JPS6160911B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、フイルム状基体の両面に機能薄膜と
してスパツタ薄膜を連続的に形成するスパツタリ
ング装置に関する。

〔発明の背景技術およびその問題点〕

近年、記録媒体層がスパツタ薄膜によつて形成
された磁気記録媒体が出現している。スパツタ薄
膜は、通常、低圧の不活性ガス中でグロー放電を
行なわせ、この放電によつて生じた陽イオンをタ
ーゲツトに衝突させ、この衝突によつてターゲツ
トからたたき出された金属微粒子を所定の支持基
体の表面に付着させることによつて形成される。
したがつて、ターゲツトとして磁気記録性に富ん
だ材料を選択すれば、良好な記録媒体層を形成す
ることができる。

ところで、最近では、フイルム状基体の両面に
スパツタ薄膜で形成された記録媒体層を有する磁
気記録媒体の出現が望まれ、この磁気記録媒体を
製造し得るスパツタリング装置の提案も幾つかな
されている。

スパツタリングによつて形成された磁気記録媒
体層の磁気的特性の均一性は、スパツタリング時
における不活性ガス圧力、基体とターゲツトとの
間の距離、スパツタ速度、基体温度等によつて左
右され、このうち、基体とターゲツトの間の距離
および基体温度を一定に保つことは重要である。
このような点を考慮に入れると、フイルム状基体
の両面にスパツタ薄膜を連続的に形成するにはワ
ークロールによつてフイルム状基体を保持させる
方式が何かと有利である。すなわち、内部を通流
する冷媒によつて冷却され、かつ回転駆動される
ワークロールの外周面に沿わせてフイルム状基体
を移送させるとともに上記フイルム状基体の上記
ワークロールの外周面に接触している部分の表面
にスパツタ薄膜を連続的に形成するようにする。
このようにすると、フイルム状基体がワークロー
ルに接触している時間を長くでき、これによつて
基体を良好に冷却できるとともにワークロールに
よつて基体とターゲツトとの間の距離を常に一定
に保つことができる。

しかしながら、スパツタ薄膜のなかには、たと
えば、まず、下地層を形成し、その上に本層を形
成する二層構造にすることが望ましいものもあ
る。このような二層構造のスパツタ薄膜をフイル
ム状基体の両面に亘つて形成するには、片面にス
パツタ薄膜を形成するために、少なくとも２個、
両面で少なくとも４個のワークロールを必要とす
る。したがつて、スパツタリングによつて基体が
加熱される回数は１個所につき最底４回となる。
基体のなかには、加熱温度がそれ程高い値でなく
ても、加熱によつて、いわゆる伸びを生じるもの
がある。このような基体にあつては一方の面への
スパツタ薄膜形成工程が終了して他方の面へのス
パツタ薄膜形成工程へ移行させたとき、この工程
を実行するワークロールとの間のスリツプが必然
的に大きくなる。この場合、上記他方の面へのス
パツタ薄膜形成工程を実行するワークロールの外
周面に、すでに形成されている一方の面のスパツ
タ薄膜が接触することになるので、上記スリツプ
によつて、すでに形成されているスパツタ薄膜が
傷つけられてしまう虞れが多分にある。また、ス
リツプによつてワークロールを介しての基体の冷
却が低下し、この結果、基体そのものが熱的な損
傷を受ける虞れも多分にあつた。

〔発明の目的〕

本発明は、このような事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、基体の保持にワ
ークロールを使用するものにおいて、基体とワー
クロールとの間に生じ易いスリツプをなくすこと
ができ、もつて基体の両面に良好なスパツタ薄膜
を連続的に形成できるスパツタリング装置を提供
することにある。

〔発明の概要〕

本発明に係るスパツタリング装置は、各ワーク
ロールの外周面に沿つて通過するフイルム状基体
の進行速度と各ワークロールの回転速度との間の
相対速度差を、ワークロール間を進行するフイル
ム状基体の張力に応じてワークロールの回転速度
を制御して零に近づける張力制御装置を設けたこ
とを特徴としている。

上記張力制御装置は、各ワークロール間を進行
するフイルム状基体の張力を検出して後段に位置
するワークロールの速度を補正する方式、予め各
ワークロール間に速度差を設定する方式、ワーク
ロールを駆動するモータの入力電流に基いて対応
するワークロールの回転速度を補正する方式など
を実現できる構成となつている。

