JPH07201021A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JPH07201021A JPH07201021A JP35341193A JP35341193A JPH07201021A JP H07201021 A JPH07201021 A JP H07201021A JP 35341193 A JP35341193 A JP 35341193A JP 35341193 A JP35341193 A JP 35341193A JP H07201021 A JPH07201021 A JP H07201021A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 見掛け上３ポール構造に近い構造として記録
再生オフセットの低減を図ると共に、記録フリンジング
を抑制する。 【構成】 同一基板上にＭＲヘッドとインダクティブヘ
ッドを積層し、ＭＲヘッドの上層シールド磁性体８とイ
ンダクティブヘッドの下層薄膜磁気コア１０間に、０．
１μｍ以下の非磁性薄膜層９を介在させる。
再生オフセットの低減を図ると共に、記録フリンジング
を抑制する。 【構成】 同一基板上にＭＲヘッドとインダクティブヘ
ッドを積層し、ＭＲヘッドの上層シールド磁性体８とイ
ンダクティブヘッドの下層薄膜磁気コア１０間に、０．
１μｍ以下の非磁性薄膜層９を介在させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
する。
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ハードディスク駆動装置の記録
再生用ヘッドは、誘導型薄膜磁気ヘッド（以下、インダ
クティブヘッドと称する。）による記録ヘッドと、短波
長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）による再生ヘッドとの複合型とされ
るのが一般的である。
再生用ヘッドは、誘導型薄膜磁気ヘッド（以下、インダ
クティブヘッドと称する。）による記録ヘッドと、短波
長感度に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）による再生ヘッドとの複合型とされ
るのが一般的である。
【０００３】かかる複合型磁気ヘッドとしては、例えば
図１０に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなるス
ライダと称される基板上に、ハードディスクとの対接
面、すなわちＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェス）
面に臨んで再生用磁気ギャップを構成するＭＲヘッド１
０１と、記録用磁気ギャップを構成するインダクティブ
ヘッド１０２が積層された構成とされている。
図１０に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等よりなるス
ライダと称される基板上に、ハードディスクとの対接
面、すなわちＡＢＳ（エア・ベアリング・サーフェス）
面に臨んで再生用磁気ギャップを構成するＭＲヘッド１
０１と、記録用磁気ギャップを構成するインダクティブ
ヘッド１０２が積層された構成とされている。
【０００４】ＭＲヘッド１０１は、先端部と後端部にそ
れぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁気抵
抗効果素子１０３（以下、ＭＲ素子１０３と称する。）
と、このＭＲ素子１０３に所要の向きの磁化状態を与え
るバイアス導体とを有し、該ＭＲ素子１０３を絶縁層を
介して一対のシールドコア１０４，１０５で挟み込ん
だ，いわゆるシールド構造とされる。
れぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁気抵
抗効果素子１０３（以下、ＭＲ素子１０３と称する。）
と、このＭＲ素子１０３に所要の向きの磁化状態を与え
るバイアス導体とを有し、該ＭＲ素子１０３を絶縁層を
介して一対のシールドコア１０４，１０５で挟み込ん
だ，いわゆるシールド構造とされる。
【０００５】一方、インダクティブヘッド１０２は、閉
磁路を構成する一対の記録コア１０６，１０７と、これ
ら記録コア１０６，１０７間に設けられる導体コイルと
を備え、これら記録コア１０６，１０７の前方端部間に
ＡＢＳ面に臨んで記録用磁気ギャップを構成する構造と
される。
磁路を構成する一対の記録コア１０６，１０７と、これ
ら記録コア１０６，１０７間に設けられる導体コイルと
を備え、これら記録コア１０６，１０７の前方端部間に
ＡＢＳ面に臨んで記録用磁気ギャップを構成する構造と
される。
【０００６】この複合型磁気ヘッドは、ＭＲヘッド１０
１のシールドコア２層と、インダクティブヘッド１０２
の記録コア２層を有した，いわゆる４ポール構造であ
る。４ポール構造の複合型磁気ヘッドの利点は、記録ヘ
ッドと再生ヘッドを別々に最適化できることである。
１のシールドコア２層と、インダクティブヘッド１０２
の記録コア２層を有した，いわゆる４ポール構造であ
る。４ポール構造の複合型磁気ヘッドの利点は、記録ヘ
ッドと再生ヘッドを別々に最適化できることである。
【０００７】しかしながら、４ポール構造の複合型磁気
