JPH048847B2 - - Google Patents
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- JPH048847B2 JPH048847B2 JP16086283A JP16086283A JPH048847B2 JP H048847 B2 JPH048847 B2 JP H048847B2 JP 16086283 A JP16086283 A JP 16086283A JP 16086283 A JP16086283 A JP 16086283A JP H048847 B2 JPH048847 B2 JP H048847B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、短波長で磁気記録された信号を再生
するのに適した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドに
関するものである。
するのに適した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドに
関するものである。
(ロ) 従来技術
一般に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドの短波
長再生特性を向上させるためには、磁気的シール
ド層の間隙（例えば、1μｍ程度）に磁気抵抗効
果素子層を配置して隣接信号の影響を小さくする
ことや、強いバイアス磁界（例えば、200Oe程
度）の下で磁気抵抗効果素子層の記録媒体摺動面
近傍のみに感度を持たせ、実効的スペーシングロ
スを減少させることが有効である。
長再生特性を向上させるためには、磁気的シール
ド層の間隙（例えば、1μｍ程度）に磁気抵抗効
果素子層を配置して隣接信号の影響を小さくする
ことや、強いバイアス磁界（例えば、200Oe程
度）の下で磁気抵抗効果素子層の記録媒体摺動面
近傍のみに感度を持たせ、実効的スペーシングロ
スを減少させることが有効である。
然し乍ら、上記した磁気的シールドの効果及び
強いバイアス磁界の効果を併用した短波長再生特
性の良い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドを得るた
めには、以下の点を十分考慮しなければならな
い。即ち、第１に強いバイアス磁界を印加でき、
しかも該バイアス磁界の強さを容易に制御して適
正値に設定できるようなバイアス磁界発生手段を
備えること、第２に斯るバイアス磁界が磁気的シ
ールド層に引き込まれて、磁気抵抗効果素子層に
有効に作用しなくなることのないような磁気的シ
ールド手段を用いること、第３に磁気的シールド
層、磁気抵抗効果素子層、通電端子用導電体層、
バイアス磁界発生手段層等の特に各パターン端部
の段差部での電気的導通、絶縁がそれぞれの目的
に応じて十分になされるような構成にすることで
ある。
強いバイアス磁界の効果を併用した短波長再生特
性の良い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドを得るた
めには、以下の点を十分考慮しなければならな
い。即ち、第１に強いバイアス磁界を印加でき、
しかも該バイアス磁界の強さを容易に制御して適
正値に設定できるようなバイアス磁界発生手段を
備えること、第２に斯るバイアス磁界が磁気的シ
ールド層に引き込まれて、磁気抵抗効果素子層に
有効に作用しなくなることのないような磁気的シ
ールド手段を用いること、第３に磁気的シールド
層、磁気抵抗効果素子層、通電端子用導電体層、
バイアス磁界発生手段層等の特に各パターン端部
の段差部での電気的導通、絶縁がそれぞれの目的
に応じて十分になされるような構成にすることで
ある。
ところが、従来技術では上記した点を十分に満
足した信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツ
ドを提供することが出来なかつた。
足した信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツ
ドを提供することが出来なかつた。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯る点に鑑み成されたもので、短波長
再生特性に優れ且つ信頼性の高い磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘツドを提供しようとするものである。
再生特性に優れ且つ信頼性の高い磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘツドを提供しようとするものである。
(ニ) 発明の構成
即ち、本発明は上記した目的を達成するため
に、第１の非磁性基板上に少なくとも第１の磁気
