JPH0488171A - 連続真空蒸着装置 - Google Patents
連続真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH0488171A JPH0488171A JP19902090A JP19902090A JPH0488171A JP H0488171 A JPH0488171 A JP H0488171A JP 19902090 A JP19902090 A JP 19902090A JP 19902090 A JP19902090 A JP 19902090A JP H0488171 A JPH0488171 A JP H0488171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- plate
- gate
- plates
- width direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 15
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はSin、SiO2などの物質を紙、プラスチッ
クフィルム等の基板に蒸着するための連続真空蒸着装置
に関する。
クフィルム等の基板に蒸着するための連続真空蒸着装置
に関する。
〈従来の技術〉
従来、紙、プラスチックフィルム等の基板にSin、S
iO2等の物質の薄膜を形成するには、第4図に示すよ
うな連続真空蒸着装置が用いられる。n図に示すように
、真空室01は排気ポンプユニット02により所定の真
空度に排気されるようになっており、その下部には蒸着
装wO3が設けられている。蒸着装置03は第5図に示
すように、蒸着材04が収納される蒸着材収納容器05
と、この蒸着材収納容1!0!l)の上側に配置される
加熱体06と、さらにこの上側に配置されるスリット状
ノズル07と、このスリット状ノズル07の周囲に配置
される誘導加熱コイル08とからなる。
iO2等の物質の薄膜を形成するには、第4図に示すよ
うな連続真空蒸着装置が用いられる。n図に示すように
、真空室01は排気ポンプユニット02により所定の真
空度に排気されるようになっており、その下部には蒸着
装wO3が設けられている。蒸着装置03は第5図に示
すように、蒸着材04が収納される蒸着材収納容器05
と、この蒸着材収納容1!0!l)の上側に配置される
加熱体06と、さらにこの上側に配置されるスリット状
ノズル07と、このスリット状ノズル07の周囲に配置
される誘導加熱コイル08とからなる。
一方、蒸着装置03の上方にはスリット状ノズル07に
相対向する冷却フール09及び−対のデフレクタフール
010が設けられており、アンコイラ011から払い出
された基板012はデフレクタロール010及び冷却ロ
ール09に掛は回されてコイラ013に巻き取られるよ
うになっている。
相対向する冷却フール09及び−対のデフレクタフール
010が設けられており、アンコイラ011から払い出
された基板012はデフレクタロール010及び冷却ロ
ール09に掛は回されてコイラ013に巻き取られるよ
うになっている。
このような装置において、排気ポンプユニット02によ
り所定の真空度に排気されている真空室01内で加熱体
06の放射熱により加熱された蒸着材04は昇華し、ス
リット状ノズル07の開口部07aから噴出する。−方
、アンコイラ011から払い出された基板012は冷却
ロール09に掛は回されてスリット状ノズル07の開口
部07aに対向する位置に導かれており、開口部07m
から噴出する蒸着材04は基板012に蒸着する。この
とき、基板012は蒸着時の加熱による温度上昇を減す
るように冷却ロール09により冷却されてコイラ013
に巻き取られる。
り所定の真空度に排気されている真空室01内で加熱体
06の放射熱により加熱された蒸着材04は昇華し、ス
リット状ノズル07の開口部07aから噴出する。−方
、アンコイラ011から払い出された基板012は冷却
ロール09に掛は回されてスリット状ノズル07の開口
部07aに対向する位置に導かれており、開口部07m
から噴出する蒸着材04は基板012に蒸着する。この
とき、基板012は蒸着時の加熱による温度上昇を減す
るように冷却ロール09により冷却されてコイラ013
に巻き取られる。
〈発明が解決しようとする課題〉
前述した装置では、スリット状ノズル07の開口部07
aは基板012の幅方向に亘って一定間隔Wを保ってい
る。したがって、基板012の蒸着膜厚を変更する場合
には、3導加熱コイル08の出力を調整することζこよ
り加熱体06の温度を変えるという方法が採られる。
aは基板012の幅方向に亘って一定間隔Wを保ってい
る。したがって、基板012の蒸着膜厚を変更する場合
には、3導加熱コイル08の出力を調整することζこよ
り加熱体06の温度を変えるという方法が採られる。
すなわち、従来の装置では蒸着膜厚の変更を行う場合、
誘導加熱コイル08の出力変更、加熱体06の温度変化
、蒸着材04の温度変化、及び蒸発量の変化という過程
をたどるため、間接的であり応答時間が長いとblう問
題がある。
誘導加熱コイル08の出力変更、加熱体06の温度変化
、蒸着材04の温度変化、及び蒸発量の変化という過程
をたどるため、間接的であり応答時間が長いとblう問
題がある。