ヘッドでは、記録時にインダクティブヘッド１０２で発
生する記録磁界がＭＲヘッド１０１の上層シールドコア
１０５へと漏れ、記録特性に悪影響を及ぼす虞れがあ
る。このため、従来は、上層シールドコア１０５と下層
記録コア１０６の間に非磁性層１０８を介在せしめ、そ
の膜厚Ｔを２μｍ程度として記録磁界の漏洩を回避する
ようにしている。
ヘッドでは、記録時にインダクティブヘッド１０２で発
生する記録磁界がＭＲヘッド１０１の上層シールドコア
１０５へと漏れ、記録特性に悪影響を及ぼす虞れがあ
る。このため、従来は、上層シールドコア１０５と下層
記録コア１０６の間に非磁性層１０８を介在せしめ、そ
の膜厚Ｔを２μｍ程度として記録磁界の漏洩を回避する
ようにしている。
【０００８】ところが、ＭＲヘッド１０１とインダクテ
ィブヘッド１０２の距離を大きくしてしまうと、ハード
ディスクに対して記録再生を行った場合、次のような不
都合が生じる。すなわち、図１１に示すように、複合型
磁気ヘッド１０９をサスペンション１１０の先端に取付
け、該複合型磁気ヘッド１０９をハードディスク１１１
のトラック間で同図中矢印で示すように移動させた場
合、ＭＲヘッド１０１とインダクティブヘッド１０２が
離れていると、再生時にトラックからのオフセットが生
じる。つまり、記録時のトラック位置に対して再生時の
トラック位置がずれてしまう。
ィブヘッド１０２の距離を大きくしてしまうと、ハード
ディスクに対して記録再生を行った場合、次のような不
都合が生じる。すなわち、図１１に示すように、複合型
磁気ヘッド１０９をサスペンション１１０の先端に取付
け、該複合型磁気ヘッド１０９をハードディスク１１１
のトラック間で同図中矢印で示すように移動させた場
合、ＭＲヘッド１０１とインダクティブヘッド１０２が
離れていると、再生時にトラックからのオフセットが生
じる。つまり、記録時のトラック位置に対して再生時の
トラック位置がずれてしまう。
【０００９】この現象は、ハードディスク１１１が小径
化するにつれ、複合型磁気ヘッド１０９の首振り角度が
大きくなり、それだけオフセット量が増大する。
化するにつれ、複合型磁気ヘッド１０９の首振り角度が
大きくなり、それだけオフセット量が増大する。
【００１０】そこでさらに本願出願人は、上層シールド
コアと下層記録コアを兼用させた，いわゆる３ポール構
造の複合型磁気ヘッドを提案している。かかる３ポール
構造の複合型磁気ヘッドは、図１２に示すように、ＭＲ
ヘッド１０１とインダクティブヘッド１０２の上層シー
ルドコアと下層記録コアを一つの薄膜磁気コア１１２で
構成したものである。つまり、共通の薄膜磁気コア１１
２は、記録時には記録コアとして機能し、再生時にはシ
ールドコアとして機能する。
コアと下層記録コアを兼用させた，いわゆる３ポール構
造の複合型磁気ヘッドを提案している。かかる３ポール
構造の複合型磁気ヘッドは、図１２に示すように、ＭＲ
ヘッド１０１とインダクティブヘッド１０２の上層シー
ルドコアと下層記録コアを一つの薄膜磁気コア１１２で
構成したものである。つまり、共通の薄膜磁気コア１１
２は、記録時には記録コアとして機能し、再生時にはシ
ールドコアとして機能する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この３ポー
ル構造の複合型磁気ヘッドにおいては、図１３に示すよ
うに、インダクティブヘッド１０２のＡＢＳ面に臨む上
層記録コア１０７のコア幅が中間の薄膜磁気コア１１２
のコア幅に対して狭いため、トラック脇に記録磁束の漏
れ，いわゆる記録フリンジングが発生し、高密度化への
障害となる。
ル構造の複合型磁気ヘッドにおいては、図１３に示すよ
うに、インダクティブヘッド１０２のＡＢＳ面に臨む上
層記録コア１０７のコア幅が中間の薄膜磁気コア１１２
のコア幅に対して狭いため、トラック脇に記録磁束の漏
れ，いわゆる記録フリンジングが発生し、高密度化への
障害となる。
【００１２】そこで本発明は、上述の技術的な課題に鑑
みて提案されたものであって、見掛け上３ポール構造に
近い構造として記録再生オフセットの低減を図ると共
に、記録ヘッドと再生ヘッドを分離した最適化が図れる
複合型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
みて提案されたものであって、見掛け上３ポール構造に
近い構造として記録再生オフセットの低減を図ると共
に、記録ヘッドと再生ヘッドを分離した最適化が図れる
複合型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】下層シールド磁性体と上
層シールド磁性体の間に磁気抵抗効果素子が配され、磁
気記録媒体との対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構
成してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、上記上層シー
ルド磁性体上に非磁性薄膜層を介して下層薄膜磁気コア
と上層薄膜磁気コアが順次積層され、これら薄膜磁気コ
アの前方端部間に磁気記録媒体との対接面に臨んで記録
用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘッドとが同