的シールド層、第１の電気的磁気的絶縁層、磁気
抵抗効果素子層、通電端子用導電体層、第２の電
気的磁気的絶縁層並びに第２の磁気的シールド層
兼バイアス磁界発生用導電体層を順次形成した
後、第２の非磁性基板を補強用として接合して成
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドであつて、前記
各層の内、通電端子用導電体層以外の層の端面を
記録媒体摺動面側に露出させると共に、前記第１
の磁気的シールド層、磁気抵抗効果素子層、第２
の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体
層の記録媒体摺動面に垂直方向の幅をそれぞれ
Ws1、WMR、Ws2とし、前記通電端子用導電体
層の磁気抵抗効果素子層との接続部先端の記録媒
体摺動面からの距離をｄとする時、WMR＜Ws2
＜ｄ＜Ws1になるようにしたものである。
に、第１の非磁性基板上に少なくとも第１の磁気
的シールド層、第１の電気的磁気的絶縁層、磁気
抵抗効果素子層、通電端子用導電体層、第２の電
気的磁気的絶縁層並びに第２の磁気的シールド層
兼バイアス磁界発生用導電体層を順次形成した
後、第２の非磁性基板を補強用として接合して成
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドであつて、前記
各層の内、通電端子用導電体層以外の層の端面を
記録媒体摺動面側に露出させると共に、前記第１
の磁気的シールド層、磁気抵抗効果素子層、第２
の磁気的シールド層兼バイアス磁界発生用導電体
層の記録媒体摺動面に垂直方向の幅をそれぞれ
Ws1、WMR、Ws2とし、前記通電端子用導電体
層の磁気抵抗効果素子層との接続部先端の記録媒
体摺動面からの距離をｄとする時、WMR＜Ws2
＜ｄ＜Ws1になるようにしたものである。
(ホ) 実施例
以下、本発明の一実施例について図面と共に説
明する。
明する。
ここで、第１図は本発明による磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘツドの一例を示す１トラツク分の磁気
抵抗効果素子層近傍での模式的平面図、第２図は
第１図のＡ−A′断面図である。
薄膜磁気ヘツドの一例を示す１トラツク分の磁気
抵抗効果素子層近傍での模式的平面図、第２図は
第１図のＡ−A′断面図である。
図における１は第１の非磁性基板（例えばフオ
トセラム、ソーダガラス）、２は第１の磁気的シ
ールド層（例えば、パーマロイ、センダスト、膜
厚0.1μｍ）、３は第１の電気的磁気的絶縁層（例
えば、SiO2、Al2O3、膜厚0.1〜1μｍ）、４は磁気
抵抗効果素子層（例えば、パーマロイ、膜厚0.03
〜0.06μｍ）、５は通電端子用導電体層（例えば、
Cu、Au、Al、膜厚0.3〜1μｍ……接着層として
0.01〜0.1μｍのCr、Tiが積層されることもある）、
６は第２の電気的磁気的絶縁層（例えば、SiO2、
Al2O3、膜厚0.1〜1μｍ）、７は第２の磁気的シー
ルド層兼バイアス磁界発生用導電体層（例えば、
パーマロイ、センダスト等の導電性の高透磁率磁
性材、膜厚0.1〜1μｍ）、８は被覆層（例えば
SiO2、Al2O3膜厚0.1〜1μｍ）で、Ｐは記録媒体
摺動面側を示している。そして、実際には被覆層
８上にガラス系又はエポキシ系接着材を介して第
２の非磁性基板（例えばフオトセラム、ソーダガ
ラス）が接合され記録媒体摺動面から0.1〜１mm
離れた位置の被覆層８上にはバイアス磁界発生用
のバルク状永久磁石９（例えばSmCo5、アルニ
コ、Baフエライト……磁気抵抗効果素子層４の
ストライプ幅方向に着磁されている）が配置され
る。
トセラム、ソーダガラス）、２は第１の磁気的シ
ールド層（例えば、パーマロイ、センダスト、膜
厚0.1μｍ）、３は第１の電気的磁気的絶縁層（例
えば、SiO2、Al2O3、膜厚0.1〜1μｍ）、４は磁気
抵抗効果素子層（例えば、パーマロイ、膜厚0.03
〜0.06μｍ）、５は通電端子用導電体層（例えば、
Cu、Au、Al、膜厚0.3〜1μｍ……接着層として
0.01〜0.1μｍのCr、Tiが積層されることもある）、
６は第２の電気的磁気的絶縁層（例えば、SiO2、
Al2O3、膜厚0.1〜1μｍ）、７は第２の磁気的シー
ルド層兼バイアス磁界発生用導電体層（例えば、
パーマロイ、センダスト等の導電性の高透磁率磁
性材、膜厚0.1〜1μｍ）、８は被覆層（例えば
SiO2、Al2O3膜厚0.1〜1μｍ）で、Ｐは記録媒体
摺動面側を示している。そして、実際には被覆層
８上にガラス系又はエポキシ系接着材を介して第
２の非磁性基板（例えばフオトセラム、ソーダガ
ラス）が接合され記録媒体摺動面から0.1〜１mm
離れた位置の被覆層８上にはバイアス磁界発生用
のバルク状永久磁石９（例えばSmCo5、アルニ