〔発明の効果〕

上記構成であると、スパツタリングによつてフ
イルム状基体に、たとえ伸びが生じた場合であつ
ても、このフイルム状基体を各ワークロールの外
周面に沿わわせて両者間のスリツプが非常に小さ
い状態で進行させることができる。このため、片
面へのスパツタ薄膜形成工程後、他面へのスパツ
タ薄膜形成工程に移行したときでも、すでに形成
されている片面のスパツタ薄膜が上記工程を実行
するワークロールによつて傷つけられる虞れがな
い。したがつて、高品質の両面スパツタ薄膜付き
のものを製造することができる。また、スリツプ
の非常に小さい状態でフイルム状基体を各ワーク
ロールの外周面に沿わせて進行させることができ
るので、各ワークロールを介して基体を良好に冷
却でき、基体の熱損傷を防止できる。したがつ
て、スパツタリングパワーを増加させることによ
つて薄膜形成速度を増加させることができ、短時
間に所望膜厚のものを両面に形成することができ
る。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。なお、この実施例は、高分子フイルム
の両面に磁気記録媒体層を形成する装置に本発明
を適用した例である。

第１図において、図中１は、たとえば金属材製
の真空容器であり、この真空容器１は、軸心線が
重力方向に対して直交するように配置された円筒
部２と、この円筒部２の両端開口部を気密に蓋す
る蓋体３ａ，３ｂ（但し３ｂは図示せず。）とで
構成されている。そして、円筒部２には図示しな
い排気系に通じる排気口４と、同じく図示しない
不活性ガス供給系に通じるガス導入口５とが形成
されている。なお、前記蓋体３ｂは選択的に開閉
できる構造に形成されている。

しかして、真空容器１内には、この真空容器１
内において、フイルム状基体Ｐを前記円筒部２の
の軸心線に対して直交する進路で、かつ下から上
へとコ字状の経路で案内走行させる案内機構１１
が設けられている。この案内機構１１は、真空容
器１内の上下２分割仮想線より下方に図中左方か
ら右方に亘つて配置された供給リール１２および
ワークロール１３，１４と、上下２分割仮想線よ
り上方に図中右方から左方に亘つて配置されたワ
ークロール１５，１６および巻取リール１７と、
これらの間にそれぞれ配置されたフリーロール１
８とで構成されている。これらフリーロール１
８、ワークロール１３，１４，１５，１６、供給
リール１２および巻取リール１７は、それぞれ、
その軸心線が前記円筒部２の軸心線と平行するよ
うに配置されている。そして、供給リール１２か
ら巻戻されたフイルム状基体Ｐは、ワークロール
１３，１４，１５，１６の順に各ワークロールの
外周面に沿い、かつ各ワークロール毎にその最下
面位置において折り返す関係に案内され、最終的
に巻取リール１７に巻取られるように案内され
る。

上記供給リール１２および巻取リール１７に
は、それぞれ駆動軸（図示せず）が連結されてお
り、これら駆動軸は、蓋体３ａを上記蓋体３ａと
の間が絶縁された状態で気密にかつ回転自在に貫
通して、第２図にそれぞれａを付して示す直流分
巻形のモータ１２ａ，１７ａの回転軸に連結され
ている。また、前記ワークロール１３，１４，１
５，１６は、それぞれ二重筒状に形成されてお
り、これらワークロール１３，１４，１５，１６
には、それぞれ二重筒状に形成された駆動軸が対
応する空間どうしを連通させた状態に連結されて
いる。そして、二重筒状に形成された各駆動軸
は、蓋体３ａを上記蓋体３ａとの間が絶縁された
状態で気密にかつ回転自在に貫通して第２図にそ
れぞれａを付して示す直流分巻形のモータ１３
ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａの回転軸に連結され
ている。なお、二重筒状に形成された上記各駆動
軸の真空容器１外に位置する部分には、それぞ
れ、上記駆動軸の中央部に存在する空間を通して
ワークロールの中央部に存在する空間に熱媒体を
送り込み、この熱媒体をワークロール内の外側空
間および駆動軸内の外側空間を介して外部へ排出
させるロータリジヨイント機構が設けてあり、こ
れらロータリジヨイント機構はそれぞれ高温液体
源および低温液体源に選択的に接続されるように
なつている。

