JPH0488353A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は静電潜像形成と静電潜像転写を同時に行う同時
静電潜像転写方式に好適な電子写真感光体に関するもの
である。

〔従来の技術〕

電子写真法として、感光体上の静電潜像を誘電体層を設
けた記録紙に一旦転写し、この静電潜像をトナーで現像
する静電潜像転写法か既に知られている。この電子写真
法はトランスファー・オブ・エレクトロスタティック・
イメージ（Ｔｒａｎｓｆｅｒｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓ
ｔａｔｉｃ　Ｉｍａｇｅ）法、いわゆるＴＥＳＩ法と呼
ばれ、大別して、感光体上の静電潜像形成と記録紙への
静電潜像転写とを別々の工程で行う「順次転写法」と、
感光体と記録紙を積み重ねた状態で画像露光を行い、静
電潜像形成と転写を同時に行って記録紙に静電潜像を形
成する「同時転写法Ｊとがある。

後者の同時転写法に用いられる感光体として、透光性の
導電支持体上に光導電層を積層したものを基本構成とし
、更にコントラストを改善するために上記導電支持体と
光導電層との間に絶縁層を形成した層構成が提案されて
いる（特公昭５７−５５１４０号及び特開昭５６−４３
６６５号参照）。

その他、特開昭４９−５２６４３号には上記導電支持体
と光導電層との間に該光導電層に比べて暗抵抗の高い有
機光導電層を形成した層構成か、また、特公昭５７−４
６０６７号には透明支持体上に透明電極層、光導電性注
入阻止層及び光導電層を順次積層した層構成も提案され
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記光導電層にはＳｅ、　５ｅ−Ｔｅ、　５ｅ−Ａｓ、
　Ｔｅ−Ａｓ。

ＺｎＯ，ＺｎＣｄ５．　ＣｄＳ、　Ｃｄ５−ｎｃｄｃＯ
ａ、　ＣｄＳｅ、　ＣｄＴｅ。

ＰｂＯ，Ｓｂ、Ｓｓなどの無機材料や、ポリビニルカル
バゾール、アントラセン、アントラキノンなどの有機材
料が用いられていた。

しかしながら、これらの光導電材料は光感度か充分に高
くなく、そのために静電潜像形成時に大きな露光エネル
ギー（数十〜数百ルックス・秒〔１ｕＸ−８ｅｃ〕）を
必要としていた。

そこで、近年急速に発展してきたＬＥＤアレイやＥＬア
レイから成る光プリントヘッドを用いた場合、複写装置
の小型化を成し得るが、その反面、消費電力を小さくす
る要求に対しては、感光体の感度が不足し、満足し得な
かった。

また、ＴＥＳ　Ｉ法は感光体が現像器やクリーナーに接
していないために通常のカールソン法に比べて感光体表
面の摩耗や傷発生が少なくなり、その感光体を長寿命化
させることができるが、その反面、従来の光導電材料で
は、その表面硬度が高くなく、そのために静電記録紙や
転写ローラとの接触に起因して感光体表面が摩耗したり
、その表面に傷か生じるという問題点がある。

従って本発明は上記事情に鑑みて案出されたものであり
、その目的は可視光領域の光に対して高い感度が得られ
、しかも、長寿命化を達成した同時静電潜像転写方式に
好適な電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は透光性支持体を有する感光体表面を誘電体の一
方主面と接触させるとともに上記透光性支持体側からの
画像露光と同時に上記誘電体の他方主面と感光体との間
に電圧を印加する同時静電潜像転写方式に用いられる電
子写真感光体に係り、上記透光性支持体自体が導電性を
有するが、もしくは支持体表面に透光性電極を備えると
ともに、その支持体上にアモルファスシリコン系光導電
層とアモルファスシリコン系絶縁層を積層したことを特
徴とする。

また本発明は前記透光性支持体とアモルファスシリコン
系光導電層の間にアモルファスシリコン系透光性絶縁層
を形成したことも特徴である（以下アモルファスシリコ
ンをａ−３ｉと略す）。