また、このような装置では、スリット状ノズル07の開
口部07aの板幅方向の長さ【よ、その装置で処理され
る基板012の最大幅ζこ適合するように設定されるが
、それより狭し)幅の基板012を処理する場合には蒸
着材力9無駄に放散され、且つそれだけ電力消費効率も
悪化する。さらに、この場合、放散した蒸着材の清掃の
ために装置停止回数も増して稼動率も悪化するという問
題が生じる。
口部07aの板幅方向の長さ【よ、その装置で処理され
る基板012の最大幅ζこ適合するように設定されるが
、それより狭し)幅の基板012を処理する場合には蒸
着材力9無駄に放散され、且つそれだけ電力消費効率も
悪化する。さらに、この場合、放散した蒸着材の清掃の
ために装置停止回数も増して稼動率も悪化するという問
題が生じる。
本発明はこのような事情に鑑み、上述した不都合を解消
する連続真空蒸着装置を提供することを目的とする。
する連続真空蒸着装置を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
前記目的を達成する本発明に係る連続真空蒸着装置は、
蒸着材の蒸気を走行する基板に蒸着する連続蒸着装置に
おいて、上記基板の板幅方向に延設される一対の平板状
のノズル板からなると共にその先端縁同志が平行に相対
向して上記板幅方向と直交する方向に各々移動可能な第
一のゲートと、上記基板の板幅方向と直交する方向に延
設される一対の平板状のノズル板からなると共にその先
端縁同志が平行に相対向して上記板幅方向に各々移動可
能な第二のゲートと、これら第一のゲート及び第二のゲ
ートの各ノズル板をそれぞれ位置決め移動する駆動装置
とを有することを特徴とする。
蒸着材の蒸気を走行する基板に蒸着する連続蒸着装置に
おいて、上記基板の板幅方向に延設される一対の平板状
のノズル板からなると共にその先端縁同志が平行に相対
向して上記板幅方向と直交する方向に各々移動可能な第
一のゲートと、上記基板の板幅方向と直交する方向に延
設される一対の平板状のノズル板からなると共にその先
端縁同志が平行に相対向して上記板幅方向に各々移動可
能な第二のゲートと、これら第一のゲート及び第二のゲ
ートの各ノズル板をそれぞれ位置決め移動する駆動装置
とを有することを特徴とする。
く作 用〉
前記構成において、駆動装置により第一のゲートのノズ
ル板を位置決め移動すること(こより、その間の開口部
の板幅方向と直交する方向の幅を任意に変えることがで
きる。
ル板を位置決め移動すること(こより、その間の開口部
の板幅方向と直交する方向の幅を任意に変えることがで
きる。
また、駆動装置により第二のゲートのノズル板を位置決
め移動することにより、その間の開口部の板幅方向の幅
を任意に変えることができる。
め移動することにより、その間の開口部の板幅方向の幅
を任意に変えることができる。
く実 施 例〉
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図は一実施例に係る連続真空蒸着装置の蒸着装置の
上面図、第2図はそのII−II線矢視図、第3図はそ
のl−111矢視図である。
上面図、第2図はそのII−II線矢視図、第3図はそ
のl−111矢視図である。
なお、全体構成は第4図及び第5図に示す従来の連続真
空蒸着装置と同様であるので、同一作用を示す部材には
同一符号を付し、また、全体的説明は省略する。
空蒸着装置と同様であるので、同一作用を示す部材には
同一符号を付し、また、全体的説明は省略する。
これらの図面に示すように、蒸着材収納容NO5のR(
:l@ 05 gの周囲に設けられている加熱体06の
上側には第一のゲートを構成する一対のノズル板11と
第二のゲートを構成する一対のノズル板12とが設けら
れている。そして、各ノズル板11.12の先端辺で囲
まれた部分がスリット状ノズルの開口部を形成する。
:l@ 05 gの周囲に設けられている加熱体06の
上側には第一のゲートを構成する一対のノズル板11と
第二のゲートを構成する一対のノズル板12とが設けら
れている。そして、各ノズル板11.12の先端辺で囲
まれた部分がスリット状ノズルの開口部を形成する。
第二のゲートを構成するノズル板12は開口部05aの
基板板幅方向側の二辺の外縁部上側に設けられており、
その先端縁同志がほぼ平行に相対向して各々が板幅方向
に移動可能に設けられている。一方、第一のゲートを構
成するノズル板11は開口部05aの基板板幅方向に直
交する方向側の二辺の外縁部上側に設けられており、そ
の先端縁同志がほぼ平行に相対向して各々が板幅方向に
移動可能に設けられている。ここで、各ノズル板11゜
12の下面には先端が拡開した突起11a。
基板板幅方向側の二辺の外縁部上側に設けられており、
その先端縁同志がほぼ平行に相対向して各々が板幅方向
に移動可能に設けられている。一方、第一のゲートを構
成するノズル板11は開口部05aの基板板幅方向に直
交する方向側の二辺の外縁部上側に設けられており、そ
の先端縁同志がほぼ平行に相対向して各々が板幅方向に
移動可能に設けられている。ここで、各ノズル板11゜
12の下面には先端が拡開した突起11a。
12aがそれぞれの移動方向に沿って延設されており、
これら突起11g、12aが加熱体06の上面に形成さ
れたスライド溝13にそれぞれスライド自在に嵌合して
いる。また、ノズル板11の先端部下側には切り欠き部