しかして、前記真空容器１内には、各ワークロ
ール１３，１４，１５，１６の外周面に２個づつ
対向する関係に合計８個のスパツタ源２１，２
２，…２８が配置されている。これらスパツタ源
２１，２２，…２８は、それぞれ、たとえば円板
状に形成されたターゲツトの外側にこれと同心円
状にリング状の陽極を上記ターゲツトとは絶縁さ
せて配置するとともにターゲツトの背面に一方の
磁極面が接触するように永久磁石を配置したマグ
ネトロン形の平板状構造に形成されている。そし
て、各スパツタ源２１，２２，…２８は、各ワー
クロール１３，１４，１５，１６の外周面に対
し、各ワークロールの軸心線を通る垂直線を基準
にし、この垂直線とターゲツトの軸心線との間の
開き角θが30〜60度の範囲で斜下方から対面する
関係にそれぞれ設けられている。なお、この実施
例の場合、スパツタ源２１，２２，２５，２６の
ターゲツトはパーマロイで形成されており、スパ
ツタ源２３，２４，２７，２８のターゲツトは
Co―Cr合金で形成されている。そして、各スパ
ツタ源２１，２２，…２８のターゲツトと陽極と
は蓋体３ａを気密に貫通して設けられた図示しな
いリード線を介してそれぞれ独立的に図示しない
直流電源の出力端に接続されている。

一方、前記供給リール１２とワークロール１３
との間、ワークロール１３，１４間、ワークロー
ル１４，１５間、ワークロール１５，１６間およ
びワークロール１６と巻取リール１７との間に
は、これらの間を進行するフイルム状基体Ｐの張
力を検出する張力検出器３１，３２，…３５が設
置されている。これら張力検出器３１，３２，…
３５は、たとえば張力を機械的な変位に変換し、
この変位量を電気信号として出力するように構成
されている。また、ワークロール１３および１６
の図中左方には、正転、逆転操作に連動して各ワ
ークロールに選択的に押圧接触するピンチローラ
３７，３８が設けられている。

しかして、前記各モータ１２ａ，１３ａ，１４
ａ，…１７ａは、第２図に示すようにサーボ制御
回路４１，４２，…４６によつて独立的に駆動さ
れる。この回路４１，４２，…４６は、入力信号
として導入された設定速度信号とモータに直結さ
れた直流発電機４８で得られた現実の速度信号と
の偏差が常に零となるようにモータの速度を制御
するように構成されている。そして、上記各サー
ボ制御回路４１，４２，…４６の入力端には、速
度設定器５１、正転逆転切換器５２および速度補
正器５３，５４，５５，５６，５７を介して設定
速度信号が導入される。

上記速度補正器５３，５４，５５，５６，５７
は、それぞれ張力設定器６１で与えられた張力信
号Z₀と各張力検出器で得られた張力信号Z₁との偏
差を求める回路６２と、この回路６２で求められ
た偏差信号で前記速度設定器５１から与えられた
設定速度信号を補正する回路６３とで構成されて
いる。すなわち、Z₀に対してZ₁が小さいときに
は、両者の差に対応した分だけ設定速度信号を増
加させ、また、逆の場合には設定速度信号を減少
させるようにしている。また、回路６３は正転逆
転切換器５２に応動して、増減信号分の極性を切
換えるようにしている。しかして、この実施例の
場合には、供給リール１２、各ワークロール１
３，１４，１５，１６および巻取リール１７を第
１図中実線矢印で示すように回転駆動させてフイ
ルム状基体Ｐを走行させている状態を正転とし、
この正転状態においては、モータ１２ａを制御す
るサーボ制御回路４１に信号源６４から低速度設
定信号に対応する信号を直接導入し、また、モー
タ１３ａを制御するサーボ制御回路４２に正転逆
転切換器５２を通つた設定速度信号を直接導入
し、さらにモータ１４ａ，１５ａ，１６ａ，１７
ａを制御するサーボ制御回路４３，４４，４５，
４６に、上記モータによつて駆動されるワークロ
ールおよび巻取リールの位置の直前に位置する張
力検出器の出力が導入される速度補正器を通つた
信号を設定速度信号として導入するようにしてい
る。そして、逆転状態においては、これらの関係
を切換えるようにしている。したがつて、第２図
に示すように、正転逆転切換器５２の切換操作に
連動して切換わるスイツチ６６が設けてあり、こ
の第２図は正転状態を示している。そして、図中
６８は逆転状態時にサーボ制御回路４６に低速度
信号を与える信号源を示している。また、第１図
中７０，７１はスパツタ源を保持るホルダを示
し、また、７２は仕切板を示し、７３はスパツタ
リングによつて薄膜が形成される領域を規制する
マスクを示している。また、ピンチローラ３７は
正転逆転切換器５２の切換操作に応動して正転の
ときだけワークロール１３に押圧接触するように
制御され、また、ピンチローラ３８は逆転のとき
だけワークロール１６に押圧接触するように制御
される。