コ、Baフエライト……磁気抵抗効果素子層４の
ストライプ幅方向に着磁されている）が配置され
る。
この様に、本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘツドでは、第１の非磁性基板１上に第１の磁
気的シールド層２、第１の電気的磁気的絶縁層
３、磁気抵抗効果素子層４、通電端子用導電体層
５、第２の電気的磁気的絶縁層６、第２の磁気的
シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層７、被
覆層８が上記の順序で所定の形状に形成され、前
記各層の内少なくとも通電端子用導電体層５以外
の層の端面が記録媒体摺動面に露出した構造にな
つている。更に、第１の磁気的シールド層２、磁
気抵抗効果素子層４、第２の磁気的シールド層兼
バイアス磁界発生用導電体層７の記録媒体摺動面
に垂直方向の幅をそれぞれWs1、WMR、Ws2と
し、前記通電端子用導電体層５の磁気抵抗効果素
子層４との接続部先端の記録媒体摺動面Ｐからの
距離をｄとした時、WMR、Ws2＜ｄ＜Ws1とな
るように構成している。具体的には、WMR5μ
ｍ、Ws210μｍ、ｄ15μｍ、Ws120μｍ程度
である。
気ヘツドでは、第１の非磁性基板１上に第１の磁
気的シールド層２、第１の電気的磁気的絶縁層
３、磁気抵抗効果素子層４、通電端子用導電体層
５、第２の電気的磁気的絶縁層６、第２の磁気的
シールド層兼バイアス磁界発生用導電体層７、被
覆層８が上記の順序で所定の形状に形成され、前
記各層の内少なくとも通電端子用導電体層５以外
の層の端面が記録媒体摺動面に露出した構造にな
つている。更に、第１の磁気的シールド層２、磁
気抵抗効果素子層４、第２の磁気的シールド層兼
バイアス磁界発生用導電体層７の記録媒体摺動面
に垂直方向の幅をそれぞれWs1、WMR、Ws2と
し、前記通電端子用導電体層５の磁気抵抗効果素
子層４との接続部先端の記録媒体摺動面Ｐからの
距離をｄとした時、WMR、Ws2＜ｄ＜Ws1とな
るように構成している。具体的には、WMR5μ
ｍ、Ws210μｍ、ｄ15μｍ、Ws120μｍ程度
である。
ここで、磁気抵抗効果素子層４から少し離れた
位置に配置されたバルク状永久磁石９と、磁気抵
抗効果素子層４近傍に配置された第２の磁気シー
ルド層兼バイアス磁界発生用導電体層７を併用す
るようにしているのは、斯るバルク状永久磁石９
でメインの強いバイアス磁界を発生させると共
に、斯る導電体層７から発生する補助的なバイア
ス磁界を該導電体層７に流す電流を制御すること
で変化せしめて磁気抵抗効果素子層４に作用する
バイアス磁界の強さを微調整するためである。
位置に配置されたバルク状永久磁石９と、磁気抵
抗効果素子層４近傍に配置された第２の磁気シー
ルド層兼バイアス磁界発生用導電体層７を併用す
るようにしているのは、斯るバルク状永久磁石９
でメインの強いバイアス磁界を発生させると共
に、斯る導電体層７から発生する補助的なバイア
ス磁界を該導電体層７に流す電流を制御すること
で変化せしめて磁気抵抗効果素子層４に作用する
バイアス磁界の強さを微調整するためである。
また、磁気的シールド手段を磁気抵抗素子層４
を覆いきれる程度の薄膜で形成しているので、磁
気的シールド手段と前記バルク状永久磁石９との
間の距離l1を必然的に磁気抵抗効果素子層４とバ
ルク状永久磁石９との間の距離l2と同程度にする
ことが出来（具体的に、記録媒体摺動面Ｐからバ
ルク状永久磁石９までの距離dM500μｍとする
と、WMR＜Ws2〓dMであるからl1＝（dM−
Ws2）l2＝（dM−WMR）となる）、更に磁気
的シールド層２，７と磁気抵抗効果素子４との膜
厚の違いをあまり大きくしていないので、バイア
ス磁界を磁気抵抗効果素子層４にも十分作用させ
ることが出来る。そして、この程度の膜厚の磁気
的シールド層であつても必然的にバイアス磁界に
垂直な方向に長く伸びた構造を有しているため、
少なくとも記録媒体摺動面近傍はバイアス磁界方
向に飽和してしまうことはなく、記録媒体上の隣
接信号をシールドする効果は十分にある。
を覆いきれる程度の薄膜で形成しているので、磁
気的シールド手段と前記バルク状永久磁石９との
間の距離l1を必然的に磁気抵抗効果素子層４とバ
ルク状永久磁石９との間の距離l2と同程度にする
ことが出来（具体的に、記録媒体摺動面Ｐからバ
ルク状永久磁石９までの距離dM500μｍとする
と、WMR＜Ws2〓dMであるからl1＝（dM−
Ws2）l2＝（dM−WMR）となる）、更に磁気
的シールド層２，７と磁気抵抗効果素子４との膜
厚の違いをあまり大きくしていないので、バイア
ス磁界を磁気抵抗効果素子層４にも十分作用させ
ることが出来る。そして、この程度の膜厚の磁気
的シールド層であつても必然的にバイアス磁界に
垂直な方向に長く伸びた構造を有しているため、