11bが形成されており、ノズル板11の先端部はノズ
ル板12と重なり合うようになっている。
これら突起11g、12aが加熱体06の上面に形成さ
れたスライド溝13にそれぞれスライド自在に嵌合して
いる。また、ノズル板11の先端部下側には切り欠き部
11bが形成されており、ノズル板11の先端部はノズ
ル板12と重なり合うようになっている。
各ノズル板11,12の後端面には雌ねじ部14が形成
されており、これら雌ねじ部14は各ノズル板11.1
2の後方に設けられているシャフト15の先端に形成さ
れた雄ねじ部15aと螺合するようになっている。各シ
ャフト15は、真空室01内に立設された軸受16に回
転自在且つ軸方向の動きを規制された状態で支持されて
おり、各シャフト15の後端部は真空室01の壁を貫通
して、外部に設けられた駆動源17に連結されている。
されており、これら雌ねじ部14は各ノズル板11.1
2の後方に設けられているシャフト15の先端に形成さ
れた雄ねじ部15aと螺合するようになっている。各シ
ャフト15は、真空室01内に立設された軸受16に回
転自在且つ軸方向の動きを規制された状態で支持されて
おり、各シャフト15の後端部は真空室01の壁を貫通
して、外部に設けられた駆動源17に連結されている。
このような構成において、真空室01外の駆動源17に
よりシャフト15を右又は左に回転駆動すると、その先
端の雄ねじ部15mに螺合しているノズル板11.12
がスライド溝13に沿って前後方向に移動する。ここで
、駆動源17の回転数とノズル板11.12の移動寸法
との相対関係を把握しておき、ノズルの開口部の面積を
拡げるときは左回転、狭くするときは右回転させること
によゆノズルの開口部の面積を任意に変えることができ
る。なお、第一のゲートのノズル板11の移動により、
板幅方向に直交する方向のノズル幅を変えることができ
、蒸着膜厚のコントワールをすることができる。また、
第二のゲートのノズル板12の移動により、板幅方向の
ノズル幅を変えることができ、基板の板幅方向の蒸着幅
を変化することができる。さらに、第一のゲートのノズ
ル板11を各々中央部に向って密着するまで移動するこ
とにより、蒸気の噴出口を完全に速量することもできる
。
よりシャフト15を右又は左に回転駆動すると、その先
端の雄ねじ部15mに螺合しているノズル板11.12
がスライド溝13に沿って前後方向に移動する。ここで
、駆動源17の回転数とノズル板11.12の移動寸法
との相対関係を把握しておき、ノズルの開口部の面積を
拡げるときは左回転、狭くするときは右回転させること
によゆノズルの開口部の面積を任意に変えることができ
る。なお、第一のゲートのノズル板11の移動により、
板幅方向に直交する方向のノズル幅を変えることができ
、蒸着膜厚のコントワールをすることができる。また、
第二のゲートのノズル板12の移動により、板幅方向の
ノズル幅を変えることができ、基板の板幅方向の蒸着幅
を変化することができる。さらに、第一のゲートのノズ
ル板11を各々中央部に向って密着するまで移動するこ
とにより、蒸気の噴出口を完全に速量することもできる
。
〈発明の効果〉
思上説明したように、本発明の連続真空蒸着装置は、第
一のゲート及び第二のゲートのノズル板を真空室外から
移動することにより開口部の面積を瞬時に変えることが
できる。
一のゲート及び第二のゲートのノズル板を真空室外から
移動することにより開口部の面積を瞬時に変えることが
できる。
例えば、第一のゲートを介して基板の板幅に直交する方
向の開口部の幅を変化させることにより蒸着膜厚のコン
トロールが可能により、従来の複雑な手順を省(ことが
できる。また、第二のゲートを介して基板の板幅方向の
開口部の輻を変化させることにより基板の板幅方向への
蒸着幅のコントロールができると共に、基板の板幅方向
への蒸気の放散が防止でき、装置の清掃の回数が減少し
、破動率も向上する。さらに、第一のゲートを介してノ
ズルの開口部を完全に密閉することができ、これにより
蒸着材加熱昇温時の放射熱による基板の焼損が防止でき
る。
向の開口部の幅を変化させることにより蒸着膜厚のコン
トロールが可能により、従来の複雑な手順を省(ことが
できる。また、第二のゲートを介して基板の板幅方向の
開口部の輻を変化させることにより基板の板幅方向への
蒸着幅のコントロールができると共に、基板の板幅方向
への蒸気の放散が防止でき、装置の清掃の回数が減少し
、破動率も向上する。さらに、第一のゲートを介してノ
ズルの開口部を完全に密閉することができ、これにより
蒸着材加熱昇温時の放射熱による基板の焼損が防止でき
る。
第1図は一実施例に係る連続真空蒸着装置の要部上面図
、第2図はその■−■線矢視図、第3図はそのI−1線
矢視図、第4図及び第5図は従来技術に係る連続真空蒸
着装置を示す縦断面図である。 図面中、 01は真空室、 05は蒸着材収納容器、 06は加熱体、 11.12はノズル板、 11a、12mは突起、 11bは切り欠き部、 13はスライド溝、 14は雌ねじ部、 15はシャフト、 15aは雄ねじ部、 16は軸受、 17は駆動源である。
、第2図はその■−■線矢視図、第3図はそのI−1線
矢視図、第4図及び第5図は従来技術に係る連続真空蒸