次に上記のように構成された装置を使つてフイ
ルム状基体Ｐの両面にパーマロイ層およびCo―
Cr層からなる二層構造のスパツタ薄膜を形成す
る場合の使用例を説明する。

まず、真空容器１の蓋体３ｂを開け、フイルム
状基体Ｐの巻回された巻取リールを第１図に示す
ようにセツトし、次に、上記巻取リール１７に巻
回されているフイルム状基体Ｐを所定の長さ巻戻
し、これを第１図に示すように各フリーロール１
８、張力検出器３５，３４，３３，３２，３１お
よび各ワークロール１６，１５，１４，１３に沿
わせた後、その遊端を供給リール１２に巻き付
け、所定の張力が加わるように調整し、蓋体３ｂ
を閉じる。次に排気系を作動させて真空容器１内
を十分低圧に排気する。次に、各ワークロール１
３，１４，１５，１６の二重筒状に形成された駆
動軸を介して高温液体を各ワークロール１３，１
４，１５，１６内に通流し、これによつて、各ワ
ークロール１３，１４，１５，１６の表面温度を
定められた一定の高温度に保持する。次に、正転
逆転切換器５２を逆転側に切換える。この切換え
によつて、各スイツチ６６は第２図に示す状態と
は逆の関係に切換わる。また、ピンチローラ３８
がフイルム状基体Ｐを介してワークロール１６に
圧接する。次に、張力設定器６１から所定の張力
信号Z₀を出力させるとともに速度設定器５１から
所定の設定速度信号を出力させる。この状態で、
各サーボ制御回路４１，４２，…４６に始動指令
Ｓを与える。

このように始動指令Ｓが与えられると、各サー
ボ制御回路４１，４２，４３…４６が作動し、モ
ータ１２ａ，１３ａ，１４ａ，…１７ａが一斉に
回転を開始する。すなわち、モータ１７ａは、信
号源６８の出力信号によつて決まる値に低速回転
し、また、モータ１６ａは速度設定器５２の設定
速度信号に対応した速度で回転し、さらにモータ
１５ａ，１４ａ，１３ａ，１２ａは速度設定器５
２の設定速度信号を速度補正器５６，５５，５
４，５３で補正した信号に対応した速度で回転す
る。このため、巻取リール１７、ワークロール１
６，１５，１４，１３および供給リール１２が第
１図に実線矢印で示す方向とは反対方向に回転
し、これによつて、フイルム状基体Ｐは、巻取リ
ール１７から供給リール１２に徐々に巻取られ
る。この場合、各ワークロール１３，１４，１
５，１６は、前述の如く、高温液体によつて高温
に保持されているので、これに接触するフイルム
状基体Ｐも加熱され、この結果、フイルム状基体
Ｐに付着している不純ガスが放出される。すなわ
ち、上述した動作によつてフイルム状基体Ｐの前
処理が実行される。なお、巻取リール１７を低速
で回転させるのは、慣性によつて巻取リール１７
が回り過ぎるのを防止するためであり、したがつ
て、信号源６８（６４としては巻厚の減少に伴な
つて出力信号が徐々に増加するものが望ましい。
しかして、上記のように前処理を行ない、巻厚表
示器の指示値からフイルム状基体Ｐの終端が巻取
リール１７を離れる直前に至つた時点で各サーボ
制御回路４１，４２，…４６への始動指令Ｓの供
給を停止し、これによつて、巻取リール１７、各
ワークロール１６，１５，１４，１３および供給
リール１２の回転を停止させて前処理工程を終了
する。この前処理工程によつてフイルム状基体Ｐ
に付着しているガスのほとんどは排気系に移行し
て除去される。

次に、各ワークロール１３，１４，１５，１６
内への高温液体の通流を停止させ、続いて各ワー
クロール１３，１４，１５，１６内へ、たとえば
−15℃の低温液体を通流させる。この低温液体の
通流によつて各ワークロール１３，１４，１５，
１６の表面は十分低温に冷却される。

