JPH0489643A - 光磁気式情報再生装置用光学ヘッド - Google Patents
光磁気式情報再生装置用光学ヘッドInfo
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- JPH0489643A JPH0489643A JP2196105A JP19610590A JPH0489643A JP H0489643 A JPH0489643 A JP H0489643A JP 2196105 A JP2196105 A JP 2196105A JP 19610590 A JP19610590 A JP 19610590A JP H0489643 A JPH0489643 A JP H0489643A
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁気光学効果を利用して記録媒体に磁気的に
記録された情報を再生する光磁気式情報再生装置用光学
ヘッドに関する。
記録された情報を再生する光磁気式情報再生装置用光学
ヘッドに関する。
［従来の技術］
上記光磁気式情報再生装置では、半導体レザのスポット
を記録媒体の磁性薄膜に照射し、その局部的な温度上昇
により磁気的に情報の記録をした状態の上記記録媒体か
ら、磁気光学効果（特にカー効果）にて、情報を再生し
ている。ここでカー効果とは光が磁気記録媒体によって
反射された場合に偏光面が回転する現象をいう。このよ
うな光磁気効果を利用した情報の再生原理を第４図及び
第５図を参照して以下に説明する。光束分離手段として
の光学素子１は第１のガラス２、一軸性結晶３、第２の
ガラス４よりなり、この光学素子ｌに入射する光束５は
直線偏光であり、カー効果による記録情報の有無に応じ
てＹ軸に対し微小角度±θ、たけ偏光面が回転している
。また、軸性結晶３の光学軸はＹ軸より４５度傾いて設
定されていて、光学軸の方向に異常光屈折率ｎＥ、それ
と直交する方向に常光屈折率ｎ。を有している。
を記録媒体の磁性薄膜に照射し、その局部的な温度上昇
により磁気的に情報の記録をした状態の上記記録媒体か
ら、磁気光学効果（特にカー効果）にて、情報を再生し
ている。ここでカー効果とは光が磁気記録媒体によって
反射された場合に偏光面が回転する現象をいう。このよ
うな光磁気効果を利用した情報の再生原理を第４図及び
第５図を参照して以下に説明する。光束分離手段として
の光学素子１は第１のガラス２、一軸性結晶３、第２の
ガラス４よりなり、この光学素子ｌに入射する光束５は
直線偏光であり、カー効果による記録情報の有無に応じ
てＹ軸に対し微小角度±θ、たけ偏光面が回転している
。また、軸性結晶３の光学軸はＹ軸より４５度傾いて設
定されていて、光学軸の方向に異常光屈折率ｎＥ、それ
と直交する方向に常光屈折率ｎ。を有している。
そして、第５図に示すように、上記一軸性結晶３の光学
軸方向をＥ軸、それと直交する方向をＯ軸にて表わすと
、入射する光束５をフレネル成分Ｒとカー成分にとの２
つの直交する振幅成分に分解して考えるとき、Ｒ，にと
カー回転角との関係は次式に示すようになる。
軸方向をＥ軸、それと直交する方向をＯ軸にて表わすと
、入射する光束５をフレネル成分Ｒとカー成分にとの２
つの直交する振幅成分に分解して考えるとき、Ｒ，にと
カー回転角との関係は次式に示すようになる。
ｔａｎ （±θ駒＝±Ｋ ／ Ｒ、、、、、、、、、、
、、、、、（１１力−回転角が±０８の場合、Ｅ軸及び
Ｏ軸に投影された振幅成分を各々Ｕ、（±）、Ｕ、（±
）とすると、次式が成り立つ（複合同順）。
、、、、、（１１力−回転角が±０８の場合、Ｅ軸及び
Ｏ軸に投影された振幅成分を各々Ｕ、（±）、Ｕ、（±
）とすると、次式が成り立つ（複合同順）。
Ｕ、（±）＝ｌ／Ｊ２ （Ｒ−±Ｋ） 、、、（２）Ｕ
ｏ （±） ＝１ ／ Ｉ２ （Ｒ＋Ｋ） 、、、、
、（３）各振幅成分の光束はガラス２及び４（屈折率ｎ
）と一軸性結晶３の界面において異なる屈折率の差ｎＥ
−ｎ、ｎｏ −ｎを生じるのでスネルの法則に従い、２
つの光束６−’、６−２に分離する（第４図参照）。従
って、これを光検出器１０−′１０−２で検知すれば良
い。
ｏ （±） ＝１ ／ Ｉ２ （Ｒ＋Ｋ） 、、、、
、（３）各振幅成分の光束はガラス２及び４（屈折率ｎ
）と一軸性結晶３の界面において異なる屈折率の差ｎＥ
−ｎ、ｎｏ −ｎを生じるのでスネルの法則に従い、２
つの光束６−’、６−２に分離する（第４図参照）。従
って、これを光検出器１０−′１０−２で検知すれば良
い。
上記検出器上の光束１１−１．１１−２の各々の光強度
■、（±）、Ｉ２ （±）（±０８のカー回転の場合）
は次式で与えられる。
■、（±）、Ｉ２ （±）（±０８のカー回転の場合）
は次式で与えられる。
Ｒ２＞＞Ｋ２として、
Ｉ、 （±）＝（ＵＥ（±） ） ２＝１／２
（Ｒ十Ｋ）２ 崎１／２Ｒ２−±ＲＫ 、、、、、、
、、、、、、、 （４）１、 （±）＝（Ｕ、（±）
） ２＝１／２ （Ｒ±Ｋ）２ 崎１／２Ｒ２
±ＲＫ 、、、、、、、、、、、、、、、、、 （５）
よって、２光束の強度に応じた光検出器からの電気出力
を差動増幅器１９にて差動することにより、光磁気信号
ＲＦを得ることができる。
（Ｒ十Ｋ）２ 崎１／２Ｒ２−±ＲＫ 、、、、、、
、、、、、、、 （４）１、 （±）＝（Ｕ、（±）
） ２＝１／２ （Ｒ±Ｋ）２ 崎１／２Ｒ２
±ＲＫ 、、、、、、、、、、、、、、、、、 （５）
よって、２光束の強度に応じた光検出器からの電気出力