少なくとも記録媒体摺動面近傍はバイアス磁界方
向に飽和してしまうことはなく、記録媒体上の隣
接信号をシールドする効果は十分にある。
また、本発明では第１の磁気的シールド層２、
磁気抵抗効果素子層４、第２の磁気的シールド層
兼バイアス磁界発生用導電体層７の記録媒体摺動
面Ｐに垂直方向の幅をそれぞれWMR＜Ws2＜ｄ
＜Ws1となるように構成することで、各層間（特
に段差部）での電気的導通、絶縁がそれぞれの目
的に応じて十分になされるようにしている。即
ち、ここでｄ≠０とするのは一般に塑性変形し易
いCu、Au、Al等で形成される通電端子用導電体
層５の先端が記録媒体摺動面Ｐ側に露出している
と記録媒体摺動面を通して周辺の第１の磁気的シ
ールド層２或いは第２の磁気的シールド層兼バイ
アス磁界発生用導電体層７と電気的に短絡する危
険性が大きくこれを防ぐためである。また、
WMR＜Ws1、WMR＜Ws2とするのは第１の磁
気的シールド層２と第２の磁気的シールド層兼バ
イアス磁界発生用導電体層７が磁気抵抗効果素子
層４を覆いきつてシールド効果を十分に発揮でき
るようにするためである。そしてWs2＜ｄとする
のは通電端子用導電体層５先端の段差部では前記
第２の磁気的電気的絶縁層６が薄くなるので、こ
の上を前記第２と磁気的シールド層兼バイアス磁
界発生用導電体層７が覆うと通電端子用導電体層
５と電気的に短絡する危険性が大きくこれを防ぐ
ためである。またｄ＜Ws1とするのは第１の磁気
的シールド層２の端部の段差部でその上に前記第
１の磁気的電気的絶縁層３を介して形成される非
常に薄い磁気抵抗効果素子層４の通電用端子引き
出し部４′（前記通電端子用導電体層５と接続す
るためのもの）が段差を覆いきれずに断線する危
険性が大きく、磁気抵抗効果素子層４の該段差部
を磁気抵抗効果素子層より充分厚い通電端子用導
電体層５で覆うことによつて電気的導通を補うよ
うに構成するためである。
磁気抵抗効果素子層４、第２の磁気的シールド層
兼バイアス磁界発生用導電体層７の記録媒体摺動
面Ｐに垂直方向の幅をそれぞれWMR＜Ws2＜ｄ
＜Ws1となるように構成することで、各層間（特
に段差部）での電気的導通、絶縁がそれぞれの目
的に応じて十分になされるようにしている。即
ち、ここでｄ≠０とするのは一般に塑性変形し易
いCu、Au、Al等で形成される通電端子用導電体
層５の先端が記録媒体摺動面Ｐ側に露出している
と記録媒体摺動面を通して周辺の第１の磁気的シ
ールド層２或いは第２の磁気的シールド層兼バイ
アス磁界発生用導電体層７と電気的に短絡する危
険性が大きくこれを防ぐためである。また、
WMR＜Ws1、WMR＜Ws2とするのは第１の磁
気的シールド層２と第２の磁気的シールド層兼バ
イアス磁界発生用導電体層７が磁気抵抗効果素子
層４を覆いきつてシールド効果を十分に発揮でき
るようにするためである。そしてWs2＜ｄとする
のは通電端子用導電体層５先端の段差部では前記
第２の磁気的電気的絶縁層６が薄くなるので、こ
の上を前記第２と磁気的シールド層兼バイアス磁
界発生用導電体層７が覆うと通電端子用導電体層
５と電気的に短絡する危険性が大きくこれを防ぐ
ためである。またｄ＜Ws1とするのは第１の磁気
的シールド層２の端部の段差部でその上に前記第
１の磁気的電気的絶縁層３を介して形成される非
常に薄い磁気抵抗効果素子層４の通電用端子引き
出し部４′（前記通電端子用導電体層５と接続す
るためのもの）が段差を覆いきれずに断線する危
険性が大きく、磁気抵抗効果素子層４の該段差部
を磁気抵抗効果素子層より充分厚い通電端子用導
電体層５で覆うことによつて電気的導通を補うよ
うに構成するためである。
(ヘ) 発明の効果
上述した如く本発明による磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘツドは、磁気的シールドの効果と強いバイ
アス磁界の効果を併用することによつて、即ち磁
気抵抗効果素子層を間隙の狭い磁気的シールド層
間に配することで隣接信号の影響を小さくし、尚
且つ斯る磁気抵抗効果素子層に強いバイアス磁界
を有効に作用させることによつて、短波長で記録
された信号の再生能力を向上させることが出来
る。
磁気ヘツドは、磁気的シールドの効果と強いバイ
アス磁界の効果を併用することによつて、即ち磁
気抵抗効果素子層を間隙の狭い磁気的シールド層
間に配することで隣接信号の影響を小さくし、尚
且つ斯る磁気抵抗効果素子層に強いバイアス磁界
を有効に作用させることによつて、短波長で記録
された信号の再生能力を向上させることが出来
る。
更に、本発明では磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツ
ドを構成する各層の記録媒体摺動面に垂直方向の
幅を夫々うまく設定することによつて各層間の段
差部分での電気的導通、絶縁に対する配慮を十分