次に、正転逆転切換器５２を操作して正転側に
切換える。この切換えによつて各スイツチ６６は
第２図の状態に切換わる。また、速度設定器５１
および張力設定器６１の出力をそれぞれ所望の値
に設定する。

この状態で各サーボ制御器４１，４２，…４６
に始動指令Ｓを与える。この結果、供給リール１
２、ワークロール１３，１４，１５，１６および
巻取リール１７が第１図中実線矢印で示す方向に
回転を開始し、フイルム状基体Ｐは、供給リール
１２から巻取リール１７側へと移行を開始する。
次に、ガス導入口５からたとえばArガスを連続
的に導入するとともに、この状態で真空容器１内
が、たとえば３〜７×10^-3Torrの圧力となるよ
うに排気系およびArガス供給系を調整し、続い
てスパツタ源２１，２２，…２８の陽極とターゲ
ツトとの間に数百ボルトの直流電圧を印加する。
この印加によつて陽極とターゲツトとの間にグロ
ー放電が生じ、これによつて、よく知られている
原理に基づき、ターゲツトを構成している金属微
粒子がたたき出される。このたたき出された金属
微粒子の一部は、ターゲツトの前面をワークロー
ルの外周面に沿つて進行るフイルム状基体Ｐの表
面に付着する。前述の如く、スパツタ源２１，２
２のターゲツトはパーマロイで形成されており、
また、スパツタ源２３，２４のターゲツトはCo
―Cr合金で形成されている。したがつて、フイ
ルム状基体Ｐがワークロール１３，１４の外周面
に沿つて通過する間に、このフイルム状基体Ｐの
一方の表面にパーマロイ層およびCo―Cr層から
なる二層構造のスパツタ薄膜層が形成されること
になる。そして、フイルム状基体Ｐがワークロー
ル１５，１６の外周面に沿つて進行するときに
は、すでにスパツタ薄膜層が形成されている面が
ワークロール１５，１６の外周面に接触する関係
に案内される。したがつて、この区間内を通過す
るときにはフイルム状基体Ｐの他方の表面にパー
マロイ層およびCo―Cr層からなる二層構造のス
パツタ薄膜層が形成されることになり、結局、巻
取リール１７には、フイルム状基体Ｐの両面に二
層構造のスパツタ薄膜の形成されたものが巻取ら
れることになる。そして、上記のようにスパツタ
リングが行なわれると、このスパツタリングによ
つてフイルム状基体Ｐが加熱されようとするが、
この熱は各ワークロール１３，１４，１５，１６
を介して各ワークロール内を通流している低温液
体に伝達される。したがつて、フイルム状基体Ｐ
が熱的な損傷を受けるようなことはない。また、
上記熱によつて万一、フイルム状基体Ｐに伸びが
生じた場合には、次のように動作する。すなわ
ち、上記のようにフイルム状基体Ｐが伸びると、
この伸びは、各ワークロール間を進行する基体に
加わる張力の低下となつて表われる。たとえば
今、ワークロール１４と１５との間を進行する基
体の張力が低下すると、この低下は張力検出器３
３によつて検出される。このように、張力検出器
３３の出力が低下すると、第２図に示す速度補正
器５５の回留６２の出力が増加し、この結果、回
路６３の出力も増加する。したがつて、サーボ制
御器４４の入力が増加するのでモータ１５ａの回
転速度が増加し、これに伴なつてワークロール１
５の回転速度が増加する。したがつて、張力が低
下した分だけワークロール１５の巻込みが早めら
れるので、再び張力が増加することになり、結局
ワークロール１５の外周面に沿つて進行するフイ
ルム状基体Ｐの進行速度との相対速度差がほぼ零
となるようにワークロール１５の回転速度が制御
される。このような制御は、他のワークロール１
４，１６および巻取リール１７についても同様に
行なわれる。したがつて、フイルム状基体Ｐは、
各ワークロール１４，１５，１６との間のスリツ
プが常に非常に小さい状態で進行することにな
る。このため、特に、ワークロール１５，１６の
外周面に沿つて進行するとき、すでに形成されて
いるスパツタ薄膜にすり傷がつく虞れがない。ま
た、スリツプが増加したときに起こり易い冷却性
能の低下も発生しない。