次に本発明を詳述する。

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の典型的層構
成を表す図である。

これらの図においては、１は透光性支持体であり、この
支持体１の上に透光性電極層２及びａ−３ｉ系先光導電
３を順次積層するか、もしくはその間にａ−Ｓｉ系透光
性絶縁層としての中間層４を介して積層する。そして、
光導電層３の上にａ−３ｉ系絶縁層としての表面層５を
形成する。

上記透光性支持体１は板状、ドラム状、シート状、ベル
ト状などの形状をなし、その材料にはガラス、石英、サ
ファイア等の透明な無機材料、また、弗素樹脂、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ビニロン、エポキシ、マイラー等の
透明な有機樹脂、更にまたオプチカルファイバー、セル
フォック光学プレート等がある。

上記透光性電極層２にはＴＴＯ（インジウム・スズ・酸
化物）、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅等
の透明導電性材料を用いたり、或いは蒸着やスパッタリ
ングによりＡＩ！、　Ｎｉ、　Ａｕ等の金属を半透明に
なる程度に薄く形成してもよい。

上記ａ−３ｉ−３ｉ電光導電中間層４または表面層５は
グロー放電分解法、スパッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着
法などにより成膜形成し、その形成に当たってダングリ
ングボンド終端用の元素、例えば水素（Ｈ）やハロゲン
を含有させる。

ａ−３ｉ系光導電層３にはそのシリコン元素の一部をカ
ーボン、酸素、窒素、ゲルマニウム、スズ、イオウなど
の元素と置換して導電率やバンドギャップ、硬度などの
物性を適宜変えてもよい。光源としてＬＥＤヘッドを用
いた場合にはａ−３ｉ系の層により有効に受光されるか
、ＥＬヘッドを用いた場合、その発光波長は短波長側ヘ
シフトしており、そのためａ−３ｉ層にカーボン、酸素
、窒素などの元素を含有させてバンドギャップを広げる
とよい。また、半導体レーザを用いた場合、その発光波
長は長波長側ヘシフトしており、そのためａ−３ｉ層に
ゲルマニウム、スズなどの元素を含有させてバンドギャ
ップを狭くすればよい。

更にまたａ−３ｉ系先光導電３に周期律表第１ＩＩａ族
元素や第Ｖａ族元素を添加して電気特性を調整すること
もできる。

上記ａ−３ｉ−３ｉ電光導電厚みは０．１〜１００μｍ
、好適には１〜５０μｍの範囲内かよく、これにより、
静電潜像の形成に必要な絶縁耐圧か確保し易くなり、ま
た露光を吸収して光キャリアを有効に生成でき、しかも
、残留電位の上昇を抑制することかできる。

前記中間層４は、その層目体で光導電層３ての光キヤリ
ア生成に有効な光を吸収しないように光導電層３に比べ
てバンドギャップを大きくする必要があり、それにはカ
ーボン、酸素、窒素などの元素を含有して光学的エネル
ギーギャップ（以下Ｅｇ　ｏｐｔと略す）を１．９ｅＶ
以上に設定するとよい。

また、電極層２から光導電層３へのキャリア注入を有効
に阻止するために１０１３Ωｃｍ以上の抵抗率に設定す
るのか望ましい。

上記中間層４の厚みは０．１〜ｌＯμｍ、好適には０．
３〜５μｍの範囲内かよく、これにより、静電潜像の形
成に必要な絶縁耐圧か確保し易くなり、また、この中間
層での露光の吸収を抑えて光導電層３において光キャリ
アを有効に生成でき、しかも、残留電位の上昇を抑制す
ることができる。

前記表面層５については硬度を高めるとともに、絶縁性
を具備させるためにカーボン、窒素、酸素などの元素を
ａ−３ｉ層に含有させる。更に耐湿性を高めるためにゲ
ルマニウム元素を含有させてもよい。これらの含有元素
をＡとして表示し、その含有比率をａ　Ｓｌ＋　−ｘ　
　Ａｘ　（Ａ：Ｃ９Ｎ、０．Ｇｅ）により示した場合、 ０．３≦Ｘ≦１６０ 好適には　０．５≦Ｘ≦０゜９５ に設定すればよい。

この表面層５の厚みは０．０５〜５μｍ、好適には０．
１〜３μｍの範囲内かよく、この範囲内であれば、感光
体の絶縁耐圧や表面硬度を高め、耐湿性などの耐環境性
も高め、また残留電位の上昇を抑制することができる。