一基板上に積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性薄膜層の膜厚を０．１μｍ以下とすることに
より、上述の課題を解決する。
層シールド磁性体の間に磁気抵抗効果素子が配され、磁
気記録媒体との対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構
成してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、上記上層シー
ルド磁性体上に非磁性薄膜層を介して下層薄膜磁気コア
と上層薄膜磁気コアが順次積層され、これら薄膜磁気コ
アの前方端部間に磁気記録媒体との対接面に臨んで記録
用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘッドとが同
一基板上に積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、
上記非磁性薄膜層の膜厚を０．１μｍ以下とすることに
より、上述の課題を解決する。
【００１４】また、本発明は、上層薄膜磁気コアと下層
薄膜磁気コアの磁気記録媒体との対接面に臨むコア幅を
略同一とすることにより、上述の課題を解決する。
薄膜磁気コアの磁気記録媒体との対接面に臨むコア幅を
略同一とすることにより、上述の課題を解決する。
【００１５】
【作用】基板上に磁気記録媒体との対接面に臨んで再生
用磁気ギャップを構成するＭＲヘッドと記録用磁気ギャ
ップを構成するインダクティブヘッドを積層した４ポー
ル構造の記録再生ヘッドにおいて、インダクティブヘッ
ドの下層薄膜磁気コアとＭＲヘッドの上層シールド磁性
体間に介在される非磁性薄膜層の膜厚を０．１μｍ以下
と非常に薄くしているので、インダクティブヘッドとＭ
Ｒヘッドが近接し、見掛け上３ポール構造となり、記録
再生オフセットが低減する。また、非磁性薄膜層が極め
て薄いので、下層薄膜磁気コアと上層シールド磁性体が
磁気的に結合し、記録時において上層シールド磁性体が
記録コアの一部として機能する。
用磁気ギャップを構成するＭＲヘッドと記録用磁気ギャ
ップを構成するインダクティブヘッドを積層した４ポー
ル構造の記録再生ヘッドにおいて、インダクティブヘッ
ドの下層薄膜磁気コアとＭＲヘッドの上層シールド磁性
体間に介在される非磁性薄膜層の膜厚を０．１μｍ以下
と非常に薄くしているので、インダクティブヘッドとＭ
Ｒヘッドが近接し、見掛け上３ポール構造となり、記録
再生オフセットが低減する。また、非磁性薄膜層が極め
て薄いので、下層薄膜磁気コアと上層シールド磁性体が
磁気的に結合し、記録時において上層シールド磁性体が
記録コアの一部として機能する。
【００１６】また、インダクティブヘッドの上層薄膜磁
気コアと下層薄膜磁気コアの磁気記録媒体との対接面に
臨むコア幅が略同一とされているので、トラック脇に記
録磁束の漏れが発生せず、記録フリンジングが抑制され
る。
気コアと下層薄膜磁気コアの磁気記録媒体との対接面に
臨むコア幅が略同一とされているので、トラック脇に記
録磁束の漏れが発生せず、記録フリンジングが抑制され
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の複
合型磁気ヘッドは、図１及び図２に示すように、ハード
ディスクとの対接面となるＡＢＳ面１に再生用磁気ギャ
ップｇ1 を臨ませるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に記
録用磁気ギャップｇ2 を臨ませるインダクティブヘッド
をＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダ２の一側
面上に積層形成した，いわゆる４ポール構造の記録再生
ヘッドとされている。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の複
合型磁気ヘッドは、図１及び図２に示すように、ハード
ディスクとの対接面となるＡＢＳ面１に再生用磁気ギャ
ップｇ1 を臨ませるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に記
録用磁気ギャップｇ2 を臨ませるインダクティブヘッド
をＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダ２の一側
面上に積層形成した，いわゆる４ポール構造の記録再生
ヘッドとされている。
【００１８】ＭＲヘッドは、先端部と後端部にそれぞれ
図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるための一
対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ面１側に設けられる
電極３ａを先端電極３ａ、後端側に設けられる電極３ｂ
を後端電極３ｂと称する。）が積層されたＭＲ素子４
と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁界状態を与えるバ
イアス導体５とからなる。
図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるための一
対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ面１側に設けられる