を差動増幅器１９にて差動することにより、光磁気信号
ＲＦを得ることができる。
ＲＦＯｏ■２ （±）−Ｉ、（±）＝±２ＲＫまた、光
検出器１０−１．１０−２は、光磁気信号検出と同時に
記録媒体（図示せず）上に微小な光スポットを位置決め
するためのサーボ（フォーカス、トラッキング）信号検
出にも用いられるのが通常である。
検出器１０−１．１０−２は、光磁気信号検出と同時に
記録媒体（図示せず）上に微小な光スポットを位置決め
するためのサーボ（フォーカス、トラッキング）信号検
出にも用いられるのが通常である。
上記サーボ信号としては光検出器上の光束の形状や光量
分布を検知するのが一般的であり、そのために複数に分
割した光検出器上に光束を精密に位置決めし、その各々
の光検出器の出力の演算値が目標値となるように光スポ
ットの位置制御を行う。
分布を検知するのが一般的であり、そのために複数に分
割した光検出器上に光束を精密に位置決めし、その各々
の光検出器の出力の演算値が目標値となるように光スポ
ットの位置制御を行う。
従って、この目標値がどのような環境下でも記録媒体上
の光スポツト位置との対応において変化しないことが光
磁気信号を良好に再生するうえで重要になる。
の光スポツト位置との対応において変化しないことが光
磁気信号を良好に再生するうえで重要になる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、今までは、上述のように一軸性結晶３と
ガラス２および４の屈折率の波長依存性（分散）につい
ての考察が欠けていたため、これを満足できなかった。
ガラス２および４の屈折率の波長依存性（分散）につい
ての考察が欠けていたため、これを満足できなかった。
この点について第６図及び第７図を用いて説明する。
即ち、第６図において、符号６日、６−２は光学素子１
により分離された２つの光束であり、実線は光束６−１
．６−２を光検出器上で精密に位置調整した場合の投影
像１１−１．１１−２の光路である。例えば、光検出器
１０−１．１０−２に４分割センサを用いた場合、第７
図に示されるように、その分割線上に正しく位置決めさ
れているものとするると、各光検出器からの出力の演算
値が制御上の目標値となっており、同時に、記録媒体上
の光スポットも所望のトラック上に正しくフォーカス及
びトラッキングされる。
により分離された２つの光束であり、実線は光束６−１
．６−２を光検出器上で精密に位置調整した場合の投影
像１１−１．１１−２の光路である。例えば、光検出器
１０−１．１０−２に４分割センサを用いた場合、第７
図に示されるように、その分割線上に正しく位置決めさ
れているものとするると、各光検出器からの出力の演算
値が制御上の目標値となっており、同時に、記録媒体上
の光スポットも所望のトラック上に正しくフォーカス及
びトラッキングされる。
ここで注目すべき点は、光源として使用されている半導
体レーザ（図示せず）が−膜内に温度や出力により波長
を変化する特性を有することである。波長〜温度特性は
通常０．２〜０．３°ｍ／℃であり、常温±３０℃の環
境を考えれば、１２〜１８ｎｍの波長変化が生じる。ま
た、光磁気信号を記録、消去する際には３゜Ｗ程度の出
力から３０ｍＷ程度の出力変化があるが、その際の波長
変化は通常３〜６ ｎｍ程度である。そして、上記半導
体レーザの波長変化に伴い、一軸性結晶３の異常光屈折
率ｎ０、ガラス２．４の屈折率ｎも変化するので、第６
図及び第７図に示す点線のように光路が変化するから、
光検出器上での光束の投影像１１−Ｉ、１１−２の位置
がずれる。これにより、サーボの方式にもよるが、フォ
ーカス、トラッキングにオフセットが生じ、上記フォー
カス及びトラッキングの間のクロスストロークが増大す
る。
体レーザ（図示せず）が−膜内に温度や出力により波長
を変化する特性を有することである。波長〜温度特性は
通常０．２〜０．３°ｍ／℃であり、常温±３０℃の環
境を考えれば、１２〜１８ｎｍの波長変化が生じる。ま
た、光磁気信号を記録、消去する際には３゜Ｗ程度の出
力から３０ｍＷ程度の出力変化があるが、その際の波長
変化は通常３〜６ ｎｍ程度である。そして、上記半導
体レーザの波長変化に伴い、一軸性結晶３の異常光屈折
率ｎ０、ガラス２．４の屈折率ｎも変化するので、第６
図及び第７図に示す点線のように光路が変化するから、
光検出器上での光束の投影像１１−Ｉ、１１−２の位置
がずれる。これにより、サーボの方式にもよるが、フォ
ーカス、トラッキングにオフセットが生じ、上記フォー
カス及びトラッキングの間のクロスストロークが増大す
る。
これらは光磁気信号を正確に再生する上で重大な問題点
となる。
となる。
［発明の目的］
本発明は上記事情に基いてなされたもので、結晶と二枚
のガラスの組み合わせによる光束分離素子を用いる光磁
気式情報再生装置用光学ヘッドにおいて、光源である半
導体レーザの波長が温度や出力に応じて変化しても、光
束分離素子からの光束射出角度の変化が十分小さく、正
確且つ安定に光磁気信号情報を再生し得る光磁気式情報
再生装置用光学ヘッドを提供しようとするものである。
のガラスの組み合わせによる光束分離素子を用いる光磁
気式情報再生装置用光学ヘッドにおいて、光源である半
導体レーザの波長が温度や出力に応じて変化しても、光
束分離素子からの光束射出角度の変化が十分小さく、正
確且つ安定に光磁気信号情報を再生し得る光磁気式情報
再生装置用光学ヘッドを提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段〕