かくして上記構成の電子写真感光体を同時静電潜像転写
方式に用いた場合、高い光感度をもつために静電潜像形
成時の露光エネルギが小さくなり、これにより、従来の
感光体では用いられなかったＬＥＤヘッドやＥＬヘッド
などの小型かつ低消費電力の露光光源を用いることかで
きる。

また従来の感光体に比べて高い表面硬度があり、これに
よって長寿命な電子写真感光体を提供することかできた
。因にアモルファスＡｓ２５ｅａ層のビッカース硬度は
１５０ｋｇ／ｍｍ２てあり、有機系光導電層はそれ以下
の硬度であるか、これに対してａ−３ｉ層のビッカース
硬度は１５００〜２０００ｋｇ／ｍｍ　２であり、それ
にカーボン、酸素、窒素を添加すると一層高硬度となる
。

更に中間層４や表面層５を形成した場合、感光体の絶縁
耐圧を高め、バックグラウンド電荷の転写を抑制でき、
その結果、コントラストか高く、バックのかぶりのない
良好な画像か得られる。

尚、上記の電子写真感光体においては透光性支持体１の
上に透光性電極層２を積層しているか、その地這光性支
持体１を導電性材料を用いて形成し、それに電極機能を
もたせ、上記電極層２を不要としてもよい。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述へる。

（電子写真複写機の構成） 第３図は本例に用いられる電子写真複写機の構成である
。

同図において、ドラム状透光性支持体１の上に透光性電
極層２や光導電層３及び表面層５を順次積層して成る感
光体ドラム６の内側にＬＥＤヘッド７及びイレースラン
プ８を配置する。透光性電極層２に対して電圧を直流電
源９により印加することができる。１０は導電ローラ、
１１は現像器、１２は定着器であり、感光体６と導電ロ
ーラｌＯの間に静電転写紙１３が搬送される。

このような構成において、先ず感光体ドラム６の透光性
電極層２と導電ローラ１０の間に静電転写紙１３を介し
て電圧を印加するとともに、ＬＥＤヘッド７により画像
露光を行うと、光導電層３における光キヤリア発生と光
キヤリア搬送により感光体表面に画像露光に応じた電荷
潜像が形成され、次いで感光体ドラム６の回転に伴って
、静電転写紙１３か感光体ドラム６と剥離する際、両者
間の空隙における気中放電により静電転写紙１３上に電
荷潜像の転写か行われる。この静電潜像は引き続いて現
像器１１によりトナー像として現像され、定着器１２に
より定着される。一方、感光体ドラム６は、その後、イ
レースランプ８の光照射により残留電荷か消去され、次
の潜像形成に用いられる。

（例１） 透明な円筒状ガラス基板の周面に透光性電極層２として
ＩＴＯ層を電子ビーム蒸着法により１０００人の厚みで
形成し、次いで、その上に容量結合型グロー放電分解装
置を用いて第１表の成膜条件によりａ−Ｓｉ系光導電層
を積層した。

〔以下余白〕

第１ 表 １　Ｂ２Ｈｅガスは２０ｐｐｍの濃度でＨ２ガス希釈さ
れている。

かくして得られた感光体を第３図の電子写真複写機に装
着し、その感光体内部にＬＥＤヘッドを配し、波長６６
０ｎｍ　、露光量１．０μＪ／ｃｍ２の条件て画像露光
を行いなから、導電ローラを介して感光体と静電転写紙
との間に＋５００ｖの電圧を印加した。

そして、静電転写紙上に静電潜像を形成し、続いて、こ
の静電潜像を負帯電トナーの２成分方式の現像機を用い
て現像し、得られたトナー像を熱定着して露光部に対応
した画像を得た。この画像を評価したところ、０、Ｄ、
が１．０の画像濃度を有し、バックのかぶりもなく、解
像力も良好な画像であった。

（例２） （例１）の電子写真感光体を作製するに当たって、ａ−
３ｉ系先光導電に代えて光導電性微粉末ＣｄＳｎ　Ｃｄ
Ｃ０３（０，８≦ｎ≦１．０）を金属活性剤とともにア
クリル樹脂に分散させて熱硬化した厚み３０μｍの光導
電層を形成し、その他は（例１）と同一構成とした。

