂により形成され、図示するように、第1および第
2のゲートアレイ(24)(30)、マイクロコンピュ
ータ(26)およびメモリ(28)のチップを露出させ
る孔(42)および切り欠e (42)が形成されてい
る。なお、以下の説明により明かとなるが、この孔(4
2)はマイクロコンピュータ(26)等の集積回路素子
の周辺にボンディングパ7Fを多層に配列するために形
成されるものであって、実質的にその目的が達成される
形状であれば孔に限定されるものではない。The multilayer substrate (40) is made of resin such as glass epoxy, paper epoxy, paper phenol, polyimide, etc. with a thickness of 0.6 mm to 1.0 mm, and as shown in the figure, the first and second gate arrays (24) ( 30), a hole (42) and a notch (42) are formed to expose the microcomputer (26) and memory (28) chips. As will become clear from the following explanation, this hole (4
2) is formed to arrange bonding pads 7F in multiple layers around an integrated circuit element such as a microcomputer (26), and is limited to holes as long as the shape substantially achieves the purpose. It is not something that will be done.
また、この多層基板(40)の両面には周知の方法によ
り、その一部を図示するように、アドレスバス、データ
バス等の導電路(44)が形成され、適宜の位置でスル
ーホール(46)により接続されている。In addition, conductive paths (44) such as address buses and data buses are formed on both sides of the multilayer substrate (40) by a well-known method, as shown in part, and through holes (46) are formed at appropriate positions. ) are connected by.
所定の導電路(44)の一部は多層基板(40)の周端
部に延在形成されて、絶縁金属基板(12)上に形成さ
れたパッドとボンディング接続されるパッド(48)が
形成され、他の所定の導電路(44)の一部は孔(42
)の周囲に延在形成されて、第1および第2のゲートア
レイ<24)(30)、マイクロコンピュータ(26)
およびメモリ(28)の電極とボンディング接続される
パッド(50)が形成されている。前記パッド(48)
およびそのワイヤボンディング工程は、多層基板(40
)の裏面の所定位置に半田バンブを形成し、絶縁金属基
板(12)上に形成された対応するバッドとバンブ接続
を行うようにすることにより省略することができる。A portion of the predetermined conductive path (44) is formed to extend to the peripheral edge of the multilayer substrate (40), forming a pad (48) that is bonded to a pad formed on the insulated metal substrate (12). A part of the other predetermined conductive path (44) is formed by a hole (42).
), the first and second gate arrays <24) (30), a microcomputer (26);
A pad (50) is formed to be connected by bonding to the electrode of the memory (28). Said pad (48)
And its wire bonding process is a multilayer board (40
) can be omitted by forming a solder bump at a predetermined position on the back surface of the insulating metal substrate (12) and connecting the bump to a corresponding pad formed on the insulated metal substrate (12).
第3図を参照して本発明をさらに詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail with reference to FIG.
同図は理解を容易にするため一部側面図で示した第1図
のI−I線断面図であり、本発明の混成集積回路装置は
金属基板(10)、絶縁樹脂層(12)、この絶縁樹脂
層(12)上に形成した導電路(14)および外部リー
ド用パッド(18)、Agペースト層(15)を介して
導電路(14)上に固着した第1および第2のゲートア
レイ(24)(30)、マイクロコンピュータ(26)
、メモリ(28)からなる主基板と、前記集積回路チッ
プのための孔(42) (側面図で示されている)を形
成した多層基板(40)と、この多層基板(40)を主
基板に絶縁接着する絶縁性接着樹脂層(60)で示され
ている。This figure is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG. 1 partially shown as a side view for ease of understanding, and the hybrid integrated circuit device of the present invention includes a metal substrate (10), an insulating resin layer (12), A conductive path (14) and an external lead pad (18) formed on this insulating resin layer (12), and first and second gates fixed on the conductive path (14) via an Ag paste layer (15). Array (24) (30), microcomputer (26)
, a main board consisting of a memory (28), a multilayer board (40) formed with a hole (42) (shown in side view) for the integrated circuit chip, and this multilayer board (40) as a main board. It is shown with an insulating adhesive resin layer (60) that is insulatingly bonded to.