電極３ａを先端電極３ａ、後端側に設けられる電極３ｂ
を後端電極３ｂと称する。）が積層されたＭＲ素子４
と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁界状態を与えるバ
イアス導体５とからなる。
【００１９】ＭＲ素子４は、その長手方向が上記ＡＢＳ
面１に対して垂直となるように設けられると共に、その
一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。ま
た、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ2 等よりなる非磁
性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を
積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が回
避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、例えば
パーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が数百
オングストローム程度とされる。
面１に対して垂直となるように設けられると共に、その
一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。ま
た、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ2 等よりなる非磁
性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を
積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が回
避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、例えば
パーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が数百
オングストローム程度とされる。
【００２０】先端電極３ａは、その一側縁がＡＢＳ面１
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する。この他、先端電極３ａは、再生
用磁気ギャップｇ1 のギャップ膜として機能するように
なっている。
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する。この他、先端電極３ａは、再生
用磁気ギャップｇ1 のギャップ膜として機能するように
なっている。
【００２１】一方、後端電極３ｂは、ＭＲ素子４の後端
部に直接積層して設けられ、このＭＲ素子４と電気的に
接続するようになされている。
部に直接積層して設けられ、このＭＲ素子４と電気的に
接続するようになされている。
【００２２】上記バイアス導体５は、ＭＲ素子４上に設
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図１の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図１の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。
【００２３】そして、かかるＭＲヘッドにおいては、上
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ等の磁性体
からなる下層シールド磁性体７と上層シールド磁性体８
とで挟み込んだ、いわゆるシールド型構成となってい
る。シールド型構成をとるのは、この種の一体型ヘッド
では短波長再生を要求されたり、再生波形がインダクテ
ィブヘッドの微分出力波形と同じものを信号処理上求め
られるからである。
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ等の磁性体
からなる下層シールド磁性体７と上層シールド磁性体８
とで挟み込んだ、いわゆるシールド型構成となってい
る。シールド型構成をとるのは、この種の一体型ヘッド
では短波長再生を要求されたり、再生波形がインダクテ
ィブヘッドの微分出力波形と同じものを信号処理上求め
られるからである。
【００２４】ＭＲ素子４の下側に設けられる下層シール
ド磁性体７は、上記スライダ２との間に絶縁層を介して
上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこのＡ
ＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在するようにして
設けられている。
ド磁性体７は、上記スライダ２との間に絶縁層を介して
上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこのＡ
ＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在するようにして
設けられている。
【００２５】一方、これに対向して設けられる上層シー
ルド磁性体８は、下層シールド磁性体７と同様に上記Ａ
ＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面
