JPH048939B2

JPH048939B2 -

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Publication number: JPH048939B2
Application number: JP62229326A
Authority: JP
Priority date: 1987-09-12
Filing date: 1987-09-12
Publication date: 1992-02-18
Also published as: JPS63177416A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、異なる材質または特性を有する複数
の被膜を積層して形成するために用いる被膜形成
用装置に関する。

従来、異なる材質や特性を有する複数の被膜を
積層して形成する場合、それら複数の被膜を、そ
れらに共通の反応炉を用いて形成するようにして
いた。

例えば、第１、第２及び第３の非単結晶半導体
被膜が複数の被膜として積層して形成されている
非単結晶半導体装置を作成する場合、(1)基板を反
応炉内に配し、その反応炉内のガスを排出し、そ
して、反応炉内に第１の半導体材料ガスと第１の
不純物ガスとを含む第１のガスを導入させ、その
第１のガスを第１のガスプラズマにイオン化さ
せ、よつて、基板上に第１の非単結晶半導体層を
形成する第１の半導体材料を堆積させて第１の非
単結晶半導体層を形成し、(2)次に、反応炉内を排
気し、そして、同じ反応炉内に第２の半導体材料
ガスと第２の不純物ガスとを含む第２のガスを導
入させ、その第２のガスを第２のガスプラズマに
イオン化させ、よつて、第１の非単結晶半導体層
上に第２の非単結晶半導体層を形成する第２の半
導体材料を堆積させて第２の非単結晶半導体層を
形成し、(3)次に、反応炉内を排気し、そして、同
じ反応炉内に第３の半導体材料ガスと第３の不純
物ガスとを含む第３のガスを導入させ、その第３
のガスを第３のガスプラズマにイオン化させ、よ
つて、第２の非単結晶半導体層上に第３の非単結
晶半導体層を形成する第３の半導体材料を堆積さ
せて第３の非単結晶半導体層を形成していた。

従つて、従来の非単結晶半導体層形成用装置
は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層を、
それらに共通の反応炉を用いて形成するようにな
された構成を有するのを普通としていた。

このため、従来の非単結晶半導体層形成用装置
の場合、(1)第２の非単結晶半導体層を形成すると
き、反応炉内に、それを排気しても、第１のガス
が残留するのが予儀なくされるため、第２の非単
結晶半導体層を、第１のガスによつて影響されな
い所期の材質または特性を有するものとして形成
することができず、また、(2)第３の非単結晶半導
体層を形成するとき、反応炉内に、それを排気し
ても、第２のガスが残留するのが予儀なくされる
ため、第３の非単結晶半導体層を、第２のガスに
よつて影響されない所期の材質または特性を有す
るものとして形成することができない、という欠
点を有していた。

このように、従来の被膜形成用装置の場合、被
処理基板上に異なる材質または特性を有する複数
の被膜を積層して形成させる場合であつても、反
応炉を、それら複数の被膜に対して、共通に使用
するようにしていたため、後の被膜形成工程で形
成される被膜が、前の被膜形成工程で使用した材
料の影響を受けて、所期の材質または特性を有す
るものとして形成することができなかつた。

よつて、本発明は、上述した欠点のない新規な
被膜形成用装置を提案せんとするものである。

本発明による被膜形成用装置によれば、異なる
材質または特性を有する複数の被膜を、所期の材
質または特性を有し、且つ均質に、容易に形成す
ることができる。

以下、本発明による被膜形成用装置の実施例
を、図面を伴つて詳細に説明する。

実施例１第１図において基板１はボート（例えば石英）
２に対して隣立させた。

基板は200μの厚さの10cm角を本実施例におい
ては用いた。この基板を反応炉３に封じた。この
反応容器は１〜100MHz、例えば13.6MHzの高周
波加熱炉４からの高周波エネルギにより反応性気
体および基板を励起、反応または加熱できるよう
にしている。さらにその外側に抵抗加熱によるヒ
ータ５を設置している。排気は６よりバルブ７を
経て、真空ポンプ８を経てなされる。反応性気体
は９の入口に到るが基板より離れた位置にて高周
波誘導エネルギ１０、ここでは１〜10GHz、例え
ば2.46GHzのマイクロ波エネルギにより化学的に
活性化、分解または反応させている。この１０の
部分の容器７にて反応性気体である珪素の化合物
例えばシラン（SiH₄）、ジクロールシラン
（SiH₂Cl₂）また必要に応じて混入されるＰまた
はＮ型不純物、さらにまたはゲルマニユーム、ス
ズ、鉛、さらにまたは窒素または酸素を含む反応
性気体とを完全に混合した。加えて本発明におい
てはヘリユームまたはネオンを５〜99％特に40〜
90％混入させた。ここで高周波エネルギ１０によ
り化学的にこれらの反応性気体を活性化させ、さ
らに一部を互いに反応させている。