このため、本発明では半導体レーザからの光束を光磁気
記録媒体上に微小スポットとなるように集光し、上記記
録媒体で反射された光束を光束分離手段で上記半導体レ
ーザの偏光方向に対してほぼ４５度の角度をなす方向に
第１の光束として分離し、また、これと直交する方向に
第２の光束として分離するようにした光磁気式情報再生
装置用光学ヘッドにおいて、上記光束分離手段は光束の
入射順序に第１のガラス、一軸性結晶、および第２のガ
ラスを配列して構成されており、また、第１のガラスと
一軸性結晶と、及び第２のガラスと一軸性結晶とのそれ
ぞれの接合面の法線が第１及び第２の光束が含まれる平
面内にあり、且つ、上記一軸性結晶の光学軸が上記半導
体レーザの偏光方向とほぼ４５度をなす方向に設定され
、上記第１及び第２のガラス並びに上記一軸性結晶は、
第１及び第２の光束のうち、少なくても１つについて上
記光束分離手段からの光束射出角度が上記半導体レーザ
の第１の波長と第２の波長について等しくなるような屈
折率、分散及び接合角をそれぞれ有するように設定しで
ある。
記録媒体上に微小スポットとなるように集光し、上記記
録媒体で反射された光束を光束分離手段で上記半導体レ
ーザの偏光方向に対してほぼ４５度の角度をなす方向に
第１の光束として分離し、また、これと直交する方向に
第２の光束として分離するようにした光磁気式情報再生
装置用光学ヘッドにおいて、上記光束分離手段は光束の
入射順序に第１のガラス、一軸性結晶、および第２のガ
ラスを配列して構成されており、また、第１のガラスと
一軸性結晶と、及び第２のガラスと一軸性結晶とのそれ
ぞれの接合面の法線が第１及び第２の光束が含まれる平
面内にあり、且つ、上記一軸性結晶の光学軸が上記半導
体レーザの偏光方向とほぼ４５度をなす方向に設定され
、上記第１及び第２のガラス並びに上記一軸性結晶は、
第１及び第２の光束のうち、少なくても１つについて上
記光束分離手段からの光束射出角度が上記半導体レーザ
の第１の波長と第２の波長について等しくなるような屈
折率、分散及び接合角をそれぞれ有するように設定しで
ある。
［作 用］
従って、このような構成では、半導体レーザの波長が温
度や出力に応じて変化しても、光束分離素子からの光束
射出角度の変化が十分小さ（、その結果、サーボ信号を
検出する光検出器上での光束のずれが小さくて、正確且
つ安定に光磁気信号情報を再生できる。
度や出力に応じて変化しても、光束分離素子からの光束
射出角度の変化が十分小さ（、その結果、サーボ信号を
検出する光検出器上での光束のずれが小さくて、正確且
つ安定に光磁気信号情報を再生できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して、具体的に説明
する。第１図において、本発明に係わる光束分離素子１
は第１のガラス２、一軸性結晶３および第２のガラス４
の順序で配列構成されており、記録媒体（図示せず）か
らの反射光束５はここを通る。この時のカー回転角の向
きなどは第４図の場合と同一である。上記光束分離素子
１によって分離された２つの光束の内、その一方の光束
６−１（他方は図示せず）について、以下に詳述する。
する。第１図において、本発明に係わる光束分離素子１
は第１のガラス２、一軸性結晶３および第２のガラス４
の順序で配列構成されており、記録媒体（図示せず）か
らの反射光束５はここを通る。この時のカー回転角の向
きなどは第４図の場合と同一である。上記光束分離素子
１によって分離された２つの光束の内、その一方の光束
６−１（他方は図示せず）について、以下に詳述する。
これは、一方の説明はそのまま、他方の説明に当てはめ
ることができ、また、通常、第７図のような光検出器１
０−１．１Ｏ−２の場合、どちらか一方を用いれば必要
なサーボ信号情報（フォーカス、トラッキング）を得る
ことができるので、本発明の理解のうえで必要十分であ
ることによる。
ることができ、また、通常、第７図のような光検出器１
０−１．１Ｏ−２の場合、どちらか一方を用いれば必要
なサーボ信号情報（フォーカス、トラッキング）を得る
ことができるので、本発明の理解のうえで必要十分であ
ることによる。
半導体レーザの波長をんａ（ｊ＝１，２）とし、ガラス
２の屈折率をｎｌＪ、一軸性結晶３の屈折率をｎ２ｊ、
ガラス４の屈折率を特徴とする特許こで、引数ｊは第１
及び第２の波長を意味する）と、以下に述べるような諸
関係式が得られる。なお、上記一軸性結晶３は異常光屈
折率ｎＥ及び常光屈折率ｎ。を有するが、ｎ２ｊは前述
の理由によりどちらか一方を意味する。同様にして、光
束分離素子１中の光線の入射角、出射角をＩＩＪ〜１５
４（ｊ＝１．２）としである。計算を簡単にするため、
光束分離素子１に光束５が垂直入射し、Ｌ 。
２の屈折率をｎｌＪ、一軸性結晶３の屈折率をｎ２ｊ、
ガラス４の屈折率を特徴とする特許こで、引数ｊは第１
及び第２の波長を意味する）と、以下に述べるような諸
関係式が得られる。なお、上記一軸性結晶３は異常光屈
折率ｎＥ及び常光屈折率ｎ。を有するが、ｎ２ｊは前述
の理由によりどちらか一方を意味する。同様にして、光
束分離素子１中の光線の入射角、出射角をＩＩＪ〜１５
４（ｊ＝１．２）としである。計算を簡単にするため、
光束分離素子１に光束５が垂直入射し、Ｌ 。
は第１および第２の波長に対して一定値であると゛しで
あるが、本発明の範囲はこれに限られるものではない。
あるが、本発明の範囲はこれに限られるものではない。