１に対して垂直にバック側へ延在して設けられている。
ルド磁性体８は、下層シールド磁性体７と同様に上記Ａ
ＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面
１に対して垂直にバック側へ延在して設けられている。
【００２６】一方、インダクティブヘッドは、ＭＲヘッ
ドの上層シールド磁性体８上に非磁性薄膜層９を介して
積層されている。かかるインダクティブヘッドは、下層
薄膜磁気コア１０と上層薄膜磁気コア１１とを有し、こ
れら薄膜磁気コア１０，１１が上記ＡＢＳ面１に臨んで
その前方端部間に記録用磁気ギャップｇ2 を構成するよ
うになっている。
ドの上層シールド磁性体８上に非磁性薄膜層９を介して
積層されている。かかるインダクティブヘッドは、下層
薄膜磁気コア１０と上層薄膜磁気コア１１とを有し、こ
れら薄膜磁気コア１０，１１が上記ＡＢＳ面１に臨んで
その前方端部間に記録用磁気ギャップｇ2 を構成するよ
うになっている。
【００２７】すなわち、上層薄膜磁気コア１１は、上記
ＡＢＳ面１に臨む前方端部で下層薄膜磁気コア１０側に
屈曲され、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁
気ギャップｇ2 を構成するようになっている。なお、こ
の上層薄膜磁気コア１１は、後方端部で上記下層薄膜磁
気コア１０と磁気的に接触するようになっている。
ＡＢＳ面１に臨む前方端部で下層薄膜磁気コア１０側に
屈曲され、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁
気ギャップｇ2 を構成するようになっている。なお、こ
の上層薄膜磁気コア１１は、後方端部で上記下層薄膜磁
気コア１０と磁気的に接触するようになっている。
【００２８】そして、上記上層薄膜磁気コア１１と下層
薄膜磁気コア１０の接続部である磁気的結合部１２に
は、この磁気的結合部１２を取り囲むようにしてスパイ
ラル状のヘッド巻線１３が設けられている。ヘッド巻線
１３は、上層薄膜磁気コア１１と下層薄膜磁気コア１０
間の絶縁性を確保するために、絶縁層１４によって埋め
込まれている。
薄膜磁気コア１０の接続部である磁気的結合部１２に
は、この磁気的結合部１２を取り囲むようにしてスパイ
ラル状のヘッド巻線１３が設けられている。ヘッド巻線
１３は、上層薄膜磁気コア１１と下層薄膜磁気コア１０
間の絶縁性を確保するために、絶縁層１４によって埋め
込まれている。
【００２９】なお、上層薄膜磁気コア１１の上には、上
記スライダ２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを保護するための保護層１５が形成されてい
る。
記スライダ２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを保護するための保護層１５が形成されてい
る。
【００３０】そして特に本実施例では、インダクティブ
ヘッドとＭＲヘッドの間、つまり上層シールド磁性体８
と下層薄膜磁気コア１０間に設けられる非磁性薄膜層９
の膜厚ｔを０．１μｍ以下としている。この非磁性薄膜
層９の膜厚ｔを０．１μｍ以下と非常に薄くすれば、見
掛け上３ポール構造の複合型磁気ヘッド構成となり、イ
ンダクティブヘッドとＭＲヘッドが近接して記録再生オ
フセットが低減できる。
ヘッドとＭＲヘッドの間、つまり上層シールド磁性体８
と下層薄膜磁気コア１０間に設けられる非磁性薄膜層９
の膜厚ｔを０．１μｍ以下としている。この非磁性薄膜
層９の膜厚ｔを０．１μｍ以下と非常に薄くすれば、見
掛け上３ポール構造の複合型磁気ヘッド構成となり、イ
ンダクティブヘッドとＭＲヘッドが近接して記録再生オ
フセットが低減できる。
【００３１】また、非磁性薄膜層９の膜厚ｔが極めて薄
いために、下層薄膜磁気コア１０と上層シールド磁性体
８が磁気的に結合し、この上層シールド磁性体８も記録
用のコアとして機能することになる。したがって、従来
のようなインダクティブヘッドとＭＲヘッドを完全に分
離した４ポール構造の複合型磁気ヘッドのように、記録
時における記録磁界の上層シールド磁性体８への漏洩の
問題が回避される。
いために、下層薄膜磁気コア１０と上層シールド磁性体
８が磁気的に結合し、この上層シールド磁性体８も記録
用のコアとして機能することになる。したがって、従来
のようなインダクティブヘッドとＭＲヘッドを完全に分
離した４ポール構造の複合型磁気ヘッドのように、記録
時における記録磁界の上層シールド磁性体８への漏洩の
問題が回避される。
【００３２】非磁性薄膜層９の膜厚ｔを０．１μｍ以下
とするのは、以下の考察に基づくものである。先ず、非
磁性薄膜層９の膜厚ｔを０．０２μｍ，０．０５μｍ，
０．１μｍ，０．３μｍ，０．５μｍとしたときの飽和
ギャップ中の磁界の強さを計算した。計算に用いたイン
ダクティブヘッドの構造を図３に示すと共に、その計算
結果を図４に示す。
とするのは、以下の考察に基づくものである。先ず、非
磁性薄膜層９の膜厚ｔを０．０２μｍ，０．０５μｍ，
０．１μｍ，０．３μｍ，０．５μｍとしたときの飽和
ギャップ中の磁界の強さを計算した。計算に用いたイン
ダクティブヘッドの構造を図３に示すと共に、その計算
結果を図４に示す。
【００３３】図４中線Ａは、非磁性薄膜層９の膜厚ｔが
０．５μｍ以下の場合を示し、線Ｂは非磁性薄膜層９の