反応系３（容器７を含む）は10^-3〜10²Torr特
に0.01〜5Torrとした。化学的活性を被形成面よ
り離れて行なうに関しては、本発明人による気相
法で提案した触媒を用いる方法がある。

例えば特公昭49−12033号、特公昭53−14518
号、特公昭53−23667号、特公昭51−1389号を参
照されたい。本発明はかかる触媒気相法における
触媒による活性化を積極的に高周波誘導エネルギ
を利用して実施し、これにより化学的活性化また
は物理的な励起をより完全にさせたものである。

反応性気体は珪化物気体１４に対してはシラン
（SiH₄）、ジクロールシラン（SiH₂Cl₂）トリクロ
ールシラン（SiHCl₃）四塩化珪素（SiCl₄）等が
あるが、取扱いが容易なシランを用いた。価格的
にはジクロールシランの方が安価であり、これを
用いてもよい。

Ｐ型の不純物としてボロンをジボラン１５より
10¹⁷cm^-3〜10モル％の濃度になるように加え、ま
たＮ型の不純物としてはフオスフイン（PH₃）を
10¹⁷cm^-3〜20モル％の濃度になるように調整して
用いた。アルシン（AsH₃）であつてもよい。キ
ヤリアガス１２は反応中はヘリユーム（He）ま
たはネオン（Ne）またはこれらの不活性気体に
水素を５〜30％混入させて用いたが、反応開始の
前後は低価格の窒素（Ｎ）を液体窒素により利用
した。

さらに添加物であるスズ（Sn）、ゲルマニユー
ム（Ge）、炭素(C)、窒素（Ｎ）、鉛（Pb）はそれ
らの水素化物または塩化物の気体を１３より導入
した。これらの反応物が室温付近にて液体の場合
はヘリユームによりこの液体をバブルして気化し
それをヘリユームにより反応系３に導入させた。

反応系は最初容器の内壁に附着した酸素等を
800〜1200℃に５により加熱して除去し、その後
排気口側より基板１を装着したボート２を容器３
に入れた。この後この容器３を真空系８により真
空びきし、10^-3Torrにまでした。さらにしばら
くの間ヘリユームまたはネオンを１２より流し、
反応系をパージした。また高周波エネルギを容器
７に印加し、さらに反応性気体を１３，１４，１
５，１６より必要量、容器７に導入して完全に混
合した。その後反応炉３に導いた。この時10〜
300Wの高周波エネルギ４により励起または活性
化を助長させてもよい。

被膜の成長速度は第２図に示してある。図面よ
り明らかな如く、反応性気体を被膜形成面より10
cm〜3m例えば1m近く離してもキヤリアガスを全
導入ガスの５〜99％例えば70％のヘリユームまた
はネオンとする場合は被膜が曲線２２のごとくに
形成され、この被膜の均一度は形成された膜厚が
5000Åにてはロツト間、ロツト内のいずれにおい
ても±２％以内であつた。参考までにこのキヤリ
アガスを同量の窒素とした時は23となり、ほとん
どが被膜が形成されなかつた。またヘリユームの
中に水素（H₂）を15〜30％添加すると、被膜の
均一度は±３〜４％と悪くなつた。基板より離れ
てマイクロ波エネルギを加えた場合22に対し、高
周波エネルギを４により加えても21とあまり成長
速度は増加しなかつた。

ヘリユームまたはネオンをキヤリアガスとして
形成された被膜は温度が室温〜400℃と低いため
多結晶またはアモルフアス構造の非単結晶構造を
有している。

この非単結晶構造は一般に多数の不対結合手が
あることが知られており、例えば本発明装置にお
いてキヤリアガスを窒素とした時、その再結合中
心の密度は10²⁰〜10²²cm^-3と多い。しかしこのキ
ヤリアガスをヘリユームまたはネオンとすると、
これらのガス特にヘリユームは被膜中を自由に動
き得るため、不対結合手は活性化されそれぞれを
共有結合して中和される効果があつた。そのため
密度は10¹⁷〜10¹⁹cm^-3と下げることができた。