かくして得られた感光体を（例１）と同様に電子写真複
写機に装着し、感光体内部にＬＥＤヘッドを配して、波
長６６０ｎｍ　、露光量１．０μＪ／ｃｍ２の条件で画
像露光を行いながら、導電ローラを介して感光体と静電
転写紙との間に一８００Ｖの電圧を印加した。そして、
静電転写紙上に静電潜像を形成し、続いて、この静電潜
像を正帯電トナーの２成分方式の現像機を用いて現像し
、得られたトナー像を熱定着して露光部に対応した画像
を得た。この画像を評価したところ、光導電層の光感度
が不足のために十分な静電潜像か形成されず、濃度かほ
とんど得られない画像であった。

（例３） 透明な円筒状ガラス基板の周面にＩＴＯ層を電子ビーム
蒸着法により１０００人の厚みて形成し、次いで容量結
合型グロー放電分解装置を用いて第２表の成膜条件によ
り光導電層及びアモルファスシリコンカーバイド（以下
ａ−３ｉＣと略す）からなる表面層を積層した。

〔以下余白〕

かくして得られた感光体の表面層における５ｌｌ−ｘＣ
８のＸ値は０．７であり、そして、その感光体を電子写
真複写機に装着し、感光体内部にＬＥＤヘッドを配して
波長６６０ｎｍ　、露光量１．０　μＪ／ｃｍ２の条件
て画像露光を行いながら、導電ローラを介して感光体と
静電転写紙との間に＋５００Ｖの電圧を印加した。そし
て、静電転写紙上に静電潜像を形成し、続いてこの静電
潜像を負帯電トナーの２成分方式の現像機を用いて現像
し、得られたトナー像を熱定着して露光部に対応した画
像を得た。この画像を評価したところ、（例１）と同様
に、０．Ｄ、か１゜０の画像濃度を有し、バックのかぶ
りもなく、解像力も良好な画像であった。

また、この画像評価試験において、露光量１．２μＪ／
ｃｍ２の条件て画像露光を行いながら、＋７００Ｖの電
圧を印加して同様に画像を得たところ、０．Ｄ。

か１．２の画像濃度を有し、バックのかぶりもなく、解
像力も良好な画像てあった。

（例４） 透明な円筒状ガラス基板の周面にＩＴＯ層を電子ビーム
蒸着法により１０００人の厚みて形成し、次いで容量結
合型グロー放電分解装置を用いて第３表の成膜条件でａ
−３ｉ系光導電層と表面層を積層した。

〔以下余白〕

かくして得られた感光体の表面層におけるＳｌ　＋　−
＋＋Ｎ、のＸ値は０，６０てあり、その感光体を電子写
真複写機に装着し、その感光体内部にＬＥＤヘッドを配
して波長６６０１ｍ　、露光量１．０　μＪ／ｃｍ２の
条件で画像露光を行いながら、導電ローラを介して感光
体と静電転写紙との間に＋５００■の電圧を印加して、
静電転写紙上に静電潜像を形成した。そして、続いてこ
の静電潜像を負帯電トナーの２成分方式の現像機を用い
て現像し、得られたトナー像を熱定着して露光部に対応
した画像を得た。この画像を評価したところ、０．Ｄ、
が１．０の画像濃度を存し、バックのかぶりもなく、解
像力も良好な画像であった。

次に露光量１．２μＪ／ｃｍ２の条件て画像露光を行い
ながら、＋７００Ｖの電圧を印加して静電転写紙上に静
電潜像を形成し、続いてこの静電潜像を負帯電トナーの
２成分方式の現像機を用いて現像し、得られたトナー像
を熱定着して露光部に対応した画像を得た。この画像を
評価したところ、０．Ｄ。

か１．２の画像濃度を有し、バックのかぶりもなく、解
像力も良好な画像であった。

これに対して（例１）の感光体について、露光量１．２
μＪ／ｃｍ２の条件て画像露光を行いながら、＋７００
Ｖの電圧を印加して静電転写紙上に静電潜像を形成し、
続いてこの静電潜像を負帯電トナーの２成分方式の現像
機を用いて現像し、得られたトナー像を熱定着して露光
部に対応した画像を得た。この画像を評価したところ、
はぼ全面に亘って感光体の絶縁破壊に起因する斑点状の
ノイズか見られ、解像力に劣っていた。