膜厚ｔが∞の場合を示す。この結果から判るように、非
磁性薄膜層９の膜厚ｔが０．５μｍ以下であれば、飽和
する磁界はほとんど同じであり、下層薄膜磁気コア１０
と上層シールド磁性体８が１層の記録コアとして機能す
ることが判る。
０．５μｍ以下の場合を示し、線Ｂは非磁性薄膜層９の
膜厚ｔが∞の場合を示す。この結果から判るように、非
磁性薄膜層９の膜厚ｔが０．５μｍ以下であれば、飽和
する磁界はほとんど同じであり、下層薄膜磁気コア１０
と上層シールド磁性体８が１層の記録コアとして機能す
ることが判る。
【００３４】次に、疑似ギャップの効果を調べた。すな
わち、非磁性薄膜層９の膜厚ｔを０．５μｍ，０．３μ
ｍ，０．１μｍ，０．０５μｍ，０．０２μｍとし、ス
ペーシングを０．２μｍとしてギャップ近傍の磁界分布
を計算した。その結果を図５〜図９に示す。
わち、非磁性薄膜層９の膜厚ｔを０．５μｍ，０．３μ
ｍ，０．１μｍ，０．０５μｍ，０．０２μｍとし、ス
ペーシングを０．２μｍとしてギャップ近傍の磁界分布
を計算した。その結果を図５〜図９に示す。
【００３５】なお、図５は膜厚ｔ＝０．５μｍ、図６は
膜厚ｔ＝０．３μｍ、図７は膜厚ｔ＝０．１μｍ、図８
は膜厚ｔ＝０．０５μｍ、図９は膜厚ｔ＝０．０２μｍ
のときの計算結果である。また、これらの図中横軸零位
置に最大ピーク波形が出ているのが記録ギャップ部分で
の磁界であり、その隣のマイナス位置に小さなピーク波
形が出ているのが非磁性薄膜層９による疑似ギャップを
示す。さらに、各図の波形が大小沢山出ているのは、電
流値を変えたことによるものである。
膜厚ｔ＝０．３μｍ、図７は膜厚ｔ＝０．１μｍ、図８
は膜厚ｔ＝０．０５μｍ、図９は膜厚ｔ＝０．０２μｍ
のときの計算結果である。また、これらの図中横軸零位
置に最大ピーク波形が出ているのが記録ギャップ部分で
の磁界であり、その隣のマイナス位置に小さなピーク波
形が出ているのが非磁性薄膜層９による疑似ギャップを
示す。さらに、各図の波形が大小沢山出ているのは、電
流値を変えたことによるものである。
【００３６】非磁性薄膜層９の膜厚ｔを０．５μｍとし
た図５では、かなり疑似ギャップが発生していることが
判る。疑似ギャップが問題とならないのは、図８の非磁
性薄膜層９の膜厚ｔが０．１μｍが限界である。したが
って、飽和ギャップ中磁界では、非磁性薄膜層９の膜厚
ｔが０．５μｍでも使えるように考えられるが、疑似ギ
ャップまで考えると、非磁性薄膜層９の膜厚ｔが０．１
μｍが限界である。
た図５では、かなり疑似ギャップが発生していることが
判る。疑似ギャップが問題とならないのは、図８の非磁
性薄膜層９の膜厚ｔが０．１μｍが限界である。したが
って、飽和ギャップ中磁界では、非磁性薄膜層９の膜厚
ｔが０．５μｍでも使えるように考えられるが、疑似ギ
ャップまで考えると、非磁性薄膜層９の膜厚ｔが０．１
μｍが限界である。
【００３７】また本実施例では、図２に示すように、イ
ンダクティブヘッドの上層薄膜磁気コア１１と下層薄膜
磁気コア１０の上記ＡＢＳ面７に臨むコア幅Ｗ1 ，Ｗ2
が略同一とされている。これら上下の上層薄膜磁気コア
１１と下層薄膜磁気コア１０のコア幅Ｗ1 ，Ｗ2 が同一
であれば、トラック脇から記録磁束が漏れることなくな
り、記録フリンジングの問題を解消することができる。
したがって、ハードディスクに対して高密度に記録する
ことが可能となる。
ンダクティブヘッドの上層薄膜磁気コア１１と下層薄膜
磁気コア１０の上記ＡＢＳ面７に臨むコア幅Ｗ1 ，Ｗ2
が略同一とされている。これら上下の上層薄膜磁気コア
１１と下層薄膜磁気コア１０のコア幅Ｗ1 ，Ｗ2 が同一
であれば、トラック脇から記録磁束が漏れることなくな
り、記録フリンジングの問題を解消することができる。
したがって、ハードディスクに対して高密度に記録する
ことが可能となる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の４ポール構造の複合型磁気ヘッドにおいては、イン
ダクティブヘッドの下層薄膜磁気コアとＭＲヘッドの上
層シールド磁性体間に介在される非磁性薄膜層の膜厚を
０．１μｍ以下と非常に薄くしているので、インダクテ
ィブヘッドとＭＲヘッドが近接して見掛け上３ポール構
造となり、記録再生オフセットを大幅に低減できる。ま
た、非磁性薄膜層が極めて薄いので、下層薄膜磁気コア
と上層シールド磁性体が磁気的に結合し、記録時におい
て上層シールド磁性体が記録コアの一部として機能する
ことから、記録特性が劣化する虞れはない。
明の４ポール構造の複合型磁気ヘッドにおいては、イン
ダクティブヘッドの下層薄膜磁気コアとＭＲヘッドの上
層シールド磁性体間に介在される非磁性薄膜層の膜厚を
０．１μｍ以下と非常に薄くしているので、インダクテ
ィブヘッドとＭＲヘッドが近接して見掛け上３ポール構
造となり、記録再生オフセットを大幅に低減できる。ま
た、非磁性薄膜層が極めて薄いので、下層薄膜磁気コア
と上層シールド磁性体が磁気的に結合し、記録時におい
て上層シールド磁性体が記録コアの一部として機能する
ことから、記録特性が劣化する虞れはない。
【００３９】また、本発明においては、インダクティブ
ヘッドの上層薄膜磁気コアと下層薄膜磁気コアの磁気記
録媒体との対接面に臨むコア幅が略同一とされているの
で、トラック脇に記録磁束の漏れが発生せず、記録フリ
ンジングを抑制することができ、高密度記録化を達成で
