JPH0493261A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
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- JPH0493261A JPH0493261A JP21230890A JP21230890A JPH0493261A JP H0493261 A JPH0493261 A JP H0493261A JP 21230890 A JP21230890 A JP 21230890A JP 21230890 A JP21230890 A JP 21230890A JP H0493261 A JPH0493261 A JP H0493261A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野j
本発明は、熱転写式プリンターや感熱式プリンターを構
成するサーマルヘッドに係り、特に基板面に対して発熱
部を凸型状にしたサーマルヘッドに関する。
成するサーマルヘッドに係り、特に基板面に対して発熱
部を凸型状にしたサーマルヘッドに関する。
「従来の技術」
117図は、従来のサーマルヘッドを示すものである。
このサーマルヘッドは、アルミナ基Fi、l上に部分的
にガラスグレーズ族の蓄熱層2か形成されたものである
。これら蓄M層2と基板lの土には、発熱抵抗体層3か
形成されている。この発熱抵抗体層3の上には、この層
3に電流を供給するための導体層4が形成されている。
にガラスグレーズ族の蓄熱層2か形成されたものである
。これら蓄M層2と基板lの土には、発熱抵抗体層3か
形成されている。この発熱抵抗体層3の上には、この層
3に電流を供給するための導体層4が形成されている。
そして基板l上には、これら導体層4と抵抗体層3とに
よって発熱tI6がドツト状に形成されている。そして
これらの上には、これらを酸化ならびに摩耗から保護す
るための保護層5が積層されている。
よって発熱tI6がドツト状に形成されている。そして
これらの上には、これらを酸化ならびに摩耗から保護す
るための保護層5が積層されている。
このサーマルヘッドは、インクリボンあるいは感熱紙な
どの記録媒体(図示せず)に接した状態で使用される。
どの記録媒体(図示せず)に接した状態で使用される。
そしてサーマルヘッドの発熱部6に電流を印加して発熱
させると、インクリボンのインクを熱転写したり、記録
媒体を発色させることができる。
させると、インクリボンのインクを熱転写したり、記録
媒体を発色させることができる。
「発明が解決しようとする課題J
このようなサーマルヘッドにおいて、第18図に示すよ
うにガラスグレーズ族の蓄熱層2を薄くすると、熱応答
性が向上して高速印字が可能となる。しかし発熱部6の
突出量が少ないためにインクリボンへの圧着が弱く、印
字品質および印字効率が低くなり、また消費電力が高く
なるという欠点がある。このため第19図に示すように
ガラスグレーズ製の蓄熱層2を厚(して発熱部6を突出
させると、サーマルヘッドの発熱部6はインクリボンに
集中的に圧接されるため印字効率と印字品質は向上する
。しかしガラスグレーズ製の蓄熱層2が厚くなるため、
蓄熱量が大きくなり、熱応答性が損なわれ、高速印字に
は不向きとなる。
うにガラスグレーズ族の蓄熱層2を薄くすると、熱応答
性が向上して高速印字が可能となる。しかし発熱部6の
突出量が少ないためにインクリボンへの圧着が弱く、印
字品質および印字効率が低くなり、また消費電力が高く
なるという欠点がある。このため第19図に示すように
ガラスグレーズ製の蓄熱層2を厚(して発熱部6を突出
させると、サーマルヘッドの発熱部6はインクリボンに
集中的に圧接されるため印字効率と印字品質は向上する
。しかしガラスグレーズ製の蓄熱層2が厚くなるため、
蓄熱量が大きくなり、熱応答性が損なわれ、高速印字に
は不向きとなる。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、高速印字性
能を低下させることなく印字効率を向上できる、すなわ
ち消費電力を低減できるサーマルヘッドを提供すること
を目的とする。
能を低下させることなく印字効率を向上できる、すなわ
ち消費電力を低減できるサーマルヘッドを提供すること
を目的とする。
「課題を解決するための手段」
本発明のサーマルヘッドは、凸出部を有するシリコン基
板の少なくとも凸出部に、多孔質酸化シリコンから成る
層を形成し、そのシリコン基板上に発熱抵抗体層を形成
し、その上部に発熱部となる凸部頂上周辺の発熱抵抗体
層の部分を除いて導体層を形成し、さらにその発熱部と
導体層の上部に保護層を形成することを課題解決の手段
とした。
板の少なくとも凸出部に、多孔質酸化シリコンから成る
層を形成し、そのシリコン基板上に発熱抵抗体層を形成
し、その上部に発熱部となる凸部頂上周辺の発熱抵抗体
層の部分を除いて導体層を形成し、さらにその発熱部と
導体層の上部に保護層を形成することを課題解決の手段
とした。
「作用」
本発明のサーマルヘッドにあっては、シリコン基板の凸
出部の頂上部分上に発熱部が設けられているので、イン
クリボンや感熱紙などの記録媒体に発熱部が充分に圧接
される。
出部の頂上部分上に発熱部が設けられているので、イン
クリボンや感熱紙などの記録媒体に発熱部が充分に圧接
される。
また本発明のサーマルヘッドにあっては、熱伝導率の小
さい多孔質酸化ンリコン層が、シリコン基板の少なくと
も凸出部に10〜100μ自の厚さで設けられているの
で、発熱抵抗体層からシリコン基板への熱伝導を低減す
ることができる。
さい多孔質酸化ンリコン層が、シリコン基板の少なくと
も凸出部に10〜100μ自の厚さで設けられているの
で、発熱抵抗体層からシリコン基板への熱伝導を低減す
ることができる。
ここで、多孔質酸化シリコン層の厚さが10μm未満で
は熱伝導を低減する効果がなくなり、また100μ説を
超えると多孔質酸化シリコン層に伝わった熱は蓄熱され
て熱応答性が損なわれて高速印字性能が低下される。
は熱伝導を低減する効果がなくなり、また100μ説を
超えると多孔質酸化シリコン層に伝わった熱は蓄熱され
て熱応答性が損なわれて高速印字性能が低下される。
「実施例」
(実施例)
第1図は、本発明のサーマルヘッドの一実施例を示すも
のである。
のである。
このサーマルヘッドをなす基板7は、シリコン製のもの
である。この基板7には凸12.0か形成されている。
である。この基板7には凸12.0か形成されている。
この凸部20は、頂上領域にあり急峻なテーパーを持つ
突出部8と、その周辺部にあって緩やかなテーパーを持
つ周辺隆起部10とから構成されている。基板7の突出
部8を含んでその周辺部分に、多孔質酸化シリコン層(
P OS層)16が形成されている。この多孔質酸化シ
リコン層(P OS層)16が形成されていないシリコ
ン基板7の表面部分には、5ins膜14が形成されて
いる。このシリコン基板7上にはTazN、Ta−Cr
−N、Ta−5ins等から成る厚さ0.05〜0.3
μ銀の発熱抵抗体層3が設けられている。その上には、
発熱部6となる凸部頂上周辺を除いてALNi−Cr/
Au等から成る厚さ1〜2μlの導体層4が形成されて
いる。さらにその発熱部6と導体層4の上部には、S
10 !/ T ago 5+サイアロン等から成る厚
さ5〜7μ−の保護層5が形成されている。
突出部8と、その周辺部にあって緩やかなテーパーを持
つ周辺隆起部10とから構成されている。基板7の突出
部8を含んでその周辺部分に、多孔質酸化シリコン層(
P OS層)16が形成されている。この多孔質酸化シ
リコン層(P OS層)16が形成されていないシリコ
ン基板7の表面部分には、5ins膜14が形成されて
いる。このシリコン基板7上にはTazN、Ta−Cr
−N、Ta−5ins等から成る厚さ0.05〜0.3
μ銀の発熱抵抗体層3が設けられている。その上には、
発熱部6となる凸部頂上周辺を除いてALNi−Cr/
Au等から成る厚さ1〜2μlの導体層4が形成されて
いる。さらにその発熱部6と導体層4の上部には、S
10 !/ T ago 5+サイアロン等から成る厚
さ5〜7μ−の保護層5が形成されている。
この婁施例のサーマルヘッドにおいては、ノリコノ基板
7の凸部20の突出KIs上に発熱部6が設けられてい
るので、インクリボンや感熱紙なとの記録媒体に発熱部
6か充分に圧接される。
7の凸部20の突出KIs上に発熱部6が設けられてい
るので、インクリボンや感熱紙なとの記録媒体に発熱部
6か充分に圧接される。
従ってこのサーマルヘッドは、印字効率と印字品質に優
れたものとなる。
れたものとなる。
またこの実施例のサーマルヘッドにあっては、熱伝導率
の小さい多孔質酸化シリコン層16が、シリコン基板7
の突出部8を含んでその周辺部分に10−100μmの
厚さて設けられているので、発熱抵抗体層3からシリコ
ン基板7への熱伝導を適当に低減することができる。
の小さい多孔質酸化シリコン層16が、シリコン基板7
の突出部8を含んでその周辺部分に10−100μmの
厚さて設けられているので、発熱抵抗体層3からシリコ
ン基板7への熱伝導を適当に低減することができる。
従ってこのサーマルヘッドは、消費電力を低く抑えるこ
とができ、この点でも印字効率の良好なものとなる。
とができ、この点でも印字効率の良好なものとなる。
さらにこのサーマルヘッドにあっては、熱容量の小さい
多孔質酸化シリコン層16が、シリコン基板7の突出部
8を含んでその周辺部分に10〜100μmの厚さで設
けられているので、多孔質酸化シリコン層に伝わった熱
は速やかにシリコン基板7の他の部分に放出される。
多孔質酸化シリコン層16が、シリコン基板7の突出部
8を含んでその周辺部分に10〜100μmの厚さで設
けられているので、多孔質酸化シリコン層に伝わった熱
は速やかにシリコン基板7の他の部分に放出される。
従ってこのサーマルヘッドは、高速印字性能も満足する
。
。
(製造例)
次に前記実施例1のサーマルヘッドを製造する方法を、
凸部を有するシリコン基板を製造する工程、その基板に
多孔質酸化シリコンを形成する工程、その基板を用いて
サーマルヘッドを製造する工程の3つの工程に分けて説
明する。
凸部を有するシリコン基板を製造する工程、その基板に
多孔質酸化シリコンを形成する工程、その基板を用いて
サーマルヘッドを製造する工程の3つの工程に分けて説
明する。
凸部を有するシリコン基板を製造する第1の工程は、以
下のように行なわれた。
下のように行なわれた。
■ まず、第2図に示すシリコン基板7を用意した。こ
のシリコン基板7には、抵抗率がo、oiΩ・Cl1l
OP型基板を用いた。
のシリコン基板7には、抵抗率がo、oiΩ・Cl1l
OP型基板を用いた。
■ 次にこのシリコン基板7上にマスキング液(日本合
成ゴム社製CBR−M901)をスピンコードし、これ
を露光、現像して第3図に示すように、マスク18を形
成した。またこのマスク18の幅は、500μ亀とした
。
成ゴム社製CBR−M901)をスピンコードし、これ
を露光、現像して第3図に示すように、マスク18を形
成した。またこのマスク18の幅は、500μ亀とした
。
■ 次いでフッ酸、硝酸および酢酸の重量割合が、それ
ぞれ79%、3九、18%である混酸を用いて約3分間
エツチング処理を行った。エツチング処理後、シリコン
基板7は約30μ鳳の深さにエツチングされていた。ま
たシリコン基板7は第4図に示すようにマスク18の下
部の基板にまで一部食い込むようにエツチングされてい
た。
ぞれ79%、3九、18%である混酸を用いて約3分間
エツチング処理を行った。エツチング処理後、シリコン
基板7は約30μ鳳の深さにエツチングされていた。ま
たシリコン基板7は第4図に示すようにマスク18の下
部の基板にまで一部食い込むようにエツチングされてい
た。
■ 次にマスク18を硫酸と過酸化水素水の混合液を用
いて剥離したところ、第5図に示すようにエツジ部19
のある凸部9を存するシリコン基板7が得られた。
いて剥離したところ、第5図に示すようにエツジ部19
のある凸部9を存するシリコン基板7が得られた。
■ 次いでこのシリコン基板7を、フッ酸、硝酸および
酢酸の重量割合がそれぞれ10%、80%、10%であ
る混酸に約6分間浸漬してエツジ部19を除去し、第6
図に示すような凸部9を有するシリコン基板7を作成し
た。
酢酸の重量割合がそれぞれ10%、80%、10%であ
る混酸に約6分間浸漬してエツジ部19を除去し、第6
図に示すような凸部9を有するシリコン基板7を作成し
た。
■ 次いで再びこのシリコン基板7にマスキング液(日
本合成ゴム社製CBR−M901)をスピンコードし、
これを露光、現像して第7図に示すようにこのシリコン
基板7の中央部上に幅100μ烏のマスク18を形成し
た。
本合成ゴム社製CBR−M901)をスピンコードし、
これを露光、現像して第7図に示すようにこのシリコン
基板7の中央部上に幅100μ烏のマスク18を形成し
た。
■ 次いて前記■の工程で使用した混酸を用し)で、約
1分間エツチング処理を行うことより、第8図に示すよ
うにマスク18の周辺部を約10μm工、。
1分間エツチング処理を行うことより、第8図に示すよ
うにマスク18の周辺部を約10μm工、。
チングしfこ。
■ 次に醸記■の工程と同様にして硫酸と過酸化水素水
の混合液を用いてマスク18を剥離したところ、第9図
に示す上うに中央部に高さ約10μ−の突出58が形成
されたシリコン基板7が得られた。
の混合液を用いてマスク18を剥離したところ、第9図
に示す上うに中央部に高さ約10μ−の突出58が形成
されたシリコン基板7が得られた。
■ 次いでこのシリコン基板7を前記■の工程と同組成
の混酸を用いてエツジ部21の除去を行ったところ、第
1O図に示すような突出部8と周辺隆起部10とからな
る凸部20を有するシリコン基板7が得られた。
の混酸を用いてエツジ部21の除去を行ったところ、第
1O図に示すような突出部8と周辺隆起部10とからな
る凸部20を有するシリコン基板7が得られた。
第2の工程の多孔質酸化シリコン(P OS )を形成
する工程は、以下の上うに行なわれた。
する工程は、以下の上うに行なわれた。
■ まず、第11図に示すように、第10図に示したシ
リコン基板7上にフォトレジスト(日本合成ゴム社製C
BR−M901)によるマスク11を形成した。pos
e形成予定領域12の部分でよ、フォトリソグラフィー
によってマスクIIをエツチングすることより、シリコ
ン基板7の表面か露出されてしする。
リコン基板7上にフォトレジスト(日本合成ゴム社製C
BR−M901)によるマスク11を形成した。pos
e形成予定領域12の部分でよ、フォトリソグラフィー
によってマスクIIをエツチングすることより、シリコ
ン基板7の表面か露出されてしする。
■ 次に白金板を陰極にした電解槽に濃度20wj%の
フッ化水素酸水溶液を入れ、上記シリコン基板7を陽極
として白金板と対向さき、直流で陽極化成処理した。処
理条件は、電流密度50 a+A/cm”、処理時間2
0分であった。
フッ化水素酸水溶液を入れ、上記シリコン基板7を陽極
として白金板と対向さき、直流で陽極化成処理した。処
理条件は、電流密度50 a+A/cm”、処理時間2
0分であった。
シリコン基板7上に形成されたフォトレジストによるマ
スク11は、フッ化水素酸によって腐食されないため、
マスクの役割を確実に果たす。そして第12図に示すよ
うにシリコン基板7上のマスク11の形成されていなし
)部分、すなわちPO8層形成予定領域12のみに、厚
さ40μm1気孔率80%の多孔質シリコン層(以下、
28層と2己す)15が形成された。このPSSi20
厚さは陽極化成処理する時間によって自由に制御するこ
とが可能であった。
スク11は、フッ化水素酸によって腐食されないため、
マスクの役割を確実に果たす。そして第12図に示すよ
うにシリコン基板7上のマスク11の形成されていなし
)部分、すなわちPO8層形成予定領域12のみに、厚
さ40μm1気孔率80%の多孔質シリコン層(以下、
28層と2己す)15が形成された。このPSSi20
厚さは陽極化成処理する時間によって自由に制御するこ
とが可能であった。
■ 次に、十分洗浄を行った後、第13図に示すように
、前記シリコン基板7上のマスク11を硫酸と過酸化水
素水の混合液によって除去した。
、前記シリコン基板7上のマスク11を硫酸と過酸化水
素水の混合液によって除去した。
■ 次いで十分洗浄を行った後、大気中において850
〜1000℃で熱酸化を行い、航記PS層15を酸化し
た。このPSSiB6酸化処理したとき、多孔質シリコ
ン(PS)が多孔質酸化シリコン(POS)に変化し、
第14図に示すように、凸部20とその周辺部分に20
8層16が形成された。この酸化処理の際にシリコン基
板7の表面も酸化されて、PO5層16の周囲には厚さ
0.05〜0.1μmの5iOz膜14が形成された。
〜1000℃で熱酸化を行い、航記PS層15を酸化し
た。このPSSiB6酸化処理したとき、多孔質シリコ
ン(PS)が多孔質酸化シリコン(POS)に変化し、
第14図に示すように、凸部20とその周辺部分に20
8層16が形成された。この酸化処理の際にシリコン基
板7の表面も酸化されて、PO5層16の周囲には厚さ
0.05〜0.1μmの5iOz膜14が形成された。
このように形成されたシリコン基板7には必要に応じて
無孔質酸化シリコンやサイアロン等の無孔質絶縁膜をス
パッタリングによって被覆しても良い。
無孔質酸化シリコンやサイアロン等の無孔質絶縁膜をス
パッタリングによって被覆しても良い。
この基板を用いてサーマルヘッドを製造する第3の工程
は、以下のように行なわれた。
は、以下のように行なわれた。
■ まず前記PO5層16を有するシリコン基板7上に
T a*N 、T a Cr N 、T a−S
iOを等をスパッタすることより、第15図に示す発熱
抵抗体層3を形成した。この発熱抵抗体層3の厚さは0
05〜03μmであったり ■ 次いでこの上にAf2.N i −Cr/ Auを
蒸着することにより、厚さ1〜2μmの導体層4を形成
した。凸部頂上の部分は、導体層4をフォトリソグラフ
ィによってエツチングすることより除去し、発熱部6と
した。そして第16図に示すようにPOSFI16の両
側部で発熱抵抗体層3と導体層4とが接続された構造と
した。
T a*N 、T a Cr N 、T a−S
iOを等をスパッタすることより、第15図に示す発熱
抵抗体層3を形成した。この発熱抵抗体層3の厚さは0
05〜03μmであったり ■ 次いでこの上にAf2.N i −Cr/ Auを
蒸着することにより、厚さ1〜2μmの導体層4を形成
した。凸部頂上の部分は、導体層4をフォトリソグラフ
ィによってエツチングすることより除去し、発熱部6と
した。そして第16図に示すようにPOSFI16の両
側部で発熱抵抗体層3と導体層4とが接続された構造と
した。
■ さらにこの上にS 102/ T ato 5.サ
イアロン等をスパッタリングして厚さ5〜7μmの保護
層5を形成することにより、第1図に示すサーマルヘッ
ドを製造することがてきる。
イアロン等をスパッタリングして厚さ5〜7μmの保護
層5を形成することにより、第1図に示すサーマルヘッ
ドを製造することがてきる。
「発明の効果」
以上説明したように本発明のサーマルヘッドは、シリコ
ン基板の凸部の頂上部上に発熱部が設けられているので
、インクリボンや感熱紙などの記録媒体に発熱部が充分
に圧接される。
ン基板の凸部の頂上部上に発熱部が設けられているので
、インクリボンや感熱紙などの記録媒体に発熱部が充分
に圧接される。
従って本発明のサーマルヘッドは、印字品質に優れたも
のとなる。
のとなる。
また本発明のサーマルヘッドにあっては、熱伝導率の小
さい多孔質酸化シリコン層が、ノリフン基板の少なくと
も凸出部にlO〜100μ銅の厚さで設けられているの
で、発熱抵抗体層からシリコン基板への熱伝導を低減す
ることかでき、また多孔質酸化ノリコ7層に伝わった熱
を蓄、#1iltを大きくすることなくシリコン基板へ
放出できるので、高速印字性能を低下させないという顕
著な効果を奏する。
さい多孔質酸化シリコン層が、ノリフン基板の少なくと
も凸出部にlO〜100μ銅の厚さで設けられているの
で、発熱抵抗体層からシリコン基板への熱伝導を低減す
ることかでき、また多孔質酸化ノリコ7層に伝わった熱
を蓄、#1iltを大きくすることなくシリコン基板へ
放出できるので、高速印字性能を低下させないという顕
著な効果を奏する。
第1図は本発明のサーマルヘッドの一実施例を示す断面
図である。 第2図ないし第16図は実施例1のサーマルヘッドを製
造する工程を説明するための断面図である。 第17図ないし第19図は蓄熱層がガラスグレーズで形
成された従来のサーマルヘッドを示す断面図である。 凸部、16 多孔質酸化シリコン層、 凸部。
図である。 第2図ないし第16図は実施例1のサーマルヘッドを製
造する工程を説明するための断面図である。 第17図ないし第19図は蓄熱層がガラスグレーズで形
成された従来のサーマルヘッドを示す断面図である。 凸部、16 多孔質酸化シリコン層、 凸部。
Claims (1)
- 凸出部を有するシリコン基板の少なくとも凸出部に、多
孔質酸化シリコンから成る層が形成され、このシリコン
基板の凸出部上に発熱抵抗体層が形成され、その上部に
発熱部となる凸出部頂上部上の発熱抵抗体層の部分を除
いて導体層が形成され、さらにその発熱部と導体層の上
部に保護層が形成されてなるサーマルヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21230890A JPH0493261A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | サーマルヘッド |
| US07/739,960 US5182574A (en) | 1990-08-09 | 1991-08-05 | Thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21230890A JPH0493261A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493261A true JPH0493261A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16620414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21230890A Pending JPH0493261A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493261A (ja) |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP21230890A patent/JPH0493261A/ja active Pending
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