（例５） 透明な円筒状ガラス基板の周面にＩＴＯ層を電子ビーム
蒸着法により１０００人の厚みて形成し、次いで容量結
合型グロー放電分解装置を用いて、第４表の成膜条件で
中間層、光導電層及び表面層を積層した。

〔以下余白〕

かくして得られた感光体の表面層におけるＳｊ＋−８Ｃ
１のＸ値は０．７であり、その感光体を電子写真複写機
に装着し、感光体内部にＬＥＤヘッドを配して波長６６
０ｎｍ　、露光量１．０μＪ／ｃｍ’の条件で画像露光
を行いなから、導電ローラを介して感光体と静電転写紙
との間に＋５００Ｖの電圧を印加して、静電転写紙上に
静電潜像を形成した。そして、続いてこの静電潜像を負
帯電トナーの２成分方式の現像機を用いて現像し、得ら
れたトナー像を熱定着して露光部に対応した画像を得た
。この画像を評価したところ、０．Ｄ、が１．０の画像
濃度を有し、バックのかぶりもなく、解像力も良好な画
像であった。

次に露光量１．２μＪ／ｃｍ２の条件で画像露光を行い
なから、＋８００Ｖの電圧を印加して静電転写紙上に静
電潜像を形成し、続いてこの静電潜像を負帯電トナーの
２成分方式の現像機を用いて現像し、得られたトナー像
を熱定着して露光部に対応した画像を得た。この画像を
評価したところ、０．Ｄ。

が１．３の画像濃度を有し、バックのかふりもなく、解
像力も良好な画像であった。

（例６） 本例において、（例５）の感光体を作製するに当たり、
光導電層と中間層は第４表に示す通りの成膜条件で形成
し、表面層は形成せず、更にその他を（例５）と同じよ
うに作製した。

かくして得られた感光体を第３図の電子写真複写機に装
着し、その感光体内部にＬＥＤヘッドを配し、波長６６
０ｎｍ　、露光量１．０　μＪ／ｃｍ２の条件て画像露
光を行いながら、導電ローラを介して感光体と静電転写
紙との間に＋５００ｖの電圧を印加した。

そして、静電転写紙上に静電潜像を形成し、続いて、こ
の静電潜像を負帯電トナーの２成分方式の現像機を用い
て現像し、得られたトナー像を熱定着して露光部に対応
した画像を得た。この画像を評価したところ、０．Ｄ、
が１．０の画像濃度を有し、バックのかぶりもなく、解
像力も良好な画像であった。

次に露光量１．２μＪ／ｃｍ’の条件で画像露光を行い
ながら、＋　５ｏｏｖの電圧を印加して静電転写紙上に
静電潜像を形成し、続いてこの静電潜像を負帯電トナー
の２成分方式の現像機を用いて現像し、得られたトナー
像を熱定着して露光部に対応した画像を得た。この画像
を評価したところ、画像の一部に感光体の絶縁破壊に起
因する斑点状のノイズか見られ、解像力に劣っていた。

（例７） 透明な円筒状ガラス基板の周面にＩＴＯ層を電子ビーム
蒸着法により１ｏｏｏ人の厚みて形成し、次いで容量結
合型グロー放電分解装置を用いて第５表の成膜条件によ
り中間層、光導電層及び表面層を積層した。

〔以下余白〕

かくして得られた感光体の表面層におけるＳｉＮ、のＸ
値は０．６であり、その感光体を電子写真複写機に装着
し、感光体内部にＬＥＤヘッドを配して波長６６０ｎｍ
　、露光量１．０　ｕＪ／ｃｒｎ２の条件て画像露光を
行いながら、導電ローラを介して感光体と静電転写紙と
の間に一５００■の電圧を印加した。そして、静電転写
紙上に静電潜像を形成し、続いてこの静電潜像を正帯電
トナーの２成分方式の現像機を用いて現像し、得られた
トナー像を熱定着して露光部に対応した画像を得た。こ
の画像を評価したところ、０．　Ｄ、か１．０の画像濃
度を有し、バックのかぶりもなく、解像力も良好な画像
であった。