きる。
ヘッドの上層薄膜磁気コアと下層薄膜磁気コアの磁気記
録媒体との対接面に臨むコア幅が略同一とされているの
で、トラック脇に記録磁束の漏れが発生せず、記録フリ
ンジングを抑制することができ、高密度記録化を達成で
きる。
【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの拡大断面
図である。
図である。
【図２】図１の複合型磁気ヘッドをＡＢＳ面より見た状
態を示す模式図である。
態を示す模式図である。
【図３】非磁性薄膜層の膜厚を変化させたときの飽和ギ
ャップ中磁界の強さを計算したときの記録ヘッドの構造
を示す要部拡大図である。
ャップ中磁界の強さを計算したときの記録ヘッドの構造
を示す要部拡大図である。
【図４】非磁性薄膜層の膜厚を変化させたときの飽和ギ
ャップ中の磁界の強さを計算し、その結果をプロットし
た特性図である。
ャップ中の磁界の強さを計算し、その結果をプロットし
た特性図である。
【図５】非磁性薄膜層の膜厚を０．５μｍとしたときの
疑似ギャップの発生を示す特性図である。
疑似ギャップの発生を示す特性図である。
【図６】非磁性薄膜層の膜厚を０．３μｍとしたときの
疑似ギャップの発生を示す特性図である。
疑似ギャップの発生を示す特性図である。
【図７】非磁性薄膜層の膜厚を０．１μｍとしたときの
疑似ギャップの発生を示す特性図である。
疑似ギャップの発生を示す特性図である。
【図８】非磁性薄膜層の膜厚を０．０５μｍとしたとき
の疑似ギャップの発生を示す特性図である。
の疑似ギャップの発生を示す特性図である。
【図９】非磁性薄膜層の膜厚を０．０２μｍとしたとき
の疑似ギャップの発生を示す特性図である。
の疑似ギャップの発生を示す特性図である。
【図１０】従来の４ポール構造の複合型磁気ヘッドをＡ
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
【図１１】従来の４ポール構造の複合型磁気ヘッドをハ
ードディスクのトラック間に対して移動させる状態を示
す平面図である。
ードディスクのトラック間に対して移動させる状態を示
す平面図である。
【図１２】従来の３ポール構造の複合型磁気ヘッドをＡ
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
【図１３】記録フリンジングが発生している様子をＡＢ
Ｓ面より見た状態を示す模式図である。
Ｓ面より見た状態を示す模式図である。
１・・・ＡＢＳ面 ２・・・スライダ ３ａ・・・先端電極 ３ｂ・・・後端電極 ４・・・ＭＲ素子 ５・・・バイアス導体 ７・・・下層シールド磁性体 ８・・・上層シールド磁性体 ９・・・非磁性薄膜層 １０・・・下層薄膜磁気コア １２・・・磁気的結合部 １３・・・ヘッド巻線 １５・・・保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成沢 浩亮 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 下層シールド磁性体と上層シールド磁性
体の間に磁気抵抗効果素子が配され、磁気記録媒体との
対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成してなる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドと、 上記上層シールド磁性体上に非磁性薄膜層を介して下層
薄膜磁気コアと上層薄膜磁気コアが順次積層され、これ
ら薄膜磁気コアの前方端部間に磁気記録媒体との対接面
に臨んで記録用磁気ギャップを構成する誘導型薄膜磁気
ヘッドとが同一基板上に積層されてなる複合型磁気ヘッ
ドにおいて、 上記非磁性薄膜層の膜厚が０．１μｍ以下であることを
特徴とする複合型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上層薄膜磁気コアと下層薄膜磁気コアの
磁気記録媒体との対接面に臨むコア幅が略同一であるこ
とを特徴とする請求項１記載の複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35341193A JPH07201021A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35341193A JPH07201021A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201021A true JPH07201021A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18430660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35341193A Withdrawn JPH07201021A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201021A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850325A (en) * | 1996-04-02 | 1998-12-15 | Tdk Corporation | Magnetic head having a read element upper shield film and a write element lower magnetic film separated by a non-magnetic film having a thickness such that magnetic coupling is enduced therebetween |