このように、各ワークロールの外周面に沿つて
通過するフイルム状基体Ｐの進行速度と各ワーク
ロールの回転速度との間の相対速度差を上記フイ
ルム状基体Ｐに加わる張力を制御して零に近づけ
る、いわゆる張力制御装置を設けている。したが
つて、ワークロール保持方式を採用して両面にス
パツタ薄膜を形成する場合に、フイルム状基体Ｐ
の伸びに起因して、すでに形成されているスパツ
タ薄膜がワークロールによつて傷つけられる現象
の発生を防止でき、製品の品質向上化を図ること
ができる。また、フイルム状基体Ｐをスリツプが
ほぼ零の状態でワークロールの外周面に沿わせて
進行させることができるので、ワークロールを介
してフイルム状基体Ｐを良好に冷却でき、フイル
ム状基体Ｐが熱的な損傷を受けるのを確実に防止
できる。このことは、スパツタリングパワーを増
加させて薄膜形成速度の増加を図れることに通じ
るので極めて有利なものとなる。

なお、上述した実施例では、いわゆる張力制御
装置を複数の張力検出器と、これら検出器の出力
に基いて各ワークロール駆動モータの設定速度を
補正する複数の速度補正器とで構成しているが、
これに限られるものではない。すなわち、各ワー
クロールを駆動するモータの電流を検出器で検出
し、これら検出器の出力に応じて各モータの速度
補正を行なうようにしてもよい。また、フイルム
状基体の伸び量が予め判明しているときには、各
モータの設定速度に予め差を設けるようにしても
よい。さらに、前処理時に、各ワークロールとた
とえば真空容器との間に電圧を印加して各ワーク
ロール付近にプラズマを発生させ、このプラズマ
によつてフイルム状基体の表面を活性化させ、こ
れによつて脱ガスと付着性の向上化とを図るよう
にしてもよい。この場合、スパツタ源とフイルム
状基体との間にシヤツタを設け、スパツタ源に不
純物が付着するのを防止するようにしてもよい。
また、上述した実施例は二層構造のスパツタ薄膜
形成用のものに本発明を適用した例であるが、一
層構造形成用のものにも適用できることは勿論で
ある。また、各マスクを冷却する手段を設けても
よい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るスパツタリン
グ装置における要部の模式的縦断面図、第２図は
同装置の制御回路図である。 １…真空容器、１２…供給リール、１７…巻取
リール、１３，１４，１５，１６…ワークロー
ル、１８…フリーロール、２１，２２，２３，２
４，２５，２６，２７，２８…スパツタ源、３
１，３２，３３，３４，３５…張力検出器、５
３，５４，５５，５６，５７…速度補正器、Ｐ…
フイルム状基体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 供給リールから巻戻されたフイルム状基体を
   複数のワークロールの外周面に順次沿わせて移送
   させた後に巻取リールで巻取るとともに上記フイ
   ルム状基体が上記供給リールから上記巻取リール
   に至る間に上記フイルム状基体の両面にスパツタ
   薄膜を形成するようにしたスパツタリング装置に
   おいて、前記ワークロール間を進行する前記フイ
   ルム状基体の張力に応じて前記ワークロールの回
   転速度を制御し、前記各ワークロールの外周面に
   沿つて通過する前記フイルム状基体の進行速度と
   各ワークロールの回転速度との間の相対速度差を
   零に近づける張力制御装置を設けてなることを特
   徴とするスパツタリング装置。 ２ 前記張力制御装置は、前記各ワークロール間
   を進行する前記フイルム状基体の張力をそれぞれ
   検出する複数の張力検出器と、これら張力検出器
   の出力に基き、これら張力検出器の直後に位置す
   る上記ワークロールの回転速度を補正する複数の
   速度補正器とで構成されてなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のスパツタリング装
   置。 ３ 前記張力制御装置は、前記各ワークロール間
   に予め設定された速度差を設ける複数の速度差設
   定系で構成されてなることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のスパツタリング装置。 ４ 前記張力制御装置は、前記フイルム状基体が
   最初に接する第１段目のワークロールを除く次段
   目以降のワークロールを駆動するモータの入力電
   流をそれぞれ検出する複数の電流検出器と、これ
   ら電流検出器の出力に応じて対応するモータの回
   転速度を補正する複数の補正器とで構成されてな
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   スパツタリング装置。