次に露光量１．２μＪ／ｃｔ＋＋２の条件で画像露光を
行いながら、−８００Ｖの電圧を印加して静電転写紙上
に静電潜像を形成し、続いてこの静電潜像を正帯電トナ
ーの２成分方式の現像機を用いて現像し、得られたトナ
ー像を熱定着して露光部に対応した画像を得た。この画
像を評価したところ、０．Ｄ。

か１．３の画像濃度を有し、バックのかぶりもなく、解
像力も良好な画像であった。

また、この画像評価試験において、露光光源のＬＢＤヘ
ッドを波長５８５ｎｍのＥＬヘッドに変え、−５００Ｖ
の電圧を印加して露光量０．９μＪ／ｃｍ２の条件で画
像露光を行いながら、同様に画像を得たところ、同じく
良好な画像か得られａ−３ｉ系光導電層よりも波長の短
い光により高感度な特性を示すことが確かめられた。

（耐湿性試験） 次に（例３）、（例４）、（例５）及び（例７）の各感
光体を３０°Ｃ１８５％ＲＨの環境下の第３図電子写真
複写機に装着し、いずれも１万枚のランニングコピー試
験を行ったところ、良好な画像か保たれていた。これに
対して表面層のない（例１）（例７）の各感光体におい
ては、除々に解像力が低下する点が認められた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、高い光
感度のａ−３ｉ系先光導電を用いているので、静電潜像
形成時の露光エネルギが小さくなり、これにより、ＬＥ
ＤヘッドやＥＬヘッドなどの小型がつ低消費電力の露光
光源を用いることかできた。

また本発明の電子写真感光体によれば、高硬度の表面層
を積層することにより更に摩耗や傷付きに強い長寿命の
感光体とすることかでき、そのため、これまでの電子写
真装置においては感光体は消耗品として扱われていたの
に対して、本発明の感光体を使用することにより電子写
真装置の寿命とほぼ同等の寿命になり、その結果、感光
体の交換の必要がない安価な電子写真装置を提供するこ
とか可能になる。

しかも本発明の電子写真感光体によれば、表面層を積層
することより感光体の絶縁耐圧か高められ、絶縁破壊等
の問題を防止出来るようになる。

また、この表面層か絶縁性であるために静電潜像形成時
に非露光部におけるバックグラウンド電荷の転写を抑制
することかでき、これにより、コントラストの高い静電
潜像か得られる。

更に本発明の電子写真感光体によれば、透光性電極層と
ａ−３ｉ系先光導電との間に絶縁層を設けることにより
電極層から光導電層へのキャリアの注入を有効に阻止で
き、これにより、感光体の絶縁耐圧を高め、かつバック
グラウンド電荷の転写を抑制することができ、その結果
、コントラストが高く、バックのかぶりのない良好な画
像を得ることか出来る。また、電極層の上に直接光導電
層を形成する場合に比べて電極層との密着性が高くなる
ため、光導電層の剥離等の問題点を回避できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明電子写真感光体の層構成を表
す断面図であり、第３図はＴＥＳｒ法の説明図である。 １・・・透光性支持体 ２・・・透光性電極層 ３・・・アモルファスシリコン系光導電層４・・・中間
層 ５・・・表面層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性支持体を有する感光体表面を誘電体の一方
   主面と接触させるとともに上記透光性支持体側からの画
   像露光と同時に上記誘電体の他方主面と感光体との間に
   電圧を印加する同時静電潜像転写方式に用いられる電子
   写真感光体であって、上記透光性支持体自体が導電性を
   有するか、もしくは支持体表面に透光性電極を備えると
   ともに、該支持体上にアモルファスシリコン系光導電層
   とアモルファスシリコン系絶縁層を積層したことを特徴
   とする電子写真感光体。
2. （２）前記透光性支持体とアモルファスシリコン系光導
   電層の間にアモルファスシリコン系透光性絶縁層を形成
   したことを特徴とする請求項（１）記載の電子写真感光
   体。