また、一軸性結晶の頂角をα、ガラス２．４の頂角を各
々β、γとする（β” Ｌ 。
々β、γとする（β” Ｌ 。
）。
スネルの法則より第１の波長λ１については以下の式が
成立する。
成立する。
ｎ ＋＋ ’ Ｓｉｎ ｆ ｏ ＝ ｎ３＋’ｓｉｎ
ｉ ｘ・−−−・−（１）ｎ２＋ ・ｓｉｎ ｉ ２１
＝ ｎ３＋−５ｉｎ ｉ ３ｔ−０，−０，（８）ｎ
３＋ ・Ｓｉｎ ｉ ＜＋＝Ｓｉｎ １６１．、、、、
、、、、、、、（９）ｉ 、、＋ ｉ ２．：α、、、
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、 （１０）Ｌ
３１＋Ｌ４１＝γ、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、 （１１）また、同様にして、第２の波長ん
２については以下の式が成立する。
ｉ ｘ・−−−・−（１）ｎ２＋ ・ｓｉｎ ｉ ２１
＝ ｎ３＋−５ｉｎ ｉ ３ｔ−０，−０，（８）ｎ
３＋ ・Ｓｉｎ ｉ ＜＋＝Ｓｉｎ １６１．、、、、
、、、、、、、（９）ｉ 、、＋ ｉ ２．：α、、、
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、 （１０）Ｌ
３１＋Ｌ４１＝γ、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、 （１１）また、同様にして、第２の波長ん
２については以下の式が成立する。
ｎ１□・Ｓｉｎ ｉ ｏ ” ｎｚ□・ｓｉｎ ｉ ＋
２．、、、、、（１２）ｎ ２２ ’ ｓｉｎ ｆ ２
２＝ ｎ ａ。・ｓｉｎ ｉ ３□、、、、、、（１３
）ｎ３□・５ｉｎｉ４□＝ｓｉｎｉ５□、、、、、、、
、、、、、 （１４）ｉ １２＋ｉｉ□＝α、、、０．
、、、、、、、、、、、、、、、、、 （１５）ｉ ３
２＋ ｉ （２＝γ、、１０．、、、、、、、、、、、
、、、、、、 （１６）第１の波長と第２の波長につい
て ｉ ｓ＋＝ ｉ ａ２．、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、（１７）が成り立てば良いから
、これを整理して、（７）、（８）、（１０）より ｎ３＋’ｓｉｎ ｉ３．＝ ｒｌ＋＋’ｃＯ３Ｃ１・
ｓｉｎ ｉ。
２．、、、、、（１２）ｎ ２２ ’ ｓｉｎ ｆ ２
２＝ ｎ ａ。・ｓｉｎ ｉ ３□、、、、、、（１３
）ｎ３□・５ｉｎｉ４□＝ｓｉｎｉ５□、、、、、、、
、、、、、 （１４）ｉ １２＋ｉｉ□＝α、、、０．
、、、、、、、、、、、、、、、、、 （１５）ｉ ３
２＋ ｉ （２＝γ、、１０．、、、、、、、、、、、
、、、、、、 （１６）第１の波長と第２の波長につい
て ｉ ｓ＋＝ ｉ ａ２．、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、（１７）が成り立てば良いから
、これを整理して、（７）、（８）、（１０）より ｎ３＋’ｓｉｎ ｉ３．＝ ｒｌ＋＋’ｃＯ３Ｃ１・
ｓｉｎ ｉ。
±ｓｉｎ α’ （ｎ ｓ＋” ｎ ＋、 ’ ５
ｉｎ２ｉ ｏ ） ”２＝ａ ＋、、 、、、、、 、
、、、、 、、、、、、３４９．−００．−０−０−−
−００．− （１８）（１２）、（１３）、（１４）よ
り ｎ３２’ ｓｉｎ ｉ ３．＝ ｎ１２’ ｃｏｓ
Ｑ ’ ｓｉｎ ｆ 。
ｉｎ２ｉ ｏ ） ”２＝ａ ＋、、 、、、、、 、
、、、、 、、、、、、３４９．−００．−０−０−−
−００．− （１８）（１２）、（１３）、（１４）よ
り ｎ３２’ ｓｉｎ ｉ ３．＝ ｎ１２’ ｃｏｓ
Ｑ ’ ｓｉｎ ｆ 。
±ｓｉｎ α’ （ｎ２□” ｒｌ＋２・ｓｉｎ”
ｉｏ ） ”２＝ａ ２．、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、 （
１９）（９）、（１１）、（１４）、（１６）、（１７
）よりｎ３＋”ｓｉｎ （γＬｓ＋） ＝ｎｓ□ｅＳ
ｉｎ （Ｙ−ｉ３□） 、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、（２０
）（１８）、（１９）、（２０）より ｔａｎ γ＝ （ａｔ −ａｔ ） ／
（（ｎｓ＋ −ａｔ２） ”２− （ｎａ□２ａ
２２） ”２） ００１．−、、．０．（２１）（
２１）が成立するようにガラス２．４及び一軸性結晶３
の屈折率、分散頂角を選んでやれば良い。また、検討の
結果、通常の光学ヘッドにおいては （（ｎ３＋ ａｔ２）”２ （ｎ３ｚ
ａ２） ”” ） ＋ｓｉｎ Ｔ −（ａｔ
−８２） ・ｃｏｓ ７ ｌ ≦２ Ｘ １０−
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、（２２）が成立すれば、実用上問題ない
ことが分かった。
ｉｏ ） ”２＝ａ ２．、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、 （
１９）（９）、（１１）、（１４）、（１６）、（１７
）よりｎ３＋”ｓｉｎ （γＬｓ＋） ＝ｎｓ□ｅＳ
ｉｎ （Ｙ−ｉ３□） 、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、（２０
）（１８）、（１９）、（２０）より ｔａｎ γ＝ （ａｔ −ａｔ ） ／
（（ｎｓ＋ −ａｔ２） ”２− （ｎａ□２ａ
２２） ”２） ００１．−、、．０．（２１）（
２１）が成立するようにガラス２．４及び一軸性結晶３
の屈折率、分散頂角を選んでやれば良い。また、検討の
結果、通常の光学ヘッドにおいては （（ｎ３＋ ａｔ２）”２ （ｎ３ｚ
ａ２） ”” ） ＋ｓｉｎ Ｔ −（ａｔ
−８２） ・ｃｏｓ ７ ｌ ≦２ Ｘ １０−
、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、（２２）が成立すれば、実用上問題ない
ことが分かった。
第１の波長え、と第２の波長ん、の差は半導体レーザの
温度変化による波長変化±６〜±９□及び出力変化によ
る波長変化３〜６□を見込んで、±１５ｎ１．１程度を
考えれば良い。
温度変化による波長変化±６〜±９□及び出力変化によ
る波長変化３〜６□を見込んで、±１５ｎ１．１程度を
考えれば良い。
次に、その第一の具体例を示す。
α＝９０° β＝γ＝４５°とすると、（２２）式は
簡略化され、 （ｎ ３＋ ０２１” ＋ ｎ ＋＋”／２ ）
”２（ｎ ｗ＋” ｎ ｚ”／２ ） ”２（ｎ
３□′−ｎ２□′ ＋ｎ＋□２／２ ） ”２−
（ｎ２ｚ” −ｎ＋２２７２ ） ”２１≦２ Ｘ
１０− 、、、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、（２３）この際、次式が成り立
つように硝材を選ぶとよい。
簡略化され、 （ｎ ３＋ ０２１” ＋ ｎ ＋＋”／２ ）
”２（ｎ ｗ＋” ｎ ｚ”／２ ） ”２（ｎ
３□′−ｎ２□′ ＋ｎ＋□２／２ ） ”２−
（ｎ２ｚ” −ｎ＋２２７２ ） ”２１≦２ Ｘ
１０− 、、、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、（２３）この際、次式が成り立
つように硝材を選ぶとよい。
ｎｚＪ＝ （２ｎ’ ２Ｊ” −’ ｎ＋％
） ””、、、（２４）但し、（ｊ＝１．２） ｎ’ ２Ｊ＝１／２ （ｎａ ＋ｎｏ ） 、、
、、、１１．、、（２５）これより、光束分離素子１の
光束射出角度が０８近辺となり、光束分離素子の後方に
レンズなどを配置する際も、収差の影響を軽減できる。
） ””、、、（２４）但し、（ｊ＝１．２） ｎ’ ２Ｊ＝１／２ （ｎａ ＋ｎｏ ） 、、
、、、１１．、、（２５）これより、光束分離素子１の
光束射出角度が０８近辺となり、光束分離素子の後方に
レンズなどを配置する際も、収差の影響を軽減できる。
ガラス２に５Ｋ１２、一軸性結晶に水晶、ガラス４にＢ
Ｋ７を選ぶ。
Ｋ７を選ぶ。
ここで、λ、＝７９０ｎｆｆｌ、λ２＝８０５ｎｆｆｌ
としてｎ ＋Ｊ”” ｎ ａ、１を示すと下表のように
なる。
としてｎ ＋Ｊ”” ｎ ａ、１を示すと下表のように
なる。
λ、 ＝７９０ｎ、、、 λ、 ＝８０５．−５
Ｋ１２ ｎ ＋＋＝１．５７６２１
ｎ ＋２＝１．５７５８６水晶（異常光） ｎ ｚ＋
＝ １．５４７４９ ｎ ２２＝ １．５４７１８水
晶（常光） ｎ ２＋ ＝ １．５３８５９ ｎ
２□＝ １．５３８２９ＢＫ７ ｎ３＋＝
１．５１０５２ ｎａｉ＝１．５１０２２１１Ｊ−
１６Ｊを異常光と常光について同様に示す（単位＝度）
。これを（２３）式にて表わすと、異常光において３．
１６Ｘ １０−’、常光において５．２０ＸｌＯ−５と
なり、角度では異常光において６．５°°、常光におい
て１０．８”の小さな値となる。
Ｋ１２ ｎ ＋＋＝１．５７６２１
ｎ ＋２＝１．５７５８６水晶（異常光） ｎ ｚ＋
＝ １．５４７４９ ｎ ２２＝ １．５４７１８水
晶（常光） ｎ ２＋ ＝ １．５３８５９ ｎ
２□＝ １．５３８２９ＢＫ７ ｎ３＋＝
１．５１０５２ ｎａｉ＝１．５１０２２１１Ｊ−
１６Ｊを異常光と常光について同様に示す（単位＝度）
。これを（２３）式にて表わすと、異常光において３．
１６Ｘ １０−’、常光において５．２０ＸｌＯ−５と
なり、角度では異常光において６．５°°、常光におい
て１０．８”の小さな値となる。
（異常光） （常光）
λ、 ＝７９０．、 ん２ｚ８ｏ５１１Ｉ、ｌ
λ１ ん２ｉｏ ４５．００００ ｉ ＩＪ ４６．０７３５ １２Ｊ ４３．９２６５ ｉ ３． ４５．２９３１ ｉ ４Ｊ Ｏ，２９３１ ｉ ６Ｊ Ｏ，４４２７ １ｓ＋ Ｌｓ。
λ１ ん２ｉｏ ４５．００００ ｉ ＩＪ ４６．０７３５ １２Ｊ ４３．９２６５ ｉ ３． ４５．２９３１ ｉ ４Ｊ Ｏ，２９３１ ｉ ６Ｊ Ｏ，４４２７ １ｓ＋ Ｌｓ。
４５．００００ ４５．００００
４６．０７２２ ４６．４１８６
４３．９２７８ ４３．５８１４
４５．２９４３ ４４．６０３４
０．２９４３ −０．３９６７
０．４４４５ −０．５９９２
ｏ、ｏｏｉｇ
４５．００００
４６．４１７０
４３．５ｇ３０
４４．６０５３
０．３９４８
−０．５９６２
０．００３０
第１の実施例においては、波長変化に対して異常光も常
光も光束分離手段１がらの射出光角度ずれが小さいので
、光検出器１０−’ １０−２のどちらでもサーボ信
号検出に用いることができる。
光も光束分離手段１がらの射出光角度ずれが小さいので
、光検出器１０−’ １０−２のどちらでもサーボ信
号検出に用いることができる。
その上、射出光角度が０８に近いので、光束分離素子１
の後方に集光レンズ（図示せず）などを配置する際も収
差が発生しに（い利点がある。なお、ガラス２．４は硝
材を入れ替えても、殆ど同等の特性が得られる。
の後方に集光レンズ（図示せず）などを配置する際も収
差が発生しに（い利点がある。なお、ガラス２．４は硝
材を入れ替えても、殆ど同等の特性が得られる。
次に、第２の実施例を示す。ここではα＝９０° β＝
γ＝４５°として、ガラス２．３に同一の硝材ＰＳＫＩ
を、また、一軸性結晶に水晶を選ぶ。
γ＝４５°として、ガラス２．３に同一の硝材ＰＳＫＩ
を、また、一軸性結晶に水晶を選ぶ。
λ１＝７９０１１１．ｌ、ん２＝８０５゜とじてｎ１Ｊ
（ｎ３ａ ） 、ｎ ２ Ｊを示す。
（ｎ３ａ ） 、ｎ ２ Ｊを示す。
ん、＝７９０ｎｍ λ２ ＝８０５ｎｎｌＰＳＫ
Ｉ ｎ、、＝１．５４１４９ ｎ、□＝
１．５４１１８水晶（異常光） ｎ ２１＝ １．５４
７４９ ｎ ２□＝１．５４７１８水晶（常光）
ｎ ２．” １．５３８５９ ｎ ２□＝ １．５３
８２９なお、 ここではｎ １１ ” ｎ ３１、 ｎ １２” ｎ ３２であ る。
Ｉ ｎ、、＝１．５４１４９ ｎ、□＝
１．５４１１８水晶（異常光） ｎ ２１＝ １．５４
７４９ ｎ ２□＝１．５４７１８水晶（常光）
ｎ ２．” １．５３８５９ ｎ ２□＝ １．５３
８２９なお、 ここではｎ １１ ” ｎ ３１、 ｎ １２” ｎ ３２であ る。
また、
１ ＩＪ”−１５Ｊを異常光と常光について同様に示す
。
。
（異常光）
（常光）
λ１
＝ ７９０１１ｆｆｌ λ２
＝ ８０５ｎ□ λ１
λ２
ｉ ｏ ４５．００００ ４５．００００
４５．００００ ４５．００００１、、 ４４．７７
８３ ４４．７７ｇ２ ４５．１０８１ ４５
．１０７７ｉ２Ｊ ４５．２２１７ ４５．２２１８
４４．８９１９ ４４．８９２３ｉ ａＪ４５
．４４６９ ４５．４４７０ ４４．７８４６
４４．７８５３ｉ ４Ｊ Ｏ，４４６９０，４４
７０−０，２１５４−０，２１４７ｉ、、 ０．６
８８９ ０．６８８９ １ −０．３３２０ −
０．３３０９Ｌ ｅ＋ Ｌ ５ｚ −２，８Ｘ
１０−’ ｌ −０，００１１第２の実
施例においても、波長変化に対する異常光、常光は光束
分離手段１からの射出光角度ずれが小さ（、従って、光
検出器１０−’ １０のどちらでもサーボ信号検出に
用いることができる。その上、射出光角度が００に近い
ので、光束分離素子ｌの後方に集光レンズ（図示せず）
などを配置する際も、 収差が発生しにくい利点かあ る。
４５．００００ ４５．００００１、、 ４４．７７
８３ ４４．７７ｇ２ ４５．１０８１ ４５
．１０７７ｉ２Ｊ ４５．２２１７ ４５．２２１８
４４．８９１９ ４４．８９２３ｉ ａＪ４５
．４４６９ ４５．４４７０ ４４．７８４６
４４．７８５３ｉ ４Ｊ Ｏ，４４６９０，４４
７０−０，２１５４−０，２１４７ｉ、、 ０．６
８８９ ０．６８８９ １ −０．３３２０ −
０．３３０９Ｌ ｅ＋ Ｌ ５ｚ −２，８Ｘ
１０−’ ｌ −０，００１１第２の実
施例においても、波長変化に対する異常光、常光は光束
分離手段１からの射出光角度ずれが小さ（、従って、光
検出器１０−’ １０のどちらでもサーボ信号検出に
用いることができる。その上、射出光角度が００に近い
ので、光束分離素子ｌの後方に集光レンズ（図示せず）
などを配置する際も、 収差が発生しにくい利点かあ る。
更に、第３の実施例を示す。ここではα９０° β＝４
５°、γ＝ ４３．１８３、ガラス２に５Ｋ１５、一軸
性結晶３に水晶、ガラス４にＦＫ５を選ぶ。
５°、γ＝ ４３．１８３、ガラス２に５Ｋ１５、一軸
性結晶３に水晶、ガラス４にＦＫ５を選ぶ。
λ、 ＝７９０ｎＩＩ、 Ｌ２＝８０５．、としてｎｌ
、〜ｎ３、を示すと下表のようになる。
、〜ｎ３、を示すと下表のようになる。
λ、 ＝７９０．ｌ、ｌ ん２＝８０５．。
Ｋ１５
水晶（異常光）
水晶（常光）
Ｋ５
ｎ ＋ ＋ ＝ １．６１５４７
ｎ ２．” １．５４７４９
ｎ ２１＝ １．５３８５９
ｎ ３１ ＝ １．４８２４３
ｎ 、□” １．６１５０９
ｎ ２□＝ １．５４７１８
ｎ ２ｍ＝ １．５３８２９
ｎ ３２＝ １．４８２１７
ｉ１Ｊ〜ｉ＠Ｊを異常光と常光について同様に示す（単
位＝度）。
位＝度）。
（異常光） （常光）
ん、＝７９０ｎｌ、ｌ λ２ ＝８０５．ｍ えよ
λ２ｉ ｏ ４５．００００ Ｌ ＩＪ ４７．５７５７ １２、 ４２．４２４３ ｉ ３．＋ ４４．７６６８ ｉ４Ｊ １．５８３８ ｉ ５．＋ ２．３４８２ １５１ １５ｇ ４５．００００ ４７．５７３５ ４２．４２６５ ４４．７６７７ １．５８４７ ２．３４９２ ０．００１０ ４５．００００ ４５．００００ ４７．９３９６ ４７．９３７１ ４２．０６０４ ４２．０６２９ ４４．０５０５ ４４．０５２２ ０．８６７５ ０．８６９２ １．２８６１ １．２８８３ −０．００２２ 光束射出角度は１５Ｊ−（４５−γ）で与えられるから
、異常光で＋０．５３°、常光で−０，５３°となる。
λ２ｉ ｏ ４５．００００ Ｌ ＩＪ ４７．５７５７ １２、 ４２．４２４３ ｉ ３．＋ ４４．７６６８ ｉ４Ｊ １．５８３８ ｉ ５．＋ ２．３４８２ １５１ １５ｇ ４５．００００ ４７．５７３５ ４２．４２６５ ４４．７６７７ １．５８４７ ２．３４９２ ０．００１０ ４５．００００ ４５．００００ ４７．９３９６ ４７．９３７１ ４２．０６０４ ４２．０６２９ ４４．０５０５ ４４．０５２２ ０．８６７５ ０．８６９２ １．２８６１ １．２８８３ −０．００２２ 光束射出角度は１５Ｊ−（４５−γ）で与えられるから
、異常光で＋０．５３°、常光で−０，５３°となる。
第３の実施例においても、波長変化に対する異常光、常
光は光束分離手段１からの射出光角度ずれが小さく、従
って、光検出器１０−’、１０のどちらでもサーボ信号
検出に用いることができる。その上、射出光角度が００
に近いので、光束分離素子１の後方に集光レンズ（図示
せず）などを配置する際も、収差が発生しにくい利点が
ある。
光は光束分離手段１からの射出光角度ずれが小さく、従
って、光検出器１０−’、１０のどちらでもサーボ信号
検出に用いることができる。その上、射出光角度が００
に近いので、光束分離素子１の後方に集光レンズ（図示
せず）などを配置する際も、収差が発生しにくい利点が
ある。
次に、本発明に係わる光束分離素子１を用いた光磁気式
情報再生装置を第２図を参照して具体的に示す。図にお
いて、上記光束分離素子１はそのガラス２の、一軸性結
晶３との接合面には偏光ビームスプリッタが蒸着されて
いる。なお、上記偏光ビームスプリッタの特性は良好な
光磁気再生信号を得るため、Ｐ偏光透過率ｔｐ＝１００
％、Ｓ偏光透過率ｔｓ＝２０％である。
情報再生装置を第２図を参照して具体的に示す。図にお
いて、上記光束分離素子１はそのガラス２の、一軸性結
晶３との接合面には偏光ビームスプリッタが蒸着されて
いる。なお、上記偏光ビームスプリッタの特性は良好な
光磁気再生信号を得るため、Ｐ偏光透過率ｔｐ＝１００
％、Ｓ偏光透過率ｔｓ＝２０％である。
半導体レーザ１２より射出された直線偏光である光束は
コリメータレンズ１３により平行光束とされる。上記半
導体レーザの偏光方向は正面図において、紙面と垂直な
方向に配置される。光束分離素子１にＳ偏光で入射した
光束は８０％程度の光量が反射され、跳ね上げミラー１
４に向かう。
コリメータレンズ１３により平行光束とされる。上記半
導体レーザの偏光方向は正面図において、紙面と垂直な
方向に配置される。光束分離素子１にＳ偏光で入射した
光束は８０％程度の光量が反射され、跳ね上げミラー１
４に向かう。
上記ミラー１４で反射された光束は対物レンズ１５によ
り記録媒体１６の所定のトラックに微小な光スポットと
して集光される。光スポットの位置決めはアクチュエー
タ（図示せず）により対物レンズをトラックと垂直方向
及び光軸方向に移動させて行う。上記記録媒体１６上の
光磁気信号情報を含んだ反射光束は対物レンズ１５で平
行光束とされ、ミラー１４で折り曲げられ、再び光束分
離素子ｌに入射する。光磁気信号情報は光束分離素子１
においてＰ偏光成分となる。偏光ビームスプリッタにお
いてＰ偏光成分はほぼ１００％、Ｓ偏光成分は２０％透
過されるので、カー回転角の増幅が起こり、良好なＳ／
Ｎ比を得ることができる。
り記録媒体１６の所定のトラックに微小な光スポットと
して集光される。光スポットの位置決めはアクチュエー
タ（図示せず）により対物レンズをトラックと垂直方向
及び光軸方向に移動させて行う。上記記録媒体１６上の
光磁気信号情報を含んだ反射光束は対物レンズ１５で平
行光束とされ、ミラー１４で折り曲げられ、再び光束分
離素子ｌに入射する。光磁気信号情報は光束分離素子１
においてＰ偏光成分となる。偏光ビームスプリッタにお
いてＰ偏光成分はほぼ１００％、Ｓ偏光成分は２０％透
過されるので、カー回転角の増幅が起こり、良好なＳ／
Ｎ比を得ることができる。
前述の説明に従い、入射光束はガラス２．４及び一軸性
結晶３の接合面で互いに垂直な２つの偏光成分からなる
光束６−１．６弓に分離される。
結晶３の接合面で互いに垂直な２つの偏光成分からなる
光束６−１．６弓に分離される。
第１〜第３の実施例の光束分離素子を用いると、両光束
の分離角は約１°となる。上記光束６−１６−２は集光
レンズ１７により光検出器１０１０−２上に集光される
。光磁気信号は上記光検出器の差動出力により得られ、
また、サーボ信号は上記光検出器の少な（とも１つから
得ることができる。この装置では、温度や出力により半
導体レザ１２の波長が変化しても、光束分離素子１によ
って分離された光束６−’、６−２は角度ずれがきわめ
て微小なので、光検出器上の光束ずれが小さ（、安定且
つ正確な光磁気信号再生が可能である。
の分離角は約１°となる。上記光束６−１６−２は集光
レンズ１７により光検出器１０１０−２上に集光される
。光磁気信号は上記光検出器の差動出力により得られ、
また、サーボ信号は上記光検出器の少な（とも１つから
得ることができる。この装置では、温度や出力により半
導体レザ１２の波長が変化しても、光束分離素子１によ
って分離された光束６−’、６−２は角度ずれがきわめ
て微小なので、光検出器上の光束ずれが小さ（、安定且
つ正確な光磁気信号再生が可能である。
また、第３図に本発明の別の実施例が示されている。半
導体レーザ１２より射出された直線偏光である光束はコ
リメータレンズ１３により平行光束とされる。上記半導
体レーザの偏光方向は紙面内に配置される。ここでの偏
光ビームスプリッタ１８はビーム整形機能付きであり、
ここに入射した光束はほぼ等方な強度分布を持つ光束に
整形される。上記偏光ビームスプリッタの特性は良好な
光磁気再生信号を得るため、Ｐ偏光透過率ｔｐ＝８０％
、Ｓ偏光透過率ｔｓ＝０％である。上記偏光ビームスプ
リッタ１８を出射した光束は跳ね上げミラー１４に向か
う。第２図の実施例と同様な経路を経て、記録媒体１６
上の光磁気信号情報を含んだ反射光束は、再び偏光ビー
ムスプリッタ１８に入射する。この時の光磁気信号情報
は上記偏光ビームスプリッタ１８に対してＳ偏光成分と
なる。偏光ビームスプリッタにおいてＳ偏光成分はほぼ
１００％、Ｐ偏光成分は２０％反射されるので、カー回
転角の増幅が起こり、良好なＳ／Ｎ比を得ることができ
る。
導体レーザ１２より射出された直線偏光である光束はコ
リメータレンズ１３により平行光束とされる。上記半導
体レーザの偏光方向は紙面内に配置される。ここでの偏