| WO2002063614A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head, magnetic head assembly, and composite thin film magnetic head |
| US6477008B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-11-05 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording transducer with electronic shield |
| US6618227B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Combination perpendicular record and reproduce head having an auxiliary pole recessed from an air bearing surface and spaced from one of a pair of reproducing element sheilds |
| KR100510451B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2005-10-26 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 헤드 |
| US7212382B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-05-01 | Katsuhiko Otomo | Magnetic head including metallic material layer between write head section and read head section |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP35341193A patent/JPH07201021A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850325A (en) * | 1996-04-02 | 1998-12-15 | Tdk Corporation | Magnetic head having a read element upper shield film and a write element lower magnetic film separated by a non-magnetic film having a thickness such that magnetic coupling is enduced therebetween |
| KR100510451B1 (ko) * | 1998-01-15 | 2005-10-26 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 헤드 |
| US6477008B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-11-05 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording transducer with electronic shield |
| US6618227B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Combination perpendicular record and reproduce head having an auxiliary pole recessed from an air bearing surface and spaced from one of a pair of reproducing element sheilds |
| WO2002063614A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head, magnetic head assembly, and composite thin film magnetic head |
| US7212382B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-05-01 | Katsuhiko Otomo | Magnetic head including metallic material layer between write head section and read head section |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |