JPH0488716A - 可変コンダクタンス回路 - Google Patents
可変コンダクタンス回路Info
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- JPH0488716A JPH0488716A JP20578390A JP20578390A JPH0488716A JP H0488716 A JPH0488716 A JP H0488716A JP 20578390 A JP20578390 A JP 20578390A JP 20578390 A JP20578390 A JP 20578390A JP H0488716 A JPH0488716 A JP H0488716A
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- current
- differential transistor
- differential
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、集積回路からなり、パイカッドフィルタ等
の構成に適する可変コンダクタンス回路に関するもので
ある。
の構成に適する可変コンダクタンス回路に関するもので
ある。
第２図はＩＥ”ＣＥ ＶＯＬ、３２．ｌｋ３． ＡＩＪ
ＧＵＳＴ １９８６． ＰＰ。
ＧＵＳＴ １９８６． ＰＰ。
６４６に示されている積分回路の可変コンダクタンス回
路を示す、１は可変電流源で、電流を１＋ とする、
２は定電流源で、その電流をＩ、とする。
路を示す、１は可変電流源で、電流を１＋ とする、
２は定電流源で、その電流をＩ、とする。
３．４はダイオード接続トランジスタ対でそれぞれのコ
レクタ電流−エミッタ電流を各々Ｉ３，１４とし、また
各々のベース・エミッタ間電圧をＦ＋Ｆ８とする。５．
６は差動トランジスタ対でそれぞれのコレクタ電流−エ
ミッタ電流をＩｓ、Ｉｉとし、ベース・エミッタ間電圧
をＦＳ、ＦＡとする。
レクタ電流−エミッタ電流を各々Ｉ３，１４とし、また
各々のベース・エミッタ間電圧をＦ＋Ｆ８とする。５．
６は差動トランジスタ対でそれぞれのコレクタ電流−エ
ミッタ電流をＩｓ、Ｉｉとし、ベース・エミッタ間電圧
をＦＳ、ＦＡとする。
１６はトランジスタ６の負荷である。３０．４０は入力
信号であり、電圧を■ＳＩ＋ Ｖ４Ｏとする。信号３
０．４０はトランジスタ３２．４２及び抵抗１３．１４
（抵抗値Ｒ）を通り、トランジスタ対５．６のベースに
与えられる。１０は電源である。
信号であり、電圧を■ＳＩ＋ Ｖ４Ｏとする。信号３
０．４０はトランジスタ３２．４２及び抵抗１３．１４
（抵抗値Ｒ）を通り、トランジスタ対５．６のベースに
与えられる。１０は電源である。
次に、電圧電流変換利得ｇ、を求める。
図において、Ｆａ Ｆａ−Ｆｉ Ｆｓ
ｆｌｌ各Ｆは電流の対数に比例するので、 １ｍ１ｍ −１１１ｒａ−ｆｆｉ ｌｌ Ｉ ＊
１ｍｌ５ （２）従って Ｉ＊＝１
に−（３） １ ４ １ ラ Ｉｓ 故に、１４ ” ｉｓ Ｘ−” Ｉ Ｓ Ｘ１二
（４）Ｉｎ Ｉｇ ’Ｊｓｏ Ｖａ６ Ｉｔ （
５１又、ｌ、＃ ＋−３＝ Ｒ ■、。−Ｖａ、 Ｉ ア ■ 。
ｆｌｌ各Ｆは電流の対数に比例するので、 １ｍ１ｍ −１１１ｒａ−ｆｆｉ ｌｌ Ｉ ＊
１ｍｌ５ （２）従って Ｉ＊＝１
に−（３） １ ４ １ ラ Ｉｓ 故に、１４ ” ｉｓ Ｘ−” Ｉ Ｓ Ｘ１二
（４）Ｉｎ Ｉｇ ’Ｊｓｏ Ｖａ６ Ｉｔ （
５１又、ｌ、＃ ＋−３＝ Ｒ ■、。−Ｖａ、 Ｉ ア ■ 。
従って、Ｉｂ −（２Ｒ＋２ ） １． Ｌ６
１ＣＩ１． Ｉ。
１ＣＩ１． Ｉ。
ｇ ″ ４よ ｇ ″ ″ ｄ （Ｖｓｅ
Ｖ２Ｏ） ２ Ｒ１ｇ
（７）即ち、ｇｌは１．に比例して電子制御可能
である。
Ｖ２Ｏ） ２ Ｒ１ｇ
（７）即ち、ｇｌは１．に比例して電子制御可能
である。
又、集積回路化した場合、抵抗Ｒは２０００ＰＰＭ種の
温度特性を持ち、ｇ、が温度変化する恐れがある。しか
し、［寞を集積回路で構成するとＩ！は抵抗に逆比例し
てＲの温度特性を打ち消し、温度特性が良好なｇ、が得
られる。このような特長から、上記した可変コンダクタ
ンス回路はＡＶ機器の集積化可調整バイカッドフィルタ
等に利用されている。
温度特性を持ち、ｇ、が温度変化する恐れがある。しか
し、［寞を集積回路で構成するとＩ！は抵抗に逆比例し
てＲの温度特性を打ち消し、温度特性が良好なｇ、が得
られる。このような特長から、上記した可変コンダクタ
ンス回路はＡＶ機器の集積化可調整バイカッドフィルタ
等に利用されている。
しかしながら、上記した従来の可変コンダクタンス回路
においては、抵抗１３．１４とアースとの間の容量によ
って信号電流の高周波成分がアースに流れ、高い周波数
特性が得られないという課題があった。又、抵抗１３．
１４によって信号３０を数十分の−に減衰しているので
、Ｓ／Ｎが低下するという課題もあった。さらに、分割
された信号はトランジスタ６によってエミッタ接地で増
幅され、このエミッタ接地は周波数特性が他の接地に比
べて悪いので、高周波用途へのｖｌ限があった。
においては、抵抗１３．１４とアースとの間の容量によ
って信号電流の高周波成分がアースに流れ、高い周波数
特性が得られないという課題があった。又、抵抗１３．
１４によって信号３０を数十分の−に減衰しているので
、Ｓ／Ｎが低下するという課題もあった。さらに、分割
された信号はトランジスタ６によってエミッタ接地で増
幅され、このエミッタ接地は周波数特性が他の接地に比
べて悪いので、高周波用途へのｖｌ限があった。
この発明は上記のような課題を解決するために成された
ものであり、電子１１１１？Ｉ可能で温度特性がよいｇ
、が得られるとともに、周波数特性とＳ／Ｎを改良する
ことができ、高周波積分器やバイカッドフィルタ等の応
用範囲を拡げることができる可変コンダクタンス回路を
得ることを目的とする。
ものであり、電子１１１１？Ｉ可能で温度特性がよいｇ
、が得られるとともに、周波数特性とＳ／Ｎを改良する
ことができ、高周波積分器やバイカッドフィルタ等の応
用範囲を拡げることができる可変コンダクタンス回路を
得ることを目的とする。
この発明に係る可変コンダクタンス回路は、エミッタを
相互に接続されるとともに相互接続点に第１の電流源を
接続された第１の差動トランジスタ対と、アノードを第
１０差動トランジスタ対のコレクタに接続されるととも
にカソードを相互に接続されて集積回路からなる第２の
電流源に接続されたダイオード接続トランジスタ対と、
ベースに第１の差動トランジスタ対のコレクタとダイオ
ード接続トランジスタ対の７ノードと第３及び第４の電
流源を接続されるとともにエミッタを相互に接続されて
可変電流源と接続された第２の差動トランジスタ対を備
えたものである。
相互に接続されるとともに相互接続点に第１の電流源を
接続された第１の差動トランジスタ対と、アノードを第
１０差動トランジスタ対のコレクタに接続されるととも
にカソードを相互に接続されて集積回路からなる第２の
電流源に接続されたダイオード接続トランジスタ対と、
ベースに第１の差動トランジスタ対のコレクタとダイオ
ード接続トランジスタ対の７ノードと第３及び第４の電
流源を接続されるとともにエミッタを相互に接続されて
可変電流源と接続された第２の差動トランジスタ対を備
えたものである。
又、この発明に係る可変コンダクタンス回路は、エミッ
タに第１の電流源を接続された第１の差動トランジスタ
対と、カソードに集積回路からなる第２の電流源を接続
されたダイオード接続トランジスタ対と、ベースにダイ
オード接続トランジスタ対のアノードと第２の可変電流
源と第４の電流源を接続されるとともにエミッタに第１
の差動トランジスタ対のコレクタを接続された第２の差
動トランジスタ対を備えたものである。
タに第１の電流源を接続された第１の差動トランジスタ
対と、カソードに集積回路からなる第２の電流源を接続
されたダイオード接続トランジスタ対と、ベースにダイ
オード接続トランジスタ対のアノードと第２の可変電流
源と第４の電流源を接続されるとともにエミッタに第１
の差動トランジスタ対のコレクタを接続された第２の差
動トランジスタ対を備えたものである。
又、この発明に係る可変コンダクタンス回路は、エミッ
タに第１の電流源を接続された第１の差動トランジスタ
対と、アノードに集積回路からなる第２の電流源を接続
されたダイオード接続トランジスタ対と、ベースにダイ
オード接続トランジスタ対のカソードと第２の可変電流
源と第４の電流源を接続されるとともにエミッタに第１
の差動トランジスタ対のコレクタを接続された第２の差
動トランジスタ対を備えたものである。
タに第１の電流源を接続された第１の差動トランジスタ
対と、アノードに集積回路からなる第２の電流源を接続
されたダイオード接続トランジスタ対と、ベースにダイ
オード接続トランジスタ対のカソードと第２の可変電流
源と第４の電流源を接続されるとともにエミッタに第１
の差動トランジスタ対のコレクタを接続された第２の差
動トランジスタ対を備えたものである。
この発明においては、第２０差動トランジスタ対への信
号注入を抵抗を介さずに第１の差動トランジスタ対のコ
レクタから行なっているので、抵抗とアース間の容量に
よる高周波成分の漏洩はなく、また抵抗による入力信号
の減衰も生じない。
号注入を抵抗を介さずに第１の差動トランジスタ対のコ
レクタから行なっているので、抵抗とアース間の容量に
よる高周波成分の漏洩はなく、また抵抗による入力信号
の減衰も生じない。
又、この発明においては、上記作用に加えて、第２０差
動トランジスタ対がベース接地であるので、周波数特性
が改善される。
動トランジスタ対がベース接地であるので、周波数特性
が改善される。
以下、この発明の実施例を図面とともに説明する。第１
図において、トランジスタ３２．４２は差動接続され、
抵抗値Ｒの抵抗１３．１４を介して電流源５０に接続さ
れる。電流源５０の電流値を１．とする、又、トランジ
スタ３２，４２のコレクタはトランジスタ６．５のベー
スと電流源３１．４１とに接続される。電流源３１．４
１の電流値をＩとする。他の構成は第２図と同じである
。
図において、トランジスタ３２．４２は差動接続され、
抵抗値Ｒの抵抗１３．１４を介して電流源５０に接続さ
れる。電流源５０の電流値を１．とする、又、トランジ
スタ３２，４２のコレクタはトランジスタ６．５のベー
スと電流源３１．４１とに接続される。電流源３１．４
１の電流値をＩとする。他の構成は第２図と同じである
。
次に、第１図の構成の可変コンダクタンス回路の可変コ
ンダクタンスｇ、を求める。まず、第２図の場合と同様
に（１）〜（４）弐が成立する。ここで、トランジスタ
３２のエミッタ電流は、 Ｖｓｏ Ｖ２ＯＩ６ （９゜故に、■コ
ーＩ ２Ｒ”２ Ｖｓｏ Ｖａｏ Ｉｏ Ｉ。
ンダクタンスｇ、を求める。まず、第２図の場合と同様
に（１）〜（４）弐が成立する。ここで、トランジスタ
３２のエミッタ電流は、 Ｖｓｏ Ｖ２ＯＩ６ （９゜故に、■コ
ーＩ ２Ｒ”２ Ｖｓｏ Ｖａｏ Ｉｏ Ｉ。
従って、１６−（１２Ｒ”ｅ、曹）−７７−α鴫
ｄ Ｉｈ Ｉ＋ｇ、は””
−ｘ−２Ｒ１，α０ｄ （Ｖｓｏ
Ｖ２Ｏ） 即ち、ｇ、はＩ、により電子制御可能であり、１８を集
積回路で構成すると温度特性が良好なｇ。
−ｘ−２Ｒ１，α０ｄ （Ｖｓｏ
Ｖ２Ｏ） 即ち、ｇ、はＩ、により電子制御可能であり、１８を集
積回路で構成すると温度特性が良好なｇ。
が得られる。さらに、この実施例では、抵抗１３１４は
信号３０．４０の注入のためでなく、直接差動トランジ
スタ３２．４２のコレクタ電流の注入のために用いられ
ており、抵抗１３．１４とアース間の容量により信号電
流の高周波成分がアースに流れることがなく、周波数特
性が向上する。
信号３０．４０の注入のためでなく、直接差動トランジ
スタ３２．４２のコレクタ電流の注入のために用いられ
ており、抵抗１３．１４とアース間の容量により信号電
流の高周波成分がアースに流れることがなく、周波数特
性が向上する。
又、抵抗１３．１４による信号減衰もないので、Ｓ／Ｎ
が向上する。
が向上する。
上記した可変コンダクタンス回路は、ＡＶ機器のゲイン
や周波数特性の直流制御、自動調整に用いることができ
る。又、負荷１６としてコンデンサを使うと積分器とな
り、バイカッドフィルタに使うことができる。さらに、
出力を差動にすると、リーブフログフィルタにも使うこ
とができる。いずれの場合も、電子制御可能で温度特性
がよく、かつ周波数特性及びＳ／Ｎがよいという特長を
発揮する。又、電流源２．３１，４１．５０は定電流源
である必要はな（、抵抗であってもよく、またそのうち
の１つは電源であってもよい、さらに、集積回路におい
て集積回路内の抵抗に逆比例した電流を得るには、抵抗
に一定電圧をかけるか一定電圧をかけた抵抗の電流をト
ランジスタのエミッタに流してコレクタ電流を得る等の
方法がある。
や周波数特性の直流制御、自動調整に用いることができ
る。又、負荷１６としてコンデンサを使うと積分器とな
り、バイカッドフィルタに使うことができる。さらに、
出力を差動にすると、リーブフログフィルタにも使うこ
とができる。いずれの場合も、電子制御可能で温度特性
がよく、かつ周波数特性及びＳ／Ｎがよいという特長を
発揮する。又、電流源２．３１，４１．５０は定電流源
である必要はな（、抵抗であってもよく、またそのうち
の１つは電源であってもよい、さらに、集積回路におい
て集積回路内の抵抗に逆比例した電流を得るには、抵抗
に一定電圧をかけるか一定電圧をかけた抵抗の電流をト
ランジスタのエミッタに流してコレクタ電流を得る等の
方法がある。
第３図はこの発明の第２の実施例を示し、この実施例に
おいてもトランジスタ３２□ ４２は差動増幅され、抵
抗１３．１４に定電流源５０が接続される。又、トラン
ジスタ３２のコレクタはトランジスタ５．６のエミッタ
に接続され、電流Ｉが流れる。又、トランジスタ５．６
のベースにはダイオード接続トランジスタ３４のアノー
ドと可変電流源３３と定電流源４１が接続される。他の
構成は第２図と同じである。
おいてもトランジスタ３２□ ４２は差動増幅され、抵
抗１３．１４に定電流源５０が接続される。又、トラン
ジスタ３２のコレクタはトランジスタ５．６のエミッタ
に接続され、電流Ｉが流れる。又、トランジスタ５．６
のベースにはダイオード接続トランジスタ３４のアノー
ドと可変電流源３３と定電流源４１が接続される。他の
構成は第２図と同じである。
次に、第３図の構成の可変コンダクタンス回路のコンダ
クタンスｇ、を求める。この場合もｆｌｌ〜（４）式が
成立する。ここで、トランジスタ３２のコレクタ電流は
、 １１．とＬ二１■や±Ｌ ２Ｒ２ 従って、（４）式に代入すると Ｖｓｏ Ｖａｏ Ｉｏ Ｉ３ 工・＝ （２Ｒ”２ ） （至） ｄｌ。
クタンスｇ、を求める。この場合もｆｌｌ〜（４）式が
成立する。ここで、トランジスタ３２のコレクタ電流は
、 １１．とＬ二１■や±Ｌ ２Ｒ２ 従って、（４）式に代入すると Ｖｓｏ Ｖａｏ Ｉｏ Ｉ３ 工・＝ （２Ｒ”２ ） （至） ｄｌ。
八はｇ 、 −！−ニューー
ｄ （Ｖｓｏ−Ｖ２Ｏ） ２ ＲＩｔ
α・即ち、ｇ、はＩ、に従って可変し、電子制御可能で
あり、またＩ２を集積回路により得ることにより温度特
性が良好なｇ、が得られる。又、第１の実施例と同様に
抵抗１３．１４が信号注入のために用いられてなく、し
かもトランジスタ３２のコレクタが第２の差動トランジ
スタ対５，６のエミッタに直接接続されているので、容
量による漏れや抵抗による減衰が生じず、周波数特性が
向上し、Ｓ／Ｎも向上する。又、トランジスタ６は周波
数特性のよいベース接地であるから、従来のエミッタ接
地に比べて広帯域が期待できる。
α・即ち、ｇ、はＩ、に従って可変し、電子制御可能で
あり、またＩ２を集積回路により得ることにより温度特
性が良好なｇ、が得られる。又、第１の実施例と同様に
抵抗１３．１４が信号注入のために用いられてなく、し
かもトランジスタ３２のコレクタが第２の差動トランジ
スタ対５，６のエミッタに直接接続されているので、容
量による漏れや抵抗による減衰が生じず、周波数特性が
向上し、Ｓ／Ｎも向上する。又、トランジスタ６は周波
数特性のよいベース接地であるから、従来のエミッタ接
地に比べて広帯域が期待できる。
第３図に示した可変コンダクタンス回路においても、Ａ
Ｖ＠器のゲインや周波数特性の直流制御、自動調整に用
いることができる。又、負荷１６としてコンデンサを使
うと積分器となり、パイカッドフィルタに使え、さらに
出力を差動にするとリーブフログフィルタにも使える。
Ｖ＠器のゲインや周波数特性の直流制御、自動調整に用
いることができる。又、負荷１６としてコンデンサを使
うと積分器となり、パイカッドフィルタに使え、さらに
出力を差動にするとリーブフログフィルタにも使える。
これらは、すべて電子制御が可能で温度特性が良く、高
帯域でＳ／Ｎが良いという特長を発揮する。又、電流源
２．４１．５０は定電流源である必要はなく、抵抗でも
よく、そのうちの一つは電源であってもよい。
帯域でＳ／Ｎが良いという特長を発揮する。又、電流源
２．４１．５０は定電流源である必要はなく、抵抗でも
よく、そのうちの一つは電源であってもよい。
第４図はこの発明の第３の実施例を示し、この実施例に
おいてもトランジスタ３２．４２は差動増幅され、抵抗
１３．１４に定電流源５０が接続される。又、トランジ
スタ３２のコレクタは第２の差動トランジスタ対５．６
のエミッタに接続され、電流１．が流れる。第２の差動
トランジスタ対５．６のベースにはダイオード接続トラ
ンジスタ対３，４のエミッタ（カソード）と第２の可変
電流源３３と定電流源４１が接続され、ダイオード接続
トランジスタ対３．４のアノードには集積回路からなる
定電流１ｔ２が接続される。
おいてもトランジスタ３２．４２は差動増幅され、抵抗
１３．１４に定電流源５０が接続される。又、トランジ
スタ３２のコレクタは第２の差動トランジスタ対５．６
のエミッタに接続され、電流１．が流れる。第２の差動
トランジスタ対５．６のベースにはダイオード接続トラ
ンジスタ対３，４のエミッタ（カソード）と第２の可変
電流源３３と定電流源４１が接続され、ダイオード接続
トランジスタ対３．４のアノードには集積回路からなる
定電流１ｔ２が接続される。
第４図の構成の可変コンダクタンス回路においても、第
２の実施例と同様に、（１１〜（４）式及び（財）〜圓
式が成立し、コンダクタンスｇ、は（ロ）式により得ら
れる。即ち、回路構成を第２の実施例と比べると、ダイ
オード接続トランジスタ対３．４のアノード側とカソー
ド例の接続を交替しただけの相違であり、効果も第２の
実施例と全く同一である。
２の実施例と同様に、（１１〜（４）式及び（財）〜圓
式が成立し、コンダクタンスｇ、は（ロ）式により得ら
れる。即ち、回路構成を第２の実施例と比べると、ダイ
オード接続トランジスタ対３．４のアノード側とカソー
ド例の接続を交替しただけの相違であり、効果も第２の
実施例と全く同一である。
以上のようにこの発明によれば、第２の差動トランジス
タ対のコレクタからの出力のコンダクタンスは可変電流
源に比例して変化するので電子制御可能であり、また第
２の電流源は集積回路により構成されているので温度特
性が良好になる。又、信号注入抵抗がないので、抵抗と
アース間の容量による信号電流の高周波成分の漏れがな
（、周波数特性が向上する。又、信号減衰がないので、
Ｓ／Ｎを向上することができる。
タ対のコレクタからの出力のコンダクタンスは可変電流
源に比例して変化するので電子制御可能であり、また第
２の電流源は集積回路により構成されているので温度特
性が良好になる。又、信号注入抵抗がないので、抵抗と
アース間の容量による信号電流の高周波成分の漏れがな
（、周波数特性が向上する。又、信号減衰がないので、
Ｓ／Ｎを向上することができる。
又、この発明によれば、上記効果に加えて、第２の差動
トランジスタ対が周波数特性のよいベース接地であるの
で、高周波特性が改善され、帯域幅を拡げることができ
る。
トランジスタ対が周波数特性のよいベース接地であるの
で、高周波特性が改善され、帯域幅を拡げることができ
る。
第１図はこの発明の第１の実施例による可変コンダクタ
ンス回路の回路図、第２図は従来の可変コンダクタンス
回路の回路図、第３図及び第４図はこの発明の第２及び
第３の実施例による可変コンダクタンス回路の回路図で
ある。 １．３３・・・可変電流源、２．３１．４１．５０・・
・定電流源、３．４・・・ダイオード接続トランジスタ
対、５．６・・・第２の差動トランジスタ対、３０゜４
０・・・入力信号、３２．４２・・・第１の差動トラン
ジスタ対。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第 図 可貢電３七急 ３２．４２ 第１の亙中カドランシスタブ士 第 図 ３３：司変電５鋭希、 第 因 第 図
ンス回路の回路図、第２図は従来の可変コンダクタンス
回路の回路図、第３図及び第４図はこの発明の第２及び
第３の実施例による可変コンダクタンス回路の回路図で
ある。 １．３３・・・可変電流源、２．３１．４１．５０・・
・定電流源、３．４・・・ダイオード接続トランジスタ
対、５．６・・・第２の差動トランジスタ対、３０゜４
０・・・入力信号、３２．４２・・・第１の差動トラン
ジスタ対。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第 図 可貢電３七急 ３２．４２ 第１の亙中カドランシスタブ士 第 図 ３３：司変電５鋭希、 第 因 第 図
Claims (3)
- （１）エミッタを相互に接続されるとともに相互接続点
に第１の電流源を接続され、ベースに入力を印加された
第１の差動トランジスタ対と、アノードを第１の差動ト
ランジスタ対のコレクタに接続されるとともにカソード
を相互に接続されて集積回路からなる第２の電流源に接
続されたダイオード接続トランジスタ対と、ベースに第
１の差動トランジスタ対のコレクタとダイオード接続ト
ランジスタ対のアノードと第３及び第４の電流源を接続
されるとともにエミッタを相互に接続されて可変電流源
と接続され、かつコレクタを出力とされた第２の差動ト
ランジスタ対を備えたことを特徴とする可変コンダクタ
ンス回路。 - （２）エミッタに第１の電流源を接続されるとともにベ
ースに入力を印加された第１の差動トランジスタ対と、
カソードに集積回路からなる第２の電流源を接続された
ダイオード接続トランジスタ対と、ベースにダイオード
接続トランジスタ対のアノードと第２の可変電流源と第
４の電流源を接続されるとともにエミッタに第１の差動
トランジスタ対のコレクタを接続され、かつコレクタを
出力とされた第２の差動トランジスタ対を備えたことを
特徴とする可変コンダクタンス回路。 - （３）エミッタに第１の電流源を接続されるとともにベ
ースに入力を印加された第１の差動トランジスタ対と、
アノードに集積回路からなる第２の電流源を接続された
ダイオード接続トランジスタ対と、ベースにダイオード
接続トランジスタ対のカソードと第２の可変電流源と第
４の電流源を接続されるとともにエミッタに第１の差動
トランジスタのコレクタを接続され、かつコレクタを出
力とされた第２の差動トランジスタ対を備えたことを特
徴とする可変コンダクタンス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20578390A JP2508378B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 可変コンダクタンス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20578390A JP2508378B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 可変コンダクタンス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488716A true JPH0488716A (ja) | 1992-03-23 |
| JP2508378B2 JP2508378B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=16512603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20578390A Expired - Lifetime JP2508378B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 可変コンダクタンス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508378B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222391B1 (en) * | 1996-05-28 | 2001-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20578390A patent/JP2508378B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222391B1 (en) * | 1996-05-28 | 2001-04-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2508378B2 (ja) | 1996-06-19 |
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