しかしこの際も半導体として用いようとすると
この密度を10¹⁵〜10¹⁶cmに下げる必要がある。こ
のため一般に被膜形成を水素をキヤリアガスとし
てこの水素を活性化し、この水素と不対結合手と
を結合させて中和する方法が知られている。しか
しこの水素をヘリユームのかわりにキヤリアガス
として用いると被膜の均一度がきわめて悪くな
り、第１図の装置と同一条件では±８％になつて
しまつた。

このため本発明においてはキヤリアガスはヘリ
ユームまたはネオンとして均一な被膜を作製し、
さらにこの被膜を作製してしまつた後、同一反応
炉または異なつた反応炉にて水素または水素にヘ
リユームを混入したガスを化学的に誘導エネルギ
により活性化した。第１図の装置においては高周
波誘導炉４により実施した。この時この誘導エネ
ルギは基板に垂直方向に向かせ水素またはヘリユ
ームの基板内への注入・中和を助長させると好ま
しかつた。もちろんこの半導体層をレーザまたは
それと同様の強光エネルギ（例えばキセノンラン
プ）により光アニールを行ない、この非単結晶半
導体を単結晶化し、さらにこの単結晶化を行なつ
た後またはこの光アニールと同時に、この誘導エ
ネルギを利用した水素、ヘリユームによる中和は
きわめて効果が著しい。

得にキヤリア移動度はレーザアニールにより10
〜100倍になり、ほぼ単結晶の理想状態に近くな
つた。しかしこの単結晶化はそれだけでは再結晶
中心の密度を10¹⁴〜10¹⁵cm^-3にすることができず、
10¹⁸〜10¹⁹cm^-3にとどまつた。そのためこのレー
ザアニールの後のまたは同時に行う誘導エネルギ
アニールは理想的な単結晶半導体を作るのに大き
な効果があつた。

その結果Ｐ型またはＮ型の半導体としての被膜
を単層に作ることも、PN接合、PIN接合、
PNPN接合、PNPN……PN接合等を多重に自由
に作ることもできた。このため、本発明方法によ
り作られた被膜は半導体レーザ、発光素子さらに
または太陽電池等の光電変換素子への応用が可能
になつた。もちろんMIS型電界効果トランジスタ
または集積回路等にも応用でき大きな価値を有し
ている。

第１図のマイクロ波を利用する時は、マイクロ
波のエネルギはマグネトロン等を利用する。しか
し強いエネルギを出すことが実用上困難であるた
め、工業生産においてはこの基板より離れた位置
での活性化を１〜100MHzの高周波誘導エネルギ
を用いて実施してもよい。

基板より離れた位置での高周波エネルギによる
反応性気体の活性化、励起、または反応は0.5〜
3m、特に１〜1.5m近く離れていても系の圧力が
0.01〜10Torrであればほとんど減少することは
なかつた。

実施例２第３図は、本発明による非単結晶半導体層形成
用装置の実施例を示し、次に述べる構成を有す
る。

すなわち、第１、第２、第３及び第４の系、
、及びを有する。

第１の系は、仕切り弁４４を介して予備室３
０を連結し且つホモジナイザ３４を介して連結し
ている励起室３２を具備する反応室４５を有す
る。

この反応室４５内には、基板３１及び３１′が、
仕切り弁４４を一時的に開いて、予備室３０から
配される。

第３図に示す本発明による被膜形成用装置は、
基板上に、PN接合、PIN接合、PNPN接合、
PNPN…PN接合またはMIS構造のシヨツトキ接
合が形成されるように、異種導電型または同種導
電型の半導体層を、多層に、自動的かつ連続的に
形成することができる構成を有している。

すなわち、大型の一対の基板３１及び３１′が
互に裏面同志を重ね合わされている多数の被形成
体上に、複数の被膜を、均一に形成するために、
被形成体である基板から離れた励起室３２の位置
において、反応性気体を反応または活性化させ、
その反応または活性状態の反応生成物または反応
性気体を、その状態を持続させつつ、被形成体面
上に、ヘリユームまたはネオンのような電離電圧
の高い（24.19eV、21.59eV）キヤリアガスを用
いて搬送させるようにしている。

本発明による被膜形成用装置の実施例を用い
て、基板上に複数の被膜を形成する場合、その基
板として、導体基板（ステンレス、チタン、窒化
チタン、その他の金属）、半導体（珪素、炭化珪
素、ゲルマニユーム）基板、絶縁体（アルミナ、
ガラス、エポキシ、ポリイミド樹脂等の有機物）
基板または複合基板（絶縁基板上に酸化錫、ITO
等の透明導電膜等が形成されたもの、絶縁基板上
に選択的に導体電極が形成されたもの、基板上に
ＰまたはＮ型の半導体が単層または多層に形成さ
れたもの）を用い得る。この基板は、可曲性であ
つても、また固い板であつてもよい。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例を
用いて、基板上に複数の被膜を形成する場合、２
つの基板を裏面同志を重ね合せ、実効的な被形成
面を、１つの基板の２倍に拡大することによつ
て、反応性気体の実質的な使用量を1/2に低減さ
れることができる。

本発明による被膜形成用装置の実施例におい
て、反応室４５，４５′，４５″，４５″は、１〜
100MHz、例えば13.6MHzの高周波加熱源３５，
３５′，３５″，３５″によつて、反応性気体及び
基板を励起、反応または加熱させることができる
ように構成されている。この場合、反応室内は、
10^-3〜10²Torr特に0.01〜5Torrの圧力に保たせ
ている。

本発明による被膜形成用装置の実施例のよう
に、反応用気体に対する化学的な活性化を、被形
成面から離れて行なうようになされていることに
関しては、本発明者が提案した。触媒を用いた気
相法において、開示されている。例えば、特公昭
49−12033号、特公昭53−14518号、特公昭53−
23667号、特公昭51−1389号を参照されたい。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例
は、上述した触媒気相法による活性化を、高周波
誘導エネルギによつて行わせるように構成され、
従つて、本発明による被膜形成用装置によれば、
反応用気体に対する、化学的な活性化または物理
的な励起を、より効果的に施すことができる。

さらに、本発明による被膜形成用装置の実施例
において、励起室３２は、その周りに配された高
周波誘導エネルギー源３３からの、１〜10GHz、
例えば2.46GHzのマイクロ波エネルギーによつ
て、励起室３２に導入された反応性気体を、ガス
プラズマにイオン化させるように構成されてい
る。この場合、必要に応じて、励起室３２内に、
ＰまたはＮ型不純物、またはゲルマニユーム、
錫、鉛、もしくは窒素または酸素を、反応性気体
である珪素の化合物例えばシラン（SiH₄）、ジク
ロールシラン（SiH₂Cl₂）と混合させるように、
供給させるように構成されている。また、必要に
応じて、励起室３２内に、ヘリユームまたはネオ
ンを、反応用気体と５〜99％特に40〜90％の割合
で混合させるように、供給させるように構成され
ている。

このように、本発明による被膜形成用装置の実
施例は、反応性気体を、高周波誘導エネルギ源３
３からの高周波エネルギによつて、化学的に活性
化させ、さらに反応性気体の一部を互に反応させ
るように構成されている。

この場合、反応性気体として、シラン
（SiH₄）、ジクロールシラン（SiH₂Cl₂）、トリク
ロールシラン（SiHCl₃）、四塩化珪素（SiCl₄）
等の珪化物反応性気体１４を用い得るが、取扱い
が容易なシランを用いるのを可とする。もちろ
ん、安価なジクロールシランを用いてもよい。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例
は、励起室３２内に、ガス源４０，４１，４２中
の１つまたは複数から、ジボランを、Ｐ型の不純
物としてのボロンを10¹⁷cm^-3〜10モル％の濃度で
導入している被膜が形成され得るように供給した
り、フオスヒン（PH₃）を、Ｎ型の不純物を10¹⁷
cm^-3〜20モル％の濃度で導入している被膜が形成
され得るように、供給したり、アルシン
（（AsH₃）を、同様にＮ型の不純物を導入してい
る被膜が形成されるように、供給したりするよう
に構成されている。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例に
おいては、励起室３２内に、必要に応じて反応用
気体の反応中において、ヘリユーム（He）また
はネオン（Ne）、またはそれら不活性気体に水素
を５〜30％混入させたものを、ガス源４０，４１
及び４２中の１つから、キヤリアガスとして供給
させたり、反応開始の前後に、廉価な窒素（Ｎ）
をキヤリアガスとして供給させたり、錫（Sn）、
ゲルマニユーム（Ge）、炭素(C)、窒素（Ｎ）、鉛
（Pb）などの添加物を、それらの水素化物または
塩化物の気体で供給させたりするように構成され
ている。

さらに、本発明による被膜形成用装置の実施例
においては、反応室を800〜1200℃に加熱して、
当初、容器の内壁に附着している酸素等を除去さ
せ、次に、基板３１を挿着したボートを、反応室
４５に入れ、次に、その反応室４５を、真空ポン
プ３６によつて、真空引きして、10^-3Torrの圧
力にさせ、次に、しばらくの間、反応室４５内に
ヘリユームまたはネオンを流して、反応室をパー
ジさせるように構成されている。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例に
おいては、高周波エネルギを、反応室４５に印加
させ、また、反応性気体を、必要量、反応室４５
内に導入させるように構成されている。この場
合、高周波エネルギは、高周波エネルギ源３５か
ら得られ、10〜300Wの電力を有する。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例
は、ガス源４０，４１及び４２中の１つまたは複
数からの反応用気体を、バルブ３８の開閉によ
り、励起室３２内に導入させ、その励起室３２に
おいて、高周波誘導エネルギ源３３からの高周波
誘導エネルギによつて、反応性気体およびキヤリ
アガスを化学的に励起、活性化または反応させ、
次で、その化学的に励起、活性化または反応され
た反応用気体及びキヤリアガスを、ホモジナイザ
３４を経て反応室４５内に導入させるように構成
されている。この場合、反応室４５は、その内
に、基板３１を挿着できるように構成され、ま
た、その基板３１を、必要に応じて、毎分３〜30
回の割合で、図の５０，５０′で示す方向に回転
させ、基板３１上における励起室３２側と排気部
３６側とでの被膜成長速度のバラツキを実効的に
除去させ、被膜の均一化を計るように構成されて
いる。

さらに、本発明による被膜形成用装置の実施例
においては、基板３１及び反応用気体を、反応室
４５内において、高周波誘導エネルギ源３５から
の高周波誘導エネルギによつて、反応、励起さ
せ、一方、反応室４５内から、不要な反応生成物
およびキヤリアガスを、真空ポンプ３６によつ
て、排気管３７を介して排気させ、一方、この排
気された不要な反応生成物及びキヤリアガスを、
フイルタ、トラツプなどを有するヘリユーム等の
キヤリアガスを用いた純化装置によつて純化させ
て、再度、キヤリアガスとして用いるように構成
されている。このようなことは、他の反応室４
５′，４５″，４５に関しても同様である。

上述したところから明らかなように、本発明に
よる被膜形成用装置の実施例を用いれば、系に
おいて、所定の厚さの被膜、例えば10Å〜10μ厚
の珪素を主成分とする被膜を形成させることがで
き、また、この場合、被膜を、Ｉ型、Ｐ型または
Ｎ型の導電性を示す不純物の導入されているもの
として形成させることができる。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例に
おいては、系の処理が終つた後、その系の反応
性気体および飛翔中の反応生成物を排気・除去し
て後、系に、系から、基板を植立しているボ
ートを移動させるように構成されている。また、
この移動時において、系、系の容器の圧力が
同一になるよう構成されている。

さらに、本発明による被膜形成用装置の実施例
においては、系においても、系におけると同
様に、珪素を主成分とする被膜を設計に従つて形
成するように構成されている。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例
は、系から系に基板３１を移動させるとき、
系の基板を系に、系の基板を系に、系
の基板を予備室５９に移動させるように構成され
ている。

第３図において、４つの系、、及び
は、PIN接合を形成するために、Ｐ型被膜形成
用、Ｉ型被膜形成用（不純物が人偽的に混入して
いない状態）、Ｎ型被膜形成用及び誘導アニール
用としてそれぞれ用いられている。しかしなが
ら、PIN接合ではなく、PN、PI₁I₂N、PNPN等
の接合を、それ等の面が基板表面とほぼ平行にな
るように形成する場合は、それに応じた数の系を
用いればよい。

本発明による被膜形成用装置の実施例を用いれ
ば、基板の被形成面に平行に同一の化学量論に従
つた被膜を形成することができ、また、このと
き、被膜を、不純物の量がその種類如何にかかわ
らず面方向に均一であるように、また、Ge、Sn、
Pb、Ｎ、Ｏ、Ｃ等の添加物の量が面方向に均一
であるように形成することができる。また、被膜
を、In、Ge、Ｃ、Ｎ、Ｏの量、種類を変えるこ
とによつて、Eg（エネルギバンドギヤツプ）が厚
さ方向に連続的に変化しているものとして形成す
ることもできる。この場合、添加物の量をバルブ
３８，３８′によつて変えればよい。

上述したように、本発明による被膜形成用装置
によれば、複数の反応室を有するので、異なる材
質または特性を有する複数の被膜を、各別の反応
炉で形成させることができる。このため、前の被
膜形成工程で使用用した材料による影響が、次の
被膜形成工程で形成される被膜に及ばない。ま
た、被膜を基板の被形成面上に形成させるにあた
り、基板から離れた位置で反応性気体を化学的に
活性化、励起または反応せしめ、その離れた位置
において、反応性気体を化学量論的に十分混合し
ている。その結果、特定の材料を偏在させていな
い、すなわち、塊状のクラスタを存在させていな
い被膜を、容易に形成させることができる。

上述においては、上述した本発明による被膜形
成用装置の実施例によつて、珪素を主体とした被
膜を形成することかできることを述べた。

しかしながら、この珪素に、窒素を添加してい
るSi₃N_4-x（０＜ｘ＜４）、ゲルマニユームを添加
しているSi_xGe_1-x（０＜ｘ＜１）、錫を添加してい
るSi_xSn_1-x（０＜ｘ＜１）、鉛を添加しているSi_x
Pb_1-x（０＜ｘ＜１）、酸素を添加しているSiO_2-x
（０＜ｘ＜２）、炭素を添加しているSi_xC_1-x（０＜
ｘ＜１）で表される混合物の被膜を形成すること
もできることはいうまでもない。

また、それら混合物のｘの値を適当に選定し
て、Siのみではなく、Ge、Sn等でなる被膜を形
成させることもできる。

さらに、上述した被膜に、ＰまたはＮ型の不純
物が同時に混入さされている被膜を形成させるこ
ともできる。

また、導体、とくに錫、インジユームまたはア
ンチモンの酸化物または窒化物でなる透明電極に
なる被膜や、酸化物ではなく、窒化物例えば窒化
チタン、窒化タンタル、窒化スズ等でなる透明な
導電性被膜を、形成することもできる。

また、本発明による被膜形成用装置の実施例を
用いれば、特にエネルギバンドギヤツプがＷ−Ｎ
（WIDE TO NALLOW）構成（Ｗ側を２〜
3eV、Ｎ側を１〜1.5eV）を有する、PIN、
MINPN接合、PNPN接合、MIPN接合型構成上
に、反射防止膜の効果を有する透明の導電性電極
が形成され、光電変換効率が15〜30％にまで向上
している光電変換素子を製造することができ、工
業的に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の被膜を形成するための製造
装置の実施例である。第２図は、本発明方法によ
つて得られた被膜の特性である。第３図は、本発
明による被膜形成用装置の実施例を示す略線図で
ある。

Claims

【特許請求の範囲】１加熱手段を用いて予め反応室を加熱した後、
反応室内に反応用気体を導入し、該反応用気体に
マイクロ波の誘導エネルギーを供給することによ
り、前記反応用気体をプラズマ化させるととも
に、プラズマ化させた反応用気体に、高周波エネ
ルギーを供給することにより励起、反応及び加熱
を行つて、前記基板上に被膜を形成することを特
徴とする被膜形成方法。２反応室内に反応用気体を導入する手段と、該
反応用気体にマイクロ波の誘導エネルギーを供給
する手段と、反応室内を加熱する加熱手段と、プ
ラズマ化された反応用気体に、励起、反応及び加
熱のための高周波エネルギーを供給する手段とを
有することを特徴とする被膜形成装置。３順次配列された複数の反応室と、上記複数の
反応室のそれぞれに、被処理基板を上記複数の反
応室内に大気に触れさせることなしに、順次移動
させる被処理基板移動手段と、反応用気体を導入
させる反応用気体導入手段と、前記反応用気体を
外部にそれぞれ排出させる複数の排気手段と、反
応室に導入される反応用気体にマイクロ波の誘導
エネルギーを供給してプラズマ化する手段と、反
応室内を加熱する加熱手段と、プラズマ化された
反応用気体に、励起、反応及び加熱のための高周
波エネルギーを供給する手段とを有することを特
徴とする被膜形成装置。