光ビームスプリッタ１８はビーム整形機能付きであり、
ここに入射した光束はほぼ等方な強度分布を持つ光束に
整形される。上記偏光ビームスプリッタの特性は良好な
光磁気再生信号を得るため、Ｐ偏光透過率ｔｐ＝８０％
、Ｓ偏光透過率ｔｓ＝０％である。上記偏光ビームスプ
リッタ１８を出射した光束は跳ね上げミラー１４に向か
う。第２図の実施例と同様な経路を経て、記録媒体１６
上の光磁気信号情報を含んだ反射光束は、再び偏光ビー
ムスプリッタ１８に入射する。この時の光磁気信号情報
は上記偏光ビームスプリッタ１８に対してＳ偏光成分と
なる。偏光ビームスプリッタにおいてＳ偏光成分はほぼ
１００％、Ｐ偏光成分は２０％反射されるので、カー回
転角の増幅が起こり、良好なＳ／Ｎ比を得ることができ
る。
集光レンズ１７を経て光束分離素子ｌに入射した光束は
第２図のそれと同様に互いに垂直な２つの偏光成分から
なる光束６−１．６−２に分離され、各々が光検出器１
０−１．１０−２上に集光される。
第２図のそれと同様に互いに垂直な２つの偏光成分から
なる光束６−１．６−２に分離され、各々が光検出器１
０−１．１０−２上に集光される。
この装置では、温度や出力により半導体レザ１２の波長
が変化しても、光束分離素子１によって分離された光束
６−１．６−２は角度ずれがきわめて微小なので、光検
出器上の光束ずれが小さく、安定且つ正確な光磁気信号
再生が可能である。
が変化しても、光束分離素子１によって分離された光束
６−１．６−２は角度ずれがきわめて微小なので、光検
出器上の光束ずれが小さく、安定且つ正確な光磁気信号
再生が可能である。
［発明の効果］
本発明は以上詳述したようになり、結晶と２枚のガラス
の組み合わせによる光束分離素子を用いる光磁気式情報
再生装置において、本発明の適用により、光源である半
導体レーザの波長が温度や出力に応じて変化しても、光
束分離素子からの光束射出角度の変化が十分小さ（、従
って、サーボ信号検出を行う光検出器上での光束ずれが
十分小さくでき、正確且つ安定に光磁気信号情報の再生
が可能である。なお、ガラスと結晶の接合面に偏光ビー
ムスプリッタを蒸着することで、偏光ビムスプリツタと
上記光束分離素子との一体化を実現でき、光学ヘッドの
軽量化、小型化、低コスト化が容易となる。
の組み合わせによる光束分離素子を用いる光磁気式情報
再生装置において、本発明の適用により、光源である半
導体レーザの波長が温度や出力に応じて変化しても、光
束分離素子からの光束射出角度の変化が十分小さ（、従
って、サーボ信号検出を行う光検出器上での光束ずれが
十分小さくでき、正確且つ安定に光磁気信号情報の再生
が可能である。なお、ガラスと結晶の接合面に偏光ビー
ムスプリッタを蒸着することで、偏光ビムスプリツタと
上記光束分離素子との一体化を実現でき、光学ヘッドの
軽量化、小型化、低コスト化が容易となる。
第１図は本発明の基本部分を示す構成図、第２図（ａ）
及び（ｂ）は光束分離素子を用いた光磁気再生ヘッドの
一例を示す平面図及び側面図、第３図は別の例を示す平
面図、第４図及び第５図は光束分離素子の機能を説明す
るための斜視図及び正面図、第６図及び第７図は従来例
の側面図及び正面図である。 １９１．光束分離素子 ２１１．第１のガラス ３１０．一軸性結晶 ４０１．第２のガラス ５０１．入射光束 ６０１．出射光束
及び（ｂ）は光束分離素子を用いた光磁気再生ヘッドの
一例を示す平面図及び側面図、第３図は別の例を示す平
面図、第４図及び第５図は光束分離素子の機能を説明す
るための斜視図及び正面図、第６図及び第７図は従来例
の側面図及び正面図である。 １９１．光束分離素子 ２１１．第１のガラス ３１０．一軸性結晶 ４０１．第２のガラス ５０１．入射光束 ６０１．出射光束
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザからの光束を光磁気記録媒体上に微小
スポットとなるように集光し、上記記録媒体で反射され
た光束を光束分離手段で上記半導体レーザの偏光方向に
対してほぼ４５度の角度をなす方向に第１の光束として
分離し、また、これと直交する方向に第２の光束として
分離するようにした光磁気式情報再生装置用光学ヘッド
において、上記光束分離手段は光束の入射順序に第１の
ガラス、一軸性結晶、および第２のガラスを配列して構
成されており、また、第１のガラスと一軸性結晶と、及
び第２のガラスと一軸性結晶とのそれぞれの接合面の法
線が第１及び第２の光束が含まれる平面内にあり、且つ
、上記一軸性結晶の光学軸が上記半導体レーザの偏光方
向とほぼ４５度をなす方向に設定され、上記第１及び第
２のガラス並びに上記一軸性結晶は、第１及び第２の光
束のうち、少なくても１つについて上記光束分離手段か
らの光束射出角度が上記半導体レーザの第１の波長と第
２の波長について等しくなるような屈折率、分散及び接
合角をそれぞれ有するように設定してあることを特徴と
する光磁気式情報再生装置用光学ヘッド。 ２、上記第１のガラスと一軸性結晶との接合面に偏光ビ
ームスプリッタを蒸着したことを特徴とする請求項１に
記載の光磁気式情報再生装置用光学ヘッド。 ３、上記光束分離手段から射出した第１及び第２の光束
が上記光束分離手段に入射する光束とほぼ平行であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光磁気式情報再生装置
用光学ヘッド。
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