絶縁性接着樹脂層(60)はエポキシ系の樹脂の塗布に
より、ソルダレジストの塗布により、あるいは厚さ0.
5mm程度の和紙に接着性を有する例えばエポキシ系の
樹脂を含浸させ、多層基板(40)と略同形に切断した
接着樹脂含浸シートにより形成される。特に、接着樹脂
含浸シートは常温では接着性がないため取扱性に優れる
と共に、125°C程度に加熱することによりその含浸
樹脂が溶融し、さらに熱硬化して多層基板(40)と主
基板とを接着させるため、樹脂、レジストを塗布する場
合に比較して、良好な絶縁が得られるばかりか調整、塗
布の工程を省くことができ、多層基板(40)の接着工
程が簡素化される利点を有する。The insulating adhesive resin layer (60) is formed by coating an epoxy resin, by coating a solder resist, or by coating the layer with a thickness of 0.
It is formed by an adhesive resin-impregnated sheet that is made by impregnating Japanese paper of about 5 mm with an adhesive resin, such as epoxy resin, and cutting it into approximately the same shape as the multilayer substrate (40). In particular, the adhesive resin-impregnated sheet has no adhesive properties at room temperature, so it is easy to handle, and when heated to about 125°C, the impregnated resin melts and is further thermoset to bond the multilayer board (40) and the main board. Compared to the case of applying resin or resist, not only can better insulation be obtained, but also the adjustment and application processes can be omitted, which simplifies the process of adhering the multilayer substrate (40). has.
多層基板(40)は絶縁性接着樹脂層(60)の形成後
に主基板に形成したガイドボスト(図示しない)に係合
させる等して主基板上に配置され所定の温度条件で接着
される。そして、多層基板(40)の孔(42)により
露出される所定の領域にスタンプ法によりAgペースト
層(15)が形成され、そのAgペースト層(15)上
に第1および第2のゲートアレイ(24)(30)、マ
イクロコンピュータ(26)、メモリ(28)等の集積
回路素子が配置される。After forming the insulating adhesive resin layer (60), the multilayer substrate (40) is disposed on the main substrate by engaging guide posts (not shown) formed on the main substrate and bonded under predetermined temperature conditions. Then, an Ag paste layer (15) is formed by a stamping method in a predetermined area exposed by the hole (42) of the multilayer substrate (40), and the first and second gate arrays are formed on the Ag paste layer (15). Integrated circuit elements such as (24) (30), a microcomputer (26), and a memory (28) are arranged.
そごで、主基板を加熱してAgペースト層(15)を溶
融させ、前記集積回路素子を導電路(14)上に固着す
ると、第1図に図示するように、第1および第2のゲー
トアレイ(24030)、マイクロコンピュータ(26
)、メモリ(28)の周辺にはそれら集積回路素子の電
極と接続すべき)<ラドが2層に配列され、最短距離で
絶縁金属基板(12)上の導電路(14)あるいは多層
基板(40)上の導電路(44)の何れかにワイヤボン
ディングすることが可能になる。Then, when the main substrate is heated to melt the Ag paste layer (15) and fix the integrated circuit element on the conductive path (14), the first and second Gate array (24030), microcomputer (26
), around the memory (28) are arranged in two layers (to be connected to the electrodes of these integrated circuit elements), and the conductive path (14) on the insulated metal substrate (12) or the multilayer substrate ( 40) It becomes possible to wire bond to any of the conductive paths (44) on the top.
それら集積回路素子の電極と導電路(14)を接続する
ボンディングワイヤを参照番号(36)、集積回路素子
の電極と多層基板(40)のバラl’ (50)を接続
するボンディングワイヤを参照番号(52)、さらに多
層基板(40)のバンド(48)と導電路(14)を接
続するボンディングワイヤを参照番号(54)で示す。The bonding wire connecting the electrode of the integrated circuit element and the conductive path (14) is reference number (36), and the bonding wire connecting the electrode of the integrated circuit element and the rose l' (50) of the multilayer substrate (40) is reference number (52), and a bonding wire connecting the band (48) of the multilayer substrate (40) and the conductive path (14) is indicated by the reference number (54).