に成し、製造工程中或いは使用中の不良が発生し
難く、信頼性を大幅に向上させることが出来る。
ドを構成する各層の記録媒体摺動面に垂直方向の
幅を夫々うまく設定することによつて各層間の段
差部分での電気的導通、絶縁に対する配慮を十分
に成し、製造工程中或いは使用中の不良が発生し
難く、信頼性を大幅に向上させることが出来る。
図は本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツ
ドを示し、第１図はその１トラツク分の磁気抵抗
効果素子層近傍での模式的平面図、第２図は第１
図のＡ−A′断面図である。 ２……第１の磁気的シールド層、３……第１の
電気的磁気的絶縁層、４……磁気抵抗効果素子
層、５……通電端子用導電体層、６……第２の電
気的磁気的絶縁層、７……第２の磁気的シールド
層兼バイアス磁界発生用導電体層。
ドを示し、第１図はその１トラツク分の磁気抵抗
効果素子層近傍での模式的平面図、第２図は第１
図のＡ−A′断面図である。 ２……第１の磁気的シールド層、３……第１の
電気的磁気的絶縁層、４……磁気抵抗効果素子
層、５……通電端子用導電体層、６……第２の電
気的磁気的絶縁層、７……第２の磁気的シールド
層兼バイアス磁界発生用導電体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の非磁性基板上に少なくとも第１の磁気
的シールド層、第１の電気的磁気的絶縁層、磁気
抵抗効果素子層、通電端子用導電体層、第２の電
気的磁気的絶縁層並びに第２の磁気的シールド層
を順次形成した後、第２の非磁性基板を補強用と
して接合してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド
であつて、前記各層の内、通電端子用導電体層以
外の層の端面を記録媒体摺動面側に露出させると
共に、前記第１の磁気的シールド層、磁気抵抗効
果素子層、第２の磁気的シールド層の記録媒体摺
動面に垂直方向の幅をそれぞれWs1、WMR、
Ws2とし、前記通電端子用導電体層の磁気抵抗効
果素子層との接続部先端の記録媒体摺動面からの
距離をｄとする時、WMR＜Ws2＜ｄ＜Ws1であ
ることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツ
ド。 ２ 前記第２の磁気的シールド層がバイアス磁界
発生用導電体層を兼ねることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ツド。 ３ 前記各層が形成された第１の非磁性基板上
で、少なくとも前記第１の磁気的シールド層を覆
わない位置にバルク状永久磁石を配置することを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086283A JPS6050712A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086283A JPS6050712A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050712A JPS6050712A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH048847B2 true JPH048847B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15723980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16086283A Granted JPS6050712A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022208791A1 (ja) | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社エイシング | 情報処理装置、方法及びプログラム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP16086283A patent/JPS6050712A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022208791A1 (ja) | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社エイシング | 情報処理装置、方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050712A (ja) | 1985-03-20 |
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