着装置を示す縦断面図である。 図面中、 01は真空室、 05は蒸着材収納容器、 06は加熱体、 11.12はノズル板、 11a、12mは突起、 11bは切り欠き部、 13はスライド溝、 14は雌ねじ部、 15はシャフト、 15aは雄ねじ部、 16は軸受、 17は駆動源である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 蒸着材の蒸気を走行する基板に蒸着する連続蒸着装置
において、 上記基板の板幅方向に延設される一対の平板状のノズル
板からなると共にその先端縁同志が平行に相対向して上
記板幅方向と直交する方向に各々移動可能な第一のゲー
トと、 上記基板の板幅方向と直交する方向に延設される一対の
平板状のノズル板からなると共にその先端縁同志が平行
に相対向して上記板幅方向に各々移動可能な第二のゲー
トと、 これら第一のゲート及び第二のゲートの各ノズル板をそ
れぞれ位置決め移動する駆動装置、とを有することを特
徴とする連続真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19902090A JPH0488171A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 連続真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19902090A JPH0488171A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 連続真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488171A true JPH0488171A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16400788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19902090A Pending JPH0488171A (ja) | 1990-07-30 | 1990-07-30 | 連続真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0488171A (ja) |
-
1990
- 1990-07-30 JP JP19902090A patent/JPH0488171A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0251982B2 (ja) | ||
| JPH0488171A (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| JP2023538027A5 (ja) | ||
| Rani et al. | Effect of Argon/Oxygen Flow Rate Ratios on DC Magnetron Sputtered Nano Crystalline Zirconium Titanate Thin Films | |
| US20250101573A1 (en) | Material deposition apparatus, method of depositing material on a substrate, and material deposition system | |
| JP3871735B2 (ja) | 金属箔基材への膜形成装置 | |
| JPS5935580Y2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP4212338B2 (ja) | 金属物の蒸着方法及び装置 | |
| JP3021624B2 (ja) | 真空成膜装置及び蒸着フィルムの製造方法 | |
| JPH0488170A (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| JP2647513B2 (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| JPH04346652A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH0414450Y2 (ja) | ||
| JP2793412B2 (ja) | フォトレジストの塗布装置 | |
| CN222008002U (zh) | 一种用于蒸发镀膜的蒸发源引导机构和蒸发镀膜装置 | |
| JPS5939664B2 (ja) | 金属箔の表面に太陽熱選拓吸収皮膜を形成する方法 | |
| JPH01184270A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP2761697B2 (ja) | 気化冷却装置 | |
| JPH03219070A (ja) | 真空蒸着装置および方法 | |
| JPH02118072A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS6160911B2 (ja) | ||
| JPH0336519Y2 (ja) | ||
| JPS61159573A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH0435555B2 (ja) | ||
| JP2615241B2 (ja) | 真空蒸着装置 |