上記のように、多層基板に形成された導電路を介してア
ドレスバス、データバス等の接続が行われる本発明では
、主基板上の導電路(14)相互の接続であっても最大
2個所のワイヤボンディングにより行うことができる。As described above, in the present invention, where address buses, data buses, etc. are connected via conductive paths formed on a multilayer substrate, the conductive paths (14) on the main substrate can be connected at a maximum of two locations. This can be done by wire bonding.
また、多層基板(40)の導電路(44)は1個所のワ
イヤボンディングにより主基板上の任意の導電路(14
)に接続することができ、中継パッド数を著しく削減す
ることができる。また、これによりマイクロコンピュー
タおよびその周辺回路素子のレイアウトを規格化し、図
示するようにシンプルにすることができる。Further, the conductive path (44) of the multilayer board (40) is connected to any conductive path (44) on the main board by wire bonding at one location.
), and the number of relay pads can be significantly reduced. Furthermore, this allows the layout of the microcomputer and its peripheral circuit elements to be standardized and simplified as shown in the figure.
ここで、本発明の混成集積回路装置を実現する工程例を
以下に簡単に示す。Here, an example of the process for realizing the hybrid integrated circuit device of the present invention will be briefly described below.
半田印刷 中 チップ付くチップ抵抗) に)半田溶融
(210’C) => 洗浄 呻 接着樹脂含浸シ
ートおよび多層基板配置 に) 多層基板接着(125
°C) → Agペースト塗布 に) ダイボンディン
グ(集積回路チップ) <A gキュア(155°C)
に) ワイヤボンディング中 樹脂コート(125°
C) ==> 外部リード付に) ケーシング
以上、本発明を一実施例に基づいて説明したが、本発明
の、例えば絶縁性接着樹脂層の素材、レイアウトを規格
化すべきマイクロコンピュータおよびその周辺回路素子
の範囲、種類等は種々の変更が可能であって本発明が実
施例に限定されるものでないことは当業者に明らかであ
る。Solder printing Medium chip resistor) 2) Solder melting (210'C) => Cleaning Adhesive resin impregnated sheet and multilayer board arrangement 2) Multilayer board adhesion (125
°C) → Ag paste application to) Die bonding (integrated circuit chip) <Ag cure (155°C)
) During wire bonding Resin coat (125°
C) ==> with external leads) Casing The present invention has been described based on one embodiment, but the present invention is applicable to a microcomputer and its peripheral circuits in which, for example, the material and layout of the insulating adhesive resin layer should be standardized. It is clear to those skilled in the art that the scope, type, etc. of the elements can be variously modified and the present invention is not limited to the embodiments.
())発明の効果
以上述べtコように本発明によれば、
(1)ワイヤボンディング数が削減されるため工程が簡
素化される。また、これにより混成集積回路装置の信頼
性が向上する。()) Effects of the Invention As described above, according to the present invention, (1) The number of wire bonding is reduced, so the process is simplified. This also improves the reliability of the hybrid integrated circuit device.
(2)長スパンの接続が可能になり、中継パッドが削減
されるため実装密度が向上する。(2) Long span connections are possible, and the number of relay pads is reduced, which improves packaging density.
(3)マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子の
所定の電極が最短距離で接続されるため、配線容量に起
因する障害がない。(3) Since the predetermined electrodes of the microcomputer and its peripheral circuit elements are connected by the shortest distance, there is no problem caused by wiring capacitance.
(4)マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子の
レイアウトを小型かつ規格化することができるため、混
成集積回路装置のパターン設計が容易になる。(4) Since the layout of the microcomputer and its peripheral circuit elements can be made smaller and standardized, pattern design of the hybrid integrated circuit device becomes easier.
(5)多ビンの集積回路素子の周辺に多層にパッドが配
列されるため集積回路素子の電極と対応するバスとを最
短距離で接続することができる。(5) Since the pads are arranged in multiple layers around the multi-bin integrated circuit element, the electrodes of the integrated circuit element and the corresponding bus can be connected over the shortest distance.
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は本発明に
特徴的な多層基板の平面図、第3図は第1図のI−1線
断面図、第4図は従来例の平面図。
(12)・・絶縁金属基板、
(18)・・・外部リード用ノベッド
・・ボンディングワイア、
素子、(34)・・チップ抵抗、
(42)・・・孔。
(14)(44)・−・導電路1
、 (22)(36)(52)(54)(24)〜
(32)・・・集積回路
(40)・・・多層基板、Fig. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view of a multilayer board characteristic of the present invention, Fig. 3 is a sectional view taken along line I-1 in Fig. 1, and Fig. 4 is a conventional Example top view. (12)...Insulated metal substrate, (18)...Nobed for external leads...bonding wire, element, (34)...chip resistor, (42)...hole. (14) (44) --- Conductive path 1, (22) (36) (52) (54) (24) ~
(32)...Integrated circuit (40)...Multilayer board,
Claims (5)
位置に少なくともメモリおよびマイクロコンピュータを
固着搭載した絶縁金属基板と、 前記メモリおよびマイクロコンピュータ等の素子の固着
領域に対応する領域が切り欠かれ、共通アドレスライン
、データライン等の配線パターン並びに前記切り欠かれ
た部位を含むその周端部にボンディングパッドを形成し
た多層基板と、この多層基板を絶縁金属基板上に固着す
る絶縁性接着樹脂層とを少なくとも備え、 前記メモリおよびマイクロコンピュータ等の素子の電極
とそれら素子に隣接するよう形成された多層基板のボン
ディングパッドをワイアボンディングしたことを特徴と
する混成集積回路装置。(1) A conductive path is formed in a predetermined shape, and an insulated metal substrate is provided with at least a memory and a microcomputer fixedly mounted on a predetermined position of the conductive path, and a region corresponding to the fixed region of the memory, microcomputer, etc. is cut out. A multilayer substrate with bonding pads formed on the peripheral edge of the wiring pattern including the cutout, common address line, data line, etc., and an insulating adhesive for fixing this multilayer substrate onto an insulated metal substrate. 1. A hybrid integrated circuit device comprising at least a resin layer, wherein electrodes of elements such as the memory and microcomputer are wire-bonded to bonding pads of a multilayer substrate formed adjacent to these elements.
CBあるいはポリイミド等の樹脂により形成されること
を特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。(2) The multilayer substrate is glass epoxy, paper epoxy, P
2. The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the hybrid integrated circuit device is formed of resin such as CB or polyimide.
ルダレジストを用いたことを特徴とする請求項1記載の
混成集積回路装置。(3) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein an epoxy resin or a solder resist is used for the insulating adhesive resin layer.
素子を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積
回路装置。(4) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein chip elements are used for the memory and the microcomputer.
コンピュータ等の素子の実装高に実質的に等しくしたこ
とを特徴とする請求項4記載の混成集積回路装置。(5) The hybrid integrated circuit device according to claim 4, wherein the thickness of the multilayer substrate is substantially equal to the mounting height of the elements such as the memory and the microcomputer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201221A JPH0487360A (en) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Hybrid integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201221A JPH0487360A (en) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Hybrid integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487360A true JPH0487360A (en) | 1992-03-19 |
Family
ID=16437350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2201221A Pending JPH0487360A (en) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Hybrid integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487360A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717157A (en) * | 1980-05-15 | 1982-01-28 | Cts Corp | Multilayer ceramic package |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2201221A patent/JPH0487360A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717157A (en) * | 1980-05-15 | 1982-01-28 | Cts Corp | Multilayer ceramic package |
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